JP4881597B2 - 固体撮像装置の切断方法 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 47
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 claims description 88
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 66
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 51
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 51
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 31
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001875 Ebonite Polymers 0.000 description 1
- 229920001967 Metal rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 1
- YPHMISFOHDHNIV-FSZOTQKASA-N cycloheximide Chemical compound C1[C@@H](C)C[C@H](C)C(=O)[C@@H]1[C@H](O)CC1CC(=O)NC(=O)C1 YPHMISFOHDHNIV-FSZOTQKASA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000834 fixative Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/162—Disposition
- H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
本発明は、固体撮像装置の製造工程において、貼り合わせられているカバーガラスと固体撮像素子ウェーハとを切断する切断方法に関するものである。
デジタルカメラや携帯電話に用いられるＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）やＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）からなる固体撮像装置は、益々小型化が要求されている。このため、固体撮像素子チップ全体をセラミックス等のパッケージに気密封止した従来の大型パッケージから最近では、固体撮像素子チップの大きさと略等しい大きさのＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプに移行しつつある。
このような中で、多数の固体撮像素子の受光部が形成され、隣の受光部との間に分離溝が形成されたウェーハ（半導体基板）と、各受光部を包囲する位置に対応させてスペーサが形成された透明ガラス板であるカバーガラスとをスペーサ部分でウェーハに接着してカバーガラスとウェーハとの間に空隙を形成し、カバーガラス及びウェーハを化学的機械研磨（ＣＭＰ）で分離溝に達するまで研磨して個々の固体撮像装置に分離する方法が提案されている。
このカバーガラスの分離溝の幅は、固体撮像素子の受光部の外側に形成され外部から配線等を行うためのパッド面を露出させるのに必要な幅がとられている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００４−６８３４号公報
しかし、この特許文献１に記載された技術では、個々の固体撮像装置に分離するために、カバーガラス及びウェーハの双方に予め分離溝を形成する工程が必要であり、更に化学的機械研磨によってカバーガラス及びウェーハを研磨して分離溝に達するまで厚さを減じているため、分離のための時間が長いという問題があった。
このような問題を解決するために、例えばダイシング装置等を使用して、ウェーハのパッド面を露出させるのに必要な幅を有するダイシングブレード（円盤状砥石）を用い、砥石の最下点が前述の空隙部分を通過するようにカバーガラスを研削切断し、続いて別の薄いダイシングブレードでウェーハ部分を研削切断する方法が考えられる。 しかし、このような砥石を用いて研削切断する方法の場合、例えばウェーハとカバーガラスとの間に形成された空隙部の隙間が１００μｍ程度と極く狭い場合は、図６（ａ）、及び図６（ａ）のＡ−Ａ’断面と一部拡大図を表わす図６（ｂ）に示すように、カバーガラス２１の研削切断を進めていく中でガラス面のチッピングにより生ずるガラス破片２１Ａが排出時に砥石５２とウェーハ２２との隙間に巻き込まれ、掻き回され、極端には引きずられることで、ウェーハ２２側に損傷を与えてしまうという重大な問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、貼り合わせられたスペーサが形成されたカバーガラスとウェーハ状の固体撮像装置とを切断する際にチッピングを生じさせず、ウェーハ表面に傷を与えることがない、高精度で高品質な固体撮像装置の切断方法を提供することを目的としている。
