JP4416269B2 - 電子装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、メタライズ配線導体を有するセラミック層上に電子部品を搭載するとともに、これらのセラミック層および電子部品上に電子部品を封止する封止樹脂層を固着して成る電子装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、コンピュータ等の電子機器に使用される樹脂封止型の電子装置として、例えば図5に断面図で示すように、その上面中央部に電子部品24を搭載するための搭載部21aを、その下面にタングステン粉末メタライズ等の金属粉末メタライズから成る外部接続用メタライズパッド22を有するとともに、その上面から下面にかけて同じくタングステン粉末メタライズ等の金属粉末メタライズから成り、外部接続用メタライズパッド22に電気的に接続された複数のメタライズ配線導体23を配設して成る酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックス材料から成る略四角平板状のセラミック基体21の搭載部21aに電子部品24を搭載するとともにこの電子部品24の各電極をボンディングワイヤ25を介してメタライズ配線導体23に電気的に接続し、しかる後、セラミック基体21および電子部品24上に電子部品24およびボンディングワイヤ25を覆うようにしてエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る封止樹脂層26を固着させることにより電子部品24を気密に封止して成る電子装置が知られている。
【0003】
この電子装置は、外部接続用メタライズパッド22を図示しない外部電気回路基板の接続用導体に半田等の導電性接合材を介して接合させることにより外部電気回路基板上に実装され、同時に搭載される電子部品の各電極が外部電気回路に電気的に接続されるようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
この従来の電子装置は、セラミック基体21を形成する酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックス材料の熱膨張係数が約4〜10×10-6/℃であるのに対し、電子部品24を気密に封止する封止樹脂層26を形成するエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の熱膨張係数が30〜50×10-6/℃であり、セラミック基体21と封止樹脂層26との熱膨張係数が大きく相違する。そして、この電子装置を半田等の導電性接合材を介して外部電気回路基板に実装すると、実装の際に印加される高温から常温に冷却される過程でセラミック基体21と封止樹脂層26との熱膨張係数の差に起因して発生する応力によりセラミック基体21の外周部が封止樹脂層26側に反ろうとし、その結果、セラミック基体21の下面外周部に位置する外部接続用メタライズパッド22と外部電気回路基板の接続用導体とを接続している導電性接合材に大きな引っ張り応力が印加されてしまう。この導電性接合材に印加されている引っ張り応力は、電子部品24が作動すること等により電子装置が加熱されると緩和されて小さいものとなり、電子部品24が作動を停止する等して電子装置が冷却されると再び大きなものとなる。そして、この電子装置によれば、電子装置を外部電気回路基板に実装した後、電子部品24の作動や停止等による加熱および冷却が繰り返し行なわれると、これに伴って電子装置の外部接続用メタライズパッド22と外部電気回路基板の接続用導体とを接続している導電性接合材に大きな引っ張り応力が繰り返し印加されることとなり、その結果、ついには導電性接合材が疲労破壊を起こして破断してしまい、これにより電子部品24の各電極と外部電気回路との間の正常な電気的接続が絶たれてしまうという問題点を有していた。なお、このような傾向は電子装置が例えば0.5mm以下の薄型になるほど顕著となる。
【0005】
