JP2003347531A - イメージセンサモジュール及びその製造方法 - Google Patents
イメージセンサモジュール及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 品質及び生産性の向上を図り、単価を下げ
る。 【解決手段】 一側端の所定領域が穿孔されていて、他
端に連結される装置との電気信号の電送及び送信用の導
電パターンが形成されているフレキシブルＰＣＢと、中
央部の任意の領域に存在するイメージセンサと電気信号
の流れのための金属パターンに伴うパッドが周辺部に形
成されていて、フレキシブルＰＣＢの一側面に形成され
ている穿孔領域に装着されるイメージチップと、イメー
ジチップの全体をカバーする透明媒質と、透明媒質の一
側面周辺部に電気的連結に伴う導電性を向上させるため
に形成されるバンプと、バンプが形成されている透明媒
質の一側面とイメージチップを重ね、バンプ形成領域と
パッド面形成領域とを接着して気密性を維持するための
接合層と、フレキシブルＰＣＢの穿孔領域周辺部と装着
されたイメージチップの後側面の接触領域とをモールド
するエポキシ樹脂とを含んで構成される。
る。 【解決手段】 一側端の所定領域が穿孔されていて、他
端に連結される装置との電気信号の電送及び送信用の導
電パターンが形成されているフレキシブルＰＣＢと、中
央部の任意の領域に存在するイメージセンサと電気信号
の流れのための金属パターンに伴うパッドが周辺部に形
成されていて、フレキシブルＰＣＢの一側面に形成され
ている穿孔領域に装着されるイメージチップと、イメー
ジチップの全体をカバーする透明媒質と、透明媒質の一
側面周辺部に電気的連結に伴う導電性を向上させるため
に形成されるバンプと、バンプが形成されている透明媒
質の一側面とイメージチップを重ね、バンプ形成領域と
パッド面形成領域とを接着して気密性を維持するための
接合層と、フレキシブルＰＣＢの穿孔領域周辺部と装着
されたイメージチップの後側面の接触領域とをモールド
するエポキシ樹脂とを含んで構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄形のイメージ撮
像装置に適用されるイメージセンサモジュールに関す
る。
像装置に適用されるイメージセンサモジュールに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、デジタルカメラは、インターネッ
ト映像通信などとともに使われる頻度が増えており、最
近、ＰＤＡとＩＭＴ−２０００端末機などのように次世
代移動通信端末機が普及されることによって、そうした
小型の情報通信端末機を画像通信などに利用するための
小型カメラモジュールの必要性が高まっている。すなわ
ち、デジタルカメラ製品の高機能化及び多機能化と直間
接的に連結する超スリム型カメラモジュールに対する需
要が大きく増えているのである。
ト映像通信などとともに使われる頻度が増えており、最
近、ＰＤＡとＩＭＴ−２０００端末機などのように次世
代移動通信端末機が普及されることによって、そうした
小型の情報通信端末機を画像通信などに利用するための
小型カメラモジュールの必要性が高まっている。すなわ
ち、デジタルカメラ製品の高機能化及び多機能化と直間
接的に連結する超スリム型カメラモジュールに対する需
要が大きく増えているのである。
【０００３】特に、今後はＰＤＡなどが単純なスケジュ
ール管理のための用途だけから脱皮して、カメラモジュ
ール、移動通信モジュールなど、多様な周辺装置を活用
したマルチメディア機器として変革するようになる。こ
のことによって、情報通信サービスの目標が場所と時間
に拘束されず、音声及びデータはもちろん、停止画像及
び動映像まで保存、電送及び提供できるマルチメディア
サービスにあると考えられる。そのため、一層の小型化
及び超薄形化されたカメラモジュールの必要性が増大す
るだろうと予想されるのである。
ール管理のための用途だけから脱皮して、カメラモジュ
ール、移動通信モジュールなど、多様な周辺装置を活用
したマルチメディア機器として変革するようになる。こ
のことによって、情報通信サービスの目標が場所と時間
に拘束されず、音声及びデータはもちろん、停止画像及
び動映像まで保存、電送及び提供できるマルチメディア
サービスにあると考えられる。そのため、一層の小型化
及び超薄形化されたカメラモジュールの必要性が増大す
るだろうと予想されるのである。
【０００４】これにカメラモジュールの基本的な構成要
素となるＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサを利用したイ
メージセンサモジュールの場合、ＣＬＣＣ（ceramic le
adless chip carrier）、又はＣＯＢ（chip on board）
方式のパッケージに孔（hall）を活用してモジュールの
高さを縮小させようという構成が考えられている。
素となるＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサを利用したイ
メージセンサモジュールの場合、ＣＬＣＣ（ceramic le
adless chip carrier）、又はＣＯＢ（chip on board）
方式のパッケージに孔（hall）を活用してモジュールの
高さを縮小させようという構成が考えられている。
【０００５】前記イメージセンサモジュールの代表的な
構造に伴う製作工程を、図１乃至図６を参照して説明す
ると、まず、図１に示すように、半導体製作工程を介
し、ウェーハに形成された多数のイメージセンサチップ
をバラに分離する。このとき、イメージセンサチップ５
１には実質的にイメージを感知できるイメージ領域５２
が存在している。
構造に伴う製作工程を、図１乃至図６を参照して説明す
ると、まず、図１に示すように、半導体製作工程を介
し、ウェーハに形成された多数のイメージセンサチップ
をバラに分離する。このとき、イメージセンサチップ５
１には実質的にイメージを感知できるイメージ領域５２
が存在している。
【０００６】以後、図２のように、前記図１の過程を介
してバラに分離されたイメージセンサチップ５１を回路
基板５０上にダイボンディングする。前記図２の過程を
介してイメージセンサチップが回路基板上にダイボンデ
ィングされると、図３の過程のように、イメージセンサ
チップと回路基板間の電気的な連結のためにワイヤー５
３を利用したワイヤーボンディングが遂行される。
してバラに分離されたイメージセンサチップ５１を回路
基板５０上にダイボンディングする。前記図２の過程を
介してイメージセンサチップが回路基板上にダイボンデ
ィングされると、図３の過程のように、イメージセンサ
チップと回路基板間の電気的な連結のためにワイヤー５
３を利用したワイヤーボンディングが遂行される。
【０００７】図３のように、ワイヤーボンディング過程
が終了すると、図４に示されているように、カバーガラ
ス、或いはＩＲ−フィルタ３０が合成樹脂４０を介して
接着されているハウジング１０を、図５に示されている
ように、ワイヤーボンディングされたイメージセンサチ
ップがある回路基板上に、やはり合成樹脂４０を利用し
て接着させ、撮像素子モジュールの気密性を維持する。
が終了すると、図４に示されているように、カバーガラ
ス、或いはＩＲ−フィルタ３０が合成樹脂４０を介して
接着されているハウジング１０を、図５に示されている
ように、ワイヤーボンディングされたイメージセンサチ
ップがある回路基板上に、やはり合成樹脂４０を利用し
て接着させ、撮像素子モジュールの気密性を維持する。
【０００８】以後、図６に示されているように、レンズ
２１を具備しているホルダー（holder）２０が前記ハウ
ジング１０の開口部に装着又はねじ結合されるようにな
る。