本発明は前記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、スペーサが形成されたカバーガラスと固体撮像素子が多数形成された固体撮像素子ウェーハとを貼り合わせ、個々の固体撮像装置に切断する固体撮像装置の切断方法において、前記カバーガラスの前記スペーサが形成された面の反対の面の周縁部に剥離可能なマスクフィルムを貼着する工程と、前記マスクフィルムが周縁部に貼着された面へ透明で粘着力が調整可能な仮止め剤を塗布する工程と、前記仮止め剤が塗布された後に前記マスクフィルムを剥離する工程と、片面に粘着力を減少させることが可能な粘着シートが貼着された透明な保護用ウェーハを前記カバーガラスの前記仮止め剤が塗布された側へ前記粘着シートを向き合わせて貼り合せる工程と、貼り合わせられた前記カバーガラスと前記保護用ウェーハを該カバーガラス側から前記仮止め剤まで切断する工程と、切断された前記カバーガラスへ前記固体撮像素子ウェーハを接合する工程と、前記固体撮像素子ウェーハを前記カバーガラスへ接合した後に、前記保護用ウェーハ、前記粘着シート、及び前記仮止め剤を剥離する工程と、前記固体撮像素子ウェーハを切断することにより個々の固体撮像装置に分割する工程と、を有することを特徴としている。
請求項１の発明によれば、スペーサが形成されたカバーガラスのスペーサが形成されている面とは裏側の面に、仮止め剤が２００μｍ程度の比較的厚い厚みで塗布される。この時、カバーガラスの仮止め剤が塗布される面の周辺部にはマスクフィルムが予め貼着されており、これを剥離することで未塗布面を形成する。
仮止め剤塗布後は、熱や紫外線等を与えると粘着力が失われ剥離する性質をもつ粘着シートが片面に貼着された保護用ウェーハを、粘着シートと仮止め剤が向き合うように静かに置いて貼り合わせ、仮止め剤を紫外線等により硬化させる。
仮止め剤を硬化させた後、貼り合わせられたカバーガラスと保護用ウェーハをカバーガラス側より貼り合わせ面に位置する仮止め剤の層までダイシングを行い、ダイシングされたカバーガラスには固体撮像素子ウェーハ（以下、ＣＣＤウェーハと称する）がアライメントされて接着される。
ＣＣＤウェーハが接着された後、保護用ウェーハ、粘着シート、及び仮止め剤が熱を与える、又は温水に浸漬させることにより剥離され、剥離後にＣＣＤウェーハをダイシングして個々のチップに分割される。
これにより、カバーガラスは表面を保護された状態でダイシングされるため、チッピングの発生が大幅に抑えられる。また、カバーガラスをダイシングした後にＣＣＤウェーハを接着しているため、チッピングにより飛散したガラス片がＣＣＤウェーハに接触することがなく、ＣＣＤウェーハに傷を生じさせることが無い。
請求項２に記載の発明は、請求項１の発明において、前記仮止め剤の塗布は、減圧された環境下で行うことを特徴としている。
請求項２の発明によれば、減圧されることにより仮止め剤内部の残留気泡が除去され、仮止め剤の滴下時や塗布時に混入する気泡を最小限に留め、高精度で高品質な固体撮像装置の切断を可能にする。
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２の発明において、前記粘着シートは、前記カバーガラスと前記固体撮像素子ウェーハとの位置合わせに用いるアライメントマークを確認する為の穴が所定の位置に開けられていることを特徴としている。
請求項３の発明によれば、カバーガラスとＣＣＤウェーハとには、精密に位置合わせするためにアライメント用のマークが形成されているが、一般的に粘着シートは不透明であるため、これを確認することができなくなる。この問題を解決するため、アライメントマークに対応した箇所に予め直径４ｍｍ程度の穴を開けておき精密な位置あわせを可能とする。
請求項４に記載の発明は、請求項１、２、又は３の発明において、前記保護用ウェーハを前記カバーガラスの前記仮止め剤が塗布された側へ前記粘着シートを向き合わせて貼り合せる工程は、減圧された環境下で行い、貼り合わせが行われた後に大気圧下に戻すことを特徴としている。
請求項４の発明によれば、減圧環境下で貼り合わせられた後のカバーガラスと保護用ウェーハとは大気圧下に戻すことにより、大気圧の力で押圧される。これにより、仮止め剤が塗布される際に生じる微小な厚みのバラつきを起因とする空隙が、押圧されて仮止め剤が圧縮されることにより最小化されて均一となる。これにより、高精度で高品質な固体撮像装置の切断を可能にする。
