JP2004063772A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体撮像素子を形成してなる半導体基板101と、前記固体撮像素子の受光領域に対向して空隙をもつようにスペーサを介して前記半導体基板に接続された透光性部材201とを具備し、前記スペーサ203Sが前記半導体基板101と熱膨張係数に近い材料で構成されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置およびその製造方法にかかり、特にチップ上にマイクロレンズを一体化したチップサイズパッケージ(CSP)タイプの固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
CCD(Charge Coupled Device)を含む固体撮像素子は、携帯電話やデジタルカメラなどへの適用の必要性から小型化への要求が高まっている。
そのひとつとして、半導体チップの受光エリアにマイクロレンズを設けた固体撮像装置が提案されている。このような中で、例えば、受光エリアにマイクロレンズを設けた固体撮像装置を、固体撮像装置の受光エリアとマイクロレンズとの間に気密封止部をもつように一体的に実装することにより、小型化をはかるようにした固体撮像装置が提案されている(特開平7−202152号公報)。
【0003】
かかる構成によれば、実装面積の低減をはかることができ、また、気密封止部の表面に、フィルタ、レンズ、プリズムなどの光学部品を接着することが可能となり、マイクロレンズの集光能力の低下を招くことなく、実装サイズの小型化を図ることが可能となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような固体撮像装置では、気密封止部を設けることが集光能力の向上に必要であるが、スペーサを介在させることによって気密封止部を形成しようとすると、接合部で熱膨張率の差が生じ歪が生じたり、気密封止部の寸法が変化したりするという問題があった。
また、このような固体撮像装置の実装に際しては、信号の外部への取り出しに際して、固体撮像装置を実装する支持基板上に搭載し、ボンディングなどの方法により電気的接続を図るとともに封止を行う必要がある。このように、工数が多いことから、実装に多大な時間を要するという問題があった。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、温度変化に対しても変化が生じることなく、長寿命でかつ信頼性の高い固体撮像装置を提供することを目的とする。
また製造の容易な固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明の固体撮像装置は、固体撮像素子を形成してなる半導体基板と、前記固体撮像素子の受光領域に対向して空隙をもつようにスペーサを介して前記半導体基板に接続された透光性部材とを具備し、前記スペーサが前記半導体基板と熱膨張係数に近い材料で構成されていることを特徴とする。
【0006】
かかる構成によれば、スペーサが半導体基板と熱膨張係数に近い材料で構成されているため、固体撮像素子基板との間で歪を生じることなく信頼性の高い固体撮像装置を提供することが可能となる。
【0007】
またスペーサは、半導体基板と透光性部材との間の熱膨張係数をもつ材料で構成すれば、固体撮像素子基板との間でも、透光性部材との間でも歪を生じることなく信頼性の高い固体撮像装置を提供することが可能となる。
【0008】
またスペーサを、可撓性材料で構成すれば、歪が吸収され、より信頼性の高い固体撮像装置を提供することが可能となる。
【0009】
またスペーサは、スペーサを金属材料で構成すれば、熱伝導性が良好で、放熱性が向上する。さらに遮光性をもつ金属であれば、側方からの光による誤動作を防止し特性の向上を図ることが可能となる。
【0010】
またスペーサは、スペーサを樹脂材料で構成すれば、軽量で加工性が良好である。
【0011】
本発明の固体撮像装置の製造方法では、半導体基板表面に複数の固体撮像素子を形成する工程と、前記固体撮像素子の各受光領域に対向して空隙をもつように、スペーサ部材を介して前記半導体基板表面に透光性部材を接合する工程と、前記固体撮像素子に対応して外部接続端子を形成する工程と、前記接合工程で接合され、外部接続端子の形成された接合体を、固体撮像素子ごとに分離する工程とを含むことを特徴とする。
【0012】
かかる構成によれば、ウェハレベルで位置決めし、スペーサを介して一括して実装することにより一体化してから、固体撮像素子ごとに分離するようにしているため、製造が容易でかつ信頼性の高い固体撮像装置を形成することが可能となる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつ説明する。
【0014】
(第1の実施の形態)
この固体撮像装置は、図1(a)に断面図、図1(b)に要部拡大断面図を示すように、固体撮像素子基板100表面に、受光領域に相当した空隙Cをもつように、スペーサ203Sを介して、封止用カバーガラス200が形成されてなるものである。すなわち、固体撮像素子102の形成された半導体基板としてのシリコン基板101からなる固体撮像素子基板100表面に、このシリコン基板101の受光領域に相当して空隙Cをもつように、スペーサ203Sを介して、封止用カバーガラス200を構成する透光性部材としてのガラス基板201が接合されている。これらは、複数の素子を一括実装するように、ウェハレベルで接合されたのち、シリコン基板101の周縁がダイシングによって個別に分離され、このガラス基板201から露呈する周縁部のシリコン基板101表面に形成されたボンディングパッドBPを介して、外部回路(図示せず)との電気的接続が達成されるように構成されている。ここでスペーサ203Sは、10〜500μm、好ましくは80〜120μmの高さとする。
【0015】
ここでこの固体撮像素子基板は、図1(b)に要部拡大断面図を示すように、表面に、固体撮像素子が配列されるとともに、RGBカラーフィルタ46およびマイクロレンズ50が形成されたシリコン基板101で構成されている。
【0016】
この固体撮像素子は、n型のシリコン基板101a表面に形成されたpウェル101b内に、チャンネルストッパ28を形成し、このチャネルストッパを挟んでフォトダイオード14と電荷転送素子33とを形成してなるものである。ここでは、p+チャンネル領域14a内にn型不純物領域14bを形成し、フォトダイオード14を形成している。また、p+チャンネル領域14a内に、深さ0.3μm程度のn型不純物領域からなる垂直電荷転送チャネル20を形成するとともに、この上層に酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜30を介して形成された多結晶シリコン層からなる垂直電荷転送電極32を形成し、電荷転送素子33を構成している。またこの垂直電荷転送チャネル20に信号電荷を読み出す側のフォトダイオード14との間には、p型不純物領域で形成された読み出しゲート用チャネル26が形成されている。
【0017】
そしてシリコン基板101表面にはこの読み出しゲート用チャネル26に沿ってn型不純物領域14bが露出しており、フォトダイオード14で発生した信号電荷は、n型不純物領域14bに一時的に蓄積された後、読み出しゲート用チャネル26を介して読み出されるようになっている。
【0018】
一方、垂直電荷転送チャネル20と他のフォトダイオード14との間には、p+型不純物領域からなるチャンネルストッパ28が存在し、これによりフォトダイオード14と垂直電荷転送チャネル20とが電気的に分離されると共に、垂直電荷転送チャネル20同士も相互に接触しないように分離される。
【0019】
