JP4486005B2 - 半導体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体撮像装置の全体構成を概略的に示す斜視図であり、図2(a)、(b)は、それぞれ本実施形態の半導体撮像装置を示す平面図およびIIb-IIb線における断面図である。
図5(a)、(b)は、それぞれ本発明の第2の実施形態に係る半導体撮像装置の全体構成を概略的に示す平面図およびVb-Vb線における断面図である。同図において、図2に示す第1の実施形態に係る半導体撮像装置と同一の部材には同じ符号を付している。
図7(a)、(b)は、それぞれ本発明の第3の実施形態に係る半導体撮像装置の全体構成を概略的に示す平面図およびVIIb-VIIb線における断面図である。
10 半導体撮像素子
12 半導体基板
14 撮像領域
16 周辺回路領域
18 電極領域
20 電極端子
22 柱状電極
24 透明樹脂層
24a 透明樹脂
26 半導体撮像素子アレー
28 ダイシングライン
30 フォトレジスト
30a 開口部
32,36 反射防止膜
34 透明シート
38 透明樹脂接着剤
40 溝
42 透明シートアレー
Claims (8)
- 外部機器に接続して用いられる半導体撮像装置であって、
光を検知する撮像領域と、周辺回路領域と、電極端子が形成された電極領域とを有する半導体撮像素子と、
前記半導体撮像素子の回路形成面上に形成された透明樹脂層と、
前記電極端子上に設けられ、前記透明樹脂層の上面と同一平面内にある上面を有し、前記外部機器に接続するための柱状電極とを備え、
前記柱状電極の側面上に反射防止膜が設けられていることを特徴とする半導体撮像装置。 - 前記透明樹脂層は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂およびポリイミド系樹脂のいずれかから選択された少なくとも1種類の材料からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体撮像装置。
- 複数の前記電極端子が前記半導体装置の外形の各辺に沿って一列に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記透明樹脂層の平面寸法は、前記半導体撮像素子とほぼ同じであることを特徴とする請求項1に記載の半導体撮像装置。
- 前記透明樹脂層の厚みは、前記柱状電極と同じであることを特徴とする請求項1に記載の半導体撮像装置。
- 前記撮像領域の最上層にガラス基板が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体撮像装置。
- 前記柱状電極は、銅、ニッケル、金および半田のいずれかから選択された少なくとも1種類の材料からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体撮像装置。
- 各々が電極端子を有する複数の半導体撮像素子が形成された半導体撮像素子アレーの前記電極端子上に柱状電極を形成する工程(a)と、
少なくとも前記柱状電極が埋まるだけの厚みの透明樹脂層を形成する工程(b)と、
前記透明樹脂層を研磨加工して、前記柱状電極の上面と前記透明樹脂層の上面とを同じ高さにする工程(c)と、
前記半導体撮像素子アレーをダイシングして各半導体撮像素子が形成された個片に分割する工程(d)とを備え、
前記工程(a)の後で前記工程(b)の前に、前記柱状電極の露出面上に反射防止膜を形成する工程(e)をさらに備え、
前記工程(c)では、前記柱状電極の上面が露出するまで研磨を行うことを特徴とする半導体撮像装置の製造方法。
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