KR100476558B1 - 이미지 센서 모듈 및 그 제작 공정 - Google Patents
이미지 센서 모듈 및 그 제작 공정 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100476558B1 KR100476558B1 KR10-2002-0029331A KR20020029331A KR100476558B1 KR 100476558 B1 KR100476558 B1 KR 100476558B1 KR 20020029331 A KR20020029331 A KR 20020029331A KR 100476558 B1 KR100476558 B1 KR 100476558B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- image sensor
- transparent medium
- wafer
- area
- sensor module
- Prior art date
Links
- 238000010276 construction Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 84
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 19
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 11
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- JFIMDKGRGPNPRQ-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5-pentachloro-6-(2,3,4,5-tetrachlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=C(Cl)C(Cl)=CC(C=2C(=C(Cl)C(Cl)=C(Cl)C=2Cl)Cl)=C1Cl JFIMDKGRGPNPRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01077—Iridium [Ir]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
Abstract
Description
Claims (22)
- 일측단에 소정크기의 천공영역이 천공되어 있으며 타단에 연결되는 장치와의 전기신호의 전송 및 송신을 위한 도전 패턴이 형성되어 있는 플렉시블 PCB와;중앙부의 임의의 영역에 존재하는 이미지 센서와 전기적인 신호의 흐름을 위한 금속패턴에 따른 패드가 주변부에 형성되어 있으며 상기 플렉시블 PCB의 일측면에 형성되어 있는 천공영역에 안착되는 이미지 칩과;상기 이미지 칩의 전체 면적을 커버하는 소정의 면적을 갖는 IR 필터로 이루어진 투명 매질과;상기 투명 매질의 일 측면 주변부에 전기적 연결에 따른 도전성을 향상시키기 위해 형성되는 범프와;상기 범프가 형성되어 있는 투명 매질의 일측면과 상기 이미지 칩을 겹쳐 상기 범프 형성 영역과 패드면 형성 영역을 접착하여 상기 이미지 칩과 투명 매질간의 기밀성을 유지하기 위한 접합층; 및상기 플렉시블 PCB의 천공영역 주변부와 안착된 이미지 칩의 후측면의 접촉 영역을 몰딩하는 에폭시 수지를 포함하고,상기 천공영역에 안착되도록 상기 이미지 칩의 웨이퍼와 투명 매질이 서로 단차지는 단차영역을 구비함을 특징으로 하는 플렉시블 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 범프는 골드 혹은 납과 같은 전도성이 높은 매질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈.
- 제 1 항에 있어서,상기 접합층은 전도성 접합제인 ACP 또는 ACF를 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈.
- 제 1 항에 있어서,상기 접합층은 전도성 접합제인 NCP를 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈.
- 웨이퍼에 이미지 센서를 형성 배열하되 각 센서간에는 소정의 이격 거리를 갖도록 하고 각 이미지 센서 주변에 일정 패턴의 패드를 형성하는 제 1과정과;웨이퍼 면적의 소정의 투명 매질 일 측면에 일정 패턴의 범프를 형성하는 제 2과정과;상기 제 1과정을 통해 형성되어진 패드 영역 상부 혹은 상기 제 2과정을 통해 형성되어진 범프 영역 상부에 접합층을 형성하는 제 3과정과;상기 제 3과정을 통해 형성된 접합층을 이용하여 상기 투명 매질 일 측면에 형성된 범프와 상기 패드가 대향하도록 접착하는 제 4과정과;상기 제 4과정을 통해 접착되어진 웨이퍼와 투명 매질이 서로 단차지는 단차영역을 형성하도록 상기 웨이퍼 후면에서 다이싱 공정을 수행하는 제 5과정; 및상기 제 5과정에서 셀 단위로 다이싱되어진 접착상태의 웨이퍼와 투명 매질의 단차 영역이 플렉시블 PCB의 패턴부의 천공 영역에 안착되어진 후 플렉시블 PCB와 웨이퍼 후면의 접합면을 에폭시 수지를 이용하여 몰딩하는 제 6과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈의 제작 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 소정의 투명 매질은 글라스 또는 IR 필터 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈의 제작 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 범프는 골드 혹은 납과 같은 전도성이 높은 매질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈의 제작 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 접합층은 전도성 접합제인 ACP 또는 ACF를 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈의 제작 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 접합층은 비전도성 접합제인 NCP를 사용하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈의 제작 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 5과정은 접착되어진 웨이퍼와 투명 매질의 웨이퍼 후면에서 상기 이미지 센서의 손상이 없는 범위 내에서 넓은 면적으로 상기 접합층의 손상이 없는 깊이를 다이싱하는 1차 다이싱 단계와;상기 1차 다이싱 단계에서의 다이싱 면적보다 상대적으로 좁은 면적으로 상기 투명 매질까지 다이싱하는 2차 다이싱 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉시블 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈의 제작 방법.
- 일측단에 소정크기의 천공영역이 천공되어 있으며 타단에 연결되는 장치와의 전기신호의 전송 및 송신을 위한 도전 패턴이 형성되어 있는 PCB와;중앙부의 임의의 영역에 존재하는 이미지 센서와 전기적인 신호의 흐름을 위한 금속패턴에 따른 패드가 주변부에 형성되어 있으며 상기 PCB의 일측면에 형성되어 있는 천공영역에 안착되는 이미지 칩과;상기 이미지 칩의 전체 면적을 커버하는 소정의 면적을 갖는 IR 필터로 이루어진 투명 매질과;상기 투명 매질의 일 측면 주변부에 전기적 연결에 따른 도전성을 향상시키기 위해 형성되는 범프와;상기 범프가 형성되어 있는 투명 매질의 일측면과 상기 이미지 칩을 겹쳐 상기 범프 형성 영역과 패드면 형성 영역을 접착하여 상기 이미지 칩과 투명 매질간의 기밀성을 유지하기 위한 접합층; 및상기 PCB의 천공영역 주변부와 안착된 이미지 칩의 후측면의 접촉 영역을 몰딩하는 에폭시 수지를 포함하고,상기 천공영역에 안착되도록 상기 이미지 칩의 웨이퍼와 투명 매질이 서로 단차지는 단차영역을 구비함을 특징으로 하는 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈.
- 삭제
- 제 12 항에 있어서,상기 범프는 골드 혹은 납과 같은 전도성이 높은 매질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈.
- 제 12 항에 있어서,상기 접합층은 전도성 접합제인 ACP 또는 ACF를 사용되는 것을 특징으로 하는 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈.
- 제 12 항에 있어서,상기 접합층은 비전도성 접합제인 NCP를 사용되는 것을 특징으로 하는 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈.
- 웨이퍼에 이미지 센서를 형성 배열하되 각 센서간에는 소정의 이격 거리를 갖도록 하고 각 이미지 센서 주변에 일정 패턴의 패드를 형성하는 제 1과정과;웨이퍼 면적의 소정의 투명 매질 일 측면에 일정 패턴의 범프를 형성하는 제 2과정과;상기 제 1과정을 통해 형성되어진 패드 영역 상부 혹은 상기 제 2과정을 통해 형성되어진 범프 영역 상부에 접합층을 형성하는 제 3과정과;상기 제 3과정을 통해 형성된 접합층을 이용하여 상기 투명 매질 일 측면에 형성된 범프와 상기 패드가 대향하도록 접착하는 제 4과정과;상기 제 4과정을 통해 접착되어진 웨이퍼와 투명 매질이 서로 단차지는 단차영역을 형성하도록 상기 웨이퍼 후면에서 다이싱 공정을 수행하는 제 5과정; 및상기 제 5과정에서 셀 단위로 다이싱되어진 접착상태의 웨이퍼와 투명 매질의 단차 영역이 PCB의 패턴부의 천공 영역에 안착되어진 후 PCB와 웨이퍼 후면의 접합면을 에폭시 수지를 이용하여 몰딩하는 제 6과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈의 제작 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 소정의 투명 매질은 글라스 또는 IR 필터 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈의 제작 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 범프는 골드 혹은 납과 같은 전도성이 높은 매질을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈의 제작 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 접합층은 전도성 접합제인 ACP 또는 ACF를 사용하는 것을 특징으로 하는 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈의 제작 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 접합층은 비전도성 접합제인 NCP를 사용하는 것을 특징으로 하는 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈의 제작 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 5과정은 접착되어진 웨이퍼와 투명 매질의 웨이퍼 후면에서 상기 이미지 센서의 손상이 없는 범위 내에서 넓은 면적으로 상기 접합층의 손상이 없는 깊이를 다이싱하는 1차 다이싱 단계와;상기 1차 다이싱 단계에서의 다이싱 면적보다 상대적으로 좁은 면적으로 상기 투명 매질까지 다이싱하는 2차 다이싱 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 PCB와 연결되는 이미지 센서 모듈의 제작 방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0029331A KR100476558B1 (ko) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | 이미지 센서 모듈 및 그 제작 공정 |
JP2002376445A JP2003347531A (ja) | 2002-05-27 | 2002-12-26 | イメージセンサモジュール及びその製造方法 |
US10/330,646 US6737292B2 (en) | 2002-05-27 | 2002-12-27 | Method of fabricating an image sensor module at the wafer level and mounting on circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0029331A KR100476558B1 (ko) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | 이미지 센서 모듈 및 그 제작 공정 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030091389A KR20030091389A (ko) | 2003-12-03 |
KR100476558B1 true KR100476558B1 (ko) | 2005-03-17 |
Family
ID=29546381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-0029331A KR100476558B1 (ko) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | 이미지 센서 모듈 및 그 제작 공정 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6737292B2 (ko) |
JP (1) | JP2003347531A (ko) |
KR (1) | KR100476558B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101772490B1 (ko) * | 2011-09-28 | 2017-08-30 | 삼성전자주식회사 | 인쇄회로기판 어셈블리 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2839812B1 (fr) * | 2002-05-17 | 2005-07-01 | Atmel Grenoble Sa | Procede de fabrication collective de composants de filtrage optique et plaquette de composants |
JP4796271B2 (ja) * | 2003-07-10 | 2011-10-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US20050161815A1 (en) * | 2004-01-27 | 2005-07-28 | Joseph Sun | Package of a semiconductor device with a flexible wiring substrate and method for the same |