そしてさらに、垂直電荷転送電極32は読み出しゲート用チャネル26を覆うとともに、n型不純物領域14bが露出し、チャンネルストッパ28の一部が露出するように形成されている。なお、垂直電荷転送電極32のうち、読み出し信号が印加される電極の下方にある読み出しゲート用チャネル26から信号電荷が転送される。
【0020】
そして垂直電荷転送電極32は垂直電荷転送チャネル20とともに、フォトダイオード14のpn接合で発生した信号電荷を垂直方向に転送する垂直電荷転送装置(VCCD)33を構成している。垂直電荷転送電極32の形成された基板表面は表面保護膜36で被覆されこの上層にタングステンからなる遮光膜38が形成されており、フォトダイオードの受光領域40のみを開口し、他の領域は遮光するように構成されている。
【0021】
そして更にこの垂直電荷転送電極32の上層は表面平坦化のための平坦化絶縁膜43およびこの上層に形成される透光性樹脂膜44で被覆され、更にこの上層にフィルタ層46が形成されている。フィルタ層46は各フォトダイオード14に対応して、所定のパターンをなすように赤色フィルタ層46R、緑色フィルタ層46G,青色フィルタ層46Bが順次配列されている。
【0022】
さらにこの上層は、平坦化絶縁膜48を介して屈折率1.3〜2.0の感光性樹脂を含む透光性樹脂をフォトリソグラフィを用いたエッチング法によってパターニングした後に溶融させ、表面張力によって丸めた後冷却することによって形成されたマイクロレンズ50からなるマイクロレンズアレイで被覆されている。
【0023】
次に、この固体撮像装置の製造工程について説明する。この方法は、図2(a)乃至(d)および図3(a)乃至(c)にその製造工程図を示すように、ウェハレベルで位置決めし、一括して実装することにより一体化してから、固体撮像素子ごとに分離する、いわゆるウェハレベルCSP法に基づくものである。図では2単位しか示していないが多数個の固体撮像素子が形成されているウェハを用いる。この方法ではあらかじめスペーサ203Sを形成したスペーサ付き封止用カバーガラス200を用いたことを特徴とする。
【0024】
まず、スペーサ付きガラス基板の形成について説明する。
図2(a)に示すように、ガラス基板201表面に、紫外線硬化型接着剤(カチオン重合性エネルギー線硬化接着剤)からなる接着剤層202を介してスペーサとなるシリコン基板203を貼着し、フォトリソグラフィにより、レジストパターンR1を形成する。これ以外に熱硬化性接着剤を使用することもできる。
【0025】
そして、図2(b)に示すように、フォトリソグラフィにより、スペーサとなる部分にレジストパターンR1を残すようにした状態で、このレジストパターンをマスクとしてシリコン基板203をエッチングし、スペーサ203Sを形成する。
【0026】
この後、図2(c)に示すように、スペーサ203S形成のためのレジストパターンR1を残したまま、さらに素子間領域を除く、スペーサ間領域に、レジストRを充填し、ガラス基板を所定の深さまでエッチングすることにより、図2(d)に示すように、素子間溝部204を形成する。
そしてさらにこのスペーサの表面に接着剤層207を形成する。ここではスペーサをシリコン基板で形成しているため、ガラス基板の主成分である酸化シリコンのエッチング速度が、シリコンのエッチング速度に比べて十分に大きくなるようなエッチング条件でエッチングするようにすれば、素子間領域にスペーサの側壁が露呈したままの状態でエッチングしてもよい。素子間溝部204の形成に際しては、ダイシングブレード(砥石)を用いてもよい。
【0027】
また、再度フォトリソグラフィを行い、スペーサの側壁全体を含むようなレジストパターンを形成し、このレジストパターンを介してエッチングを行うことにより溝部204を形成するようにしてもよい。このようにして溝部204およびスペーサ203Sを形成した封止用カバーガラス200を得る。
【0028】
次に、固体撮像素子基板を形成する。素子基板の形成に際しては、図3(a)に示すように、あらかじめ、シリコン基板101(ここでは6インチウェハを用いる)を用意し、このシリコン基板101表面に、各固体撮像素子に分離するための分離線に相当する領域にエッチングなどの方法により切断溝104を形成しておく。そして、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドBPを形成する。
【0029】
この後、図3(b)に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、前述のようにして素子領域の形成された固体撮像素子基板100上に、封止用カバーガラス200を載置し、加熱することにより接着剤層207によって両者を一体化させる。この工程は真空中または窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気中で実行するのが望ましい。なお、一体化に際しては、熱硬化性接着剤のみならず熱硬化併用紫外線硬化性接着剤を用いても良い。また、固体撮像素子基板表面がSiや金属の場合、接着剤を用いることなく、表面活性化常温接合で接合することもできる。
【0030】
この後ガラス基板の裏面側からCMP(化学機械的研磨)を行い、ガラス基板201の裏面側を、前記溝部204に到達するまで除去する。
この工程により、ガラス基板の薄型化と同時に個々に分離することが可能となる。
【0031】
そして、さらに図3(c)に示すように、シリコン基板101の裏面側から同様にCMPを行い、切断溝104の部分まで研磨することにより、個々の固体撮像装置に分離する。
【0032】
このようにして、個々に位置合わせを行ったり、ワイヤボンディングなどの電気的接続を行ったりすることなく、一括実装した後、個々に分離しているため、製造が容易でかつ取り扱いも簡単である。
【0033】
また、ガラス基板201にあらかじめ溝部204を形成しておくようにし、実装後、表面からCMPなどの方法により、溝部204に到達する深さまで除去するようにしているため、きわめて容易に分離が可能である。
【0034】
また、固体撮像素子を形成したシリコン基板101の端縁よりもガラス基板201の端縁が内側にくるようにし、シリコン基板101表面を露呈せしめる構造が、あらかじめガラス基板の内側に凹部を形成しておき、接合後、この深さまでエッチバックあるいはCMPなどの方法で除去するという極めて簡単なプロセスで精度よく形成可能である。また、容易に作業性よく形成することができる。また接合により素子形成面を間隙C内に封止込めた状態で、分離あるいは研磨するのみで個々の固体撮像素子を形成することができるため、素子へのダメージも少なく、信頼性の高い固体撮像素子を提供することが可能となる。
【0035】
また、CMPによってシリコン基板を約2分の1の深さまで薄くするようにしているため、小型化かつ薄型化をはかることができる。さらにまた、ガラス基板との接合後に薄型化されるため、機械的強度の低下を防ぐことが可能となる。
【0036】
また、外部との接続についても固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板上のボンディングパッドBPがスペーサ203Sとガラス基板201とで形成された封止部から露呈しているため、容易に形成可能である。
【0037】
このように、本発明の構成によれば、ウェハレベルで位置決めし、一括して実装することにより一体化してから、固体撮像素子ごとに分離するようにしているため、製造が容易でかつ信頼性の高い固体撮像装置を形成することが可能となる。
【0038】
なお、前記第1の実施の形態では、ボンディングパッドを含む配線層は金層で構成したが、金層に限定されることなく、アルミニウムなど他の金属、あるいはシリサイドなど他の導体層でも良いことはいうまでもない。
また、マイクロレンズアレイについても、基板表面に透明樹脂膜を形成しておき、この表面からイオン移入によって所定の深さに屈折率勾配を有するレンズ層を形成することによって形成することもできる。
