JPH05102449A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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- JPH05102449A JPH05102449A JP3289128A JP28912891A JPH05102449A JP H05102449 A JPH05102449 A JP H05102449A JP 3289128 A JP3289128 A JP 3289128A JP 28912891 A JP28912891 A JP 28912891A JP H05102449 A JPH05102449 A JP H05102449A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体撮像素子を樹脂封止し、不要な光を遮断
でき、かつ信頼性の高い固体撮像装置およびその製造方
法を提供する。 【構成】 ダイパッド４１上に搭載された固体撮像素子
１とインナーリード４２をＡｕ線５で接続し、これらを
トランスファーモールド法等により透明樹脂２で封止す
る。その後、この透明樹脂２の少なくとも有効画素領域
９に対応する面以外を黒色樹脂３で覆うことにより、受
光面８以外から不要光が有効画素領域９に入るのを防
ぐ。
でき、かつ信頼性の高い固体撮像装置およびその製造方
法を提供する。 【構成】 ダイパッド４１上に搭載された固体撮像素子
１とインナーリード４２をＡｕ線５で接続し、これらを
トランスファーモールド法等により透明樹脂２で封止す
る。その後、この透明樹脂２の少なくとも有効画素領域
９に対応する面以外を黒色樹脂３で覆うことにより、受
光面８以外から不要光が有効画素領域９に入るのを防
ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子を樹脂に
て一体封止した固体撮像装置およびその製造方法に関す
るものである。
て一体封止した固体撮像装置およびその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体撮像装置の実装構造として
は、リードフレーム上で配線された固体撮像素子を、セ
ラミック等のパッケージで気密封止する、いわゆるサー
ディプ型で、固体撮像素子の有効画素領域上方のパッケ
ージ部分にシールガラスを設け、このシールガラスから
外部の光を固体撮像素子に取り込む構造のものがある。
は、リードフレーム上で配線された固体撮像素子を、セ
ラミック等のパッケージで気密封止する、いわゆるサー
ディプ型で、固体撮像素子の有効画素領域上方のパッケ
ージ部分にシールガラスを設け、このシールガラスから
外部の光を固体撮像素子に取り込む構造のものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の固体撮
像装置には以下のような問題点があった。すなわち、固
体撮像素子の有効画素領域の上方にフレア防止板やシー
ルガラスが設けられているため構造が複雑になり小型化
しにくい。そのため、透明樹脂で固体撮像素子全体を封
止する樹脂封止型の固体撮像装置が提案される。しかし
この樹脂封止型の固体撮像装置は、小型化しやすい利点
を有するものの、固体撮像装置全体が透明であるため、
本来不要な光も受光してしまい、固体撮像装置でのフレ
アやスメア等の悪影響が発生する。また、固体撮像素子
を一体封止する透明樹脂の透明度を保つため、フィラー
等の添加材を透明樹脂に混合できない。したがって、固
体撮像装置の耐湿性や機械的強度が十分に得られない。
よって本発明は、透明樹脂で封止する構造でありながら
もフレアやスメア等の発生がなく、かつ耐湿性や機械的
強度等の信頼性の高い固体撮像装置とその製造方法を提
供するものである。
像装置には以下のような問題点があった。すなわち、固
体撮像素子の有効画素領域の上方にフレア防止板やシー
ルガラスが設けられているため構造が複雑になり小型化
しにくい。そのため、透明樹脂で固体撮像素子全体を封
止する樹脂封止型の固体撮像装置が提案される。しかし
この樹脂封止型の固体撮像装置は、小型化しやすい利点
を有するものの、固体撮像装置全体が透明であるため、
本来不要な光も受光してしまい、固体撮像装置でのフレ
アやスメア等の悪影響が発生する。また、固体撮像素子
を一体封止する透明樹脂の透明度を保つため、フィラー
等の添加材を透明樹脂に混合できない。したがって、固
体撮像装置の耐湿性や機械的強度が十分に得られない。
よって本発明は、透明樹脂で封止する構造でありながら
もフレアやスメア等の発生がなく、かつ耐湿性や機械的
強度等の信頼性の高い固体撮像装置とその製造方法を提
供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために成されたもので、その固体撮像装置は、リ
ードフレーム上で配線された固体撮像素子全体を、透明
樹脂で封止し、上記透明樹脂の外周面のうち、少なくと
も有効画素領域に対応する面以外を、黒色樹脂で覆った
ものから成る。また、その製造方法は、リードフレーム
上で配線された固体撮像素子全体を、透明樹脂で樹脂封
止する工程と、上記透明樹脂全体を黒色樹脂で覆う工程
と、固体撮像素子の有効画素領域上方の上記黒色樹脂を
除去する工程とから成るものである。
決するために成されたもので、その固体撮像装置は、リ
ードフレーム上で配線された固体撮像素子全体を、透明
樹脂で封止し、上記透明樹脂の外周面のうち、少なくと