２１を具備しているホルダー（holder）２０が前記ハウ
ジング１０の開口部に装着又はねじ結合されるようにな
る。
【０００９】図６を参照して、最終的に締結が完了した
撮像素子のモジュールパッケージ構造を説明すると、内
部に空間部１１が作られたハウジング（housing）１０
を具備する。
撮像素子のモジュールパッケージ構造を説明すると、内
部に空間部１１が作られたハウジング（housing）１０
を具備する。
【００１０】前記ハウジング１０の一端部にはホルダー
（holder）２０が介在されるのであるが、このホルダー
２０の内部にはイメージ（image）の正確な集束のため
のレンズ（lens）２１が内蔵されている。
（holder）２０が介在されるのであるが、このホルダー
２０の内部にはイメージ（image）の正確な集束のため
のレンズ（lens）２１が内蔵されている。
【００１１】一方、ハウジング１０の空間部１１上に
は、絞り、即ち、アイリスフィルタ（IR filter）３０
が合成樹脂（エポキシ樹脂）４０を介して接着固定さ
れ、端部にはセラミック回路基板５０がやはり合成樹脂
４０を介して固定設置されている。
は、絞り、即ち、アイリスフィルタ（IR filter）３０
が合成樹脂（エポキシ樹脂）４０を介して接着固定さ
れ、端部にはセラミック回路基板５０がやはり合成樹脂
４０を介して固定設置されている。
【００１２】この回路基板５０の上面にはイメージセン
サ（image sensor）５１が設けられる。
サ（image sensor）５１が設けられる。
【００１３】このとき、前述したイメージセンサ５１
は、ダイボンディング（die bonding）をした後、ま
た、ワイヤーボンディング（wire bonding）を介して回
路基板５０上に設置されているのである。
は、ダイボンディング（die bonding）をした後、ま
た、ワイヤーボンディング（wire bonding）を介して回
路基板５０上に設置されているのである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
イメージセンサモジュールは、その動作上の問題はな
い。しかし、このとき、ワイヤーボンディングをしなけ
ればならない面積が必要であるため、多くの空間が必要
となり、基本的な体積が大きくなって、順次小型化及び
薄形化される機器に使用するのが容易でない、という問
題点が発生する。
イメージセンサモジュールは、その動作上の問題はな
い。しかし、このとき、ワイヤーボンディングをしなけ
ればならない面積が必要であるため、多くの空間が必要
となり、基本的な体積が大きくなって、順次小型化及び
薄形化される機器に使用するのが容易でない、という問
題点が発生する。
【００１５】また、チップ単位に個々にパッケージ（Pa
ckage）をしなければならないため、生産性が落ちて費
用がかかる。
ckage）をしなければならないため、生産性が落ちて費
用がかかる。
【００１６】上述したような代表的な従来技術、すなわ
ち、図１乃至図６に示されているような工程を介して製
造されるイメージセンサモジュールの問題点を解消する
ために提案された先行技術が図７に示されている。
ち、図１乃至図６に示されているような工程を介して製
造されるイメージセンサモジュールの問題点を解消する
ために提案された先行技術が図７に示されている。
【００１７】図７に示されている先行技術は、特開２０
０１−０６８６５４に記載された発明で、透明基板１０
１に開口部を有するＦＰＣＢ１０２の一側面を接着し、
他側面は固体の撮像素子１０４が撮像面を前記開口部内
に臨むようにしてバンプ１０３を利用して電気的に接続
させることで、側面がシーリング体１０５によって接着
されて密封されたことを特徴とする固体撮像素子の構成
を開示する。
０１−０６８６５４に記載された発明で、透明基板１０
１に開口部を有するＦＰＣＢ１０２の一側面を接着し、
他側面は固体の撮像素子１０４が撮像面を前記開口部内
に臨むようにしてバンプ１０３を利用して電気的に接続
させることで、側面がシーリング体１０５によって接着
されて密封されたことを特徴とする固体撮像素子の構成
を開示する。
【００１８】前記従来構成による固体の撮像素子の特徴
は、ＦＰＣＢ及び固体撮像素子をゴールドバンプ（Au-b
ump）で組立てて側面を接着剤で密閉し、表面に電気的
回路パターンがある上側の透明基板を熱硬化性シート１
０６で組立てて固体の撮像素子のパッケージングを遂行
している。
は、ＦＰＣＢ及び固体撮像素子をゴールドバンプ（Au-b
ump）で組立てて側面を接着剤で密閉し、表面に電気的
回路パターンがある上側の透明基板を熱硬化性シート１
０６で組立てて固体の撮像素子のパッケージングを遂行
している。
【００１９】しかし、このような先行技術もＣＭＯＳイ
メージセンサウェーハ上に直接バンプを設けるため、工
程進行中、パーティクル（particle）不良及びピクセル
（pixel）が損傷される等の不良が発生し得る。さら
に、それぞれのチップ状態に分離して接着をするために
生産性が落ちるという問題点を内包している。
メージセンサウェーハ上に直接バンプを設けるため、工
程進行中、パーティクル（particle）不良及びピクセル
（pixel）が損傷される等の不良が発生し得る。さら
に、それぞれのチップ状態に分離して接着をするために
生産性が落ちるという問題点を内包している。
【００２０】上述した問題点を解消するための本発明の
目的は、ガラス上にバンプを形成した後、ウェーハレベ
ルにガラスとイメージセンサとを接着して密閉させた
後、これを二重のダイシング（Dicing）段階を介してカ
ッティングすることでガラス上にバンプを設けるため、
イメージセンサの不良を防ぐことができて品質向上が期
待され、ウェーハレベルの作業を介して生産性を高め、
ゴールドワイパー工程を除くことができるため、単価を
下げることができるイメージセンサモジュール及びその
製造方法を提供することにある。
目的は、ガラス上にバンプを形成した後、ウェーハレベ
ルにガラスとイメージセンサとを接着して密閉させた
後、これを二重のダイシング（Dicing）段階を介してカ
ッティングすることでガラス上にバンプを設けるため、
イメージセンサの不良を防ぐことができて品質向上が期
待され、ウェーハレベルの作業を介して生産性を高め、
ゴールドワイパー工程を除くことができるため、単価を
下げることができるイメージセンサモジュール及びその
製造方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記のような目的を達成
するため、本発明に係るフレキシブルＰＣＢと連結する
イメージセンサモジュールの特徴は、一側端の所定領域
が穿孔されていて、他端に連結される装置との電気信号
の電送及び送信のための導電パターンが形成されている
フレキシブルＰＣＢと、中央部の任意の領域に存在する
イメージセンサと電気的な信号の流れのための金属パタ
ーンに伴うパッドが周辺部に形成されていて、前記フレ
キシブルＰＣＢの一側面に形成されている穿孔領域に装
着されるイメージチップと、前記イメージチップの全体
の面積をカバーする所定の面積を有する所定の透明媒質
と、前記透明媒質の一側面周辺部に電気的連結に伴う導
電性を向上させるために形成されるバンプと、前記バン
プが形成されている透明媒質の一側面と前記イメージチ
ップを重ね、前記バンプ形成領域とパッド面形成領域と
を接着して気密性を維持するための接合層と、前記フレ
キシブルＰＣＢの穿孔領域周辺部と装着されたイメージ
チップの後側面の接触領域とをモールディングするエポ
キシ樹脂とを含んで構成されることにある。
するため、本発明に係るフレキシブルＰＣＢと連結する
イメージセンサモジュールの特徴は、一側端の所定領域
が穿孔されていて、他端に連結される装置との電気信号