【0039】
また、スペーサとしては、シリコン基板のほか、42アロイ、金属、ガラス、感光性ポリイミド、ポリカーボネート樹脂など適宜選択可能である。
【0040】
(第2の実施の形態)
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。
前記第1の実施の形態では、固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板101にあらかじめ切断溝104を形成しておき、固体撮像素子基板と同じシリコンからなるスペーサを用いて固体撮像素子基板と封止用カバーガラスとを接合後、裏面側からこの切断溝104に到達するまでCMPを行うことにより、シリコン基板101を薄型化しながら、分離したが、本実施の形態では、シリコン基板101に切断溝を形成することなく、分離し、そのままの厚さを残すようにしたことを特徴とする。他部については前記第1の実施の形態と同様に形成されている。
【0041】
すなわち、この接合および分離工程を図4(a)乃至(d)に示す。図4(a)に示すように、シリコン基板101を出発材料とし、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域102を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドBPを形成する。
【0042】
この後、図4(b)に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板100上に、封止用カバーガラス200を載置し、加熱することにより接着剤層207によって両者を一体化させる。このとき、シリコン基板101に切断溝が形成されていないため、機械的強度は高い。
【0043】
この後図4(c)に示すように、前記第1の実施の形態と同様に、ガラス基板の裏面側からCMP(化学機械的研磨)を行い、ガラス基板201の裏面側を、前記溝部204に到達するまで除去する。
【0044】
この工程により、ガラス基板の薄型化と同時に個々に分離することが可能となる。
そして、さらに図4(d)に示すように、ガラス基板201側からダイヤモンドブレード(砥石)により、切断し、個々の固体撮像装置に分離する。
【0045】
この方法によれば、前記第1の実施の形態で得られる固体撮像装置に比べて厚型ではあるが、信頼性の高い装置を形成することが可能となる。
【0046】
(第3の実施の形態)
次に本発明の第3の実施の形態について説明する。
前記第1の実施の形態では、固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板101にあらかじめ切断溝104を形成しておき、接合後、裏面側からこの切断溝104に到達するまでCMPを行うことにより、シリコン基板101を薄型化しながら、分離したが、本実施の形態では、シリコン基板101の裏面側に接着剤層302を介して、板厚50〜700μmのシリコン基板からなるダミー板301を貼着しておくようにし、貼着後、このダミー板301に到達する深さの切断溝304を形成しておくようにしたものである。
【0047】
従って分離工程においては、接着剤層302を軟化させ、粘着性をなくしてこのダミー板301を除去するようにしてもよい。
他部については前記第1の実施の形態と同様に形成されている。
すなわち、この接合および分離工程を図5(a)乃至(e)に示す。シリコン基板101を出発材料とし、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドBPを形成する。そしてこの後、図5(a)に示すように、このシリコン基板101の裏面側に接着剤層302を介してシリコン基板からなるダミー板301を貼着する。
【0048】
この後、図5(b)に示すように、このシリコン基板101の素子形成面側からダイヤモンドブレード(砥石)を用いて切断溝304を形成する。
そして、図5(c)に示すように、固体撮像素子基板100、封止用カバーガラス200の周縁部に形成したアライメントマーク(図示せず)によって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板100上に、封止用カバーガラス200を載置し、加熱することにより接着剤層207によって両者を一体化させる。ここでガラス基板は、図2(a)乃至(c)の工程で形成したスペーサ203Sおよび接着剤層207を備えたものを用いている。このとき、シリコン基板101を貫通するように切断溝304が形成されているが、ダミー板301で固定されているため、機械的強度は高い。
【0049】
この後図5(d)に示すように、前記第1の実施の形態と同様に、ガラス基板の裏面側からCMP(化学機械的研磨)を行い、ガラス基板201の裏面側を、前記溝部204に到達するまで除去する。
この工程により、ガラス基板の薄型化と同時に個々に分離することが可能となる。
【0050】
そして、さらに図5(e)に示すように、シリコン基板101裏面の接着剤層302を軟化させ、ダミー板301を除去することにより、個々の固体撮像装置に分離する。ここで接着剤層302にはスペーサをガラス基板201に接着するための接着剤層202よりも軟化点が低くなるような材料を選択するのが望ましい。
【0051】
この方法によれば、固体撮像素子基板100を接合に先立ち、ダミー板301上でダイシングしておくようにしているため、第1の実施の形態で得られる固体撮像装置に比べて、接合後にかかる応力が少なくてすみ、製造歩留まりが向上する。また、固体撮像素子としての、信頼性の向上を図ることが可能となる。
【0052】
なお、前記実施の形態において、ガラス基板とスペーサの接合は、接着剤層を用いて接合してもよいが、陽極接合あるいは表面活性化常温接合も適用可能である。陽極接合によれば、容易に強固な接合を得ることが可能となる。
【0053】
また、第1乃至第3の実施の形態ではガラス基板の薄型化にCMPを用いたが、研削法、ポリッシング法、エッチング法なども適用可能である。
【0054】
(第4の実施の形態)
次に本発明の第4の実施の形態について説明する。
前記第1の実施の形態では、封止用カバーガラス200を構成するガラス基板201の素子間領域に相当する領域にあらかじめ溝部204を形成しておくようにし、固体撮像素子基板とガラス基板との接合後、ガラス基板201の裏面側からCMPを行うことにより、個々の素子に分離するようにしたが、本実施の形態では、凹部を形成しないガラス基板を接合し、分離時にダイシングまたはレーザなどで切断線の周辺を蒸発させ、各固体撮像素子のガラス基板201の端縁が固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板101の端縁よりも内側にくるように調整したことを特徴とするものである。他部については前記第1の実施の形態と同様に形成されている。
【0055】
すなわち、この方法ではガラス基板の加工は図2(b)に示したようにスペーサを形成した時点で終了し、平板状のガラス基板201にスペーサ203Sが接着されたガラス基板を出発材料として使用する。
【0056】
そして、図6(a)に示すように、あらかじめ、シリコン基板101(ここでは6インチウェハを用いる)を用意し、このシリコン基板101表面に、各固体撮像素子に分離するための分離線に相当する領域にエッチングなどの方法により切断溝104を形成しておく。そして、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域102を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドBPを形成する。
【0057】
