JP2001035869A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップの外部接続端子としてボール状
電極を備えた半導体装置の製造方法において、処理工程
の簡素化を図り、ボール状電極の接合強度を向上させる
と共に、実装時に接合部分近傍にクラックが生じたり或
いはチップ内部への浸水が生じるのを防止し、信頼性の
向上に寄与することを目的とする。 【解決手段】 半導体チップ１１上の絶縁膜１２に形成
された開口部から露出する電極パッド１３にボール状電
極１４を接合し、絶縁膜１２とボール状電極１４を覆う
ように、或いはボール状電極１４の頂上部を除く他の部
分と絶縁膜１２を覆うように樹脂層１５を形成し、この
樹脂層１５をボール状電極１４の頂上部と接合部分との
間のほぼ中間の位置まで除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に係り、特に、高密度実装に対応するために半導体
チップの外部接続端子としてはんだボール等のボール状
電極を備えた半導体装置、例えばボール・グリッド・ア
レイ（ＢＧＡ）型のパッケージ構造やチップ・サイズ・
パッケージ（ＣＳＰ）構造或いはフリップチップ方式を
用いたパッケージ構造を有する半導体装置、においてボ
ール状電極の接合強度を向上させるのに有用な技術に関
する。

【０００２】なお、以下の記述において「半導体チッ
プ」とは、特に定義していない限り、ウエハから切断分
離された後の個々の半導体素子を指すのはもちろんのこ
と、ＣＳＰ構造の半導体装置のようにウエハに作り込ま
れていて未だ切断分離される前の状態にある個々の半導
体素子をも指すものとする。

【０００３】

【従来の技術】上述したボール状電極を備えた半導体装
置として、例えばＢＧＡ型のパッケージ構造を有する半
導体装置を例にとり、図１を参照しながら説明する。図
１において、（ａ）はパッケージ（半導体装置）をプリ
ント基板等の実装基板に実装した時の側面から見た状
態、（ｂ）及び（ｃ）は実装時に発生する問題点を示し
ている。図中、１は半導体チップ、２は半導体チップ１
上に形成された絶縁性の保護膜、３は保護膜２の所要箇
所に形成された開口部から露出する電極パッド、４は電
極パッド３に接合された外部接続端子としてのはんだボ
ール、５は実装基板、６は実装基板５上に形成された絶
縁性の保護膜、７は半導体チップ１上のはんだボール４
が形成されている位置に対応して実装基板５の保護膜６
に形成された開口部から露出する電極パッドを示す。

【０００４】パッケージの実装は、半導体チップ１上の
電極パッド３に接合されたはんだボール４を実装基板５
上の対応する電極パッド７に押し付けて、熱圧着により
行われる。この際、図１（ａ）に示すように半導体チッ
プ１の熱膨張率と実装基板５の熱膨張率が異なるため、
その相違に起因して熱ストレスが生じる。この熱ストレ
スは、はんだボール４の接合部分の近傍（矢印Ｐで示す
部分）に剪断応力として集中する。その結果、図１
（ｂ）に示すようにはんだボール４の接合部分の近傍に
クラックＣが生じる可能性がある。

【０００５】このようなクラックＣが生じると、はんだ
ボール４が部分的に破損したり、場合によっては破断し
たりして、半導体チップ１の外部接続端子としての機能
を果たすことができないといった問題が生じ、また、は
んだボール４の接合強度が低下するといった問題もひき
起こす。これは、結局は、半導体チップ１と実装基板５
の接続の信頼性を損なうこと（つまり接続信頼性の低
下）につながる。

