JP3675402B2 - 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【背景技術】
受光部等のような光学的部分を有する光素子は、光学的部分と光学的部分を封止するためのカバーとの間に空間を設けたほうがよい。このため、光素子に個片化した後に、光学的部分とカバーとの間に空間を設けて、光学的部分がカバーによって封止される光デバイスの製造方法が知られている。個片化は、ウエハ等の基板の切断により行うが、この際に切削屑等のゴミやケバが発生する。このゴミ等が光学的部分に付着したまま封止されると、その後に該空間内からゴミを除去することができなくなり、光デバイスの品質が低下するという問題があった。特に、マイクロレンズ付の光学的部分を有する固体撮像装置である場合には、マイクロレンズが凹凸を有するため、ゴミが付着しやすく、完全に除去するのが困難であった。このため、マイクロレンズ付の光学的部分を有する場合には、さらに光デバイス（固体撮像装置）の品質が低下しやすいという問題があった。
【０００３】
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、品質の高い光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【００３４】
（１）本発明に係る光デバイスの製造方法は、（ａ）複数の透明基板のそれぞれに光透過性の接着層を設けてから、複数の光学的部分が形成された第１の基板に、前記接着層を介して、前記複数の透明基板を貼り付けて、前記複数の光学的部分を封止し、
（ｂ）前記第１の基板を切断することを含む。
本発明によれば、光学的部分を封止してから第１の基板を切断するので、封止部内にゴミが入ることがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。
（２）この光デバイスの製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記複数の透明基板を、相互の位置を固定した状態で、一度に前記第１の基板に貼り付けてもよい。
これによれば、複数の透明基板は、相互の位置を固定してあるので、第１の基板への貼り付けが簡単になる。
（３）この光デバイスの製造方法において、
前記（ａ）工程前に、シートにプレートを貼り付け、前記シートを切断しないように前記プレートを切断して前記複数の透明基板を得てもよい。
（４）この光デバイスの製造方法において、
前記第１の基板には、それぞれの前記光学的部分の外側に電極が形成されてなり、
前記（ａ）工程で、前記電極を避けて、前記第１の基板に前記接着層及び前記透明基板を設けてもよい。
これによれば、第１の基板における電極の上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採りやすくなる。
（５）本発明に係る光デバイスの製造方法は、（ａ １ ）複数の光学的部分が形成された第１の基板に、前記複数の光学的部分を覆うように、光透過性の接着層を介して、プレートを貼り付け、
（ａ ２ ）前記プレートを、それぞれの前記光学的部分に対応する透明基板に切断して、各前記光学的部分を封止し、
（ｂ）前記第１の基板を切断することを含む。
本発明によれば、光学的部分を封止してから第１の基板を切断するので、封止部内にゴミが入ることがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。また、プレートと第１の基板との位置合わせが容易であり、バラバラの複数の個片を位置合わせしなくてもよい。
（６）この光デバイスの製造方法において、
前記第１の基板には、それぞれの前記光学的部分の外側に電極が形成されてなり、
前記（ａ ２ ）工程で、前記プレートにおける前記電極の上方の部分を除去しながら前記プレートを切断してもよい。
これによれば、第１の基板における電極の上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採りやすくなる。
（７）この光デバイスの製造方法において、
前記プレートを切断するカッタの幅は、前記第１の基板を切断するカッタの幅よりも大きくてもよい。
（８）この光デバイスの製造方法において、
前記（ａ １ ）工程で、前記接着層を、前記第１の基板上に連続的に設け、
前記（ａ ２ ）工程後に、前記接着層のうち、隣同士の前記透明基板の間に位置する部分を除去することをさらに含んでもよい。
（９）本発明に係る光デバイスの製造方法は、（ａ １ ）複数の光学的部分が形成された第１の基板に、光透過性の接着層を形成し、
（ａ ２ ）複数の透明基板のそれぞれを、各前記光学的部分に対応させて、前記接着層を介して第１の基板に接着し、
（ｂ）前記第１の基板を切断することを含む。
本発明によれば、光学的部分を封止してから第１の基板を切断するので、封止部内にゴ ミが入ることがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。また、第１の基板と透明基板との熱膨張率等の相違が大きい場合などに、個片化された透明基板を位置精度よく光学的部分に接着することができる。
（１０）この光デバイスの製造方法において、
前記第１の基板には、それぞれの前記光学的部分の外側に電極が形成されてなり、
前記（ａ １ ）工程で、前記電極を避けて、前記第１の基板に前記透明基板を設けてもよい。
これによれば、第１の基板における電極の上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採りやすくなる。
（１１）この光デバイスの製造方法において、
前記透明基板は、少なくとも可視光を通過させ、赤外線を通過させなくてもよい。
（１２）この光デバイスの製造方法において、
前記第１の基板は、半導体ウエハであってもよい。
（１３）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、画像センシング用に並べられた複数の受光素子を有していてもよい。
（１４）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、カラーフィルタをさらに有していてもよい。
（１５）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、マイクロレンズアレイをさらに有していてもよい。
（１６）この光デバイスの製造方法において、
前記接着層として、光の絶対屈折率が、前記マイクロレンズアレイとは異なる材料を使用してもよい。
（１７）本発明に係る光デバイスは、上記方法によって製造されてなる。
（１８）本発明に係る光モジュールは、光デバイスと、
前記光デバイスが取り付けられる支持部材と、
を有する。
（１９）本発明に係る回路基板は、光モジュールが実装されてなる。
（２０）本発明に係る電子機器は、上記光モジュールを有する。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３６】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図５（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイス及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態では、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、第１の基板１０に第２の基板３０を取り付ける。
【００３７】
第１の基板１０には、後述する切断工程での作業性を向上させるためにシート１２を貼り付けておいてもよい。図２は、第１の基板１０の一部を拡大した図である。第１の基板１０は、光学的部分１４を含む複数の光素子５０を有する。光素子５０は、光学的部分１４と電極２６とを含む。光学的部分１４は、光が入射又は出射する部分である。または、光学的部分１４は、光エネルギーと他のエネルギー（例えば電気）を変換する。すなわち、１つの光学的部分１４は、複数のエネルギー変換部（受光部・発光部）１６を有する。
【００３８】
本実施の形態では、それぞれの光学的部分１４は、複数のエネルギー変換部（受光部又はイメージセンサ部）１６を有する。図２に示すように、複数のエネルギー変換部１６は、二次元的に並べられて、画像センシングを行えるようになっている。すなわち、本実施の形態で製造される光デバイス又は光モジュールは、イメージセンサ（例えばＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ）等の固体撮像装置である。エネルギー変換部１６は、パッシベーション膜１８で覆われている。パッシベーション膜１８は、光透過性を有する。第１の基板１０が、半導体基板（例えば半導体ウエハ）を含むものであれば、ＳｉＯ2、ＳｉＮでパッシベーション膜１８を形成してもよい。
【００３９】