US7303400B2 (en) * | 2004-01-27 | 2007-12-04 | United Microelectronics Corp. | Package of a semiconductor device with a flexible wiring substrate and method for the same |
JP2005284147A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮像装置 |
US7714931B2 (en) * | 2004-06-25 | 2010-05-11 | Flextronics International Usa, Inc. | System and method for mounting an image capture device on a flexible substrate |
TWI333249B (en) * | 2004-08-24 | 2010-11-11 | Himax Tech Inc | Sensor package |
US7294827B2 (en) * | 2004-09-21 | 2007-11-13 | Delphi Technologies, Inc. | Electronic module with light-blocking features |
US7422962B2 (en) * | 2004-10-27 | 2008-09-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of singulating electronic devices |
JP2006148710A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Sharp Corp | 撮像モジュール及び撮像モジュールの製造方法 |
KR100687069B1 (ko) | 2005-01-07 | 2007-02-27 | 삼성전자주식회사 | 보호판이 부착된 이미지 센서 칩과 그의 제조 방법 |
KR100643017B1 (ko) | 2005-01-07 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 보호판이 부착된 웨이퍼와 이미지 센서 칩, 그리고 그의제조 방법 |
KR100678282B1 (ko) * | 2005-01-24 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 모듈 |
KR100674833B1 (ko) | 2005-02-16 | 2007-01-26 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 |
KR100785488B1 (ko) * | 2005-04-06 | 2007-12-13 | 한국과학기술원 | 이미지 센서 모듈 및 이의 제조 방법 |
US7745897B2 (en) * | 2005-05-27 | 2010-06-29 | Aptina Imaging Corporation | Methods for packaging an image sensor and a packaged image sensor |
KR101050851B1 (ko) | 2005-07-22 | 2011-07-21 | 삼성테크윈 주식회사 | 이미지 센서 모듈 및 이를 구비한 카메라 모듈 |
KR100791461B1 (ko) * | 2006-01-23 | 2008-01-04 | 엠텍비젼 주식회사 | 디지털 카메라 모듈 |
US7586139B2 (en) | 2006-02-17 | 2009-09-08 | International Business Machines Corporation | Photo-sensor and pixel array with backside illumination and method of forming the photo-sensor |
KR100747611B1 (ko) | 2006-03-08 | 2007-08-08 | 삼성전자주식회사 | 미소소자 패키지 및 그 제조방법 |
US20070236591A1 (en) * | 2006-04-11 | 2007-10-11 | Tam Samuel W | Method for mounting protective covers over image capture devices and devices manufactured thereby |
KR100790994B1 (ko) | 2006-08-01 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 패키지, 그 제조 방법 및 이미지 센서패키지를 포함하는 이미지 센서 모듈 |
US8456560B2 (en) * | 2007-01-26 | 2013-06-04 | Digitaloptics Corporation | Wafer level camera module and method of manufacture |
CN101730863B (zh) | 2007-04-24 | 2011-12-28 | 弗莱克斯电子有限责任公司 | 相机模块及其制造方法 |
TW200843050A (en) * | 2007-04-27 | 2008-11-01 | jin-quan Bai | Thin-type image sensing chip package |
US20090206431A1 (en) * | 2008-02-20 | 2009-08-20 | Micron Technology, Inc. | Imager wafer level module and method of fabrication and use |
DE102008047088B4 (de) * | 2008-09-12 | 2019-05-29 | Jabil Circuit Inc. | Kamera-Modul für ein Mobiltelefon |
US9419032B2 (en) | 2009-08-14 | 2016-08-16 | Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd | Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing |
KR101711007B1 (ko) * | 2010-04-29 | 2017-03-02 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 패키지를 갖는 이미지 센서 모듈 |
US9640574B2 (en) * | 2010-12-30 | 2017-05-02 | Stmicroelectronics Pte. Ltd. | Image sensor circuit, system, and method |
TWI450653B (zh) * | 2012-12-06 | 2014-08-21 | Wintek Corp | 接墊結構 |
CN104580857A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-29 | 南昌欧菲光电技术有限公司 | 摄像头模组 |
US9602804B2 (en) * | 2015-03-26 | 2017-03-21 | Intel Corporation | Methods of forming integrated package structures with low Z height 3D camera |
CN105161426A (zh) * | 2015-09-21 | 2015-12-16 | 业成光电(深圳)有限公司 | 导电基板及其制作方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63122167A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
JPH09232551A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Toshiba Corp | 光電変換装置 |
JPH11304448A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 媒体検出方法 |
JPH11345955A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Sony Corp | レンズ一体型固体撮像素子並びにそのレンズ装着方法及びレンズ装着装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6534340B1 (en) * | 1998-11-18 | 2003-03-18 | Analog Devices, Inc. | Cover cap for semiconductor wafer devices |
JP2001068654A (ja) | 1999-06-25 | 2001-03-16 | Sony Corp | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 |
US6168965B1 (en) * | 1999-08-12 | 2001-01-02 | Tower Semiconductor Ltd. | Method for making backside illuminated image sensor |
US6503780B1 (en) * | 2000-07-05 | 2003-01-07 | Amkor Technology, Inc. | Wafer scale image sensor package fabrication method |
JP2002094082A (ja) * | 2000-07-11 | 2002-03-29 | Seiko Epson Corp | 光素子及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2002043451A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Kyocera Corp | 半導体装置 |
US6646316B2 (en) * | 2001-01-24 | 2003-11-11 | Kingpak Technology, Inc. | Package structure of an image sensor and packaging |
KR100410946B1 (ko) * | 2001-05-16 | 2003-12-18 | 삼성전기주식회사 | 이미지 센서 모듈 및 그 제조 방법 |
-
2002
- 2002-05-27 KR KR10-2002-0029331A patent/KR100476558B1/ko active IP Right Grant
- 2002-12-26 JP JP2002376445A patent/JP2003347531A/ja active Pending
- 2002-12-27 US US10/330,646 patent/US6737292B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63122167A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
JPH09232551A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Toshiba Corp | 光電変換装置 |
JPH11304448A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 媒体検出方法 |
JPH11345955A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Sony Corp | レンズ一体型固体撮像素子並びにそのレンズ装着方法及びレンズ装着装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101772490B1 (ko) * | 2011-09-28 | 2017-08-30 | 삼성전자주식회사 | 인쇄회로기판 어셈블리 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030091389A (ko) | 2003-12-03 |
JP2003347531A (ja) | 2003-12-05 |
US20030218251A1 (en) | 2003-11-27 |
US6737292B2 (en) | 2004-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100476558B1 (ko) | 이미지 센서 모듈 및 그 제작 공정 | |
KR100604190B1 (ko) | 고체촬상장치, 반도체 웨이퍼, 광학장치용 모듈,고체촬상장치의 제조방법, 및 광학장치용 모듈의 제조방법 | |
US7372122B2 (en) | Image sensor chip package and method of fabricating the same | |
US8981511B2 (en) | Multi-chip package for imaging systems | |
US7911017B1 (en) | Direct glass attached on die optical module | |
EP1398832B1 (en) | Camera module for compact electronic equipments | |
US9455358B2 (en) | Image pickup module and image pickup unit | |
US7589422B2 (en) | Micro-element package having a dual-thickness substrate and manufacturing method thereof | |
US20050116138A1 (en) | Method of manufacturing a solid state image sensing device | |
US20080055438A1 (en) | Image sensor package, related method of manufacture and image sensor module | |
US9887223B2 (en) | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus | |
US20100315546A1 (en) | Imaging Device and Manufacturing method therefor | |
JP2005209967A (ja) | 半導体装置、光学装置用モジュール及び半導体装置の製造方法 | |
US8927316B2 (en) | Camera module and method of manufacturing the camera module | |
KR20040110296A (ko) | 고체 촬상용 반도체 장치 | |
JP2002329850A (ja) | チップサイズパッケージおよびその製造方法 | |
KR100713347B1 (ko) | 이미지 센서 조립체 및 그 제작 방법 | |
US20090014827A1 (en) | Image sensor module at wafer level, method of manufacturing the same, and camera module | |
KR100526191B1 (ko) | 고체 촬상용 반도체 장치 | |
JP2006245359A (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
JP2006005612A (ja) | 撮像モジュール | |
US20090315130A1 (en) | Solid-state imaging apparatus and method for manufacturing the same | |
KR100464965B1 (ko) | 이미지 센서 모듈 하우징 | |
KR100640336B1 (ko) | 이미지 센서 조립체 | |
KR100688762B1 (ko) | 모바일용 카메라 렌즈 모듈 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130111 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131224 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150202 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160111 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170102 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180102 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190103 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200102 Year of fee payment: 16 |