本発明は、上述の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は搭載する電子部品の各電極を所定の外部電気回路に長期間にわたり確実に接続させることができる薄型の電子装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子装置は、上面に電子部品を搭載するための搭載部を、下面に電子部品を外部に電気的に接続するための複数の外部接続用メタライズパッドを有する厚みが0.05〜0.1mmで一辺の長さが0.5〜50mmの略四角平板状の第一セラミック層と、第一セラミック層の搭載部に搭載され、その主面に複数の電極を有する厚みが0.1〜0.2mmの電子部品と、第一セラミック層と実質的に同じ外形寸法で第一セラミック層上に電子部品を取り囲むように積層された厚みが0.1〜0.2mmで幅が0.2〜20mmの枠状の第二セラミック層と、第一セラミック層または第二セラミック層の上面から第一セラミック層の下面にかけて導出し、電子部品の電極および外部接続用メタライズパッドに電気的に接続された複数のメタライズ配線導体と、第一セラミック層および第二セラミック層および電子部品上に、第一セラミック層および第二セラミック層と実質的に同じ外形寸法で電子部品を封止するように略平坦な上面を有して固着され、電子部品の上面からの厚みが0.1〜0.2mmの封止樹脂層とから成ることを特徴とするものである。
【0007】
本発明の電子装置によれば、厚みが0.05〜0.1mmで一辺の長さが0.5〜50mmの略四角平板状の第一セラミック層の搭載部に、厚みが0.1〜0.2mmの電子部品を搭載するとともに、第一セラミック層の上に電子部品を取り囲むようにして第一セラミック層と実質的に同じ外形寸法の厚みが0.1〜0.2mmで幅が0.2〜20mmの枠状の第二セラミック層を積層し、これらの上に、第一セラミック層および第二セラミック層と実質的に同じ外形寸法の、電子部品の上面からの厚みが0.1〜0.2mmで略平坦な上面を有する封止樹脂層を固着させたことから、全体の厚みが例えば0.5mm以下の薄型であるにもかかわらず、熱応力による反りが小さく、搭載する電子部品を外部電気回路に長期間にわたり確実に接続することができる。
【0008】
さらに、本発明の電子装置によれば、封止樹脂層のヤング率を1〜8GPaとするとともに封止樹脂層の第一セラミック層および第二セラミック層に対する密着強度を5MPa以上とすることにより、電子装置を外部電気回路基板に実装する際に第一セラミック層および第二セラミック層と封止樹脂層との熱膨張係数の差に起因して発生する応力を、封止樹脂層が適度に弾性変形することによって良好に吸収可能であるとともに、封止樹脂層が第一セラミック層および第二セラミック層に強固に密着して両者間に剥離が発生することを有効に防止することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付の図面を基にして詳細に説明する。図1は本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す断面図であり、1は第一セラミック層、2は第二セラミック層、3は電子部品、4は封止樹脂層である。
【0010】
第一セラミック層1は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラス−セラミックス等のセラミックス材料から成る厚みが0.05〜0.1mm程度、一辺の長さが0.5〜50mm程度の略四角形状の平板であり、その上面中央部に電子部品3を搭載するための搭載部1aを有しており、この搭載部1aには半導体素子や圧電振動子等の電子部品3が搭載されている。このような第一セラミック層1は、その厚みが0.05mm未満では、これに熱応力や衝撃等が印加された場合に第一セラミック層1に割れやクラックが発生しやすくなり、他方、その厚みが0.1mmを超えると、半導体装置を例えば厚みが0.5mm以下の薄型とすることが困難となる。したがって、第一セラミック層1の厚みは、0.05〜0.1mmの範囲に特定される。また、第一セラミック層1は、その一辺の長さが0.5mm未満では、その上面中央部に電子部品3を搭載するための十分な面積の搭載部1aを確保することが困難となり、他方、その一辺の長さが50mmを超えると、熱応力や外力等により第一セラミック層1に割れやクラックが発生しやすくなる。したがって、第一セラミック層1の一辺の長さは、0.5〜50mmの範囲に特定される。
【0011】