光学的部分１４は、カラーフィルタ２０を有していてもよい。カラーフィルタ２０は、パッシベーション膜１８上に形成されている。また、カラーフィルタ２０上に平坦化層２２が設けられ、その上にマイクロレンズアレイ２４が設けられていてもよい。
【００４０】
第１の基板１０には、複数の電極２６が形成されている。図２に示す電極２６は、パッド上に形成されたバンプを有するが、パッドのみであってもよい。図２に示すように、電極２６は、個々の光素子５０において光学的部分１４の外側に形成されていることが好ましい。例えば、隣同士の光学的部分１４の間に、電極２６が形成されている。１つの光学的部分１４に、１グループの電極２６（複数）が対応している。例えば、図５（Ｂ）に示すように、光学的部分１４の複数辺（例えば対向する二辺）に沿って電極２６を配置してもよい。
【００４１】
第２の基板３０は、透明基板３２を含む。透明基板３２は、光透過性を有する。透明基板３２の形状は特に限定されないが、例えば四辺形である。また、第２の基板３０の外形は、第１の基板１０の外形とほぼ同一であってもよい。透明基板３２は、光学的部分１４の上方に配置される。透明基板３２は、光が透過するものであれば損失の大きさは問わないし、特定の波長の光のみを透過するものであってもよい。透明基板３２は、可視光を通過させるが赤外線領域の光を通過させないものであってもよい。透明基板３２は、可視光に対して損失が小さく、赤外線領域の光に対して損失が大きくてもよい。また、透明基板３２は、可視光線を通過させるが赤外線を通過させない膜を有していてもよい。透明基板３２として光学ガラスを使用してもよいし、プラスチックプレートを使用してもよい。
【００４２】
第２の基板３０は、接着層３６を介して第１の基板１０に貼り付ける。本実施の形態では、各透明基板３２に接着層３６が設けられる。接着層３６は、光透過性を有する。特に、接着剤３６の光透過性は、大気の光透過性と同等程度に高くてもよい。接着層３６には、熱可塑性樹脂を使用してもよい。例えば、熱可塑性の感光性樹脂（フォトレジスト等）を使用してもよい。なお、接着層３６は、取り扱い易いように一旦仮硬化させ、第１の基板１０に接触させてから接着力を発現させてもよい。例えば、接着層３６が、紫外線硬化型の熱可塑性樹脂であれば、仮硬化には、紫外線の照射を適用することができる。接着層３６がマイクロレンズアレイ２４上に形成される場合には、両者における光の絶対的屈折率は異なる。詳しくは、接着層３６の絶対的屈折率は、マイクロレンズアレイ２４が図２に示すように凸レンズであれば、マイクロレンズアレイ２４の絶対的屈折率よりも小さいことが好ましい。逆に、マイクロレンズアレイ２４が凹レンズであれば、接着層３６の絶対的屈折率は、マイクロレンズアレイ２４の絶対的屈折率よりも大きいことが好ましい。
【００４３】
透明基板３２を１つずつ第１の基板１０に貼り付けてもよい。本実施の形態では、相互の位置を固定した状態で、複数の透明基板３２を第１の基板１０に貼り付ける。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す例では、シート３４に複数の透明基板３２を貼り付けておく。こうすることで、一度に複数の透明基板３２を貼り付けることができる。なお、複数の透明基板３２は、マトリクス状に並んでいてもよい。
【００４４】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、相互の位置が固定された複数の透明基板を含む第２の基板を得る工程を説明する図である。この例では、図３（Ａ）に示すように、シート３４にプレート２８を貼り付け、プレート２８に接着層３６を形成する。なお、接着層３６は、仮硬化させておいてもよい。次に、図３（Ｂ）に示すように、カッタ３８（例えばダイシングブレード）によって、シート３４を切断しないように、プレート２８を複数の透明基板３２に切断する。そのとき、接着層３６も切断される（切断された個々の接着層を符号３６ａで示す）。カッタ３８の幅（厚み）に応じて、隣同士の透明基板３２の間隔が決まる。すなわち、カッタ３８の幅（厚み）に応じて、プレート２８の切断ラインに沿った部分が除去される。カッタ３８の幅は、後述する第１の基板１０を切断するカッタの幅よりも大きいくてもよい。
【００４５】
こうして、プレート２８から透明基板３２を得られる。すなわち、シート３４とシート３４に貼り付けられた透明基板３２とを含む第２の基板が得られる。これによれば、接着層３６を形成してからプレート２８を切断するので、透明基板３２の端面に接着層３６が付着しにくい。なお、変形例として、シート３４に貼り付けられたプレート２８を複数の透明基板３２に切断した後に、接着層３６を複数の透明基板３２に設けてもよい。あるいは、プレート２８に、透明基板３２の形状に応じて（切断ラインを避けて）、接着層３６を形成し、接着層３６が形成されない部分を切断してもよい。
【００４６】
図４（Ａ）に示すように、上述した工程を経て、第１の基板１０に第２の基板３０を取り付ける。第１の基板１０は、光学的部分１４を有する複数の光素子５０が形成されており、各光学的部分１４の上方に、各透明基板３２を配置する。また、透明基板３２は、電極２６を避けて設ける。接着層３６が仮硬化されている場合には、例えば加熱して、その接着力を発現させる。必要であれば、透明基板３２に貼られた第２の基板３０のシート３４を剥がす。接着層３６及び透明基板３２は、光学的部分１４を封止する。接着層３６と光学的部分１４との間に隙間がないようになっていてもよい。なお、接着層３６の一部が電極２６に付着した場合には、これを除去する工程を付加してもよい。接着層３６の一部は、溶剤やスパッタリングによってエッチングしたり、あるいはプラズマ（Ｏ2プラズマ等）にさらしてアッシングして除去することができる。また、光学的部分１４を封止する直前に、光学的部分１４を洗浄化する工程があることが好ましい。この場合には、光学的部分１４の上にゴミやケバなどが付着したまま光学的部分１４が封止されるのを防ぐことができるため、光デバイスの歩留まりが向上する。
【００４７】
図４（Ｂ）に示すように、第１の基板１０を切断して、個々の光素子５０とする。その切断には、カッタ４０（例えばダイシングブレード）を使用する。第１の基板１０は、光学的部分１４の外側であって、さらに電極２６の外側で切断する。図４（Ｂ）に示す例では、隣同士の光学的部分１４の間に、それぞれの光学的部分１４に対応する電極２６が形成されており、それらの電極２６（複数）の間で第１の基板１０を切断することにより、個々の光素子５０とする。第１の基板１０にシート１２が貼り付けられていれば、第１の基板１０を各光素子５０に分離しても各光素子５０がバラバラにならない。こうして、光デバイスが得られる。本実施の形態によれば、光学的部分１４を封止してから第１の基板１０を切断するので、封止部内にゴミが入ることがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。
【００４８】
図５（Ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスを説明する縦断面図であり、図５（Ｂ）は、その平面図である。光デバイスは、光素子５０と、透明基板３２を有する。透明基板３２から光学的部分１４に光が入射する。光素子５０に設けられた光学的部分１４は、接着剤層３６透明基板３２によって封止されている。マイクロレンズアレイ２４とその上に形成される接着層３６とは、光の絶対的屈折率は異なる。詳しくは、接着層３６の絶対的屈折率は、マイクロレンズアレイ２４が接着層３６からみて凸レンズであれば、マイクロレンズアレイ２４の絶対的屈折率よりも小さいことが好ましい。逆に、マイクロレンズアレイ２４が接着層３６からみて凹レンズであれば、接着層３６の絶対的屈折率は、マイクロレンズアレイ２４の絶対的屈折率よりも大きいことが好ましい。光学的部分１４の外側であって、さらに透明基板３２の外側には、第１の基板１０（詳しくはその個片である光素子５０）に電極２６が設けられている。その他の詳細は、上述した光デバイスの製造方法で説明した内容が該当する。
【００４９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【００５０】
（第２の実施の形態）
図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第１の実施の形態で説明した部材を使用する。
【００５１】
図６（Ａ）に示すように、第１の基板１０に接着層３６を介して第２の基板３０を貼り付ける。接着層３６は、第１の基板１０上に複数の光素子５０の上に連続的に形成してもよい。すなわち、接着層３６は、複数の光学的部分１４及び隣同士の光学的部分１４の間の領域を覆うように形成してもよい。その場合、接着層６を簡単に形成することができる。変形例として、それぞれの光学的部分１４上であって、隣同士の光学的部分１４の間の領域を避けて、接着層３６を形成してもよい。
【００５２】