この後、図6(b)に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板100上に、封止用カバーガラス200を載置し、加熱することにより接着剤層207によって両者を一体化させる。
【0058】
この後図6(c)に示すように、ガラス基板の裏面側からダイシングまたはレーザなどで切断線の周辺を蒸発させ、各固体撮像素子のガラス基板201の端縁が固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板101の端縁よりも内側にくるように調整して分離する。
【0059】
そして、さらに図6(d)に示すように、シリコン基板101の裏面側から同様にCMPを行い、切断溝104の部分まで研磨することにより、個々の固体撮像装置に分離する。また、この工程はCMPに限定されることなく研削、ポリッシング、エッチングなどを用いても良い。
【0060】
このようにして、一括実装した後個々に分離しているため、製造が容易でかつ取り扱いも簡単である。
【0061】
また、ガラス基板201には、あらかじめ溝部204を形成せず、ダイシングまたはレーザで蒸発させることにより、端縁を除去するようにしているため、きわめて容易に分離が可能である。
【0062】
このように、CCDを搭載したシリコン基板101の端縁よりもガラス基板201の端縁が内側にくるようにし、シリコン基板101表面を露呈せしめる構造が、ダイシングまたはレーザで蒸発させるという簡単なプロセスで精度よく形成可能である。
【0063】
また、ガラス基板は分離工程まで同じ肉厚を維持しているため、反りや歪を低減することが可能となる。
【0064】
(第5の実施の形態)
次に本発明の第5の実施の形態について説明する。
前記第4の実施の形態では、固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板101にあらかじめ切断溝104を形成しておき、接合後、裏面側からこの切断溝104に到達するまでCMPを行うことにより、シリコン基板101を薄型化しながら、分離したが、本実施の形態では、シリコン基板101に切断溝を形成することなく、分離し、そのままの厚さを残すようにしたことを特徴とする。また前記第4の実施形態と同様、ガラス基板201にも溝部204を形成することなく接合し、分離時に端縁部を蒸発させるようにした。他部については前記第1の実施の形態と同様に形成されている。
【0065】
すなわち、この接合および分離工程を図7(a)乃至(d)に示す。図7(a)に示すように、シリコン基板101を出発材料とし、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域102を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドBPを形成する。
この後、図7(b)に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板100上に、封止用カバーガラス200を載置し、加熱することにより接着剤層207によって両者を一体化させる。このとき、シリコン基板101およびガラス基板201の両方に切断溝も凹部も形成されていないため、機械的強度は高い。
【0066】
この後図7(c)に示すように、前記第4の実施の形態と同様に、ガラス基板の裏面側からダイシングまたはレーザなどで切断線の周辺を蒸発させ、各固体撮像素子のガラス基板201の端縁が固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板101の端縁よりも内側にくるように調整して分離する。
【0067】
そして最後に、図7(d)に示すように、ガラス基板201側からダイヤモンドブレード(砥石)により、切断し、個々の固体撮像装置に分離する。
この方法によれば、前記第1の実施の形態で得られる固体撮像装置に比べて厚型ではあるが、信頼性の高い装置を形成することが可能となる。
【0068】
(第6の実施の形態)
次に本発明の第6の実施の形態について説明する。
前記第4の実施の形態では、固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板101にあらかじめ切断溝104を形成しておき、裏面側からCMPを行うことにより、分離するようにしている。また前記第5の実施の形態では、固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板101にあらかじめ切断溝104を形成することなく形成しておき、接合後、ダイヤモンドブレード(砥石)で切断することにより、シリコン基板101を分離するようにしている。本実施の形態では、封止用カバーガラス200と固体撮像素子基板100を貼り合わせた後にシリコン基板101を分離しなくてもすむように、シリコン基板101の裏面側に接着剤層302を介して、板厚50〜700μmのシリコン基板からなるダミー板301を貼着しておくようにし、貼着後、このダミー板301に到達する深さの切断溝304を形成しておくようにしたものである。
【0069】
従って分離工程においては、接着剤層302を軟化させ、このダミー板301を除去することができる。
他部については前記第4および第5の実施の形態と同様に形成される。
【0070】
すなわち、この接合および分離工程を図8(a)乃至(e)に示す。シリコン基板101を出発材料とし、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域102を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドBPを形成する。そしてこの後、図8(a)に示すように、このシリコン基板101の裏面側に接着剤層302を介して板厚50〜700μmのシリコン板からなるダミー板301を貼着する。
【0071】
この後、図8(b)に示すように、このシリコン基板101の素子形成面側からダイヤモンドブレード(砥石)を用いて切断溝304を形成する。
そして、図8(c)に示すように、固体撮像素子基板100、封止用カバーガラス200の周縁部に形成したアライメントマーク(図示せず)によって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板100上に、封止用カバーガラス200を載置し、加熱することにより接着剤層207によって両者を一体化させる。ここで封止用カバーガラス200としてのガラス基板201は、図2(a)乃至(c)の工程と同様にしてガラス基板201上に形成したシリコン基板をパターニングしてスペーサ203Sを形成したものを用いている。接着剤層207はスペーサ203Sの端面に形成される。このとき、シリコン基板101を貫通するように切断溝304が形成されているが、ダミー板301で固定されているため、機械的強度は高い。
【0072】
この後、図8(d)に示すように、前記第4の実施の形態と同様に、ガラス基板の裏面側からダイシングまたはレーザなどで切断線の周辺を蒸発させ、各固体撮像素子のガラス基板201の端縁が固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板101の端縁よりも内側にくるように調整して分離する。
【0073】
そして、さらに図8(e)に示すように、シリコン基板101裏面の接着剤層302を軟化させ、ダミー板301を除去することにより、個々の固体撮像装置に分離する。ここで接着剤層302にはスペーサをガラス基板201に接着するための接着剤層202よりも軟化点が低くなるような材料を選択するのが望ましい。
【0074】
この方法によれば、固体撮像素子基板100を接合に先立ち、ダミー板301上でダイシングしておくようにしているため、第1の実施の形態で得られる固体撮像装置に比べて、接合後にかかる応力が少なくてすみ、製造歩留まりが向上する。また、固体撮像素子としての、信頼性の向上を図ることが可能となる。