請求項５に記載の発明は、請求項１、２、３、又は４の発明において、前記仮止め剤の粘着力を減少させるように調整する条件と、前記粘着シートの粘着力を減少させる条件は異なることを特徴としている。
請求項５の発明によれば、仮止め剤の粘着力を残したまま粘着シートの粘着力を減少させるので、ＣＣＤウェーハを接合した後に不要となる保護用ウェーハと仮止め剤との除去を容易にする。
以上説明したように、本発明の固体撮像装置の切断方法によれば、カバーガラスは表面を保護された状態でダイシングされるため、チッピングの発生が大幅に抑えられる。また、カバーガラスをダイシングした後にＣＣＤウェーハを接着しているので、チッピングにより飛散したガラス片がＣＣＤウェーハに接触することがなく、ＣＣＤウェーハに傷を生じさせない、高精度で高品質な固体撮像装置の切断が可能となる。
以下添付図面に従って本発明に係る固体撮像装置の切断方法の好ましい実施の形態について詳説する。
図１及び図２は、本発明の実施の形態に係るＣＳＰタイプの固体撮像装置の外観形状を示す斜視図、及び断面図である。固体撮像装置１は、固体撮像素子３が設けられた固体撮像素子チップ２、固体撮像素子チップ２に取り付けられ固体撮像素子３を取り囲む枠形状のスペーサ５、及びスペーサ５の上に取り付けられて固体撮像素子３を封止するカバーガラス４から構成されている。
固体撮像素子チップ２は、図２に示すように、矩形のチップ基板２Ａと、このチップ基板２Ａ上に形成された固体撮像素子３と、固体撮像素子３の外側に複数個配列され外部との配線を行うためのパッド（電極）６とからなっている。チップ基板２Ａの材質は、例えばシリコン単結晶で、その厚さは例えば３００μｍ程度である。
カバーガラス４は、熱膨張係数がシリコンに近い透明ガラス、例えば、「パイレックス（登録商標）ガラス」等が用いられ、その厚さは、例えば５００μｍ程度である。
スペーサ５は、無機材料で、チップ基板２Ａ及びカバーガラス４と熱膨張係数等の物性が類似した材質が望ましいため、例えば多結晶シリコンが用いられる。また、枠形状のスペーサ５の一部分を断面で見たときに、その断面の幅は例えば２００μｍ程度、厚さは例えば１００μｍ程度である。このスペーサ５は、一方の端面５Ａでチップ基板２Ａに接着剤７を用いて接合され、他方の端面でカバーガラス４に接着剤８を用いて接合されている。
スペーサ５のチップ基板２Ａに接合される側の端面５Ａのエッジ部には、図２に示すように、段差部５Ｂが形成されており、この段差部５Ｂは、スペーサ５とチップ基板２Ａとを接着剤７を用いて接合した時に、スペーサ５の下からはみ出した接着剤７を収容し、接着剤７が固体撮像素子３やパッド６上に流れ出すのを防止している。段差部５Ｂの端面５Ａからの段差寸法は、例えば３０μｍ程度である。
次に、本発明の固体撮像装置の切断方法についてその実施の形態を説明する。図３は、固体撮像装置の切断方法を示したフローチャート、図４及び図５はフローチャートの説明図である。
まず、図４（ａ）に示すように、スペーサ５が取り付けられたカバーガラス４に対してマスクフィルム１１、及び保護フィルム１２が貼付される（ステップＳ１）。
マスクフィルム１１は、剥離が容易にできる薄いフィルム状の素材であり、カバーガラス４のスペーサ５が取り付けられた面とは反対の面の周縁部から１〜５ｍｍの範囲で全周に貼付される。マスクフィルム１１は、フィルム状の素材だけでなくスクリーン印刷において一般的に用いられるスクリーン版やメタルマスク等を用いてもよい。
保護フィルム１２は、剥離が容易にできる薄いフィルム状の素材であり、カバーガラス４のスペーサ５が取り付けられた面の汚れ、または損傷等を避けるために、スペーサ５に対してカバーガラス４の片面全面を覆うように貼付される。なお、保護フィルム１２は、ウェーハ取り扱いの自動化等によりウェーハ、及びカバーガラス面の汚れ、損傷等が発生しなくなれば貼付の必要はない。
マスクフィルム１１、及び保護フィルム１２が貼付されたカバーガラス４は、図４（ｂ）、及び（ｃ）に示すように、減圧された環境下に置かれ、仮止め剤１４がマスクフィルム１１を貼付した面へスキージ１３を用いて均一に塗布される（ステップＳ２）。
仮止め剤１４には、特定の条件下において透明であり、紫外線光（以下、ＵＶ光と称する）、ヒーターによる加熱、温水への浸漬、または経時変化等により粘着力が、ダイシング時の切削抵抗に耐えうる強度から、剥離を容易に行える強度まで調整可能である素材が使用される。