も有効画素領域に対応する面以外を、黒色樹脂で覆った
ものから成る。また、その製造方法は、リードフレーム
上で配線された固体撮像素子全体を、透明樹脂で樹脂封
止する工程と、上記透明樹脂全体を黒色樹脂で覆う工程
と、固体撮像素子の有効画素領域上方の上記黒色樹脂を
除去する工程とから成るものである。
【０００５】
【作用】透明樹脂で封止された固体撮像素子の少なくと
も有効画素領域に対応する面以外が黒色樹脂で覆われて
いるので、受光面以外の光は上記黒色樹脂により遮断さ
れる。したがって、固体撮像装置の映像に悪影響を及ぼ
すフレアやスメア等が防止される。また、透明樹脂にて
固体撮像素子を一体封止し、さらにこの透明樹脂を黒色
樹脂で覆い、有効画素領域上方の黒色樹脂を除去して受
光面を形成することにより、信頼性の高い樹脂封止型の
固体撮像装置を容易に製造できる。
も有効画素領域に対応する面以外が黒色樹脂で覆われて
いるので、受光面以外の光は上記黒色樹脂により遮断さ
れる。したがって、固体撮像装置の映像に悪影響を及ぼ
すフレアやスメア等が防止される。また、透明樹脂にて
固体撮像素子を一体封止し、さらにこの透明樹脂を黒色
樹脂で覆い、有効画素領域上方の黒色樹脂を除去して受
光面を形成することにより、信頼性の高い樹脂封止型の
固体撮像装置を容易に製造できる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の固体撮像装置およびその製造
方法を図面に基づいて説明する。図１は本発明の固体撮
像装置を説明する断面図、図２は本発明の固体撮像装置
を説明する斜視図である。また、図３から図５は本発明
の製造方法を工程毎に示す断面図である。
方法を図面に基づいて説明する。図１は本発明の固体撮
像装置を説明する断面図、図２は本発明の固体撮像装置
を説明する斜視図である。また、図３から図５は本発明
の製造方法を工程毎に示す断面図である。
【０００７】図１、図２に示すように、本発明の固体撮
像装置はダイパッド４１上に搭載された固体撮像素子１
と、この固体撮像素子１とインナーリード４２とを接続
するＡｕ線５とを一体封止する透明樹脂２と、さらに、
この透明樹脂２の少なくとも有効画素領域９に対応する
面以外を覆う黒色樹脂３とにより構成されている。
像装置はダイパッド４１上に搭載された固体撮像素子１
と、この固体撮像素子１とインナーリード４２とを接続
するＡｕ線５とを一体封止する透明樹脂２と、さらに、
この透明樹脂２の少なくとも有効画素領域９に対応する
面以外を覆う黒色樹脂３とにより構成されている。
【０００８】このような構成から成る固体撮像装置によ
り、外部から照射される光は受光面８のみを通過して有
効画素領域９に取り込まれる。そして、光は固体撮像素
子１により電気信号に変換され、Ａｕ線５およびリード
フレーム４のアウターリード４３を介して図示しない外
部回路に流れる。また、受光面８以外に照射される不要
光は、透明樹脂２を覆う黒色樹脂３により遮断されるた
め、固体撮像装置の映像にフレアやスメア等の悪影響が
発生しない。また、透明樹脂２を覆う黒色樹脂３は、エ
ポキシ樹脂にフィラー等の添加材を混合したものであ
る。これにより、透明樹脂２のみで封止した固体撮像装
置に比べ耐湿性および機械的強度等の信頼性が向上す
る。
り、外部から照射される光は受光面８のみを通過して有
効画素領域９に取り込まれる。そして、光は固体撮像素
子１により電気信号に変換され、Ａｕ線５およびリード
フレーム４のアウターリード４３を介して図示しない外
部回路に流れる。また、受光面８以外に照射される不要
光は、透明樹脂２を覆う黒色樹脂３により遮断されるた
め、固体撮像装置の映像にフレアやスメア等の悪影響が
発生しない。また、透明樹脂２を覆う黒色樹脂３は、エ
ポキシ樹脂にフィラー等の添加材を混合したものであ
る。これにより、透明樹脂２のみで封止した固体撮像装
置に比べ耐湿性および機械的強度等の信頼性が向上す
る。
【０００９】次に、図３から図５に基づいて本発明の固
体撮像装置の製造方法を説明する。まず、第１の工程と
して、図３に示すように、ダイパッド４１上に固体撮像
素子１を搭載し、Ａｕ線５でインナーリード４２と接続
する。そして、これら固体撮像素子１、インナリード４
２およびＡｕ線５の全体を例えばトランスファーモール
ド法により透明樹脂２にて一体封止する。
体撮像装置の製造方法を説明する。まず、第１の工程と
して、図３に示すように、ダイパッド４１上に固体撮像
素子１を搭載し、Ａｕ線５でインナーリード４２と接続
する。そして、これら固体撮像素子１、インナリード４
２およびＡｕ線５の全体を例えばトランスファーモール
ド法により透明樹脂２にて一体封止する。
【００１０】第２の工程として、図４に示すように、固
体撮像素子１、インナーリード４２およびＡｕ線５の全
体を一体封止した透明樹脂２全体を上記同様トランスフ
ァーモールド法により黒色樹脂３で覆う。
体撮像素子１、インナーリード４２およびＡｕ線５の全
体を一体封止した透明樹脂２全体を上記同様トランスフ
ァーモールド法により黒色樹脂３で覆う。
【００１１】そして第３の工程として、図５に示すよう
に、固体撮像素子１の有効画素領域９上方の上記黒色樹
脂３を透明樹脂２が露出するまで除去する。これによ
り、前工程で透明樹脂２の表面近くに発生した樹脂流れ
跡を同時に除去し、平滑な受光面８を形成する。なお、
この黒色樹脂３の除去により形成された受光面８が鏡面
研磨されるものでなければ、上記受光面８を別途の仕上
げ手段にて鏡面とすればよい。
に、固体撮像素子１の有効画素領域９上方の上記黒色樹