図６（Ｂ）に示すように、第２の基板３０を切断して、複数の透明基板３２を形成する。第２の基板３０は、それぞれの光学的部分１４に対応して切断する。第２の基板３０の切断ラインは、第１の基板１０における電極２６の上方に位置することが好ましい。すなわち、電極２６に対する電気的な接続を採りやすくするため、第２の基板３０における電極２６の上方の部分を除去する。例えば、第２の基板３０を切断するためのカッタ３８として、切削して切断を行うツールを用いる。こうして、電極２６の上方を開放させる。なお、カッタ３８（例えばダイシングブレード）は、第１の基板１０を切断するカッタ４０（図４（Ｂ）参照）よりも幅が大きいことが好ましい。第２の基板３０の切断は、第２の基板３０の表面や電極２６を破損しないように行う。例えば、カッタ３８の先端が電極２６に接触しないように、接着層３６の上部のみを切断するようにカッタ３８を制御する。図示しない溝を、第２の基板３０に形成しておいてもよい。その場合、溝を電極２６に向けて配置する。そうすることで、溝の深さ分、第２の基板３０の表面が電極２６から離れているので、カッタ３８の先端が電極２６に接触しにくくなる。
【００５３】
図６（Ｂ）に示すように、隣同士の透明基板３２の間（例えば電極２６上）に、接着層３６の一部が残っている場合には、これを除去する工程を行う。例えば、溶剤やスパッタリングによるエッチングや、あるいはプラズマ（Ｏ2プラズマ等）によるアッシングによって、透明基板３２をマスクとして、接着層３６の一部を除去することができる。
【００５４】
こうして、図６（Ｃ）に示すように、各光学的部分１４を封止することができる。その後、図４（Ｂ）に示す工程を行う。本実施の形態によれば、透明基板３２の形成が簡単である。また、バラバラの複数の透明基板を位置合わせしなくてもよい。その他の点について、本実施の形態には、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
【００５５】
（第３の実施の形態）
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第１の実施の形態で説明した部材を使用する。
【００５６】
図７（Ａ）に示すように、本実施の形態では、第１の基板１０上に接着層３６を形成する。その詳細は、第２の実施の形態で説明した内容が該当する。そして、図７（Ｂ）に示すように、接着層３６に、複数の第２の基板３０として複数の透明基板３２を接着する。詳しくは、各透明基板３２を、各光学的部分１４の上方に配置し、接着層３６に接着する。また、透明基板３２は、電極２６を避けて配置することが好ましい。
【００５７】
このように、予め複数の透明基板３２となった第２の基板３０を、第１の基板１０に貼り付けてもよい。その他の点について、本実施の形態には、第１又は第２の実施の形態で説明した内容が該当する。
【００５８】
（第４の実施の形態）
図８は、本発明の第４の実施の形態に係る光モジュール及び回路基板を説明する図である。図８に示す光モジュールは、図５（Ａ）に示す光素子５０ａを有する。光素子５０ａは、支持部材（例えばケース）５２に取り付けられている。支持部材５２には、配線５４が形成されている。支持部材５２は、ＭＩＤ（Molded Interconnect Device）であってもよい。光素子５０ａの電極２６と配線５４とは、電気的に接続されている。電気的接続には、例えばワイヤ５６を用いてもよい。また、電気的な接続部（例えばワイヤ５６及びそのボンディングされた部分）には、封止材料５８が設けられている。すなわち、電気的な接続部は、封止材料５８で封止されている。封止材料５８は、例えばポッティングによって設けてもよい。光素子５０ａは、透明基板３２及び接着層３６によって光学的部分１４が封止されているので、透明基板３２及び接着層３６がダムとして機能するため、封止材料５８が光学的部分１４を覆わない。
【００５９】
配線５４の一部は、外部端子（例えばリード）６０となっている。外部端子６０は、回路基板６２に形成された配線パターン６４と電気的に接続されている。図８に示す例では、回路基板６２に穴が形成されており、その穴に外部端子６０が挿入されている。その穴の周囲に配線パターン６４のランドが形成され、そのランドと外部端子６０とは、ろう材（例えばはんだ）で接合されている。このように、回路基板６２は、光モジュールが実装されてなる。また、支持部材５２そのものが、外部端子６０を有さない回路基板６２そのものであってもよい。
【００６０】
（その他の実施の形態）
図９は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを説明する図である。図９に示す光モジュールは、図５（Ａ）に示す光素子５０ａと、これが取り付けられた支持部材７０とを有する。支持部材７０には、穴７２が形成されており、透明基板３２の少なくとも一部が穴７２の内側に位置している。また、穴７２には、レンズホルダ７４が取り付けられている。レンズホルダ７４にも穴７６が形成され、その内側にレンズ７８が取り付けられている。穴７６，７２は連通しており、レンズ７８にて集光した光が透明基板３２に入射する。なお、透明基板３２は、赤外線の領域の光をカットするものであってもよい。光素子５０ａの電極２６と、支持部材７０の配線７９との接合には、接着剤、異方性導電材料、異方性導電膜、金属接合のいずれを適用してもよい。また、光素子５０ａと支持部材７０との間に、図示しないアンダーフィル材を設けてもよい。
【００６１】
図１０は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを説明する図である。図１０に示す光モジュールは、図５（Ａ）に示す光素子５０ａと、これが取り付けられた支持部材８０とを有する。支持部材８０には、穴８２が形成されており、透明基板３２の少なくとも一部が穴８２の内側に位置している。また、穴８２には、レンズホルダ７４が取り付けられている（詳しくは上述した）。
【００６２】
図１０において、光素子５０ａは、フレキシブル基板８４に実装されており、その電極２６とフレキシブル基板８４に形成された配線パターン８６とが接合されている。その接合には、接着剤、異方性導電材料、異方性導電膜、金属接合のいずれを適用してもよい。また、光素子５０ａとフレキシブル基板８４との間に、図示しないアンダーフィル材を設けてもよい。フレキシブル基板８４にも穴８８が形成されている。穴７６，８２，８８は連通しており、レンズ７８にて集光した光が光素子５０ａに入射する。
【００６３】
フレキシブル基板８４には、電子部品（例えば半導体チップ）９０が実装（例えばフェースダウンボンディング）されている。電子部品９０と配線パターン８６とは電気的に接続されている。フレキシブル基板８４が屈曲し、電子部品９０と光デバイス５０とが接着剤９２を介して接着されている。なお、予め、光素子５０ａと電子部品９０をそれぞれフレキシブル基板８４に実装してから、フレキシブル基板８４を屈曲させて、光素子５０ａと電子部品９０を接着してもよい。
【００６４】
本発明の実施の形態に係る電子機器として、図１１に示すノート型パーソナルコンピュータ１００は、光モジュールが組み込まれたカメラ１１０を有する。また、図１２に示すデジタルカメラ２００は光モジュールを有する。さらに、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示す携帯電話３００は、光モジュールが組み込まれたカメラ３１０を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図３】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスを説明する図である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図８】図８は、本発明の第４の実施の形態に係る光モジュール及び回路基板を説明する図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１３】図１３（Ａ）〜図１３（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０ 第１の基板
１４ 光学的部分
１６ エネルギー変換部（受光部）
２０ カラーフィルタ
２４ マイクロレンズアレイ
２６ 電極
２８ プレート
３０ 第２の基板
３２ 透明基板
３４ シート
３６ 接着層
３８ カッタ
４０ カッタ
５０ 光デバイス
５２ 支持部材
６２ 回路基板
７０ 支持部材
８０ 支持部材
【発明の属する技術分野】
本発明は、光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【背景技術】
受光部等のような光学的部分を有する光素子は、光学的部分と光学的部分を封止するためのカバーとの間に空間を設けたほうがよい。このため、光素子に個片化した後に、光学的部分とカバーとの間に空間を設けて、光学的部分がカバーによって封止される光デバイスの製造方法が知られている。個片化は、ウエハ等の基板の切断により行うが、この際に切削屑等のゴミやケバが発生する。このゴミ等が光学的部分に付着したまま封止されると、その後に該空間内からゴミを除去することができなくなり、光デバイスの品質が低下するという問題があった。特に、マイクロレンズ付の光学的部分を有する固体撮像装置である場合には、マイクロレンズが凹凸を有するため、ゴミが付着しやすく、完全に除去するのが困難であった。このため、マイクロレンズ付の光学的部分を有する場合には、さらに光デバイス（固体撮像装置）の品質が低下しやすいという問題があった。