なお、前記第4乃至第6の実施の形態においてガラス基板の切断はスクライブあるいはエッチングでもよい。
【0075】
(第7の実施の形態)
次に本発明の第7の実施の形態について説明する。
前記第6の実施の形態では、シリコン基板101の裏面側に接着剤層302を介して、板厚50〜700μmのシリコン基板からなるダミー板301を貼着しておくようにし、貼着後、このダミー板301に到達する深さの切断溝304を形成しておくようにし、ガラス基板201との接合後、個々の固体撮素子に分離する工程においては、接着剤層302を軟化させ、このダミー板301を除去することにより、分離するようにしたが、本実施の形態では、ガラス基板201に対しても裏面側に、接着剤層402を介して、板厚50〜700μmのガラス基板からなるダミー板401を貼着しておくようにし、貼着後、このダミー板401に到達する深さの凹部404を形成する。そして、ガラス基板201との接合後、個々の固体撮素子に分離する工程においては、接着剤層402を軟化させ、このダミー板401を除去することにより、分離するようにしている。他部については前記第6の実施の形態と同様に形成されている。
【0076】
固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板101については第2の実施の形態および第4の実施の形態と同様、あらかじめ切断溝もダミー板も形成しないシリコン基板を使用し、最後にダイヤモンドブレード(砥石)で切断分離するようにしている。
【0077】
すなわち、この接合および分離工程を図9(a)乃至(e)に示す。
まず、図9(a)に示すように、ガラス基板201の裏面側に、接着剤層402を介して、板厚50〜700μmのガラス基板からなるダミー板401を貼着しておくようにし、貼着後、さらに、接着剤層202を介してシリコン基板203を貼着し、図2(a)乃至(c)で説明した第1の実施の形態と同様に、シリコン基板203をフォトリソグラフィを用いたエッチング法により、スペーサ203Sを形成する。
【0078】
この後、図9(b)に示すように、前記第1の実施の形態と同様に、固体撮像素子間に相当する領域を再度選択的にエッチングし、このダミー板401に到達する深さの凹部404を形成する。また、ハーフダイシングにより形成しても良い。
さらに、シリコン基板101を出発材料とし、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成するとともに、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域102を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドBPを形成したものを用意する。そして、図9(c)に示すように、このようにして形成した固体撮像素子基板100と、封止用カバーガラス200の周縁部に形成したアライメントマーク(図示せず)によって位置合わせを行い、前述のようにして形成した固体撮像素子基板100上に、ダミー板401付き封止用カバーガラス200を載置し、加熱することにより接着剤層207によって両者を一体化させる。
【0079】
この後図9(d)に示すように、加熱し接着剤層402を軟化させてダミー板401を除去することにより、ガラス基板201を分離する。
【0080】
そして、さらに図9(e)に示すように、ダイヤモンドブレード(砥石)を用いてシリコン基板101で形成された固体撮像素子基板を切断し、個々の固体撮像装置に分離する。
【0081】
この方法によれば、封止用カバーガラス200を構成するガラス基板201を、接合に先立ち、ダミー板401上でダイシングまたはあらかじめエッチングで分離しておくようにしているため、第1の実施の形態で得られるガラス基板に比べて、接合後にかかる応力が少なくてすみ、製造歩留まりが向上する。また、固体撮像素子としての、信頼性の向上を図ることが可能となる。
【0082】
(第8の実施の形態)
次に本発明の第8の実施の形態について説明する。
前記第7の実施の形態では、固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板101にあらかじめ切断溝104を形成することなくそのまま接合し、最後にダイヤモンドブレード(砥石)で切断するようにしたが、本実施の形態では、固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板101にあらかじめ切断溝104を形成しておき、接合後、裏面側からこの切断溝104に到達するまでCMPを行うことにより、シリコン基板101を薄型化しながら、分離するようにしたことを特徴とする。他部については前記第7の実施の形態と同様に形成されている。
【0083】
すなわち、この接合および分離工程を図10(a)乃至(d)に示す。図10(a)に示すように、シリコン基板101に切断溝104を形成したものを出発材料とし、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域102を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドBPを形成する。
【0084】
この後、図10(b)に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、固体撮像素子基板100上に、前記第7の実施の形態のようにして形成したダミー基板401付き封止用カバーガラス200を載置し、常温直接接合により両者を一体化させる。ここでは直接接合により接着剤層を用いることなく形成したが、接着剤層207によって接合してもよい。
【0085】
この後図10(c)に示すように、固体撮像素子基板100の裏面側からCMP(化学機械的研磨)を行い、シリコン基板101の裏面側を、前記切断溝104に到達するまで除去する。
【0086】
この工程により、固体撮像素子基板の薄型化と同時に個々に分離することが可能となる。ここでもCMPに代えて、研削、ポリッシング、エッチングなどを用いても良い。
【0087】
この後、図10(d)に示すように、加熱し、接着剤層402を軟化して、ダミー基板401を除去する。この工程により、容易に分離され、固体撮像装置が形成される。
【0088】
(第9の実施の形態)
次に本発明の第9の実施の形態について説明する。
前記第7の実施の形態では、固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板101にあらかじめ切断溝104を形成することなくそのまま接合し、最後にダイヤモンドブレード(砥石)で切断するようにしたが、本実施の形態では、固体撮像素子基板100を構成するシリコン基板101も封止用カバーガラス200を構成するガラス基板201にもあらかじめダミー板を形成し、接合に先立ちあらかじめ切断溝104および溝部204を形成しておき、接合後、接着剤層402および302を軟化させダミー板301および401を除去することにより分離するようにしたものである。他部については前記第7の実施の形態と同様に形成されている。
【0089】
すなわち、この接合および分離工程を図11(a)乃至(d)に示す。図11(a)に示すように、シリコン基板101にダミー板301を貼着したものを出発材料とし、通常のシリコンプロセスを用いて、チャンネルストッパ層を形成、チャネル領域を形成し、電荷転送電極・・などの素子領域102を形成する。また、表面に配線層を形成し、外部接続のために金層からなるボンディングパッドBPを形成する。
【0090】
この後、図11(b)に示すように、ダミー板301にまで到達するように、切断溝304を形成する。