【０００６】従来、クラックの発生に対する対策とし
て、電極パッドに接合されるはんだボール又ははんだバ
ンプの基部（接合部分）を補強する技術が提案されてい
る。その一例は、例えば特開平９−２３２３７３号公報
に開示されている。この公報に開示された技術では、は
んだバンプを実装基板上の接続端子パッドに接合させる
ことで実装を行う半導体装置において、はんだバンプ
に、根元を厚く先端ほど薄くなるよう囲むように樹脂を
塗布して形成した樹脂補強部材が設けられている。ま
た、この樹脂補強部材は、先ずはんだバンプを有する半
導体装置にはんだバンプの各々を仕切るようにマスクを
かぶせ、次にスキーザなどを用いてマスクの中に熱硬化
性又は熱可塑性の樹脂を塗り込み、同時にはんだバンプ
上の余分な樹脂をこすり落とし、さらにマスクをはずし
た後、熱硬化性の樹脂の場合は熱で溶媒を蒸発させると
共に樹脂を硬化させ、熱可塑性の樹脂の場合は溶媒を蒸
発させて樹脂を乾固させることにより、作製されてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述したように従来技
術の一例として挙げた特開平９−２３２３７３号公報に
開示された技術では、はんだバンプの根元部分（つまり
接合部分）の近傍にクラックが発生するのを防止するた
めに根元部分を樹脂補強部材で覆っているが、この樹脂
補強部材を作製するプロセスに関しては、各はんだバン
プを仕切るようにマスクをかぶせる処理、スキーザなど
を用いてマスクの中に樹脂を塗り込むと同時にはんだバ
ンプ上の余分な樹脂をこすり落とす処理、マスクをはず
す処理等を必要とするため、各工程の処理内容が比較的
複雑であり、また工程数も相対的に多いといった不利が
あった。

【０００８】また、図１（ｂ）に示したようなクラック
Ｃが生じないとしても、半導体チップ１を実装基板５に
実装した時に両者の熱膨張率の違いに起因して生じる熱
ストレスにより、例えば図１（ｃ）に示すように半導体
チップ１上の電極パッド３に接合されたはんだボール４
と保護膜２の間にわずかな隙間ができ、その隙間から水
分が矢印で示すようにパッケージ（半導体チップ１）内
部に浸入する可能性がある。図中、破線で囲まれた部分
Ｗは、浸水が生じている部分を表している。このような
パッケージ内部への浸水は、上記のようにクラックＣが
生じている場合には一層生じ易い。

【０００９】このようなパッケージ内部への浸水が生じ
ると、マイグレーションが生じて保護膜２の絶縁劣化を
ひき起こしたり、或いは、浸入した水分が隙間などに局
所的に閉じ込められ、さらに加熱処理の際の熱により高
温に温められて瞬間的に飛散する現象、いわゆる「ポッ
プコーン」現象、をひき起こすといった問題が発生す
る。このような問題が生じると、パッケージとしての信
頼性が損なわれることになる。

【００１０】しかし、上記公報に開示された技術では、
パッケージ内部への浸水とそれに関連する問題について
何ら考慮されていなかった。以上に説明した問題点は、
ＢＧＡ型のパッケージ構造を有する半導体装置に特有な
ものではなく、同様のボール状電極を備えたＣＳＰ構造
の半導体装置やフリップチップ方式を用いた半導体装置
についても通常に起こり得ることである。

【００１１】本発明は、上述した従来技術における課題
に鑑み創作されたもので、処理工程の簡素化を図り、半
導体チップのボール状電極の接合強度を向上させると共
に、実装時に接合部分近傍にクラックが生じたり或いは
チップ内部への浸水が生じるのを防止し、ひいては信頼
性の向上に寄与することができる半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上述した従来技術の課題
を解決するため、本発明の一形態によれば、半導体チッ
プ上の絶縁膜に形成された開口部から露出する電極パッ
ドに外部接続端子としてのボール状電極を接合する工程
と、前記絶縁膜及び前記ボール状電極を覆うように、或
いは前記ボール状電極の頂上部を除く他の部分及び前記
絶縁膜を覆うように樹脂層を形成する工程と、前記ボー
ル状電極の頂上部と接合部分との間のほぼ中間の位置ま
で前記樹脂層を除去する工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法が提供される。この形態は、ＢＧ
Ａ等のパッケージ構造を有する半導体装置に適用され
る。