【０００３】
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、品質の高い光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【００３４】
（１）本発明に係る光デバイスの製造方法は、（ａ）複数の透明基板のそれぞれに光透過性の接着層を設けてから、複数の光学的部分が形成された第１の基板に、前記接着層を介して、前記複数の透明基板を貼り付けて、前記複数の光学的部分を封止し、
（ｂ）前記第１の基板を切断することを含む。
本発明によれば、光学的部分を封止してから第１の基板を切断するので、封止部内にゴミが入ることがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。
（２）この光デバイスの製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記複数の透明基板を、相互の位置を固定した状態で、一度に前記第１の基板に貼り付けてもよい。
これによれば、複数の透明基板は、相互の位置を固定してあるので、第１の基板への貼り付けが簡単になる。
（３）この光デバイスの製造方法において、
前記（ａ）工程前に、シートにプレートを貼り付け、前記シートを切断しないように前記プレートを切断して前記複数の透明基板を得てもよい。
（４）この光デバイスの製造方法において、
前記第１の基板には、それぞれの前記光学的部分の外側に電極が形成されてなり、
前記（ａ）工程で、前記電極を避けて、前記第１の基板に前記接着層及び前記透明基板を設けてもよい。
これによれば、第１の基板における電極の上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採りやすくなる。
（５）本発明に係る光デバイスの製造方法は、（ａ １ ）複数の光学的部分が形成された第１の基板に、前記複数の光学的部分を覆うように、光透過性の接着層を介して、プレートを貼り付け、
（ａ ２ ）前記プレートを、それぞれの前記光学的部分に対応する透明基板に切断して、各前記光学的部分を封止し、
（ｂ）前記第１の基板を切断することを含む。
本発明によれば、光学的部分を封止してから第１の基板を切断するので、封止部内にゴミが入ることがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。また、プレートと第１の基板との位置合わせが容易であり、バラバラの複数の個片を位置合わせしなくてもよい。
（６）この光デバイスの製造方法において、
前記第１の基板には、それぞれの前記光学的部分の外側に電極が形成されてなり、
前記（ａ ２ ）工程で、前記プレートにおける前記電極の上方の部分を除去しながら前記プレートを切断してもよい。
これによれば、第１の基板における電極の上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採りやすくなる。
（７）この光デバイスの製造方法において、
前記プレートを切断するカッタの幅は、前記第１の基板を切断するカッタの幅よりも大きくてもよい。
（８）この光デバイスの製造方法において、
前記（ａ １ ）工程で、前記接着層を、前記第１の基板上に連続的に設け、
前記（ａ ２ ）工程後に、前記接着層のうち、隣同士の前記透明基板の間に位置する部分を除去することをさらに含んでもよい。
（９）本発明に係る光デバイスの製造方法は、（ａ １ ）複数の光学的部分が形成された第１の基板に、光透過性の接着層を形成し、
（ａ ２ ）複数の透明基板のそれぞれを、各前記光学的部分に対応させて、前記接着層を介して第１の基板に接着し、
（ｂ）前記第１の基板を切断することを含む。
本発明によれば、光学的部分を封止してから第１の基板を切断するので、封止部内にゴ ミが入ることがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。また、第１の基板と透明基板との熱膨張率等の相違が大きい場合などに、個片化された透明基板を位置精度よく光学的部分に接着することができる。
（１０）この光デバイスの製造方法において、
前記第１の基板には、それぞれの前記光学的部分の外側に電極が形成されてなり、
前記（ａ １ ）工程で、前記電極を避けて、前記第１の基板に前記透明基板を設けてもよい。
これによれば、第１の基板における電極の上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採りやすくなる。
（１１）この光デバイスの製造方法において、
前記透明基板は、少なくとも可視光を通過させ、赤外線を通過させなくてもよい。
（１２）この光デバイスの製造方法において、
前記第１の基板は、半導体ウエハであってもよい。
（１３）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、画像センシング用に並べられた複数の受光素子を有していてもよい。
（１４）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、カラーフィルタをさらに有していてもよい。
（１５）この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、マイクロレンズアレイをさらに有していてもよい。
（１６）この光デバイスの製造方法において、
前記接着層として、光の絶対屈折率が、前記マイクロレンズアレイとは異なる材料を使用してもよい。
（１７）本発明に係る光デバイスは、上記方法によって製造されてなる。
（１８）本発明に係る光モジュールは、光デバイスと、
前記光デバイスが取り付けられる支持部材と、
を有する。
（１９）本発明に係る回路基板は、光モジュールが実装されてなる。
（２０）本発明に係る電子機器は、上記光モジュールを有する。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００３６】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図５（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイス及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態では、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、第１の基板１０に第２の基板３０を取り付ける。
【００３７】
第１の基板１０には、後述する切断工程での作業性を向上させるためにシート１２を貼り付けておいてもよい。図２は、第１の基板１０の一部を拡大した図である。第１の基板１０は、光学的部分１４を含む複数の光素子５０を有する。光素子５０は、光学的部分１４と電極２６とを含む。光学的部分１４は、光が入射又は出射する部分である。または、光学的部分１４は、光エネルギーと他のエネルギー（例えば電気）を変換する。すなわち、１つの光学的部分１４は、複数のエネルギー変換部（受光部・発光部）１６を有する。
【００３８】
本実施の形態では、それぞれの光学的部分１４は、複数のエネルギー変換部（受光部又はイメージセンサ部）１６を有する。図２に示すように、複数のエネルギー変換部１６は、二次元的に並べられて、画像センシングを行えるようになっている。すなわち、本実施の形態で製造される光デバイス又は光モジュールは、イメージセンサ（例えばＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ）等の固体撮像装置である。エネルギー変換部１６は、パッシベーション膜１８で覆われている。パッシベーション膜１８は、光透過性を有する。第１の基板１０が、半導体基板（例えば半導体ウエハ）を含むものであれば、ＳｉＯ2、ＳｉＮでパッシベーション膜１８を形成してもよい。
【００３９】
光学的部分１４は、カラーフィルタ２０を有していてもよい。カラーフィルタ２０は、パッシベーション膜１８上に形成されている。また、カラーフィルタ２０上に平坦化層２２が設けられ、その上にマイクロレンズアレイ２４が設けられていてもよい。
【００４０】
第１の基板１０には、複数の電極２６が形成されている。図２に示す電極２６は、パッド上に形成されたバンプを有するが、パッドのみであってもよい。図２に示すように、電極２６は、個々の光素子５０において光学的部分１４の外側に形成されていることが好ましい。例えば、隣同士の光学的部分１４の間に、電極２６が形成されている。１つの光学的部分１４に、１グループの電極２６（複数）が対応している。例えば、図５（Ｂ）に示すように、光学的部分１４の複数辺（例えば対向する二辺）に沿って電極２６を配置してもよい。