そして、また封止用カバーガラス200の方も前記第7および第8の実施の形態と同様にダミー板401を貼着するとともにエッチングまたはダイシングにより凹部404を形成しておく。
そして図11(c)に示すように、各基板の周縁部に形成したアライメントマークによって位置合わせを行い、ダミー基板301付き固体撮像素子基板100上に、前記第7の実施の形態のようにして形成したダミー基板401付き封止用カバーガラス200を載置し、加熱することにより接着剤層207によって両者を一体化させる。
【0091】
この後図11(d)に示すように、接着剤層402および203を軟化させてダミー板301,401を除去し、個々の固体撮像素子に分離することが可能となる。
なお、これらの接着剤層302,402は軟化温度がほぼ同程度のものを使用し、同時に軟化させるようにしてもよい。
また一方を軟化させて除去したのち、テーピングにより固定し、他の一方を軟化させて除去するようにしてもよい。
かかる構成によれば、接合後、余分な応力がかかることがないため、固体撮像素子へのダメージを低減することが可能となる。
【0092】
(第10の実施の形態)
次に本発明の第10の実施の形態について説明する。
前記第1乃至第9の実施の形態では、図2(a)および(b)に示したように、スペーサ203Sを形成した封止用カバーガラス200の形成に際しては、ガラス基板201に接着剤を介して、スペーサとなるシリコン基板203を貼着し、フォトリソグラフィを用いたエッチング法によりこのシリコン基板203をパターニングするとともに切断溝204を形成したが、本実施の形態では、図12(a)および(b)に示すように、ダミー板501を用いてダミー板上で、スペーサ203Sのエッチングを行い、この後、ガラス基板201に接着剤層202を介して接着するようにしている。他部については前記実施の形態と同様に形成されている。
【0093】
すなわち、図12(a)に示すように、シリコン基板からなるダミー板501に軟化温度50〜150℃程度の接着剤層502を介してスペーサとなるシリコン基板203を貼着する。そして、このシリコン基板203をフォトリソグラフィを用いたエッチング法によりパターニングし、スペーサ203Sを形成する。この後、図12(b)に示すように、軟化温度100〜200℃程度の接着剤層202を介してスペーサ203S側にガラス基板201を貼着する。
【0094】
このようにしてガラス基板201を貼着した後、接着剤層202が軟化することなく接着剤層502が軟化するような温度(50〜150℃程度に)加熱し接着剤層502を軟化させてダミー板501を除去し、スペーサ付きの封止用カバーガラス200が形成される。
【0095】
かかる方法によれば、ガラス基板上でスペーサを加工する必要がないため、ガラス基板201にキズを生じてくもりの原因となるのを防止することができる。ダミー板を貼着する接着剤層502はフォトリソグラフィ工程におけるベーキング温度に耐えうる程度のものであればよい。また、ダミー板501を除去する必要から、スペーサ203Sをガラス基板201に貼着するための接着剤層202は前記接着剤層502よりも軟化温度が十分に高いものである必要がある。
【0096】
また、ガラス板に凹部を形成する必要がある場合には、貼着に先立ち、ダイシングまたはエッチングなどにより図13に示すように溝部204を形成しておくようにすればよい。また、ダミー板501を除去した後にダイシングまたはエッチングなどにより、凹凸部を形成するようにすればよい。
【0097】
なお、接合工程および切断工程は、前記第1乃至第3の実施の形態で説明した図3乃至図5の工程と同様である。
【0098】
(第11の実施の形態)
次に本発明の第11の実施の形態について説明する。
前記第1乃至第10の実施の形態では、スペーサ203Sは別に形成し接着剤層を介して貼着するようにしたが、本実施の形態ではフォトリソグラフィを用いたエッチング法により、ガラス基板201に、凹部205を形成することによりスペーサ206を形成したものである。他部については前記実施の形態と同様に形成されている。
【0099】
すなわち、図14(a)に示すように、ガラス基板201を用意する。
そして、図14(b)に示すように、フォトリソグラフィを用いたエッチング法により、凹部205を形成することにより、スペーサ206を具備したガラス基板が形成される。
【0100】
かかる構成によれば、スペーサ206が一体形成されているため、製造が容易でかつ位置ずれもなく、また接合部で歪を生じるおそれもない。
【0101】
(第12の実施の形態)
次に本発明の第12の実施の形態について説明する。
前記第11の実施の形態では、スペーサ206を一体形成した封止用カバーガラス200を形成する方法について説明したが、図15(a)乃至(c)に示すように、さらに、溝部204もエッチングで形成しておくことも可能である。
【0102】
本実施の形態ではガラス基板201に、フォトリソグラフィを用いたエッチング法により、凹部205を形成することにより、スペーサ206を一体形成している。そして溝部204を形成することにより、固体撮像素子基板100のエッジよりも封止用カバーガラス200のエッジが内側にくるようにするためのガラス基板の溝部204をエッチング形成している。従って歪の発生が低減され、分離工程が容易となる。
すなわち、図15(a)に示すように、ガラス基板201を用意する。
そして、図15(b)に示すように、フォトリソグラフィを用いたエッチング法によりガラス基板201に、凹部205を形成する。
【0103】
この後、図15(c)に示すように、さらにフォトリソグラフィを用いたエッチング法により、より深くエッチングを行って溝部204を形成し、スペーサ206を一体形成する。
なおこれらの加工工程は、エッチング深さが異なるため2回のエッチングが必要であるが、マスクとなるレジストパターンを2層構造で形成し、スペーサ形成のための溝部204のエッチング後、上層のレジストパターンのみを選択的に除去し、下層側のレジストパターンのみをマスクとしてエッチングするようにしてもよい。
【0104】
また、接合および分離工程については前記第1乃至第3の実施の形態で説明した図3乃至5の工程と同様である。
【0105】
(第13の実施の形態)
次に本発明の第13の実施の形態について説明する。
前記第11および12の実施の形態では、スペーサ206を一体形成した封止用カバーガラス200を形成する方法について説明したが、図16(a)乃至(d)に示すように、溝部204を形成したガラス基板201に、スペーサ用のシリコン基板203を貼着し、これをフォトリソグラフィを用いたエッチング法により選択的に除去し、スペーサ203Sを形成してもよい。他部については前記11および12の実施の形態と同様に形成されている。
【0106】
本実施の形態ではガラス基板201に、フォトリソグラフィを用いたエッチング法により、溝部204を形成し、スペーサ206を一体形成するとともに、固体撮像素子基板100のエッジよりも封止用カバーガラス200のエッジが内側にくるようにするためのガラス基板の溝部204をエッチング形成している。従って歪の発生が低減されまた、分離工程が容易となる。
【0107】
すなわち、図16(a)に示すように、ガラス基板201を用意する。
そして、図16(b)に示すように、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング法によりガラス基板201に、溝部204を形成する。
この後、図16(c)に示すように、接着剤層202を介してスペーサ用基板としてのシリコン基板203を貼着する。
そしてさらに図16(d)に示すように、フォトリソグラフィを用いたエッチング法により、スペーサ203Sを一体形成する。
【0108】
この方法によっても、高精度で信頼性の高いスペーサ付きの封止用カバーガラス200を形成することができる。