【００１３】また、本発明の他の形態によれば、半導体
チップ上の絶縁膜に形成された開口部から露出する電極
パッドに接続されるように前記絶縁膜及び前記電極パッ
ドの上に所要形状にパターニングされた導体層を形成す
る工程と、前記導体層の端子形成部分に外部接続端子と
してのボール状電極を接合する工程と、前記絶縁膜、前
記導体層及び前記ボール状電極を覆うように、或いは前
記ボール状電極の頂上部を除く他の部分、前記絶縁膜及
び前記導体層を覆うように樹脂層を形成する工程と、前
記ボール状電極の頂上部と接合部分との間のほぼ中間の
位置まで前記樹脂層を除去する工程とを含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法が提供される。この形態
は、ＣＳＰ構造等の半導体装置に適用される。

【００１４】本発明の上記各形態に係る半導体装置の製
造方法によれば、ボール状電極の頂上部と接合部分との
間のほぼ中間の位置（つまりボール状電極の側面の中間
の位置）から接合部分にかけて樹脂層により覆われてい
る（つまり補強されている）ので、電極パッド或いは電
極パッドに接続された導体層の端子形成部分に対するボ
ール状電極の接合強度を高めることができる。

【００１５】これによって、実装時に半導体チップと実
装基板の熱膨張率の違いに起因して熱ストレスが生じて
も、上記補強用の樹脂層により、その熱ストレスによる
剪断応力が有効に吸収され或いはボール状電極全体に分
散されるので、従来のようにボール状電極の接合部分近
傍にクラックが生じたり或いはチップ内部への浸水が生
じるといった不都合を無くすことができる。これは、接
続信頼性と共にパッケージとしての信頼性の向上に大い
に寄与する。

【００１６】また、前述した従来技術（特開平９−２３
２３７３号公報）では、樹脂補強部材を作製するプロセ
スとして、各はんだバンプ間にマスクを形成し、マスク
の中に樹脂を塗り込むと同時にはんだバンプ上の余分な
樹脂をこすり落とし、マスクを除去する等の処理を必要
としたため、各処理工程が比較的複雑であったが、本発
明では、ボール状電極を少なくとも部分的に覆って全面
に樹脂層を形成し、この樹脂層を特定の位置まで除去す
ることで補強用の樹脂層を形成することができるので、
上記従来技術と比べて処理工程の簡素化を図ることがで
きる。

【００１７】さらに、ボール状電極の頂上部と接合部分
のほぼ中間の位置で樹脂層の除去を止めているので、残
存する補強用の樹脂層とボール状電極が接触している角
度はほぼ９０°を呈する。かかる構成により、熱ストレ
スがかかった時でもボール状電極が左右方向に振られ難
くなるので、上述した本発明の効果をより一層確実に奏
することができる。これについては、後で図３を参照し
ながら詳述する。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
ボール状電極を備えた半導体装置について、その製造工
程を示す図２を参照しながら説明する。なお、本実施形
態はＢＧＡ型のパッケージ構造を有する半導体装置を対
象としている。先ず最初の工程では（図２（ａ）参
照）、シリコン（Ｓｉ）基板に周知の方法で集積回路が
作り込まれた半導体チップ１１を作製する。すなわち、
Ｓｉ基板の表面に二酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）や窒化シ
リコン（ＳｉＮ）等の絶縁性の保護膜としてのパッシベ
ーション膜１２を形成した後、集積回路上に所要のパタ
ーンで多数形成されたアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃ
ｕ）等の電極パッド１３に対応する領域のパッシベーシ
ョン膜１２を除去する。これによって、図示のように電
極パッド１３が露出し、且つ電極パッド１３に対応する
領域（開口部）を除いて表面がパッシベーション膜（絶
縁膜）１２で覆われた半導体チップ１１が作製される。