脂３を透明樹脂２が露出するまで除去する。これによ
り、前工程で透明樹脂２の表面近くに発生した樹脂流れ
跡を同時に除去し、平滑な受光面８を形成する。なお、
この黒色樹脂３の除去により形成された受光面８が鏡面
研磨されるものでなければ、上記受光面８を別途の仕上
げ手段にて鏡面とすればよい。
【００１２】以上の工程により、透明樹脂２の少なくと
も有効画素領域９に対応する面以外が黒色樹脂３に覆わ
れた樹脂封止構造の固体撮像装置が通常のトランスファ
ーモールド法および研磨加工により容易に製造できる。
も有効画素領域９に対応する面以外が黒色樹脂３に覆わ
れた樹脂封止構造の固体撮像装置が通常のトランスファ
ーモールド法および研磨加工により容易に製造できる。
【００１３】次に、本発明の他の実施例を図６、７に基
づいて説明する。図７に示すように、この固体撮像装置
は有効画素領域９に対応する面に凸部１０が設けられて
いる。この凸部１０の上面は、黒色樹脂３で覆われてい
ないため、この部分から光を取り込む構造になってい
る。
づいて説明する。図７に示すように、この固体撮像装置
は有効画素領域９に対応する面に凸部１０が設けられて
いる。この凸部１０の上面は、黒色樹脂３で覆われてい
ないため、この部分から光を取り込む構造になってい
る。
【００１４】この固体撮像装置の製造方法は、図６に示
すように、まず前記実施例と同様ダイパッド４１に固体
撮像素子１を搭載し、Ａｕ線５により固体撮像素子１と
インナーリード４２とを接続する。そしてこれらを例え
ばトランスファーモールド法により、透明樹脂２にて一
体封止をする。このとき、透明樹脂２の有効画素領域９
に対応する面に凸部１０を設ける。その後、前記同様ト
ランスファーモールド法により、凸部１０を含む透明樹
脂２の全体を黒色樹脂３で覆う。
すように、まず前記実施例と同様ダイパッド４１に固体
撮像素子１を搭載し、Ａｕ線５により固体撮像素子１と
インナーリード４２とを接続する。そしてこれらを例え
ばトランスファーモールド法により、透明樹脂２にて一
体封止をする。このとき、透明樹脂２の有効画素領域９
に対応する面に凸部１０を設ける。その後、前記同様ト
ランスファーモールド法により、凸部１０を含む透明樹
脂２の全体を黒色樹脂３で覆う。
【００１５】そして、図７で示すように、凸部１０を覆
った黒色樹脂３を、透明樹脂２が露出するまで除去して
受光面８を形成する。これにより、有効画素領域９に対
応する面以外が、全て黒色樹脂３で覆われた固体撮像装
置となる。この固体撮像装置により、フレアやスメアを
より効果的に抑制することができる。また、凸部１０の
有効画素領域９に対応する面の面積を変えることで、受
光面８の大きさを調節することが可能である。
った黒色樹脂３を、透明樹脂２が露出するまで除去して
受光面８を形成する。これにより、有効画素領域９に対
応する面以外が、全て黒色樹脂３で覆われた固体撮像装
置となる。この固体撮像装置により、フレアやスメアを
より効果的に抑制することができる。また、凸部１０の
有効画素領域９に対応する面の面積を変えることで、受
光面８の大きさを調節することが可能である。
【００１６】
【発明の効果】本発明の固体撮像装置および製造方法に
よると以下の効果が得られる。すなわち、固体撮像素子
の有効画素領域に対応する面以外を黒色樹脂で覆ったの
で、不必要な光が遮断される。したがって、固体撮像装
置のフレアやスメア等がなくなる。また、固体撮像装置
の外側をフィラー等を混合した黒色樹脂で覆っているの
で、耐湿性および機械的特性等の信頼性が向上する。さ
らに、樹脂封止構造により小型化が図れるとともに、固
体撮像装置の裏面が黒色樹脂なので鮮明なマーキングが
可能となる。また、通常のトランスファーモールド法と
研磨加工により、容易に固体撮像装置を製造することが
できる。
よると以下の効果が得られる。すなわち、固体撮像素子
の有効画素領域に対応する面以外を黒色樹脂で覆ったの
で、不必要な光が遮断される。したがって、固体撮像装
置のフレアやスメア等がなくなる。また、固体撮像装置
の外側をフィラー等を混合した黒色樹脂で覆っているの
で、耐湿性および機械的特性等の信頼性が向上する。さ
らに、樹脂封止構造により小型化が図れるとともに、固
体撮像装置の裏面が黒色樹脂なので鮮明なマーキングが
可能となる。また、通常のトランスファーモールド法と
研磨加工により、容易に固体撮像装置を製造することが
できる。
【図１】本発明の固体撮像装置を説明する断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の固体撮像装置を示す斜視図である。
【図３】透明樹脂で封止した後を示す断面図である。
【図４】透明樹脂を黒色樹脂で覆った後を示す断面図で
ある。
ある。
【図５】黒色樹脂を除去した後の断面図である。
【図６】他の実施例の固体撮像装置の製造工程を説明す
る断面図である。
る断面図である。
【図７】他の実施例の固体撮像装置を説明する断面図で
ある。
ある。
１ 固体撮像装置 ２ 透明樹脂 ３ 黒色樹脂 ４ リードフレーム ５ Ａｕ線 ８ 受光面 ９ 有効画素領域 １０ 凸部 ４１ ダイパッド ４２ インナーリード ４３ アウターリード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｈ０４Ｎ 1/028 9070−5Ｃ 8617−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｆ 8617−4Ｍ Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレーム上で配線された固体撮像