尚、接合および分離工程については前記第1乃至第3の実施の形態で説明した図3乃至5の工程と同様である。
【0109】
(第14の実施の形態)
次に本発明の第14の実施の形態について説明する。
前記第13の実施の形態では、図16(a)乃至(d)に示したようにガラス基板201に接着剤を介して、スペーサとなるシリコン基板203を貼着し、フォトリソグラフィを用いたエッチング法によりこのシリコン基板203をパターニングして、封止用カバーガラス200を形成したが、本実施の形態では、図17(a)および(b)に示すように、ダミー板501を用いてダミー板上で、スペーサ203Sのパターニングを行い、この後、溝部204を形成したガラス基板201に接着剤層202を介して接着するようにしている。他部については前記第13の実施の形態と同様に形成されている。
【0110】
すなわち、シリコン基板からなるダミー板501に軟化温度50〜150℃程度の接着剤層502を介してスペーサとなるシリコン基板203を貼着する。そして、図17(a)に示すように、このシリコン基板203をフォトリソグラフィによるエッチング法によりパターニングし、スペーサ203を形成する。
【0111】
この後、図17(b)に示すように、軟化温度100〜200℃程度の接着剤層202を介してスペーサ203S側に、溝部204を有するガラス基板201を貼着する。
このようにしてガラス基板201を貼着した後、接着剤層202が軟化しない範囲で50〜150℃程度に加熱し接着剤層502を軟化させてダミー板501を除去し、図17(c)に示すように、スペーサ付きの封止用カバーガラス200が形成される。
【0112】
かかる方法によれば、ガラス基板上でスペーサを加工する必要がないため、ガラス基板201にキズを生じてくもりの原因となるのを防止することができる。
【0113】
なお、接合および分離工程については前記第1乃至第3の実施の形態で説明した図3乃至5の工程と同様である。
【0114】
(第15の実施の形態)
次に本発明の第15の実施の形態について説明する。
前記第12乃至第14の実施の形態では、分離工程を容易にするための溝部204を備えたスペーサ付きの封止用カバーガラス200の製造工程について説明したが、第15乃至17の実施の形態では、ダミー板401に貼着し、溝部204を形成しておくことにより、ガラス基板自体は接合に先立ちあらかじめ分離されており、接合後、接着剤層402を軟化させることにより、ダミー板を除去し個々の固体撮像素子に分離するようにしたことを特徴とする。他部については前記第14の実施の形態と同様に形成されている。
【0115】
この実施の形態では、図15(a)乃至(c)で示した実施の形態では、スペーサ一体型封止用カバーガラスのガラス基板に溝部204を形成し、ガラス基板を分離しやすくなるようにしたが、図18に示すように、接着剤層402を介してガラス基板からなるダミー板401を用い、ダミー板をはずすことにより容易に分離できるようにしたものである。
【0116】
出発材料としてガラス板を用い、ダミー板貼着後、溝部204の形成およびスペーサ206の形成をフォトリソグラフィを用いたエッチング法により、行っている。
【0117】
かかる構成によれば、分割時に加熱によって接着剤層402を軟化させるのみでよくきわめて容易に分割可能である。
【0118】
なお、接合および分離工程については前記第7乃至第9の実施の形態で説明した工程と同様である。
【0119】
(第16の実施の形態)
次に本発明の第16の実施の形態について説明する。
本実施の形態では、第13の実施の形態で説明した凹部付きガラス板にスペーサ203Sを貼着するタイプのガラス基板201を、ダミー板401に貼着すると共に溝部204を形成しておくことにより、ガラス基板自体は接合に先立ち分離されており、接合後、接着剤層402を軟化させることにより、ダミー板を除去し個々の固体撮像素子に分離するようにしたことを特徴とする。他部については前記第13の実施の形態と同様に形成されている。
【0120】
この実施の形態では図16(a)乃至(b)で示した実施の形態のスペーサ一体型ガラス基板に図19(a)乃至(b)に示すように、接着剤層402を介してダミー板401を貼着し、溝部204を形成してなるものである。
出発材料としてガラス板を用い、ダミー板貼着後、ダミー板に到達する深さの溝部204の形成およびスペーサ203Sの形成を前記第13の実施の形態と同様に行っている。
【0121】
すなわち、図19(a)に示すように、ガラス基板201に接着剤層402を介してダミー基板401を貼着する。
【0122】
この後、図19(b)に示すように、フォトリソグラフィを用いてガラス基板201をエッチングし、ガラス基板201表面からダミー基板401に到達する溝部を形成する。
【0123】
そして、図19(c)に示すように、接着剤層202を介してスペーサ用のシリコン基板203を貼着する。
【0124】
そして、図19(d)に示すように、フォトリソグラフィを用いたエッチング法によりシリコン基板203を選択的に除去し、スペーサ203Sを形成する。
【0125】
かかる構成によれば、固体撮像素子基板100と接合した後、ダイシングに際し、加熱によって接着剤層402を軟化させるのみでよくきわめて容易に分割可能である。
【0126】
なお、接合および分離工程については前記第7乃至第9の実施の形態で説明した工程と同様である。
【0127】
(第17の実施の形態)
次に本発明の第17の実施の形態について説明する。
本実施の形態では、ダミー板501上でパターニングしたスペーサ203Sを、第14の実施の形態(図17)で説明した凹部付きガラス板にスペーサ203Sを貼着するタイプのガラス基板201を、ダミー板401に貼着し、溝部204を形成しておくことにより、ガラス基板自体は接合に先立ちあらかじめ分離されており、接合後、接着剤層402を軟化させることにより、ダミー板を除去し個々の固体撮像素子に分離するようにしたことを特徴とする。他部については前記第14の実施の形態と同様に形成されている。
【0128】
この実施の形態では、図17(a)乃至(b)で示した実施の形態のスペーサ貼着型ガラス基板に図20(a)乃至(c)に示すように、接着剤層402を介してダミー板401を貼着してなるものである。
出発材料としてガラス板を用い、ダミー板貼着後、ダミー板に到達する深さの溝部204の形成およびスペーサ203Sの形成を前記第15の実施の形態と同様に行っている。
すなわち、シリコン基板からなるダミー板501に接着剤層502を介してスペーサとなるシリコン基板203を貼着したのち、図20(a)に示すように、このシリコン基板203に対し、フォトリソグラフィを用いたエッチング法によるパターニングを施し、スペーサ203Sを形成する。
【0129】
この後、図20(b)に示すように、接着剤層202を介してスペーサ203S側に、ダミー板401まで到達するように形成された溝部204を有するガラス基板201を貼着する。
このようにしてガラス基板201を貼着した後、接着剤層502を軟化させてダミー板501を除去し、図20(c)に示すように、スペーサ付きの封止用カバーガラス200が形成される。
かかる構成によれば、分割時に加熱によって接着剤層402を軟化させるのみでダミー板401が容易に除去され、きわめて容易に分割可能である。
【0130】
なお、接合および分離工程については前記第7乃至第9の実施の形態で説明した工程と同様である。
【0131】
なお、前記実施の形態では、封止用カバーグラスを構成するガラス基板とスペーサとの接合および固体撮像素子基板と封止用カバーガラスとの接合を、接着剤層を用いて行う方法あるいは陽極接合、表面活性化常温接合による方法について説明したが、全ての実施の形態において、固体撮像素子基板表面がSiや金属の場合、接着剤を用いることなく、適宜、表面活性化常温接合で接合することもできる。接着剤層を用いる場合、接着剤層としても、UV接着剤のみならず熱硬化性接着剤、熱硬化併用UV硬化性接着剤を用いても良い。
【0132】
また、前記第1の実施形態でも述べたが、全実施の形態においてスペーサとしては、シリコン基板のほか、42アロイ、金属、ガラス、感光性ポリイミド、ポリカーボネート樹脂など適宜選択可能である。
【0133】
また、固体撮像素子基板と封止用カバーガラスとの接合を、接着剤層を用いて行うに際し、液溜めを形成しておくなどにより、溶融した接着剤層が流出しないようにするとよい。また、スペーサと固体撮像素子基板あるいは封止用カバーガラスとの接合部についても同様で、接合部に凹部または凸部を形成し液溜めを形成しておくなどにより、溶融した接着剤層が流出しないようにするとよい。
【0134】
なお、前記実施の形態では、切断溝を形成したものに対する個々の素子へ分離は、切断溝の位置までCMPを行うようにしたが、研削、ポリッシングあるいは全面エッチングなどを用いることも可能である。
【0135】
また前記実施の形態において、ガラス基板とスペーサの貼り合わせを必要とする場合は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂あるいはこれらの併用、あるいは半硬化の接着剤塗布によって実行するようにしてもよい。 またこの接着剤の形成に際してはディスペンサでの供給、スクリーン印刷、スタンプ転写など適宜選択可能である。
【0136】
加えて、各実施の形態で述べた例については、全形態にわたって適用可能な範囲で相互に変形可能である。
【0137】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明の固体撮像装置によれば、スペーサによって歪が生じるのを防止することができ、長寿命で信頼性の高い固体撮像装置を得ることが可能となる。
また、本発明の固体撮像装置の製造方法によれば、ウェハレベルで位置決めし、外部取り出し用電極端子の形成を含めて、スペーサを介して、一括して実装することにより一体化してから、固体撮像素子ごとに分離するようにしているため、製造が容易でかつ信頼性の高い固体撮像装置を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a)および(b)は本発明の第1の実施の形態の方法で形成した固体撮像装置を示す断面図および要部拡大断面図である。
【図2】図2(a)乃至(d)は本発明の第1の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図3】図3(a)乃至(c)は本発明の第1の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図4】図4(a)乃至(d)は本発明の第2の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図5】図5(a)乃至(e)は本発明の第3の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図6】図6(a)乃至(d)は本発明の第4の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図7】図7(a)乃至(d)は本発明の第5の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図8】図8(a)乃至(e)は本発明の第6の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図9】本発明の第7の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図10】本発明の第8の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図11】本発明の第9の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図12】本発明の第10の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図13】本発明の第10の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図14】本発明の第11の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図15】本発明の第12の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図16】本発明の第13の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図17】本発明の第14の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図18】本発明の第15の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図19】本発明の第16の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【図20】本発明の第17の実施の形態の固体撮像装置の製造工程を示す図である。
【符号の説明】
100 固体撮像素子基板
101 シリコン基板
102 固体撮像素子
200 封止用カバーガラス
201 ガラス基板
203S スペーサ
Claims (6)
- 固体撮像素子を形成してなる半導体基板と、
前記固体撮像素子の受光領域に対向して空隙をもつようにスペーサを介して前記半導体基板に接続された透光性部材とを具備し、
前記スペーサが前記半導体基板と熱膨張係数に近い材料で構成されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 固体撮像素子を形成してなる半導体基板と、
前記固体撮像素子の受光領域に対向して空隙をもつようにスペーサを介して前記半導体基板に接続された透光性部材とを具備し、
前記スペーサが前記半導体基板と前記透光性部材との間の熱膨張係数をもつ材料で構成されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 固体撮像素子を形成してなる半導体基板と、
前記固体撮像素子の受光領域に対向して空隙をもつようにスペーサを介して前記半導体基板に接続された透光性部材とを具備し、
前記スペーサが可撓性材料で構成されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 固体撮像素子を形成してなる半導体基板と、
前記固体撮像素子の受光領域に対向して空隙をもつようにスペーサを介して前記半導体基板に接続された透光性部材とを具備し、
前記スペーサが金属材料で構成されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 固体撮像素子を形成してなる半導体基板と、
前記固体撮像素子の受光領域に対向して空隙をもつようにスペーサを介して前記半導体基板に接続された透光性部材とを具備し、
前記スペーサが樹脂材料で構成されていることを特徴とする固体撮像装置。 - 半導体基板表面に複数の固体撮像素子を形成する工程と、
前記固体撮像素子の各受光領域に対向して空隙をもつように、スペーサ部材を介して前記半導体基板表面に透光性部材を接合する工程と、
前記固体撮像素子に対応して外部接続端子を形成する工程と、
前記接合工程で接合され、外部接続端子の形成された接合体を、固体撮像素子ごとに分離する工程とを含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
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