【００１９】次の工程では（図２（ｂ）参照）、半導体
チップ１１上の絶縁膜１２に形成された開口部から露出
する電極パッド１３に、外部接続端子として供されるは
んだボール１４をリフローにより接合する。次の工程で
は（図２（ｃ）参照）、はんだボール１４の接合強度を
高めるための補強部材として供される樹脂層１５を形成
する。この場合、形成される樹脂層１５の膜厚は、図示
のように絶縁膜１２とはんだボール１４を覆いつくす程
度の厚さｄ１に選定してもよいし、或いは、はんだボー
ル１４の頂上部が露出する程度の厚さｄ２（図中、破線
で示す位置）に選定してもよい。

【００２０】本実施形態では、樹脂層１５の材料として
感光性樹脂（例えば感光性のポリイミド系樹脂、エポキ
シ系樹脂、アクリル系樹脂等からなるソルダレジスト）
を用いており、特定的には、ソルダレジストをスピンコ
ート法により塗布してソルダレジスト層（樹脂層）１５
を形成する。樹脂を塗布する方法としては、スピンコー
ト法以外に、当業者には周知の浸漬（ディップ）コート
法やスプレーコート法等を用いてもよい。また、塗布さ
れる樹脂は、下層との密着性や作業性等の観点から、可
及的に粘性の低い材料を選定するのが望ましい。

【００２１】最後の工程では（図２（ｄ）参照）、上記
のように形成した樹脂層１５を露光し、はんだボール１
４の側面の中間の位置（はんだボール１４の基部すなわ
ち接合部分と頂上部のほぼ中間の位置）まで樹脂層１５
を除去する。つまり、樹脂層１５に対する露光を途中の
段階で止めている。これによって、図示のように樹脂層
１５の相応の厚さの樹脂部分（ハッチングで示される部
分）が、未露光部分１５ａとして残存する。

【００２２】このように本実施形態に係る半導体装置の
製造方法によれば、はんだボール１４の側面の中間の位
置から基部（接合部分）にかけて相応の厚さの樹脂層１
５ａにより覆われている（つまり補強されている）の
で、電極パッド１３に対するはんだボール１４の接合強
度を高めることができる。従って、本パッケージ（半導
体装置）をプリント基板等の実装基板に実装した時に半
導体チップ１１と実装基板の熱膨張率の違いに起因して
熱ストレスが生じても、補強用の樹脂層１５ａの存在に
より、その熱ストレスによる剪断応力が有効に吸収さ
れ、或いははんだボール１４全体に効果的に分散され
る。これによって、従来技術に見られたような接合部分
近傍でのクラックやパッケージ内部への浸水といった問
題を解消することができ、ひいてはパッケージとしての
信頼性及び実装時の接続信頼性を共に向上させることが
可能となる。

【００２３】また、本実施形態によれば、図２（ｃ）及
び（ｄ）に示すように全面にはんだボール１４を覆って
樹脂層１５を形成し、この樹脂層１５を特定の位置まで
除去するだけで補強用の樹脂層１５ａを形成することが
できるので、前述した特開平９−２３２３７３号公報に
開示された技術と比較して、プロセスの簡略化を図るこ
とができる。

【００２４】さらに、本実施形態では樹脂層１５に対す
る露光を途中の段階で止めるようにしているが（図２
（ｄ）参照）、上述した効果をより一層確実に奏すると
いう観点から、露光を止めるタイミングは、はんだボー
ル１４の側面の中間の位置、或いはそれより頂上部側の
位置（但し、はんだボール１４の頂上部は露出させる必
要がある）に選定するのが望ましい。この理由につい
て、図３を参照しながら説明する。