の電送及び送信のための導電パターンが形成されている
フレキシブルＰＣＢと、中央部の任意の領域に存在する
イメージセンサと電気的な信号の流れのための金属パタ
ーンに伴うパッドが周辺部に形成されていて、前記フレ
キシブルＰＣＢの一側面に形成されている穿孔領域に装
着されるイメージチップと、前記イメージチップの全体
の面積をカバーする所定の面積を有する所定の透明媒質
と、前記透明媒質の一側面周辺部に電気的連結に伴う導
電性を向上させるために形成されるバンプと、前記バン
プが形成されている透明媒質の一側面と前記イメージチ
ップを重ね、前記バンプ形成領域とパッド面形成領域と
を接着して気密性を維持するための接合層と、前記フレ
キシブルＰＣＢの穿孔領域周辺部と装着されたイメージ
チップの後側面の接触領域とをモールディングするエポ
キシ樹脂とを含んで構成されることにある。
【００２２】上記のような目的を達成するための本発明
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの付加的な特徴は、前記所定の透明媒質は、ガ
ラス又はＩＲフィルタのうち、いずれか一方を使用する
ことにある。
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの付加的な特徴は、前記所定の透明媒質は、ガ
ラス又はＩＲフィルタのうち、いずれか一方を使用する
ことにある。
【００２３】上記のような目的を達成するための本発明
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの付加的な他の特徴は、前記バンプは、金又は
鉛のような電導性の高い媒質を利用して形成することに
ある。
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの付加的な他の特徴は、前記バンプは、金又は
鉛のような電導性の高い媒質を利用して形成することに
ある。
【００２４】上記のような目的を達成するための本発明
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの付加的な、又、他の特徴は、前記接合層は、
ＡＣＰ又はＡＣＦ又はＮＣＰ等を使用することにある。
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの付加的な、又、他の特徴は、前記接合層は、
ＡＣＰ又はＡＣＦ又はＮＣＰ等を使用することにある。
【００２５】上記のような目的を達成するための本発明
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの製造方法の特徴は、ウェーハにイメージセン
サを形成配列するのであるが、各センサ間には所定の離
隔距離を有するようにして各イメージセンサ周辺に一定
パターンのパッドを形成する第１過程と、ウェーハ面積
における所定の透明媒質の一側面に一定パターンのバン
プを形成する第２過程と、前記第１過程を介して形成さ
れたパッド領域上部、又は前記第２過程を介して形成さ
れたバンプ領域上部に接合層を形成する第３過程と、前
記第３過程を介して形成された接着層を利用して前記透
明媒質の一側面に形成されたバンプと前記パッドが対向
するように接着する第４過程と、前記第４過程を介して
接着されたウェーハと透明媒質とに互いに段差がつけら
れるように前記ウェーハ後面でダイシング工程を遂行す
る第５過程と、前記第５過程でセル単位にダイシングさ
れた接着状態のウェーハと透明媒質の段差領域とがフレ
キシブルＰＣＢのパターン部の穿孔領域に装着された
後、フレキシブルＰＣＢとウェーハ後面の接合面とを、
エポキシ樹脂を利用してモールディングする第６過程と
を含んで構成することにある。
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの製造方法の特徴は、ウェーハにイメージセン
サを形成配列するのであるが、各センサ間には所定の離
隔距離を有するようにして各イメージセンサ周辺に一定
パターンのパッドを形成する第１過程と、ウェーハ面積
における所定の透明媒質の一側面に一定パターンのバン
プを形成する第２過程と、前記第１過程を介して形成さ
れたパッド領域上部、又は前記第２過程を介して形成さ
れたバンプ領域上部に接合層を形成する第３過程と、前
記第３過程を介して形成された接着層を利用して前記透
明媒質の一側面に形成されたバンプと前記パッドが対向
するように接着する第４過程と、前記第４過程を介して
接着されたウェーハと透明媒質とに互いに段差がつけら
れるように前記ウェーハ後面でダイシング工程を遂行す
る第５過程と、前記第５過程でセル単位にダイシングさ
れた接着状態のウェーハと透明媒質の段差領域とがフレ
キシブルＰＣＢのパターン部の穿孔領域に装着された
後、フレキシブルＰＣＢとウェーハ後面の接合面とを、
エポキシ樹脂を利用してモールディングする第６過程と
を含んで構成することにある。
【００２６】上記のような目的を達成するための本発明
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの製造方法の付加的な特徴は、前記所定の透明
媒質は、ガラス又はＩＲフィルタのうち、いずれか一方
を使用することにある。
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの製造方法の付加的な特徴は、前記所定の透明
媒質は、ガラス又はＩＲフィルタのうち、いずれか一方
を使用することにある。
【００２７】上記のような目的を達成するための本発明
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの製造方法の付加的な他の特徴は、前記バンプ
は、金又は鉛のような電導性の高い媒質を利用して形成
することにある。
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの製造方法の付加的な他の特徴は、前記バンプ
は、金又は鉛のような電導性の高い媒質を利用して形成
することにある。
【００２８】上記のような目的を達成するための本発明
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの製造方法の付加的なもう一つの特徴は、前記
接合層は、電導性接合体であるＡＣＰ又はＡＣＦを使用
することにある。
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの製造方法の付加的なもう一つの特徴は、前記
接合層は、電導性接合体であるＡＣＰ又はＡＣＦを使用
することにある。
【００２９】上記のような目的を達成するための本発明
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの製造方法の付加的なもう一つの特徴は、前記
接合層は、非電導性接合体であるＮＣＰを使用すること
にある。
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの製造方法の付加的なもう一つの特徴は、前記
接合層は、非電導性接合体であるＮＣＰを使用すること
にある。
【００３０】上記のような目的を達成するための本発明
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの製造方法の付加的なもう一つの特徴は、前記
接合層は、ＡＣＰ又はＡＣＦ又はＮＣＰを使用すること
にある。
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの製造方法の付加的なもう一つの特徴は、前記
接合層は、ＡＣＰ又はＡＣＦ又はＮＣＰを使用すること
にある。
【００３１】上記のような目的を達成するための本発明