なお、第一セラミック層1は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウムおよび酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤・可塑剤・分散剤等を添加混合して泥漿状となすとともに、これを従来周知のドクタブレード法を採用してシート状となすことによりセラミックグリーンシートを得、しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、これを還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成することによって製作される。
【0012】
また、第一セラミック層1には、その上面から下面にかけて導出するタングステンやモリブデン・モリブデン−マンガン・銅・銀・銀−パラジウム等の金属粉末メタライズから成る複数のメタライズ配線導体5が配設されているとともに、その下面にはメタライズ配線導体5と同様の金属粉末メタライズから成り、少なくともその一部のものが1つあるいはそれ以上のメタライズ配線導体5に電気的に接続された略円形の多数個の外部接続用メタライズパッド6が略格子状の並びに配列形成されている。
【0013】
そして、メタライズ配線導体5で第一セラミック層1の上面に露出した部位には電子部品3の各電極が金やアルミニウム等の金属から成るボンディングワイヤ7を介して電気的に接続されており、外部接続用メタライズパッド6は図示しない外部電気回路基板の接続用導体に半田等の導電性接合材を介して接合される。なお、外部接続用メタライズパッド6は、その全てがメタライズ配線導体5に電気的に接続されている必要はなく、例えば放熱性や外部電気回路基板への接合強度を高める目的で電気的に独立して設けられているものがあってもよい。
【0014】
このようなメタライズ配線導体5や外部接続用メタライズパッド6は、例えばタングステンメタライズから成る場合であれば、第一セラミック層1用のセラミックグリーンシートに直径が0.03〜0.3mm程度の配線用貫通孔を予め穿孔しておくとともに、このセラミックグリーンシートの配線用貫通孔内および上下面に、タングステン粉末に適当な有機バインダ・溶剤等を添加混合して適当な粘度に調整したタングステンペーストを従来周知のスクリーン印刷法によりそれぞれ充填・印刷し、これを第一セラミック層1用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって所定の位置および形状に形成される。
【0015】
なお、メタライズ配線導体5および外部接続用メタライズパッド6の露出表面にはメタライズ配線導体5および外部接続用メタライズパッド6の酸化腐食を防止するとともに、メタライズ配線導体5とボンディングワイヤ7との接続および外部接続用メタライズパッド6と導電性接合材との接合を容易かつ強固なものとするために、通常であれば1〜10μm程度の厚みのニッケルめっきと0.1〜3μm程度の厚みの金めっきとが順次被着されている。
【0016】
さらに、第一セラミック層1の上面外周部には、搭載部1aを取り囲むようにして第一セラミック層1と実質的に同じ外形寸法の厚みが0.1〜0.2mmで幅が0.2〜20mmの略四角枠状の第二セラミック層2が積層されている。第二セラミック層2は、好ましくは第一セラミック層1と同一材料から成り、第一セラミック層1と焼結一体化している。第二セラミック層2は、本発明の電子装置が後述する封止樹脂層4の熱収縮・熱膨張に伴う熱応力により大きく反るのを防止する補強部材として機能する。
【0017】
そして、本発明の電子装置においては、外部電気回路基板に実装された場合に、第二セラミック層2が電子装置の反りを低減するように作用して、電子装置を外部電気回路基板に接合している導電性接合材に大きな応力が印加されるのが有効に防止される。その結果、搭載する電子部品3を外部電気回路に長期間にわたり確実に接続させることができる。
【0018】
なお、第二セラミック層2は、その厚みが0.1mm未満では、電子装置が封止樹脂層4の熱収縮・熱膨張に伴って発生する熱応力により大きく反るのを有効に防止することが困難となり、他方、その厚みが0.2mmを超えると本発明の電子装置を例えば厚みが0.5mm以下の薄型とすることが困難となる。したがって、第二セラミック層2の厚みは0.1〜0.2mmの範囲に特定される。また、第二セラミック層2は、その各辺の幅が0.2mm未満であると、半導体装置が封止樹脂層4の熱収縮・熱膨張に伴って発生する熱応力により大きく反るのを有効に防止することが困難となり、他方、その幅が20mmを超えると、第一セラミック層1の上面中央部に電子部品3を搭載するための十分な面積の搭載部1aを確保することが困難となる。したがって、第二セラミック層2の各辺の幅は、0.2〜20mmの範囲に特定される。