【００２５】図３において、（ａ）は露光を止める位置
をはんだボール１４の側面の中間の位置より下方（特に
はんだボール１４の基部近傍の位置）とした場合、
（ｂ）は露光を止める位置をはんだボール１４の側面の
中間の位置とした場合の状態を示している。上述したよ
うに実装時に半導体チップ１１と実装基板（図３には図
示せず）の熱膨張率の違いに起因して熱ストレス（すな
わち剪断応力）が発生するが、この剪断応力は、樹脂層
（未露光部分）１５ａとはんだボール１４が接触してい
る部分（矢印Ｐで示す部分）に集中する。（ａ）の場
合、樹脂層１５ａがはんだボール１４に接触している角
度θ₁ は鋭角であるため、上記剪断応力によってはんだ
ボール１４が左右方向に振られ易く、これによって当該
部分にクラックや浸水が生じる可能性がある。これに対
し（ｂ）の場合、樹脂層１５ａがはんだボール１４に接
触している角度θ₂ （＞θ₁ ）は９０°に近いため、
（ａ）の場合に比べてはんだボール１４が左右方向に振
られ難く、これによって当該部分にクラックや浸水が生
じる可能性を実質的に無くすことができる。

【００２６】上述した実施形態では、ソルダレジスト層
（樹脂層）１５の相応の厚さの部分が未露光部分１５ａ
として残るように露光を途中の段階で止めるようにした
が、露光の仕方はこれに限定されないことはもちろんで
ある。その一例は図４に示される。図４は上述した実施
形態における図２（ｄ）の工程の変形例を示したもので
ある。図示の例では、はんだボール１４の基部の近傍に
存する樹脂部分のみが残存するようにパッシベーション
膜（絶縁膜）１２の上端までソルダレジスト層（樹脂
層）１５を露光して除去している。つまり、樹脂層１５
の光が当たらなかった部分、すなわちはんだボール１４
の側面の中間の位置から基部に至る部分の周囲に存する
樹脂部分（ハッチングで示される部分）が、未露光部分
１５ｂとして残存する。

【００２７】また、上述した実施形態ではＢＧＡ型のパ
ッケージ構造を有する半導体装置を例にとって説明した
が、はんだボール等のボール状電極を備えた半導体装置
の形態はこれに限定されないことはもちろんである。例
えば、フリップチップ方式を用いた半導体装置やＣＳＰ
構造の半導体装置にも同様に本発明を適用することが可
能である。その一例は図５に示される。

【００２８】図５は本発明の他の実施形態に係るボール
状電極を備えた半導体装置の製造工程を示したものであ
り、ＣＳＰ構造の半導体装置を対象としている。先ず最
初の工程では（図５（ａ）参照）、図２（ａ）の工程で
行った処理と同様にして、電極パッド２３が露出し、且
つ電極パッド２３に対応する領域を除いて表面がパッシ
ベーション膜２２で覆われたウエハ２１を作製する。こ
のウエハ２１には周知の方法で複数の半導体チップが作
り込まれている。さらに、ウエハ２１の表面に感光性の
ポリイミド系樹脂等からなるレジストを塗布し、電極パ
ッド２３の形状に従うように露光及び現像（レジストの
パターニング）を行って、図示のように電極パッド２３
に対応する領域に開口部をもつ絶縁膜２４を形成する。

【００２９】次の工程では（図５（ｂ）参照）、ウエハ
２１（各半導体チップ）上の絶縁膜２４に形成された開
口部から露出する電極パッド２３に接続されるように絶
縁膜２４及び電極パッド２３の上に所要形状にパターニ
ングされた導体層２５を形成する。この導体層２５は図
示のように金属薄膜２６と配線層２７の２層構造となっ
ており、本発明の主旨と直接関係しないので具体的に図
示はしていないが、例えば以下のように形成することが
できる。

【００３０】先ず、全面にスパッタリングにより金属薄
膜２６を形成する。この金属薄膜２６は、好適には、下
層との密着性を高めるためのクロム（Ｃｒ）等からなる
金属層と給電層として供される銅（Ｃｕ）層の２層構造
を有している。次に、金属薄膜２６からの給電による電
解めっきにより、金属薄膜２６の上に所要形状にパター
ニングされたレジストをマスクにしてＣｕの配線パター
ンすなわち配線層２７を形成する。この配線層２７は
「再配線層」とも呼ばれる。さらに、露出している金属
薄膜２６をエッチングにより除去して、図示のように２
層構造の導体層２５を形成する。

【００３１】次の工程では（図５（ｃ）参照）、パター
ニングされた配線層２７の端子形成部分に外部接続端子
としてのはんだボール２８を接合する。はんだボール２
８の接合は、例えば以下のように行われる。先ず、絶縁
膜２４とこの上に形成された配線層２７を覆うように封
止用の樹脂層２９をポッティング等により形成し、次い
で、樹脂層２９において配線層２７の端子形成部分に対
応する領域にレーザ加工によりビア・ホールを形成し、
さらに、ビア・ホール内にはんだボール２８を配置し、
リフローを行ってはんだボール２８を配線層２７上に固
定する。

【００３２】最後の工程では（図５（ｄ）参照）、図２
（ｃ）及び（ｄ）の工程で行った処理と同様にして、は
んだボール２８の接合強度を高めるための補強用の樹脂
層３０を形成し、さらに、露光を行って、はんだボール
２８の側面の中間の位置まで樹脂層３０を除去する。こ
れによって、図示のように樹脂層３０の相応の厚さの樹
脂部分が、未露光部分３０ａとして残存する。

【００３３】この後、適当な段階で、ダイサー等によ
り、樹脂層（未露光部分）３０ａと共にウエハ２１を切
断して個々の半導体チップに分離する。上述した各実施
形態でははんだボールの接合強度を高めるための補強用
樹脂として感光性樹脂を用いた場合について説明した
が、かかる感光性樹脂に代えて、非感光性樹脂を用いて
もよいし、或いは感熱性樹脂を用いることも可能であ
る。非感光性樹脂としては、例えば配線基板上に実装さ
れる半導体チップとその基板の間に充填されるアンダー
フィル材として多用されるエポキシ系樹脂や非感光性の
ポリイミド系樹脂等を用いることができ、感熱性樹脂と
しては、例えば熱硬化性又は熱可塑性のポリイミド系樹
脂等を用いることができる。

【００３４】補強用樹脂として非感光性樹脂を用いた場
合には、樹脂の塗布量は上述した感光性樹脂の場合と同
様であるが、塗布した樹脂の一部を除去する方法として
は、例えば、Ｏ₂ プラズマを用いたアッシング、アルゴ
ンイオン（Ａｒ⁺ ）等の正イオンの衝撃を利用したスパ
ッタエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等
が用いられる。このうち、エッチングレートが比較的高
いという点でアッシングが好適である。但し、非感光性
樹脂として有機物系の樹脂を用いた場合にはアッシング
を用いることができるが、有機物系以外の樹脂を用いた
場合にはアッシング以外のスパッタエッチング等が用い
られる。

【００３５】なお、アッシングでははんだボールの表面
が酸化する可能性があるため、例えばＣＦ₄ 等のガスを
プラズマ化したものをＯ₂ プラズマに加えてエッチング
レートを更に高める処理（プラズマエッチング）を行う
ことで、酸化の可能性を排除するのが望ましい。また、
非感光性樹脂を用いた場合にそれを除去する方法として
は、上述したアッシング等以外にも、例えば、サンドブ
ラスト（シリカ粒子等の研磨剤を水などの液体或いは窒
素などの気体に混入させ、高圧で対象物に吹き付けてそ
の表層部分を除去する方法）を用いることも可能であ
る。