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの製造方法の付加的な、又、異なる特徴は、前
記第５過程は、接着されたウェーハと透明媒質のウェー
ハ後面で前記イメージセンサの損傷がない範囲内で広い
面積を前記接合層の損傷がない深さにダイシングする１
次ダイシング段階と、前記１次ダイシング段階でのダイ
シング面積より相対的に狭い面積で前記透明媒質までダ
イシングする２次ダイシング段階とを含むことにある。
に係るフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュールの製造方法の付加的な、又、異なる特徴は、前
記第５過程は、接着されたウェーハと透明媒質のウェー
ハ後面で前記イメージセンサの損傷がない範囲内で広い
面積を前記接合層の損傷がない深さにダイシングする１
次ダイシング段階と、前記１次ダイシング段階でのダイ
シング面積より相対的に狭い面積で前記透明媒質までダ
イシングする２次ダイシング段階とを含むことにある。
【００３２】上記のような目的を達成するため、本発明
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの特
徴は、所定領域が穿孔されていて電気信号の電送及び送
信のための導電パターンが形成されているＰＣＢと、中
央部の任意の領域に存在するイメージセンサと電気的な
信号の流れのための金属パターンに伴うパッドが周辺部
に形成されていて、前記ＰＣＢに形成されている穿孔領
域に装着されるイメージチップと前記イメージチップの
全体の面積をカバーする所定の面積を有する所定の透明
媒質と、前記透明媒質の一側面周辺部に電気的連結に伴
う導電性を向上させるために形成されるバンプと、前記
バンプが形成されている透明媒質の一側面と前記イメー
ジチップを重ね、前記バンプ形成領域とパッド面形成領
域とを接着して気密性を維持するための接合層と、前記
ＰＣＢの穿孔領域周辺部と装着されたイメージチップの
後側面の接触領域とをモールディングするエポキシ樹脂
とを含んで構成されることにある。
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの特
徴は、所定領域が穿孔されていて電気信号の電送及び送
信のための導電パターンが形成されているＰＣＢと、中
央部の任意の領域に存在するイメージセンサと電気的な
信号の流れのための金属パターンに伴うパッドが周辺部
に形成されていて、前記ＰＣＢに形成されている穿孔領
域に装着されるイメージチップと前記イメージチップの
全体の面積をカバーする所定の面積を有する所定の透明
媒質と、前記透明媒質の一側面周辺部に電気的連結に伴
う導電性を向上させるために形成されるバンプと、前記
バンプが形成されている透明媒質の一側面と前記イメー
ジチップを重ね、前記バンプ形成領域とパッド面形成領
域とを接着して気密性を維持するための接合層と、前記
ＰＣＢの穿孔領域周辺部と装着されたイメージチップの
後側面の接触領域とをモールディングするエポキシ樹脂
とを含んで構成されることにある。
【００３３】上記のような目的を達成するための本発明
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの付
加的な特徴は、前記所定の透明媒質は、ガラス又はＩＲ
フィルタのうち、いずれか一方を使用することにある。
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの付
加的な特徴は、前記所定の透明媒質は、ガラス又はＩＲ
フィルタのうち、いずれか一方を使用することにある。
【００３４】上記のような目的を達成するための本発明
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの付
加的な他の特徴は、前記バンプは、金又は鉛のような電
導性の高い媒質を利用して形成することにある。
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの付
加的な他の特徴は、前記バンプは、金又は鉛のような電
導性の高い媒質を利用して形成することにある。
【００３５】上記のような目的を達成するための本発明
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの付
加的なもう一つの特徴は、前記接合層は、ＡＣＰ又はＡ
ＣＦ又はＮＣＰ等を使用することにある。
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの付
加的なもう一つの特徴は、前記接合層は、ＡＣＰ又はＡ
ＣＦ又はＮＣＰ等を使用することにある。
【００３６】上記のような目的を達成するための本発明
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの製
造方法の特徴は、ウェーハにイメージセンサを形成配列
するのであるが、各センサ間には所定の離隔距離を有す
るようにして各イメージセンサ周辺に一定パターンのパ
ッドを形成する第１過程と、ウェーハ面積における所定
の透明媒質の一側面に一定パターンのバンプを形成する
第２過程と、前記第１過程を介して形成されたパッド領
域上部、又は前記第２過程を介して形成されたバンプ領
域上部に接合層を形成する第３過程と、前記第３過程を
介して形成された接着層を利用して前記透明媒質の一側
面に形成されたバンプと前記パッドが対向するように接
着する第４過程と、前記第４過程を介して接着されたウ
ェーハと透明媒質とに互いに段差がつけられるように前
記ウェーハ後面でダイシング工程を遂行する第５過程
と、前記第５過程でセル単位にダイシングされた接着状
態のウェーハと透明媒質の段差領域とがＰＣＢのパター
ン部の穿孔領域に装着された後、ＰＣＢとウェーハ後面
の接合面とを、エポキシ樹脂を利用してモールディング
する第６過程とを含んで構成することにある。
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの製
造方法の特徴は、ウェーハにイメージセンサを形成配列
するのであるが、各センサ間には所定の離隔距離を有す
るようにして各イメージセンサ周辺に一定パターンのパ
ッドを形成する第１過程と、ウェーハ面積における所定
の透明媒質の一側面に一定パターンのバンプを形成する
第２過程と、前記第１過程を介して形成されたパッド領
域上部、又は前記第２過程を介して形成されたバンプ領
域上部に接合層を形成する第３過程と、前記第３過程を
介して形成された接着層を利用して前記透明媒質の一側
面に形成されたバンプと前記パッドが対向するように接
着する第４過程と、前記第４過程を介して接着されたウ
ェーハと透明媒質とに互いに段差がつけられるように前
記ウェーハ後面でダイシング工程を遂行する第５過程
と、前記第５過程でセル単位にダイシングされた接着状
態のウェーハと透明媒質の段差領域とがＰＣＢのパター
ン部の穿孔領域に装着された後、ＰＣＢとウェーハ後面
の接合面とを、エポキシ樹脂を利用してモールディング
する第６過程とを含んで構成することにある。
【００３７】上記のような目的を達成するための本発明
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの製
造方法の付加的な特徴は、前記所定の透明媒質は、ガラ
ス又はＩＲフィルタのうち、いずれか一方を使用するこ
とにある。
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの製
造方法の付加的な特徴は、前記所定の透明媒質は、ガラ
ス又はＩＲフィルタのうち、いずれか一方を使用するこ
とにある。
【００３８】上記のような目的を達成するための本発明