【0019】
またさらに、第二セラミック層2は、その上面の高さが電子部品3の上面と略同じ高さであることが好ましい。第二セラミック層2の上面の高さが電子部品3の上面の高さと略同じであることにより、後述するように、第一セラミック層1および第二セラミック層2および電子部品3上に封止樹脂層4を固着させる際に、封止樹脂層4の上面が略平坦となり、この封止樹脂層4の上面に例えば製造者や製品名等を示す標識を正確かつ容易に形成することが可能となる。そして、第二セラミック層2の上面と電子部品3の上面との高さの差が0.03mmを超えると、第一セラミック層1および第二セラミック層2および電子部品3上に封止樹脂層4を固着させる際に、封止樹脂層4の上面に大きな段差が形成されて、この封止樹脂層4の上面に製造者や製品名等を示す標識を正確かつ容易に形成することが困難となる傾向にある。したがって、第二セラミック層2の上面と電子部品3の上面との高さの差は0.03mm以下であることが好ましい。
【0020】
さらにまた、第二セラミック層2の内周面と電子部品3の外周面との間隔が0.1mm未満であると、第一セラミック層1の搭載部1aに電子部品3を搭載する際に、電子部品3が第二セラミック層2の内周面に支え易くその搭載が困難となる傾向にあり、他方、3mmを超えると、第一セラミック層1および第二セラミック層2および電子部品3上に封止樹脂層4を固着させる際に、封止樹脂層4の上面に大きな段差が形成されやすく、そのためこの封止樹脂層4の上面に製造者や製品名等を示す標識を正確かつ容易に形成することが困難となる傾向にある。したがって、第二セラミック層2の内周面と電子部品3の外周面との間隔は0.1〜3mmの範囲が好ましい。
【0021】
なお、このような第二セラミック層2は、第一セラミック層1用のセラミックグリーンシートと同様の方法で第二セラミック層2用のセラミックグリーンシートを得るとともに、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、しかる後、この第二セラミック層2用のセラミックグリーンシートを第一セラミック層1用のセラミックグリーンシート上に積層するとともにこれらを同時に焼成することにより第一セラミック層1の上面外周部に搭載部1aを取り囲むようにして形成される。
【0022】
また、第一セラミック層1の搭載部1aに搭載された電子部品3は、例えばその厚みが0.1〜0.2mmの半導体素子や圧電振動子等であり、エポキシ樹脂等の接着剤を介して搭載部1aに固定されている。電子部品3は、その厚みが0.1mm未満では、これに熱応力等が印加された場合に電子部品3に割れやクラックが発生しやすくなり、他方、その厚みが0.2mmを超えると、本発明の電子装置を例えば厚みが0.5mm以下の薄型とすることが困難となる。したがって、電子部品3の厚みは0.1〜0.2mmの範囲に特定される。
【0023】
さらに、第一セラミック層1および第二セラミック層2および電子部品3の上には、電子部品3およびボンディングワイヤ7を気密に封止する封止樹脂層4が、第一セラミック層1および第二セラミック層2と実質的に同じ外形寸法で電子部品3の上面からの厚みが0.1〜0.2mmとなるようにして固着されている。この封止樹脂層4は、例えばエポキシ樹脂とシリコーン樹脂との混合物から成り、電子部品3およびボンディングワイヤ7を外部から保護する作用をなし、電子部品3の上面からの厚みが0.1mm未満では、電子部品3やボンディングワイヤ7を良好に保護することが困難となり、他方、電子部品3の上面からの厚みが0.2mmを超えると、本発明の電子装置を例えば厚みが0.5mm以下の薄型とすることが困難となるとともに、封止樹脂層4による応力が大きなものとなって、本発明の電子装置を外部電気回路基板に実装した場合に、電子部品3を長期間にわたり確実に作動させることが困難となる。したがって、封止樹脂層4は電子部品3の上面からの厚みが0.1〜0.2mmの範囲に特定される。
【0024】
なお、封止樹脂層4は、例えばこれがエポキシ樹脂とシリコーン樹脂との混合物から成る場合であれば、未硬化のエポキシ樹脂と未硬化のシリコーン樹脂とを混合した液状樹脂を第一セラミック層1および第二セラミック層2および電子部品3上に所定の厚みに滴下するとともにこれを約150℃の温度で熱硬化させることにより第一セラミック層1および第二セラミック層2および電子部品3上に固着される。このエポキシ樹脂とシリコーン樹脂との混合樹脂によれば、エポキシ樹脂が封止樹脂層4に適当な硬さを付与するとともに封止樹脂層4と第一セラミック層1および第二セラミック層2および電子部品3とを強固に密着させる作用をなし、シリコーン樹脂が封止樹脂層4に適当な弾性を付与する作用をなす。このようなエポキシ樹脂とシリコーン樹脂との混合物から成る封止樹脂層4は、第一セラミック層1および第二セラミック層2および電子部品3と強固に密着するとともに適度な弾性を得ることができる。
【0025】
なお、このような封止樹脂層4は、そのヤング率を1〜8GPaの範囲としておくことが好ましい。封止樹脂層4のヤング率を1〜8GPaの範囲としておくことによって、本発明の電子装置を外部電気回路基板に実装した際に封止樹脂層4と第一セラミック層1および第二セラミック層2および電子部品3との間に大きな熱応力が発生したとしても、その熱応力は、ヤング率が1〜8GPaの封止樹脂層4が弾性変形することにより良好に吸収緩和され、電子装置を外部電気回路基板に接合する導電性接合材に大きく印加されることが有効に防止される。
【0026】
封止樹脂層4は、そのヤング率が1GPa未満であると、封止樹脂層4が外力により容易に弾性変形しやすくなり、そのため、封止された電子部品3やボンディングワイヤ7を良好に保護することが困難となる傾向にあり、他方、そのヤング率が8GPaを超えると、電子装置を外部電気回路基板に導電性接合材を介して実装した際に、封止樹脂層4と第一セラミック層1および第二セラミック層2および電子部品3との熱膨張係数の差に起因して発生する熱応力を封止樹脂層4が弾性変形することによって良好に吸収することができず、導電性接合材に大きな引っ張り応力が印加されやすくなる傾向にある。したがって、封止樹脂層4のヤング率は、1〜8GPaの範囲であることが好ましい。同時に、本発明の電子装置においては、封止樹脂層4の第一セラミック層1および第二セラミック層2に対する密着強度を5MPa以上とすることが好ましい。
【0027】
なお、本発明でいう封止樹脂層4の第一セラミック層1および第二セラミック層2に対する密着強度とは、第一セラミック層1および第二セラミック層2と同一材質の平板状の基板を2枚準備するとともに、この2枚の基板を間に厚さが0.1mmで直径が3mmの封止樹脂層4と同一組成の樹脂を介して上下に接合し、これらの基板を上下に引っ張って樹脂と基板とがはがれた時の力を樹脂の単位面積当たりの値に換算したものである。
【0028】
封止樹脂層4は、第一セラミック層1および第二セラミック層2に対する密着強度を5MPa以上と大きくしておくことにより、電子部品3の作動や停止等に伴い、第一セラミック層1および第二セラミック層2と封止樹脂層4との熱膨張係数の差に起因してこれらの間に大きな熱応力が繰り返し印加されたとしても、第一セラミック層1および第二セラミック層2と封止樹脂層4とが剥離するようなことはなく、その結果、電子部品4を長期間にわたり気密に封止して安定に作動させることができる。なお、封止樹脂層4は、第一セラミック層1および第二セラミック層2に対する密着強度が5MPa未満であると、電子部品3の作動や停止等に伴い、第一セラミック層1および第二セラミック層2と封止樹脂層4との熱膨張係数の差に起因して両者間に発生する熱応力により第一セラミック層1および第二セラミック層2と封止樹脂層4とが剥離し易いものとなる傾向にある。したがって、封止樹脂層4の第一セラミック層1および第二セラミック層2に対する密着強度は5MPa以上であることが好ましい。
【0029】
かくして、本発明の電子装置によれば、外部電気回路基板に実装した場合に、搭載する電子部品3を長期間にわたり、確実に作動させることが可能な電子装置を提供することができる。
【0030】
なお、本発明は、上述の実施の形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば上述の実施の形態例では電子部品3の電極とメタライズ配線導体5とをボンディングワイヤ7を介して電気的に接続したが、電子部品3の電極とメタライズ配線導体5とは、図2に断面図で示すように、半田や金等のバンプ8を介して電気的に接続されてもよい。
【0031】
また、上述の実施の形態例では、メタライズ配線導体5は、第一セラミック層1の上面から下面にかけて配設されていたが、メタライズ配線導体5は、図3に断面図で示すように、第二セラミック層2の上面から第一セラミック層1の下面にかけて配設されてもよい。
【0032】
さらに、上述の実施の形態例では、1個の電子装置について説明したが、例えば図1に示す電子装置を製造する場合であれば、図4に断面図で示すように、多数個の電子装置が縦横の並びに一体的に配列形成された多数個取りの母基板11を製作するとともに、この母基板11を各電子装置毎に分割するこにより製造すればよい。
【0033】
【発明の効果】
本発明の電子装置によれば、本発明の電子装置によれば、厚みが0.05〜0.1mmで一辺の長さが0.5〜50mmの略四角平板状の第一セラミック層の搭載部に、厚みが0.1〜0.2mmの電子部品を搭載するとともに、第一セラミック層の上に電子部品を取り囲むようにして第一セラミック層と実質的に同じ外形寸法の厚みが0.1〜0.2mmで幅が0.2〜20mmの枠状の第二セラミック層を積層し、これらの上に、第一セラミック層および第二セラミック層と実質的に同じ外形寸法の、電子部品の上面からの厚みが0.1〜0.2mmで略平坦な上面を有する封止樹脂層を固着させたことから、全体の厚みが例えば0.5mm以下の薄型であるにもかかわらず、熱応力による反りが小さく、搭載する電子部品を外部電気回路に長期間にわたり確実に接続することが可能な電子装置を提供することができる。
【0034】
さらに、本発明の電子装置によれば、封止樹脂層のヤング率を1〜8GPaとするとともに封止樹脂層の第一セラミック層および第二セラミック層に対する密着強度を5MPa以上とすることにより、電子装置を外部電気回路基板に実装する際に第一セラミック層および第二セラミック層と封止樹脂層との熱膨張係数の差に起因して発生する応力を、封止樹脂層が適度に弾性変形することによって良好に吸収可能であるとともに、封止樹脂層が第一セラミック層および第二セラミック層に強固に密着して両者間に剥離が発生することを有効に防止することができ、搭載する電子部品を長期間にわたり正常かつ安定に作動させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図2】本発明の電子装置の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図3】本発明の電子装置の実施の形態のさらに他の例を示す断面図である。
【図4】図1に示す電子装置を製造する方法を説明するための断面図である。
【図5】従来の電子装置の断面図である。
【符号の説明】
1・・・・・・第一セラミック層
1a・・・・・搭載部
2・・・・・・第二セラミック層
3・・・・・・電子部品
4・・・・・・封止樹脂層
5・・・・・・メタライズ配線導体
6・・・・・・外部接続用メタライズパッド
Claims (2)
- 上面に電子部品を搭載するための搭載部を、下面に前記電子部品を外部に電気的に接続するための複数の外部接続用メタライズパッドを有する厚みが0.05〜0.1mmで一辺の長さが0.5〜50mmの略四角平板状の第一セラミック層と、前記搭載部に搭載され、その主面に複数の電極を有する厚みが0.1〜0.2mmの電子部品と、前記第一セラミック層と実質的に同じ外形寸法で前記第一セラミック層上に前記電子部品を取り囲むように積層された厚みが0.1〜0.2mmで幅が0.2〜20mmの枠状の第二セラミック層と、前記第一セラミック層または前記第二セラミック層の上面から前記第一セラミック層の下面にかけて導出し、前記電子部品の電極および前記外部接続用メタライズパッドに電気的に接続された複数のメタライズ配線導体と、前記第一セラミック層および前記第二セラミック層および前記電子部品上に、前記第一セラミック層および前記第二セラミック層と実質的に同じ外形寸法で前記電子部品を封止するように略平坦な上面を有して固着され、前記電子部品の上面からの厚みが0.1〜0.2mmの封止樹脂層とから成ることを特徴とする電子装置。
- 前記封止樹脂層は、そのヤング率が1〜8GPaであり、かつ前記第一セラミック層および前記第二セラミック層に対する密着強度が5MPa以上であることを特徴とする請求項1記載の電子装置。
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