【００３６】一方、補強用樹脂として感熱性樹脂を用い
た場合には、塗布した樹脂を除去する処理に代えて、加
熱処理により感熱性樹脂を厚さ方向に収縮させてはんだ
ボールの頂上部を露出させる処理を行う。この場合、使
用する感熱性樹脂の属性に依存してその収縮度にばらつ
きがあるため、最終段階ではんだボールの頂上部を確実
に露出させるためには、塗布する感熱性樹脂の膜厚は、
はんだボールの頂上部が露出する程度の厚さ（図２
（ｃ）において破線で示す位置）に選定するのが望まし
い。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、は
んだボール等のボール状電極の少なくとも基部の周囲を
樹脂で覆って補強しているので、ボール状電極の接合強
度を高めることができ、これによって実装時に接合部分
近傍にクラックが生じたり或いはチップ内部への浸水が
生じるのを防止することができる。これは、パッケージ
としての信頼性と共に実装時の接続信頼性の向上に大い
に寄与する。また、上述したように従来技術と比べてプ
ロセスの簡略化を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来技術に係るボール状電極を備えた半導体装
置の問題点を説明するための図である。

【図２】本発明の一実施形態に係るボール状電極を備え
た半導体装置の製造工程を示す断面図である。

【図３】図２の実施形態による効果を説明するための図
である。

【図４】図２の実施形態における（ｄ）の工程の変形例
を示す図である。

【図５】本発明の他の実施形態に係るボール状電極を備
えた半導体装置の製造工程を示す断面図である。

【符号の説明】

１１…半導体チップ １２，２２，２４…絶縁膜 １３，２３…電極パッド １４，２８…ボール状電極（はんだボール） １５，２９，３０…樹脂層 １５ａ，１５ｂ，３０ａ…未露光部分として残存する樹
脂部分 ２１…ウエハ ２５…導体層 ２６…金属薄膜 ２７…配線層

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップ上の絶縁膜に形成された開
   口部から露出する電極パッドに外部接続端子としてのボ
   ール状電極を接合する工程と、 前記絶縁膜及び前記ボール状電極を覆うように、或いは
   前記ボール状電極の頂上部を除く他の部分及び前記絶縁
   膜を覆うように樹脂層を形成する工程と、 前記ボール状電極の頂上部と接合部分との間のほぼ中間
   の位置まで前記樹脂層を除去する工程とを含むことを特
   徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記ボール状電極の頂上部と接合部分と
   の間のほぼ中間の位置まで前記樹脂層を除去する工程に
   代えて、前記ボール状電極の接合部分の近傍のみに樹脂
   層部分が残存して前記絶縁膜が露出するように前記樹脂
   層を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１に記
   載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 半導体チップ上の絶縁膜に形成された開
   口部から露出する電極パッドに接続されるように前記絶
   縁膜及び前記電極パッドの上に所要形状にパターニング
   された導体層を形成する工程と、 前記導体層の端子形成部分に外部接続端子としてのボー
   ル状電極を接合する工程と、 前記絶縁膜、前記導体層及び前記ボール状電極を覆うよ
   うに、或いは前記ボール状電極の頂上部を除く他の部
   分、前記絶縁膜及び前記導体層を覆うように樹脂層を形
   成する工程と、 前記ボール状電極の頂上部と接合部分との間のほぼ中間
   の位置まで前記樹脂層を除去する工程とを含むことを特
   徴とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記ボール状電極の頂上部と接合部分と
   の間のほぼ中間の位置まで前記樹脂層を除去する工程に
   代えて、前記ボール状電極の接合部分の近傍のみに樹脂
   層部分が残存して前記絶縁膜及び前記導体層が露出する
   ように前記樹脂層を除去する工程を含むことを特徴とす
   る請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記樹脂層を感光性樹脂により形成し、
   当該樹脂層を露光処理により除去することを特徴とする
   請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置の製
   造方法。
6. 【請求項６】 前記樹脂層を非感光性樹脂により形成
   し、当該樹脂層をアッシング処理、スパッタエッチング
   処理等により除去することを特徴とする請求項１から４
   のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記樹脂層を感熱性樹脂により形成した
   場合に、前記樹脂層を除去する工程に代えて、加熱処理
   により前記感熱性樹脂を厚さ方向に収縮させて前記ボー
   ル状電極の頂上部を露出させる工程を含むことを特徴と
   する請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置
   の製造方法。