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの製
造方法の付加的な他の特徴は、前記バンプは、金又は鉛
のような電導性の高い媒質を利用して形成することにあ
る。
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの製
造方法の付加的な他の特徴は、前記バンプは、金又は鉛
のような電導性の高い媒質を利用して形成することにあ
る。
【００３９】上記のような目的を達成するための本発明
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの製
造方法の付加的なもう一つの特徴は、前記接合層は、Ａ
ＣＰ又はＡＣＦ又はＮＣＰ等を使用することにある。
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの製
造方法の付加的なもう一つの特徴は、前記接合層は、Ａ
ＣＰ又はＡＣＦ又はＮＣＰ等を使用することにある。
【００４０】上記のような目的を達成するための本発明
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの製
造方法の付加的な、又、異なる特徴は、前記第５過程
は、接着されたウェーハと透明媒質のウェーハ後面で前
記イメージセンサの損傷がない範囲内で広い面積を前記
接合層の損傷がない深さにダイシングする１次ダイシン
グ段階と、前記１次ダイシング段階でのダイシング面積
より相対的に狭い面積で前記透明媒質までダイシングす
る２次ダイシング段階とを含むことにある。
に係るＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの製
造方法の付加的な、又、異なる特徴は、前記第５過程
は、接着されたウェーハと透明媒質のウェーハ後面で前
記イメージセンサの損傷がない範囲内で広い面積を前記
接合層の損傷がない深さにダイシングする１次ダイシン
グ段階と、前記１次ダイシング段階でのダイシング面積
より相対的に狭い面積で前記透明媒質までダイシングす
る２次ダイシング段階とを含むことにある。
【００４１】
【発明の実施の形態】本発明の上述した目的及び様々な
長所は、当業者により、図面を参照して後述される本発
明の望ましい実施形態から、より一層明確にされるので
ある。
長所は、当業者により、図面を参照して後述される本発
明の望ましい実施形態から、より一層明確にされるので
ある。
【００４２】以下、本発明の望ましい実施形態を、図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
【００４３】図８は、本発明に係るイメージセンサモジ
ュールの断面例示図で、図９乃至図１１は、本発明に係
るイメージセンサモジュールの形成のための概括的な工
程図である。
ュールの断面例示図で、図９乃至図１１は、本発明に係
るイメージセンサモジュールの形成のための概括的な工
程図である。
【００４４】図８を参照し、本発明に係るイメージセン
サモジュールの構成を説明すると、図８は、本発明に係
るイメージセンサモジュールがフレキシブルＰＣＢに準
用される場合の断面例示図で、一側端の所定領域が穿孔
されていて、他端に連結する装置との電気信号の電送及
び送信のための導電パターンが形成されているフレキシ
ブルＰＣＢ２０６と、中央部の任意の領域に存在するイ
メージセンサ領域２００と電気的な信号の流れのための
金属パターンに伴うパッド２０２が周辺部に形成されて
いて、前記フレキシブルＰＣＢ２０６の一側面に形成さ
れている穿孔領域に装着されるイメージチップ２０１
と、前記イメージチップ２０１の全体面積をカバーする
所定の面積を有する所定の透明媒質（ガラス又はＩＲフ
ィルタ）２０３と、前記透明媒質２０３の一側面周辺部
に電気的連結に伴う導電性を向上させるために形成され
るバンプ２０４と、前記バンプ２０４が形成されている
透明媒質２０３の一側面と前記イメージチップ２０１を
重ね、前記バンプ２０４の形成領域とパッド２０２の形
成領域を接着して気密性を維持するための接合層（ＡＣ
Ｐ、ＡＣＦ又はＮＣＰ）２０５と、前記フレキシブルＰ
ＣＢ２０６の穿孔領域の周辺部と装着したイメージチッ
プの後側面の接触領域をモールディングするエポキシ樹
脂２０７とで構成されている。
サモジュールの構成を説明すると、図８は、本発明に係
るイメージセンサモジュールがフレキシブルＰＣＢに準
用される場合の断面例示図で、一側端の所定領域が穿孔
されていて、他端に連結する装置との電気信号の電送及
び送信のための導電パターンが形成されているフレキシ
ブルＰＣＢ２０６と、中央部の任意の領域に存在するイ
メージセンサ領域２００と電気的な信号の流れのための
金属パターンに伴うパッド２０２が周辺部に形成されて
いて、前記フレキシブルＰＣＢ２０６の一側面に形成さ
れている穿孔領域に装着されるイメージチップ２０１
と、前記イメージチップ２０１の全体面積をカバーする
所定の面積を有する所定の透明媒質（ガラス又はＩＲフ
ィルタ）２０３と、前記透明媒質２０３の一側面周辺部
に電気的連結に伴う導電性を向上させるために形成され
るバンプ２０４と、前記バンプ２０４が形成されている
透明媒質２０３の一側面と前記イメージチップ２０１を
重ね、前記バンプ２０４の形成領域とパッド２０２の形
成領域を接着して気密性を維持するための接合層（ＡＣ
Ｐ、ＡＣＦ又はＮＣＰ）２０５と、前記フレキシブルＰ
ＣＢ２０６の穿孔領域の周辺部と装着したイメージチッ
プの後側面の接触領域をモールディングするエポキシ樹
脂２０７とで構成されている。
【００４５】前記のような構造を有する本発明に係るイ
メージセンサモジュールを生成するための工程を、図９
乃至図１１を参照して簡略的に説明すると、まず、図９
に示されているように、ウェーハにイメージセンサ２０
０を形成配列するのであるが、各イメージセンサ２００
間には所定の離隔距離を有するようにして各イメージセ
ンサ２００の周辺に一定パターンのパッド２０２を形成
する。このとき、前記パッド２０２は、ウェーハ上にイ
メージセンサ２００が形成される半導体工程のうちに付
加的に形成される。
メージセンサモジュールを生成するための工程を、図９
乃至図１１を参照して簡略的に説明すると、まず、図９
に示されているように、ウェーハにイメージセンサ２０
０を形成配列するのであるが、各イメージセンサ２００
間には所定の離隔距離を有するようにして各イメージセ
ンサ２００の周辺に一定パターンのパッド２０２を形成
する。このとき、前記パッド２０２は、ウェーハ上にイ
メージセンサ２００が形成される半導体工程のうちに付
加的に形成される。
【００４６】以後、図１０に示されているように、ウェ
ーハとほぼ同一の面積と模様を有するガラス（或いは、
ＩＲフィルタ）２０３の一側面に一定のパターンのバン
プ２０４を形成する。このとき、前記バンプ２０４は、
金あるいは鉛のような電導性の高い媒質を利用して形成
する。
ーハとほぼ同一の面積と模様を有するガラス（或いは、
ＩＲフィルタ）２０３の一側面に一定のパターンのバン
プ２０４を形成する。このとき、前記バンプ２０４は、
金あるいは鉛のような電導性の高い媒質を利用して形成
する。
【００４７】前記図９と図１０に示されているように、
イメージセンサ２００及びパッド２０２が配置されたウ
ェーハとバンプ２０４とが形成されたガラス２０３は、
図１１に示されているように、接合体（ＡＣＰ、ＡＣＦ
又はＮＣＰ）２０５によって対向するように接合され
る。
イメージセンサ２００及びパッド２０２が配置されたウ
ェーハとバンプ２０４とが形成されたガラス２０３は、
図１１に示されているように、接合体（ＡＣＰ、ＡＣＦ
又はＮＣＰ）２０５によって対向するように接合され
る。
【００４８】以後、ダイシング工程を介して接合されて