具体的には、ＵＶ光を照射することにより硬化し、８０度の熱水に浸漬させると膨潤剥離するテンプロック（電気化学工業株式会社製）、２液混合で経時硬化し９０度の熱水に浸漬させると混錬されている熱発泡剤が反応して剥離するエコセパラ（化研テック株式会社製）、ＵＶ光を照射することにより硬化し温水に浸漬させると膨潤と一部溶解して剥離する水溶性仮着剤（株式会社アーデル製等）などが市販されており、これらの特性を考慮して選定される。本実施の形態ではテンプロックを使用した場合において説明する。
スキージ１３は、金属、または硬質ゴム製の棒状部材であり、仮止め剤１４の粘度、特性、及び塗布厚みの目標値などに応じて、スキージ１３下面とカバーガラス４の仮止め剤１４塗布面との間隔が設定される。仮止め剤１４の塗布厚みは、カバーガラス４の切断の際の作業性を考慮し、５０μｍ以上の厚みが望ましく、２００μｍ程度の比較的厚い厚みで塗布されるのがよい。
スキージ１３により仮止め剤１４を塗布する際には、塗布を行う環境を減圧する。このとき、粘度３Ｐａ．ｓ程度の仮止め剤１４を２００μｍ程度の塗工厚みを目標に作業する際には、減圧値は０．１〜２０ｋＰａの範囲で設定され、塗布スピードは１〜２０ｍｍ／ｓの範囲に設定される。これにより、仮止め剤１４内の残留気泡を除去し、かつ滴下時やスキージ１３により均一に引き伸ばす時に混入する気泡を最小限に抑えられる。
仮止め剤１４の塗布が終了後は、図４（ｄ）に示すように、マスクフィルム１１を剥離する（ステップＳ３）。
仮止め剤１４塗布後にマスクフィルム１１を剥離することにより、仮止め剤１４の周辺部には１ｍｍ〜５ｍｍ程度の未塗布領域が形成される。
仮止め剤１４の塗布と平行して、図４（ｅ）に示されるように、粘着シート１５に対して、カバーガラス４とＣＣＤウェーハとの貼り付け位置を合わせるのに使用されるアライメントマークを確認する為のφ４ｍｍ程度の複数の穴１７が、アライメントマークの位置に合わせて開けられる（ステップＳ４）。
粘着シート１５には、加熱、もしくはＵＶ光を照射する等により粘着力を低下させる素材が使用される。具体的には、加熱することにより粘着層内に含有されている熱発泡剤が反応して自己剥離するリバアルファ（日東電工株式会社製）、 エレグリップ（電気化学工業株式会社製）、ＵＶ光に反応してガスが発生して剥離するセルファ（積水化学工業株式会社製）などが市販されており、これらの特性を考慮して選定される。本実施の形態ではリバアルファを使用した場合において説明する。
穴１７が開けられた粘着シート１５は、図４（ｆ）に示すように、カバーガラス４と同径であり透明な保護用ウェーハ１６の片面へ貼付される（ステップＳ５）。
粘着シート１５が貼付された保護用ウェーハ１６は、図４（ｇ）に示すように、仮止め剤１４が塗布されマスクフィルム１１が剥離されたカバーガラス４へ、粘着シート１５と塗布された仮止め剤１４とが向き合うように静かに置かれて貼り合わせられる（ステップＳ６）。
このとき、カバーガラス４につけられたアライメントマークと穴１７の位置が調整され、穴１７よりアライメントマークが確認できるようにする。また、貼り合わせる作業は、０．１〜２０ｋＰａの減圧環境下であり、且つステップＳ２における仮止め剤１４の塗布工程の減圧値と同等かそれ以上の減圧値で行われる。これにより、仮止め剤１４の塗布工程中に発生した気泡を再発させることがない。
貼り合わせられたカバーガラス４と保護用ウェーハ１６は、貼り合わせ後に大気圧中に戻される。それとともに、図４（ｈ）に示すように、穴１７より高強度のスポットＵＶ光を仮止め剤１４へ照射し、カバーガラス４に形成されたアライメントマーク上の仮止め剤１４を硬化させてカバーガラス４と保護用ウェーハ１６とを仮固定する（ステップＳ７）。
これにより、カバーガラス４と保護用ウェーハ１６とは、大気圧の力で押圧され、仮止め剤１４の微小な塗布厚の差により生じる空隙が縮小される。また、マスクフィルム１１を剥離することにより形成される未塗布領域により、押圧されて広がった仮止め剤１４がカバーガラス４と保護用ウェーハ１６との間からはみ出すことがない。
アライメントマーク上の仮止め剤１４を硬化させる高強度のＵＶ光は、本実施の形態で使用されるテンプロックの硬化に必要な通常のＵＶ光の強度である３０ｍＷ／ｃｍ2、または他の素材における硬化に必要な通常のＵＶ光の強度を超える強度で照射される。これにより、通常の強度で硬化された仮止め剤１４は透明性を失うが、高強度で硬化された仮止め剤１４は透明性を失わない為、硬化後も穴１７よりアライメントマークの確認が可能となる。なお、本実施の形態における高強度のＵＶ光の強度は、１００ｍＷ／ｃｍ2とする。
仮固定した後のカバーガラス４と保護用ウェーハ１６は、図４（i）に示すように、全面にＵＶ光が照射されアライメントマーク部以外の仮着剤も硬化される(ステップＳ８)。
このとき、仮止め剤１４がアクリル系素材を使用する場合は、ＵＶ硬化時の収縮が避けられず、照射状態によってその硬化収縮に面内差を生じる場合があるため、照射強度が面内で均一な光源にて、十分な照射光量を与えるのが好ましい。