【００４１】
第２の基板３０は、透明基板３２を含む。透明基板３２は、光透過性を有する。透明基板３２の形状は特に限定されないが、例えば四辺形である。また、第２の基板３０の外形は、第１の基板１０の外形とほぼ同一であってもよい。透明基板３２は、光学的部分１４の上方に配置される。透明基板３２は、光が透過するものであれば損失の大きさは問わないし、特定の波長の光のみを透過するものであってもよい。透明基板３２は、可視光を通過させるが赤外線領域の光を通過させないものであってもよい。透明基板３２は、可視光に対して損失が小さく、赤外線領域の光に対して損失が大きくてもよい。また、透明基板３２は、可視光線を通過させるが赤外線を通過させない膜を有していてもよい。透明基板３２として光学ガラスを使用してもよいし、プラスチックプレートを使用してもよい。
【００４２】
第２の基板３０は、接着層３６を介して第１の基板１０に貼り付ける。本実施の形態では、各透明基板３２に接着層３６が設けられる。接着層３６は、光透過性を有する。特に、接着剤３６の光透過性は、大気の光透過性と同等程度に高くてもよい。接着層３６には、熱可塑性樹脂を使用してもよい。例えば、熱可塑性の感光性樹脂（フォトレジスト等）を使用してもよい。なお、接着層３６は、取り扱い易いように一旦仮硬化させ、第１の基板１０に接触させてから接着力を発現させてもよい。例えば、接着層３６が、紫外線硬化型の熱可塑性樹脂であれば、仮硬化には、紫外線の照射を適用することができる。接着層３６がマイクロレンズアレイ２４上に形成される場合には、両者における光の絶対的屈折率は異なる。詳しくは、接着層３６の絶対的屈折率は、マイクロレンズアレイ２４が図２に示すように凸レンズであれば、マイクロレンズアレイ２４の絶対的屈折率よりも小さいことが好ましい。逆に、マイクロレンズアレイ２４が凹レンズであれば、接着層３６の絶対的屈折率は、マイクロレンズアレイ２４の絶対的屈折率よりも大きいことが好ましい。
【００４３】
透明基板３２を１つずつ第１の基板１０に貼り付けてもよい。本実施の形態では、相互の位置を固定した状態で、複数の透明基板３２を第１の基板１０に貼り付ける。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す例では、シート３４に複数の透明基板３２を貼り付けておく。こうすることで、一度に複数の透明基板３２を貼り付けることができる。なお、複数の透明基板３２は、マトリクス状に並んでいてもよい。
【００４４】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、相互の位置が固定された複数の透明基板を含む第２の基板を得る工程を説明する図である。この例では、図３（Ａ）に示すように、シート３４にプレート２８を貼り付け、プレート２８に接着層３６を形成する。なお、接着層３６は、仮硬化させておいてもよい。次に、図３（Ｂ）に示すように、カッタ３８（例えばダイシングブレード）によって、シート３４を切断しないように、プレート２８を複数の透明基板３２に切断する。そのとき、接着層３６も切断される（切断された個々の接着層を符号３６ａで示す）。カッタ３８の幅（厚み）に応じて、隣同士の透明基板３２の間隔が決まる。すなわち、カッタ３８の幅（厚み）に応じて、プレート２８の切断ラインに沿った部分が除去される。カッタ３８の幅は、後述する第１の基板１０を切断するカッタの幅よりも大きいくてもよい。
【００４５】
こうして、プレート２８から透明基板３２を得られる。すなわち、シート３４とシート３４に貼り付けられた透明基板３２とを含む第２の基板が得られる。これによれば、接着層３６を形成してからプレート２８を切断するので、透明基板３２の端面に接着層３６が付着しにくい。なお、変形例として、シート３４に貼り付けられたプレート２８を複数の透明基板３２に切断した後に、接着層３６を複数の透明基板３２に設けてもよい。あるいは、プレート２８に、透明基板３２の形状に応じて（切断ラインを避けて）、接着層３６を形成し、接着層３６が形成されない部分を切断してもよい。
【００４６】
図４（Ａ）に示すように、上述した工程を経て、第１の基板１０に第２の基板３０を取り付ける。第１の基板１０は、光学的部分１４を有する複数の光素子５０が形成されており、各光学的部分１４の上方に、各透明基板３２を配置する。また、透明基板３２は、電極２６を避けて設ける。接着層３６が仮硬化されている場合には、例えば加熱して、その接着力を発現させる。必要であれば、透明基板３２に貼られた第２の基板３０のシート３４を剥がす。接着層３６及び透明基板３２は、光学的部分１４を封止する。接着層３６と光学的部分１４との間に隙間がないようになっていてもよい。なお、接着層３６の一部が電極２６に付着した場合には、これを除去する工程を付加してもよい。接着層３６の一部は、溶剤やスパッタリングによってエッチングしたり、あるいはプラズマ（Ｏ2プラズマ等）にさらしてアッシングして除去することができる。また、光学的部分１４を封止する直前に、光学的部分１４を洗浄化する工程があることが好ましい。この場合には、光学的部分１４の上にゴミやケバなどが付着したまま光学的部分１４が封止されるのを防ぐことができるため、光デバイスの歩留まりが向上する。
【００４７】
図４（Ｂ）に示すように、第１の基板１０を切断して、個々の光素子５０とする。その切断には、カッタ４０（例えばダイシングブレード）を使用する。第１の基板１０は、光学的部分１４の外側であって、さらに電極２６の外側で切断する。図４（Ｂ）に示す例では、隣同士の光学的部分１４の間に、それぞれの光学的部分１４に対応する電極２６が形成されており、それらの電極２６（複数）の間で第１の基板１０を切断することにより、個々の光素子５０とする。第１の基板１０にシート１２が貼り付けられていれば、第１の基板１０を各光素子５０に分離しても各光素子５０がバラバラにならない。こうして、光デバイスが得られる。本実施の形態によれば、光学的部分１４を封止してから第１の基板１０を切断するので、封止部内にゴミが入ることがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。
【００４８】
図５（Ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスを説明する縦断面図であり、図５（Ｂ）は、その平面図である。光デバイスは、光素子５０と、透明基板３２を有する。透明基板３２から光学的部分１４に光が入射する。光素子５０に設けられた光学的部分１４は、接着剤層３６透明基板３２によって封止されている。マイクロレンズアレイ２４とその上に形成される接着層３６とは、光の絶対的屈折率は異なる。詳しくは、接着層３６の絶対的屈折率は、マイクロレンズアレイ２４が接着層３６からみて凸レンズであれば、マイクロレンズアレイ２４の絶対的屈折率よりも小さいことが好ましい。逆に、マイクロレンズアレイ２４が接着層３６からみて凹レンズであれば、接着層３６の絶対的屈折率は、マイクロレンズアレイ２４の絶対的屈折率よりも大きいことが好ましい。光学的部分１４の外側であって、さらに透明基板３２の外側には、第１の基板１０（詳しくはその個片である光素子５０）に電極２６が設けられている。その他の詳細は、上述した光デバイスの製造方法で説明した内容が該当する。
【００４９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【００５０】
（第２の実施の形態）
図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第１の実施の形態で説明した部材を使用する。
【００５１】
図６（Ａ）に示すように、第１の基板１０に接着層３６を介して第２の基板３０を貼り付ける。接着層３６は、第１の基板１０上に複数の光素子５０の上に連続的に形成してもよい。すなわち、接着層３６は、複数の光学的部分１４及び隣同士の光学的部分１４の間の領域を覆うように形成してもよい。その場合、接着層６を簡単に形成することができる。変形例として、それぞれの光学的部分１４上であって、隣同士の光学的部分１４の間の領域を避けて、接着層３６を形成してもよい。
【００５２】
図６（Ｂ）に示すように、第２の基板３０を切断して、複数の透明基板３２を形成する。第２の基板３０は、それぞれの光学的部分１４に対応して切断する。第２の基板３０の切断ラインは、第１の基板１０における電極２６の上方に位置することが好ましい。すなわち、電極２６に対する電気的な接続を採りやすくするため、第２の基板３０における電極２６の上方の部分を除去する。例えば、第２の基板３０を切断するためのカッタ３８として、切削して切断を行うツールを用いる。こうして、電極２６の上方を開放させる。なお、カッタ３８（例えばダイシングブレード）は、第１の基板１０を切断するカッタ４０（図４（Ｂ）参照）よりも幅が大きいことが好ましい。第２の基板３０の切断は、第２の基板３０の表面や電極２６を破損しないように行う。例えば、カッタ３８の先端が電極２６に接触しないように、接着層３６の上部のみを切断するようにカッタ３８を制御する。図示しない溝を、第２の基板３０に形成しておいてもよい。その場合、溝を電極２６に向けて配置する。そうすることで、溝の深さ分、第２の基板３０の表面が電極２６から離れているので、カッタ３８の先端が電極２６に接触しにくくなる。
【００５３】
図６（Ｂ）に示すように、隣同士の透明基板３２の間（例えば電極２６上）に、接着層３６の一部が残っている場合には、これを除去する工程を行う。例えば、溶剤やスパッタリングによるエッチングや、あるいはプラズマ（Ｏ2プラズマ等）によるアッシングによって、透明基板３２をマスクとして、接着層３６の一部を除去することができる。
【００５４】
こうして、図６（Ｃ）に示すように、各光学的部分１４を封止することができる。その後、図４（Ｂ）に示す工程を行う。本実施の形態によれば、透明基板３２の形成が簡単である。また、バラバラの複数の透明基板を位置合わせしなくてもよい。その他の点について、本実施の形態には、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
【００５５】
（第３の実施の形態）
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第１の実施の形態で説明した部材を使用する。
【００５６】
図７（Ａ）に示すように、本実施の形態では、第１の基板１０上に接着層３６を形成する。その詳細は、第２の実施の形態で説明した内容が該当する。そして、図７（Ｂ）に示すように、接着層３６に、複数の第２の基板３０として複数の透明基板３２を接着する。詳しくは、各透明基板３２を、各光学的部分１４の上方に配置し、接着層３６に接着する。また、透明基板３２は、電極２６を避けて配置することが好ましい。
【００５７】
このように、予め複数の透明基板３２となった第２の基板３０を、第１の基板１０に貼り付けてもよい。その他の点について、本実施の形態には、第１又は第２の実施の形態で説明した内容が該当する。
【００５８】
（第４の実施の形態）
図８は、本発明の第４の実施の形態に係る光モジュール及び回路基板を説明する図である。図８に示す光モジュールは、図５（Ａ）に示す光素子５０ａを有する。光素子５０ａは、支持部材（例えばケース）５２に取り付けられている。支持部材５２には、配線５４が形成されている。支持部材５２は、ＭＩＤ（Molded Interconnect Device）であってもよい。光素子５０ａの電極２６と配線５４とは、電気的に接続されている。電気的接続には、例えばワイヤ５６を用いてもよい。また、電気的な接続部（例えばワイヤ５６及びそのボンディングされた部分）には、封止材料５８が設けられている。すなわち、電気的な接続部は、封止材料５８で封止されている。封止材料５８は、例えばポッティングによって設けてもよい。光素子５０ａは、透明基板３２及び接着層３６によって光学的部分１４が封止されているので、透明基板３２及び接着層３６がダムとして機能するため、封止材料５８が光学的部分１４を覆わない。
【００５９】
配線５４の一部は、外部端子（例えばリード）６０となっている。外部端子６０は、回路基板６２に形成された配線パターン６４と電気的に接続されている。図８に示す例では、回路基板６２に穴が形成されており、その穴に外部端子６０が挿入されている。その穴の周囲に配線パターン６４のランドが形成され、そのランドと外部端子６０とは、ろう材（例えばはんだ）で接合されている。このように、回路基板６２は、光モジュールが実装されてなる。また、支持部材５２そのものが、外部端子６０を有さない回路基板６２そのものであってもよい。
【００６０】
（その他の実施の形態）
図９は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを説明する図である。図９に示す光モジュールは、図５（Ａ）に示す光素子５０ａと、これが取り付けられた支持部材７０とを有する。支持部材７０には、穴７２が形成されており、透明基板３２の少なくとも一部が穴７２の内側に位置している。また、穴７２には、レンズホルダ７４が取り付けられている。レンズホルダ７４にも穴７６が形成され、その内側にレンズ７８が取り付けられている。穴７６，７２は連通しており、レンズ７８にて集光した光が透明基板３２に入射する。なお、透明基板３２は、赤外線の領域の光をカットするものであってもよい。光素子５０ａの電極２６と、支持部材７０の配線７９との接合には、接着剤、異方性導電材料、異方性導電膜、金属接合のいずれを適用してもよい。また、光素子５０ａと支持部材７０との間に、図示しないアンダーフィル材を設けてもよい。
【００６１】
図１０は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを説明する図である。図１０に示す光モジュールは、図５（Ａ）に示す光素子５０ａと、これが取り付けられた支持部材８０とを有する。支持部材８０には、穴８２が形成されており、透明基板３２の少なくとも一部が穴８２の内側に位置している。また、穴８２には、レンズホルダ７４が取り付けられている（詳しくは上述した）。
【００６２】
図１０において、光素子５０ａは、フレキシブル基板８４に実装されており、その電極２６とフレキシブル基板８４に形成された配線パターン８６とが接合されている。その接合には、接着剤、異方性導電材料、異方性導電膜、金属接合のいずれを適用してもよい。また、光素子５０ａとフレキシブル基板８４との間に、図示しないアンダーフィル材を設けてもよい。フレキシブル基板８４にも穴８８が形成されている。穴７６，８２，８８は連通しており、レンズ７８にて集光した光が光素子５０ａに入射する。
【００６３】
フレキシブル基板８４には、電子部品（例えば半導体チップ）９０が実装（例えばフェースダウンボンディング）されている。電子部品９０と配線パターン８６とは電気的に接続されている。フレキシブル基板８４が屈曲し、電子部品９０と光デバイス５０とが接着剤９２を介して接着されている。なお、予め、光素子５０ａと電子部品９０をそれぞれフレキシブル基板８４に実装してから、フレキシブル基板８４を屈曲させて、光素子５０ａと電子部品９０を接着してもよい。
【００６４】
本発明の実施の形態に係る電子機器として、図１１に示すノート型パーソナルコンピュータ１００は、光モジュールが組み込まれたカメラ１１０を有する。また、図１２に示すデジタルカメラ２００は光モジュールを有する。さらに、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示す携帯電話３００は、光モジュールが組み込まれたカメラ３１０を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図３】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイスを説明する図である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図８】図８は、本発明の第４の実施の形態に係る光モジュール及び回路基板を説明する図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１３】図１３（Ａ）〜図１３（Ｂ）は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０ 第１の基板
１４ 光学的部分
１６ エネルギー変換部（受光部）
２０ カラーフィルタ
２４ マイクロレンズアレイ
２６ 電極
２８ プレート
３０ 第２の基板
３２ 透明基板
３４ シート
３６ 接着層
３８ カッタ
４０ カッタ
５０ 光デバイス
５２ 支持部材
６２ 回路基板
７０ 支持部材
８０ 支持部材
Claims (20)
- （ａ）複数の透明基板のそれぞれに光透過性の接着層を設けてから、複数の光学的部分が形成された第１の基板に、前記接着層を介して、前記複数の透明基板を貼り付けて、前記複数の光学的部分を封止し、
（ｂ）前記第１の基板を切断することを含む光デバイスの製造方法。 - 請求項１記載の光デバイスの製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記複数の透明基板を、相互の位置を固定した状態で、一度に前記第１の基板に貼り付ける光デバイスの製造方法。 - 請求項２記載の光デバイスの製造方法において、
前記（ａ）工程前に、シートにプレートを貼り付け、前記シートを切断しないように前記プレートを切断して前記複数の透明基板を得る光デバイスの製造方法。 - 請求項３記載の光デバイスの製造方法において、
前記第１の基板には、それぞれの前記光学的部分の外側に電極が形成されてなり、
前記（ａ）工程で、前記電極を避けて、前記第１の基板に前記接着層及び前記透明基板を設ける光デバイスの製造方法。 - （ａ １ ）複数の光学的部分が形成された第１の基板に、前記複数の光学的部分を覆うように、光透過性の接着層を介して、プレートを貼り付け、
（ａ ２ ）前記プレートを、それぞれの前記光学的部分に対応する透明基板に切断して、各前記光学的部分を封止し、
（ｂ）前記第１の基板を切断することを含む光デバイスの製造方法。 - 請求項５記載の光デバイスの製造方法において、
前記第１の基板には、それぞれの前記光学的部分の外側に電極が形成されてなり、
前記（ａ ２ ）工程で、前記プレートにおける前記電極の上方の部分を除去しながら前記プレートを切断する光デバイスの製造方法。 - 請求項６記載の光デバイスの製造方法において、
前記プレートを切断するカッタの幅は、前記第１の基板を切断するカッタの幅よりも大きい光デバイスの製造方法。 - 請求項５から請求項７のいずれかに記載の光デバイスの製造方法において、
前記（ａ １ ）工程で、前記接着層を、前記第１の基板上に連続的に設け、
前記（ａ ２ ）工程後に、前記接着層のうち、隣同士の前記透明基板の間に位置する部分を除去することをさらに含む光デバイスの製造方法。 - （ａ １ ）複数の光学的部分が形成された第１の基板に、光透過性の接着層を形成し、
（ａ ２ ）複数の透明基板のそれぞれを、各前記光学的部分に対応させて、前記接着層を介して第１の基板に接着し、
（ｂ）前記第１の基板を切断することを含む光デバイスの製造方法。 - 請求項９記載の光デバイスの製造方法において、
前記第１の基板には、それぞれの前記光学的部分の外側に電極が形成されてなり、
前記（ａ １ ）工程で、前記電極を避けて、前記第１の基板に前記透明基板を設ける光デバイスの製造方法。 - 請求項１から請求項１０のいずれかに記載の光デバイスの製造方法において、
前記透明基板は、少なくとも可視光を通過させ、赤外線を通過させない光デバイスの製造方法。 - 請求項１から請求項１１のいずれかに記載の光デバイスの製造方法において、
前記第１の基板は、半導体ウエハである光デバイスの製造方法。 - 請求項１から請求項１２のいずれかに記載の光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、画像センシング用に並べられた複数の受光素子を有してなる光デバイスの製造方法。 - 請求項１３記載の光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、カラーフィルタをさらに有してなる光デバイスの製造方法。 - 請求項１３又は請求項１４記載の光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、マイクロレンズアレイをさらに有してなる光デバイスの製造方法。 - 請求項１５記載の光デバイスの製造方法において、
前記接着層として、光の絶対屈折率が、前記マイクロレンズアレイとは異なる材料を使用する光デバイスの製造方法。 - 請求項１から請求項１６のいずれかに記載の方法によって製造されてなる光デバイス。
- 請求項１７記載の光デバイスと、
前記光デバイスが取り付けられる支持部材と、
を有する光モジュール。 - 請求項１８記載の光モジュールが実装されてなる回路基板。
- 請求項１８記載の光モジュールを有する電子機器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001397053A JP3675402B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 |
| US10/306,789 US7083999B2 (en) | 2001-12-27 | 2002-11-27 | Optical device, method of manufacturing the same, optical module, circuit board and electronic instrument |
| CNB021583536A CN1193415C (zh) | 2001-12-27 | 2002-12-27 | 光器件及其制造方法 |
| CNB2005100044918A CN1329952C (zh) | 2001-12-27 | 2002-12-27 | 光器件制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001397053A JP3675402B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197885A JP2003197885A (ja) | 2003-07-11 |
| JP3675402B2 true JP3675402B2 (ja) | 2005-07-27 |
Family
ID=19189155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001397053A Expired - Fee Related JP3675402B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7083999B2 (ja) |
| JP (1) | JP3675402B2 (ja) |
| CN (2) | CN1193415C (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003198897A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | 光モジュール、回路基板及び電子機器 |
| EP1369929B1 (en) * | 2002-05-27 | 2016-08-03 | STMicroelectronics Srl | A process for manufacturing encapsulated optical sensors, and an encapsulated optical sensor manufactured using this process |
| US6982470B2 (en) * | 2002-11-27 | 2006-01-03 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, cover for semiconductor device, and electronic equipment |
| US20040161871A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit substrate and electronic equipment |
| JP2004296453A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-10-21 | Sharp Corp | 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法 |
| JP2004241695A (ja) | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Seiko Epson Corp | 光デバイスの製造方法 |
| JP2005026314A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
| US6995462B2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-02-07 | Micron Technology, Inc. | Image sensor packages |
| US7488117B2 (en) * | 2004-03-05 | 2009-02-10 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Large tolerance fiber optic transmitter and receiver |
| US7492023B2 (en) * | 2004-03-26 | 2009-02-17 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device |
| KR100652375B1 (ko) | 2004-06-29 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | 와이어 본딩 패키지를 포함하는 이미지 센서 모듈 구조물및 그 제조방법 |
| JP2006100762A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP4486005B2 (ja) | 2005-08-03 | 2010-06-23 | パナソニック株式会社 | 半導体撮像装置およびその製造方法 |
| JP4881597B2 (ja) | 2005-09-22 | 2012-02-22 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置の切断方法 |
| JP2007188909A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP5427337B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2014-02-26 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 半導体装置及びその製造方法、カメラモジュール |