いるウェーハとガラスは、イメージチップ単位で分離さ
れる。
いるウェーハとガラスは、イメージチップ単位で分離さ
れる。
【００４９】以下に、上述した工程を、図１２乃至図２
１を参照して詳細に説明する。
１を参照して詳細に説明する。
【００５０】図１２は、上述した図９の説明に対応する
もので、断面を処理したもので、ウェーハにイメージセ
ンサ２００を形成配列するのであるが、各イメージセン
サ２００間には所定の離隔距離を有するようにして各イ
メージセンサ２００周辺に一定パターンのパッド２０２
を形成する。
もので、断面を処理したもので、ウェーハにイメージセ
ンサ２００を形成配列するのであるが、各イメージセン
サ２００間には所定の離隔距離を有するようにして各イ
メージセンサ２００周辺に一定パターンのパッド２０２
を形成する。
【００５１】以後、上述したウェーハ上の工程とは、別
個にウェーハとほとんど同じ面積と模様を有するガラス
（或いはＩＲフィルタ）２０３の一側面に一定のパター
ンのバンプ２０４を図１３に示されているように形成す
る。図１３は前記図１０に対応するもので、断面を処理
したものである。
個にウェーハとほとんど同じ面積と模様を有するガラス
（或いはＩＲフィルタ）２０３の一側面に一定のパター
ンのバンプ２０４を図１３に示されているように形成す
る。図１３は前記図１０に対応するもので、断面を処理
したものである。
【００５２】前記図１２に示されているような工程を介
して形成されたパッド２０２の上部に接合体（ＡＣＰ、
ＡＣＦ又はＮＣＰ）２０５を塗布（図１４を参照）させ
て、図１６に示されているように、各々別個に進行され
たウェーハとガラスを、前記接合体２０５を利用して接
合する。
して形成されたパッド２０２の上部に接合体（ＡＣＰ、
ＡＣＦ又はＮＣＰ）２０５を塗布（図１４を参照）させ
て、図１６に示されているように、各々別個に進行され
たウェーハとガラスを、前記接合体２０５を利用して接
合する。
【００５３】このとき、前記接合体は、図１５に示され
ているように、前記図１３に示されているような工程を
介して形成されたバンプ２０４の上部に塗布させた後、
図１６に示されているように、各々別個に進行されたウ
ェーハとガラスとを、前記接合体２０５を利用して接合
することもできる。
ているように、前記図１３に示されているような工程を
介して形成されたバンプ２０４の上部に塗布させた後、
図１６に示されているように、各々別個に進行されたウ
ェーハとガラスとを、前記接合体２０５を利用して接合
することもできる。
【００５４】したがって、いかなる場合であっても関係
なく、図１６のように、部材番号２０５で示される接合
体を使用してウェーハ２０１とガラス２０３とは気密性
を維持するようになる。
なく、図１６のように、部材番号２０５で示される接合
体を使用してウェーハ２０１とガラス２０３とは気密性
を維持するようになる。
【００５５】以下、図１７乃至図１９に示されているよ
うに接合されたウェーハとガラスとの構造体をダイシン
グするようになるのであるが、接着されたウェーハ２０
１とガラス２０３とのウェーハ後面で前記イメージセン
サ２００の損傷がない範囲内で広い面積を前記接合体２
０５の損傷がない深さにダイシングした後、相対的に狭
い面積を前記ガラス２０３までダイシングして段差が形
成されるようにダイシングする。
うに接合されたウェーハとガラスとの構造体をダイシン
グするようになるのであるが、接着されたウェーハ２０
１とガラス２０３とのウェーハ後面で前記イメージセン
サ２００の損傷がない範囲内で広い面積を前記接合体２
０５の損傷がない深さにダイシングした後、相対的に狭
い面積を前記ガラス２０３までダイシングして段差が形
成されるようにダイシングする。
【００５６】したがって、最終的にイメージチップ単位
でダイシングされ、分離されるようになった形態は、図
２０に示されているように形成される。
でダイシングされ、分離されるようになった形態は、図
２０に示されているように形成される。
【００５７】以下、前記図２０に示されているような構
造体を一側端の所定領域が穿孔されていて、他端に連結
する装置との電気信号の電送及び送信のための導電パタ
ーンが形成されているフレキシブルＰＣＢ２０６の穿孔
領域に、図２１のように装着させて、部材番号２０４と
示される接合体を介してイメージチップ２０１とフレキ
シブルＰＣＢ２０６を一次的に接合させる。
造体を一側端の所定領域が穿孔されていて、他端に連結
する装置との電気信号の電送及び送信のための導電パタ
ーンが形成されているフレキシブルＰＣＢ２０６の穿孔
領域に、図２１のように装着させて、部材番号２０４と
示される接合体を介してイメージチップ２０１とフレキ
シブルＰＣＢ２０６を一次的に接合させる。
【００５８】このとき、チップ単位に分離された構造体
のガラス２０３に形成されているバンプ２０４は、前記
フレキシブルＰＣＢ２０６に形成されている導電パター
ンと一致するようになり、互いに整列された状態で接着
されている。
のガラス２０３に形成されているバンプ２０４は、前記
フレキシブルＰＣＢ２０６に形成されている導電パター
ンと一致するようになり、互いに整列された状態で接着
されている。
【００５９】以後、図２２に示すように、フレキシブル
ＰＣＢ２０６とイメージチップ２０１の背面の接合面と
を、エポキシ樹脂２０７を利用してモールディングす
る。
ＰＣＢ２０６とイメージチップ２０１の背面の接合面と
を、エポキシ樹脂２０７を利用してモールディングす
る。
【００６０】仮りに、上述した場合と異なり、図２０に
示されているような構造体を、フレキシブルＰＣＢ２０
６でない一般のＰＣＢ２０６Ａに実装させる場合は、全
体的に図２３に示したとおりである。
示されているような構造体を、フレキシブルＰＣＢ２０
６でない一般のＰＣＢ２０６Ａに実装させる場合は、全
体的に図２３に示したとおりである。
【００６１】以上説明したような本発明に係るイメージ
センサモジュール及びその製造工程を提供すると、ガラ
ス上にバンプを形成した後、ウェーハレベルにガラスと
イメージセンサとを接着して密閉させた後、これを二重
のダイシング（Dicing）段階を介してカッティングする
ことでガラス上にバンプを作るため、イメージセンサの
不良を防ぐことができて品質向上が期待される。また、
ウェーハレベルの作業を介して生産性を高め、ゴールド
ワイパー工程を除くことができるため、単価を下げるこ
とができる。
センサモジュール及びその製造工程を提供すると、ガラ
ス上にバンプを形成した後、ウェーハレベルにガラスと
イメージセンサとを接着して密閉させた後、これを二重
のダイシング（Dicing）段階を介してカッティングする
ことでガラス上にバンプを作るため、イメージセンサの
不良を防ぐことができて品質向上が期待される。また、
ウェーハレベルの作業を介して生産性を高め、ゴールド
ワイパー工程を除くことができるため、単価を下げるこ
とができる。
【００６２】以上の説明によって、本発明を特定の実施
形態と関連して図示及び説明したが、特許請求の範囲に
よって示された発明の思想及び領域から逸脱しない限度
内で多様な改造及び変化が可能であることを当業者なら
ば誰でも容易に理解することができるのである。
形態と関連して図示及び説明したが、特許請求の範囲に
よって示された発明の思想及び領域から逸脱しない限度
内で多様な改造及び変化が可能であることを当業者なら
ば誰でも容易に理解することができるのである。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したような本発明に係るイメー
ジセンサモジュール及びその製造工程を提供すると、ガ
ラス上にバンプを形成した後、ウェーハレベルにガラス
とイメージセンサとを接着して密閉させた後、これを二
重のダイシング（Dicing）段階を介してカッティングす
ることでガラス上にバンプを作るため、イメージセンサ
の不良を防ぐことができて品質向上が期待される。ま
た、ウェーハレベルの作業を介して生産性を高め、ゴー
ルドワイパー工程を除くことができるため、単価を下げ
ることができる。
ジセンサモジュール及びその製造工程を提供すると、ガ
ラス上にバンプを形成した後、ウェーハレベルにガラス
とイメージセンサとを接着して密閉させた後、これを二
重のダイシング（Dicing）段階を介してカッティングす
ることでガラス上にバンプを作るため、イメージセンサ
の不良を防ぐことができて品質向上が期待される。ま
た、ウェーハレベルの作業を介して生産性を高め、ゴー
ルドワイパー工程を除くことができるため、単価を下げ
ることができる。
【図１】 従来の代表的なイメージセンサモジュールの
製造工程を示す例示図である。
製造工程を示す例示図である。
【図２】従来の代表的なイメージセンサモジュールの製
造工程を示す例示図である。
造工程を示す例示図である。
【図３】 従来の代表的なイメージセンサモジュールの
製造工程を示す例示図である。
製造工程を示す例示図である。
【図４】 従来の代表的なイメージセンサモジュールの
製造工程を示す例示図である。
製造工程を示す例示図である。
【図５】 従来の代表的なイメージセンサモジュールの
製造工程を示す例示図である。
製造工程を示す例示図である。
【図６】 従来の代表的なイメージセンサモジュールの
製造工程を示す例示図である。
製造工程を示す例示図である。
【図７】 他の従来のイメージセンサモジュールの断面
例示図である。
例示図である。
【図８】 本発明に係るイメージセンサモジュールの断
面例示図である。
面例示図である。
【図９】 本発明に係るイメージセンサモジュールの形
成のための概括的な工程図である。
成のための概括的な工程図である。
【図１０】 本発明に係るイメージセンサモジュールの
形成のための概括的な工程図である。
形成のための概括的な工程図である。
【図１１】 本発明に係るイメージセンサモジュールの
形成のための概括的な工程図である。
形成のための概括的な工程図である。
【図１２】 本発明に係るイメージセンサモジュールが
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
【図１３】 本発明に係るイメージセンサモジュールが
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
【図１４】 本発明に係るイメージセンサモジュールが
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
【図１５】 本発明に係るイメージセンサモジュールが
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
【図１６】 本発明に係るイメージセンサモジュールが
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
【図１７】 本発明に係るイメージセンサモジュールが
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
【図１８】 本発明に係るイメージセンサモジュールが
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
【図１９】 本発明に係るイメージセンサモジュールが
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
【図２０】 本発明に係るイメージセンサモジュールが
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
【図２１】 本発明に係るイメージセンサモジュールが
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
【図２２】 本発明に係るイメージセンサモジュールが
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
生成される過程とフレキシブルＰＣＢに準用される一連
の工程を説明するための例示図である。
【図２３】 本発明に係るイメージセンサモジュールが
ＰＣＢに準用される場合の断面例示図である。
ＰＣＢに準用される場合の断面例示図である。
２００ イメージセンサ領域
２０１ イメージチップ
２０２ パッド
２０３ 透明媒質
２０４ バンプ
２０５ 接合層
２０６ フレキシブルＰＣＢ
２０７ エポキシ樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 GC11 HA12 HA24
HA26 HA27 HA31
5B047 AA07 BB04 BC02
5C022 AA11 AA12 AA13 AC42 AC54
AC70 AC77
5C024 EX22 EX23 EX24 EX25
Claims (22)
- 【請求項１】 一側端の所定領域が穿孔されていて、他
端に連結される装置との電気信号の電送及び送信のため
の導電パターンが形成されているフレキシブルＰＣＢ
と、 中央部の任意の領域に存在するイメージセンサと電気的
な信号の流れのための金属パターンに伴うパッドが周辺
部に形成されていて、前記フレキシブルＰＣＢの一側面
に形成されている穿孔領域に装着されるイメージチップ
と、 前記イメージチップの全体の面積をカバーする所定の面
積を有する所定の透明媒質と、 前記透明媒質の一側面周辺部に電気的連結に伴う導電性
を向上させるために形成されるバンプと、 前記バンプが形成されている透明媒質の一側面と前記イ
メージチップを重ね、前記バンプ形成領域とパッド面形
成領域とを接着して気密性を維持するための接合層と、 前記フレキシブルＰＣＢの穿孔領域周辺部と装着された
イメージチップの後側面の接触領域とをモールディング
するエポキシ樹脂と、を含んで構成されることを特徴と
する、フレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモ
ジュール。 - 【請求項２】 前記所定の透明媒質は、ガラス又はＩＲ
フィルタのうち、いずれか一方を使用することを特徴と
する、請求項１記載のフレキシブルＰＣＢと連結するイ
メージセンサモジュール。 - 【請求項３】 前記バンプは、金又は鉛のような電導性
の高い媒質を利用して形成することを特徴とする、請求
項１記載のフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセン
サモジュール。 - 【請求項４】 前記接合層は、電導性接合体であるＡＣ
Ｐ又はＡＣＦを使用することを特徴とする、請求項１記
載のフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモジ
ュール。 - 【請求項５】 前記接合層は、非電導性接合体であるＮ
ＣＰを使用することを特徴とする、請求項１に記載のフ
レキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモジュー
ル。 - 【請求項６】 ウェーハにイメージセンサを形成配列す
るのであるが、各センサ間には所定の離隔距離を有する
ようにして各イメージセンサ周辺に一定パターンのパッ
ドを形成する第１過程と、 ウェーハ面積における所定の透明媒質の一側面に一定パ
ターンのバンプを形成する第２過程と、 前記第１過程を介して形成されたパッド領域上部、又は
前記第２過程を介して形成されたバンプ領域上部に接合
層を形成する第３過程と、 前記第３過程を介して形成された接着層を利用して前記
透明媒質の一側面に形成されたバンプと前記パッドが対
向するように接着する第４過程と、 前記第４過程を介して接着されたウェーハと透明媒質と
に互いに段差がつけられるように前記ウェーハ後面でダ
イシング工程を遂行する第５過程と、 前記第５過程でセル単位にダイシングされた接着状態の
ウェーハと透明媒質の段差領域とがフレキシブルＰＣＢ
のパターン部の穿孔領域に装着された後、フレキシブル
ＰＣＢとウェーハ後面の接合面とを、エポキシ樹脂を利
用してモールディングする第６過程と、を含んで構成す
ることを特徴とする、フレキシブルＰＣＢと連結するイ
メージセンサモジュールの製造方法。 - 【請求項７】 前記所定の透明媒質は、ガラス又はＩＲ
フィルタのうち、いずれか一方を使用することを特徴と
する、請求項６記載のフレキシブルＰＣＢと連結するイ
メージセンサモジュールの製造方法。 - 【請求項８】 前記バンプは、金又は鉛のような電導性
の高い媒質を利用して形成することを特徴とする、請求
項６記載のフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセン
サモジュールの製造方法。 - 【請求項９】 前記接合層は、電導性接合体であるＡＣ
Ｐ又はＡＣＦを使用することを特徴とする、請求項６記
載のフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモジ
ュールの製造方法。 - 【請求項１０】 前記接合層は、非電導性接合体である
ＮＣＰを使用することを特徴とする、請求項６記載のフ
レキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモジュール
の製造方法。 - 【請求項１１】 前記第５過程は、 接着されたウェーハと透明媒質のウェーハ後面で前記イ
メージセンサの損傷がない範囲内で広い面積を前記接合
層の損傷がない深さにダイシングする１次ダイシング段
階と、 前記１次ダイシング段階でのダイシング面積より相対的
に狭い面積で前記透明媒質までダイシングする２次ダイ
シング段階と、を含むことを特徴とする、請求項６記載
のフレキシブルＰＣＢと連結するイメージセンサモジュ
ールの製造方法。 - 【請求項１２】 所定領域が穿孔されていて電気信号の
電送及び送信のための導電パターンが形成されているＰ
ＣＢと、 中央部の任意の領域に存在するイメージセンサと電気的
な信号の流れのための金属パターンに伴うパッドが周辺
部に形成されていて、前記ＰＣＢに形成されている穿孔
領域に装着されるイメージチップと、 前記イメージチップの全体の面積をカバーする所定の面
積を有する所定の透明媒質と、 前記透明媒質の一側面周辺部に電気的連結に伴う導電性
を向上させるために形成されるバンプと、 前記バンプが形成されている透明媒質の一側面と前記イ
メージチップを重ね、前記バンプ形成領域とパッド面形
成領域とを接着して気密性を維持するための接合層と、 前記ＰＣＢの穿孔領域周辺部と装着されたイメージチッ
プの後側面の接触領域とをモールディングするエポキシ
樹脂と、を含んで構成されることを特徴とする、ＰＣＢ
と連結するイメージセンサモジュール。 - 【請求項１３】 前記所定の透明媒質は、ガラス又はＩ
Ｒフィルタのうち、いずれか一方を使用することを特徴
とする、請求項１２記載のＰＣＢと連結するイメージセ
ンサモジュール。 - 【請求項１４】 前記バンプは、金又は鉛のような電導
性の高い媒質を利用して形成することを特徴とする、請
求項１２記載のＰＣＢと連結するイメージセンサモジュ
ール。 - 【請求項１５】 前記接合層は、電導性接合体であるＡ
ＣＰ又はＡＣＦを使用することを特徴とする、請求項１
２記載のＰＣＢと連結するイメージセンサモジュール。 - 【請求項１６】 前記接合層は、非電導性接合体である
ＮＣＰを使用することを特徴とする、請求項１２記載の
ＰＣＢと連結するイメージセンサモジュール。 - 【請求項１７】 ウェーハにイメージセンサを形成配列
するのであるが、各センサ間には所定の離隔距離を有す
るようにして各イメージセンサ周辺に一定パターンのパ
ッドを形成する第１過程と、 ウェーハ面積における所定の透明媒質の一側面に一定パ
ターンのバンプを形成する第２過程と、 前記第１過程を介して形成されたパッド領域上部、又は
前記第２過程を介して形成されたバンプ領域上部に接合
層を形成する第３過程と、 前記第３過程を介して形成された接着層を利用して前記
透明媒質の一側面に形成されたバンプと前記パッドが対
向するように接着する第４過程と、 前記第４過程を介して接着されたウェーハと透明媒質と
に互いに段差がつけられるように前記ウェーハ後面でダ
イシング工程を遂行する第５過程と、 前記第５過程でセル単位にダイシングされた接着状態の
ウェーハと透明媒質の段差領域とがＰＣＢのパターン部
の穿孔領域に装着された後、ＰＣＢとウェーハ後面の接
合面とを、エポキシ樹脂を利用してモールディングする
第６過程とを含んで構成することを特徴とする、ＰＣＢ
と連結するイメージセンサモジュールの製造方法。 - 【請求項１８】 前記所定の透明媒質は、ガラス又はＩ
Ｒフィルタのうち、いずれか一方を使用することを特徴
とする、請求項１７記載のＰＣＢと連結するイメージセ
ンサモジュールの製造方法。 - 【請求項１９】 前記バンプは、金又は鉛のような電導
性の高い媒質を利用して形成することを特徴とする、請
求項１７記載のＰＣＢと連結するイメージセンサモジュ
ールの製造方法。 - 【請求項２０】 前記接合層は、電導性接合体であるＡ
ＣＰ又はＡＣＦを使用することを特徴とする、請求項１
７記載のＰＣＢと連結するイメージセンサモジュール。 - 【請求項２１】 前記接合層は、非電導性接合体である
ＮＣＰを使用することを特徴とする、請求項１７記載の
ＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの製造方
法。 - 【請求項２２】 前記第５過程は、 接着されたウェーハと透明媒質のウェーハ後面で前記イ
メージセンサの損傷がない範囲内で広い面積を前記接合
層の損傷がない深さにダイシングする１次ダイシング段
階と、 前記１次ダイシング段階でのダイシング面積より相対的
に狭い面積で前記透明媒質までダイシングする２次ダイ
シング段階と、を含むことを特徴とする、請求項１７記
載のＰＣＢと連結するイメージセンサモジュールの製造
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2002-029331 | 2002-05-27 | ||
| KR10-2002-0029331A KR100476558B1 (ko) | 2002-05-27 | 2002-05-27 | 이미지 센서 모듈 및 그 제작 공정 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003347531A true JP2003347531A (ja) | 2003-12-05 |
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ID=29546381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002376445A Pending JP2003347531A (ja) | 2002-05-27 | 2002-12-26 | イメージセンサモジュール及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6737292B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003347531A (ja) |
| KR (1) | KR100476558B1 (ja) |
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