素子と、 上記固体撮像素子全体を封止した透明樹脂と、 上記透明樹脂の外周面のうち、少なくとも有効画素領域
に対応する面以外を覆った黒色樹脂とから成る固体撮像
装置。 - 【請求項２】 リードフレーム上で配線された固体撮像
素子全体を透明樹脂で封止する工程と、 上記固体撮像素子を樹脂封止した透明樹脂を黒色樹脂で
覆う工程と、 上記固体撮像素子の有効画素領域上方の上記黒色樹脂を
除去する工程とから成る固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3289128A JPH05102449A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3289128A JPH05102449A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102449A true JPH05102449A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17739124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3289128A Pending JPH05102449A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102449A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7745834B2 (en) | 2005-08-03 | 2010-06-29 | Panasonic Corporation | Semiconductor image sensor and method for fabricating the same |
| US7834926B2 (en) | 2005-11-17 | 2010-11-16 | Panasonic Corporation | Semiconductor image sensing element and fabrication method therefor, and semiconductor image sensing device and fabrication method therefor |
| JP2011198852A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | マイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置 |
| KR20150092016A (ko) * | 2014-02-04 | 2015-08-12 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 광 센서 장치 |
| WO2022118535A1 (ja) * | 2020-12-03 | 2022-06-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP3289128A patent/JPH05102449A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7745834B2 (en) | 2005-08-03 | 2010-06-29 | Panasonic Corporation | Semiconductor image sensor and method for fabricating the same |
| US8017418B2 (en) | 2005-08-03 | 2011-09-13 | Panasonic Corporation | Semiconductor image sensor and method for fabricating the same |
| US7834926B2 (en) | 2005-11-17 | 2010-11-16 | Panasonic Corporation | Semiconductor image sensing element and fabrication method therefor, and semiconductor image sensing device and fabrication method therefor |
| JP2011198852A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Fujifilm Corp | マイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置 |
| KR20150092016A (ko) * | 2014-02-04 | 2015-08-12 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 광 센서 장치 |
| CN110071077A (zh) * | 2014-02-04 | 2019-07-30 | 艾普凌科有限公司 | 光传感器装置 |
| WO2022118535A1 (ja) * | 2020-12-03 | 2022-06-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
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