| JP2007242692A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学装置および光学装置の製造方法 |
| JP5218058B2 (ja) | 2006-09-15 | 2013-06-26 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
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| JP2009176894A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Panasonic Corp | 光学半導体装置 |
| US9118825B2 (en) * | 2008-02-22 | 2015-08-25 | Nan Chang O-Film Optoelectronics Technology Ltd. | Attachment of wafer level optics |
| JP2010016173A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Panasonic Corp | 固体撮像素子、その製造方法、及び固体撮像装置 |
| US7781854B2 (en) * | 2008-07-31 | 2010-08-24 | Unimicron Technology Corp. | Image sensor chip package structure and method thereof |
| US8610815B2 (en) * | 2009-01-12 | 2013-12-17 | Aptina Imaging Corporation | Imaging device having microlens array adhered to wafer-level lens |
| US9419032B2 (en) | 2009-08-14 | 2016-08-16 | Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd | Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing |
| TWI418002B (zh) * | 2009-12-01 | 2013-12-01 | Xintec Inc | 晶片封裝體及其製造方法 |
| TWI430415B (zh) * | 2009-12-01 | 2014-03-11 | Xintec Inc | 晶片封裝體及其製造方法 |
| JP2010135821A (ja) * | 2010-01-21 | 2010-06-17 | Panasonic Corp | 半導体撮像装置およびその製造方法 |
| WO2011132327A1 (ja) * | 2010-04-22 | 2011-10-27 | 株式会社正興電機製作所 | 封止テープ、調光素子、調光構造体及び調光構造体の製造方法 |
| US11247422B2 (en) * | 2018-10-22 | 2022-02-15 | Facebook Technologies, Llc | Optical element fabrication with optical scanner feedback |
| CN109859618B (zh) * | 2019-01-21 | 2021-11-23 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09230322A (ja) | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶光学素子およびその製造方法 |
| US6096155A (en) | 1996-09-27 | 2000-08-01 | Digital Optics Corporation | Method of dicing wafer level integrated multiple optical elements |
| US6307243B1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-10-23 | Micron Technology, Inc. | Microlens array with improved fill factor |
| US6483030B1 (en) * | 1999-12-08 | 2002-11-19 | Amkor Technology, Inc. | Snap lid image sensor package |
| JP3880278B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2007-02-14 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2001351997A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Canon Inc | 受光センサーの実装構造体およびその使用方法 |
| AUPR245601A0 (en) * | 2001-01-10 | 2001-02-01 | Silverbrook Research Pty Ltd | An apparatus (WSM09) |
| US6838299B2 (en) * | 2001-11-28 | 2005-01-04 | Intel Corporation | Forming defect prevention trenches in dicing streets |
-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001397053A patent/JP3675402B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-11-27 US US10/306,789 patent/US7083999B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-27 CN CNB021583536A patent/CN1193415C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-27 CN CNB2005100044918A patent/CN1329952C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003197885A (ja) | 2003-07-11 |
| CN1430405A (zh) | 2003-07-16 |
| CN1193415C (zh) | 2005-03-16 |
| CN1661772A (zh) | 2005-08-31 |
| CN1329952C (zh) | 2007-08-01 |
| US7083999B2 (en) | 2006-08-01 |
| US20030123779A1 (en) | 2003-07-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050111 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050223 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050304 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050412 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050425 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090513 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100513 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110513 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120513 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130513 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 9 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |