JP5721370B2 - 光センサの製造方法、光センサ及びカメラ - Google Patents
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Description
まず、シリコン単結晶から形成された基板31に、図1に示す画素領域等が複数形成された、複数の画素領域5を備えた半導体ウエハ30を準備する(図2(a))。画素領域等は、一般的な半導体素子製造工程によって形成される。
上記のように本実施例の光センサによって、撮像素子チップへのα線の影響を低減でき、反りを抑制することができる。また、本実施例の光センサの製造方法によって、撮像素子チップへのα線の影響を低減でき、ウエハレベルでの反りが抑制され、個片化した後の光センサにおいても反りが抑制されるため、歩留りの低下を抑制することができる。
図5の光センサの製造方法が図2で示した製造方法と同じである場合は簡易的に説明し、異なる点を詳細に説明する。
図6は、本発明の第1、第2の実施例にて説明した光センサを、撮像システムの一例であるデジタルカメラへ適用した場合のブロック図である。
2 透光性カバー部材
2a ガラス板
2b 透光性部材
3 固定部材
5 画素領域
6 貫通電極
7 空間
11 半導体基板
12 配線構造
13 表面電極
14 第1平坦化膜
15 カラーフィルタ
16 第2平坦化膜
17 マイクロレンズ
20 絶縁膜
21 導電膜
22 配線
23 絶縁部材
24 接続端子
Claims (13)
- 複数の画素領域を備えた半導体ウエハを準備する工程と、
透光性ウエハと、前記透光性ウエハの主面上に配置された複数の透光性部材と、を有する透光性基板を準備する工程と、
前記複数の透光性部材と前記複数の画素領域とを向かい合わせて、前記透光性基板と前記半導体ウエハとを、前記複数の透光性部材の各々を囲むように配置した固定部材によって貼り合せる工程と、
前記固定部材によって貼り合わされた前記半導体ウエハと前記透光性基板とを個片化する工程と、
を有し、
前記複数の透光性部材の各々は、α線放出量が前記透光性ウエハよりも少なく、かつ、α線放出量が0.05c/cm 2 ・h以下であり、
前記透光性ウエハの線膨張係数と前記半導体ウエハの線膨張係数の差は、前記複数の透光性部材の各々の線膨張係数と前記半導体ウエハの線膨張係数の差よりも小さく、
前記複数の透光性部材の各々の厚みが50μm以上であり、前記複数の透光性部材の各々の外周が前記固定部材の内周よりも小さい、光センサの製造方法。 - 前記半導体ウエハを準備する工程は、前記複数の画素領域に対応する位置にマイクロレンズが配置された半導体ウエハを準備する工程であることを特徴とする請求項1に記載の光センサの製造方法。
- 前記貼り合わせる工程は、前記複数の透光性部材と前記半導体ウエハとを接触させることを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の光センサの製造方法。
- 前記貼り合わせる工程と前記個片化する工程の間に、前記半導体ウエハを薄くする工程を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光センサの製造方法。
- 前記貼り合わせる工程と前記個片化する工程の間に、前記半導体ウエハに貫通電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光センサの製造方法。
- 前記透光性ウエハには前記複数の透光性部材が接着材で固定されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の光センサの製造方法。
- 前記透光性基板を準備する工程は、前記透光性ウエハの線膨張係数が2.0ppm/℃以上4.0ppm/℃以下であり、前記透光性部材がガラスまたは水晶である透光性基板を準備する工程であり、
前記半導体ウエハを準備する工程は、シリコンの半導体ウエハを準備する工程であることを特徴とする請求項1乃至6に記載の光センサの製造方法。 - 画素領域を備えた撮像素子チップと、
前記撮像素子チップに固定部材を介して固定された透光性カバー部材と、を有する光センサであって、
透光性カバー部材は、ガラス板と、前記ガラス板の前記撮像素子チップ側に固定され、前記固定部材で囲まれた、透光性部材と、を有し、
前記複数の透光性部材の各々は、α線放出量が前記ガラス板よりも少なく、かつ、α線放出量が0.05c/cm 2 ・h以下であり、
前記ガラス板の線膨張係数と前記撮像素子チップの線膨張係数の差は、前記透光性部材の線膨張係数と前記撮像素子チップの線膨張係数の差よりも小さく、
前記透光性部材の厚みが50μm以上であり、前記透光性部材の外周が前記固定部材の内周よりも小さい、ことを特徴とする光センサ。 - 前記透光性部材がガラスまたは水晶であることを特徴とする請求項8に記載の光センサ。
- 前記撮像素子チップは貫通電極を有することを特徴とする請求項8又は9に記載の光センサ。
- 前記ガラス板の線膨張係数が2.0ppm/℃以上4.0ppm/℃以下であり、前記撮像素子チップはシリコンからなる半導体基板を有し、前記撮像素子チップの厚みが100μm以下であることを特徴とする請求項8乃至10のいずれか一項に記載の光センサ。
- 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光センサの製造方法によって製造された光センサと、
前記光センサによって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。 - 請求項8乃至11のいずれか一項に記載の光センサと、
前記光センサによって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
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