仮止め剤１４の全面を硬化した後は、図５（ｋ）、（ｌ）に示されるように、保護フィルム１２を剥離し、カバーガラス４のスペーサ５が取り付けられた面を上にしてダイシング装置に載置し、カバーガラス４が所定の大きさになるようにダイシングされる（ステップＳ９）。
このとき、ダイシングを行うダイシングブレードは、カバーガラス４の厚み分を貫通し、更に仮止め剤１４の塗布厚の中ほどまで切り込むようにする。例えば、仮止め剤１４の塗布厚を２００μｍと設定したのであれば、仮止め剤１４を１００μｍ残すように設定されるのが好ましい。これにより、保護用ウェーハ１６に切断溝が形成されないため、保護用ウェーハ１６の再利用が可能となる。
また、ダイシングブレードは、粒度＃３２０以上のレジンボンド砥石が好適に利用可能であり、ダイシングブレードの厚みはスペーサ５の間の切削エリア幅に近い厚みの物を選択するのが好ましい。
これにより、カバーガラス４は、ダイシングブレードが切り抜ける側が保護された状態でダイシングされるため、カバーガラス４表面のチッピングが抑えられる。更に、ＣＣＤウェーハが接合されていない状態でダイシングされるため、チッピングが生じたとしても欠片がＣＣＤウェーハに接触することはない。
カバーガラス４のダイシング後は、カバーガラス４及びスペーサ５表面に加工屑、汚れが残らないよう十分に洗浄、乾燥が行われる。
カバーガラス４のダイシング後の洗浄、乾燥が行なわれた後は、図５（ｍ）に示すように、穴１７よりカバーガラス１４とＣＣＤウェーハ１８とのアライメントマークを確認して夫々の位置を調整しながら、ＣＣＤウェーハ１８をカバーガラス４へスペーサ５の端面に塗布された接着剤により完全に固定する（ステップＳ１０）。
スペーサ５に塗布された接着剤が十分硬化してＣＣＤウェーハ１８が確実にカバーガラス４と接合された後、図５（ｎ）に示すように、接合されたカバーガラス４とＣＣＤウェーハ１８を加熱することにより、粘着テープ１５の粘着力を低下させて保護用ウェーハ１６を剥離させる（ステップＳ１１）。
このとき、加熱する温度は１００度以上、又は貼着された粘着シート１５の種類により適宜設定される。
保護用ウェーハ１６が剥離された後は、仮止め剤１４より粘着シート１５を剥離する（ステップＳ１２）。
このとき、粘着テープの一般面(非粘着面)は離型性コーティングを施しているため、一般面と仮止め剤１４との間には厳密な接着力がなく、手で容易に剥がすことが可能である。
粘着テープ１５が剥離された後は、カバーガラス４とＣＣＤウェーハ１８が熱水に浸漬されることにより仮止め剤１４の粘着力が低下し、仮止め剤１４がカバーガラス４より剥離される（ステップＳ１３）。
このとき、熱水の温度と浸漬時間は、テンプロックを厚み２００μｍ程度で塗布した場合、８０℃の熱水で５分程度、６０℃ならば２０分程度浸漬させる。
熱水は、仮止め剤１４の粘着テープ１５が貼着されていた面の全面に接することが可能であり、更にカバーガラス４をダイシングした際のカーフラインを伝い仮止め剤１４の反対面の界面にも効率的に浸入するため、表裏全面から膨潤して粘着力を失い、容易にカバーガラス４より剥離することができる。
仮止め剤１４剥離後は、カバーガラス４及びＣＣＤウェーハ１８の表面に汚れが残らないよう十分に洗浄、乾燥が行われる。
仮止め剤１４が剥離された後の接合されたカバーガラス４とＣＣＤウェーハ１８は、図５（ｑ）に示されるように、ダイシング装置によりＣＣＤウェーハ１８がダイシングされ所定のチップサイズに分離される（ステップＳ１４）。
これにより、カバーガラス４は既にダイシングされた状態であり、ＣＣＤウェーハ１８のみをダイシングすることになるため、カバーガラス４のチッピングによる欠片がＣＣＤウェーハ１８に接触することはなく、高精度で高品質な切断が可能となる。
以上説明したように、本発明に係る固体撮像装置の切断方法によれば、カバーガラスは表面を保護された状態でダイシングされるため、チッピングの発生が大幅に抑えられる。また、カバーガラスをダイシングした後にＣＣＤウェーハを接着しているため、チッピングにより飛散したガラス片がＣＣＤウェーハに接触することがなく、ＣＣＤウェーハに傷を生じさせることが無い。更に、カバーガラスは加工の最終段階まで仮止め剤で表面が覆われることとなり、加工屑や、汚れた切削液等がカバーガラス表面に接触することが減り、カバーガラス表面が汚染されにくくなる効果も有する。
なお、本実施の形態では、高強度のＵＶ光をアライメントマーク上の仮止め剤のみに照射し仮止め剤の透明性を保つようにしているが、本発明はそれに限らず、アライメントマーク上の仮止め剤をマスクし、未硬化の透明状態に保ちながら工程を進めても同様の加工が可能である。
また、本実施の形態では、熱発泡性素材を使用した粘着シートを保護用ウェーハと仮止め剤との間に用いているが、仮止め剤に粘着シートと同様に熱発泡性素材を使用し、過熱により粘着力を減少させるようにした場合、カバーガラスと保護用ウェーハとを直接貼り合わせることが可能であり、粘着シートは不要となる。その際、熱発泡性素材は不透明のため、アライメントマーク上はマスクすることにより未塗装状態に保つ必要がある。
１…固体撮像装置，２…固体撮像素子チップ，３…固体撮像素子，４…カバーガラス，５…スペーサ，６…パッド（電極），１１…マスクフィルム，１２…保護フィルム，１３…スキージ，１４…仮止め剤，１５…粘着シート，１６…保護用ウェーハ，１７…穴，１８…ＣＣＤウェーハ
Claims (5)
- スペーサが形成されたカバーガラスと固体撮像素子が多数形成された固体撮像素子ウェーハとを貼り合わせ、個々の固体撮像装置に切断する固体撮像装置の切断方法において、
前記カバーガラスの前記スペーサが形成された面の反対の面の周縁部に剥離可能なマスクフィルムを貼着する工程と、
前記マスクフィルムが周縁部に貼着された面へ透明で粘着力が調整可能な仮止め剤を塗布する工程と、
前記仮止め剤が塗布された後に前記マスクフィルムを剥離する工程と、
片面に粘着力を減少させることが可能な粘着シートが貼着された透明な保護用ウェーハを前記カバーガラスの前記仮止め剤が塗布された側へ前記粘着シートを向き合わせて貼り合せる工程と、
貼り合わせられた前記カバーガラスと前記保護用ウェーハを該カバーガラス側から前記仮止め剤まで切断する工程と、
切断された前記カバーガラスへ前記固体撮像素子ウェーハを接合する工程と、
前記固体撮像素子ウェーハを前記カバーガラスへ接合した後に、前記保護用ウェーハ、前記粘着シート、及び前記仮止め剤を剥離する工程と、
前記固体撮像素子ウェーハを切断することにより個々の固体撮像装置に分割する工程と、を有することを特徴とする固体撮像装置の切断方法。 - 前記仮止め剤の塗布は、減圧された環境下で行うことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の切断方法。
- 前記粘着シートは、前記カバーガラスと前記固体撮像素子ウェーハとの位置合わせに用いるアライメントマークを確認する為の穴が所定の位置に開けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の固体撮像装置の切断方法。
- 前記保護用ウェーハを前記カバーガラスの前記仮止め剤が塗布された側へ前記粘着シートを向き合わせて貼り合せる工程は、減圧された環境下で行い、貼り合わせが行われた後に大気圧下に戻すことを特徴とする請求項１、２、又は３のうちいずれか１項に記載の固体撮像装置の切断方法。
- 前記仮止め剤の粘着力を減少させるように調整する条件と、前記粘着シートの粘着力を減少させる条件は異なることを特徴とする請求項１、２、３、又は４のうちいずれか１項に記載の固体撮像装置の切断方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005276622A JP4881597B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 固体撮像装置の切断方法 |
| US12/067,584 US7659147B2 (en) | 2005-09-22 | 2006-09-19 | Method for cutting solid-state image pickup device |
| EP06798275A EP1927137A4 (en) | 2005-09-22 | 2006-09-19 | METHOD FOR CUTTING A SEMICONDUCTOR IMAGE ASSEMBLY ELEMENT |
| CN200680039500XA CN101297403B (zh) | 2005-09-22 | 2006-09-19 | 切割固态图像拾取器件的方法 |
| PCT/JP2006/318891 WO2007034929A1 (en) | 2005-09-22 | 2006-09-19 | Method for cutting solid-state image pickup device |
| KR1020087009664A KR101317983B1 (ko) | 2005-09-22 | 2006-09-19 | 고체 촬상 장치를 절단하는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005276622A JP4881597B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 固体撮像装置の切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007088291A JP2007088291A (ja) | 2007-04-05 |
| JP4881597B2 true JP4881597B2 (ja) | 2012-02-22 |
Family
ID=37888971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005276622A Expired - Fee Related JP4881597B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 固体撮像装置の切断方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7659147B2 (ja) |
| EP (1) | EP1927137A4 (ja) |
| JP (1) | JP4881597B2 (ja) |
| KR (1) | KR101317983B1 (ja) |
| CN (1) | CN101297403B (ja) |
| WO (1) | WO2007034929A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007088292A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | 板状部材の切断方法 |
| JP2010192616A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜の形成方法及びウエーハの加工方法 |
| JP5550380B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2014-07-16 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
| CN103000766B (zh) * | 2012-12-10 | 2016-01-20 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 红外焦平面探测器铟柱的划片粘接方法 |
| CN104098063A (zh) * | 2013-04-02 | 2014-10-15 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 微机电系统器件在制造过程中的加固方法 |
| JP6270339B2 (ja) * | 2013-05-22 | 2018-01-31 | オリンパス株式会社 | 撮像装置、撮像装置の製造方法、及び内視鏡システム |
| JP6435663B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2018-12-12 | 凸版印刷株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP6465666B2 (ja) * | 2015-01-22 | 2019-02-06 | 日本放送協会 | 固体撮像素子の製造方法 |
| US10009523B2 (en) * | 2015-05-11 | 2018-06-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic module and method of manufacturing the same |
| KR101792442B1 (ko) | 2016-12-12 | 2017-10-31 | 삼성전기주식회사 | 전자 모듈과 그 제조 방법 |
| CN108238441A (zh) * | 2016-12-27 | 2018-07-03 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 膜片拾取设备 |
| CN109461666B (zh) * | 2018-11-05 | 2020-11-13 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种芯片封装方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3675402B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2005-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 |
| JP4241160B2 (ja) | 2002-04-22 | 2009-03-18 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2004063782A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2004241695A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Seiko Epson Corp | 光デバイスの製造方法 |
| JP2004312666A (ja) | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
| JP4019281B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2007-12-12 | ソニー株式会社 | オーディオ装置 |
| JP2005026314A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
| JP2005051018A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4551638B2 (ja) | 2003-08-01 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| WO2006101270A1 (en) * | 2005-03-25 | 2006-09-28 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device and manufacturing method thereof |
-
2005
- 2005-09-22 JP JP2005276622A patent/JP4881597B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-09-19 EP EP06798275A patent/EP1927137A4/en not_active Withdrawn
- 2006-09-19 US US12/067,584 patent/US7659147B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-19 KR KR1020087009664A patent/KR101317983B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-09-19 CN CN200680039500XA patent/CN101297403B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-19 WO PCT/JP2006/318891 patent/WO2007034929A1/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080049845A (ko) | 2008-06-04 |
| WO2007034929A1 (en) | 2007-03-29 |
| KR101317983B1 (ko) | 2013-10-15 |
| CN101297403B (zh) | 2010-05-19 |
| US20090098683A1 (en) | 2009-04-16 |
| CN101297403A (zh) | 2008-10-29 |
| US7659147B2 (en) | 2010-02-09 |
| JP2007088291A (ja) | 2007-04-05 |
| EP1927137A4 (en) | 2011-04-20 |
| EP1927137A1 (en) | 2008-06-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070119 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080218 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110916 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111102 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111121 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111205 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |