JP2024026906A - 撮像装置及び撮像装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】α線の影響を抑えた撮影画像を取得するのに有利な撮像装置及び撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】撮像装置は、撮影光が入射する光電変換素子を有するセンサ基板と、光電変換素子を覆い、撮影光を透過するカバー基板と、撮影光を透過させるα線透過防止膜と、を備える。【選択図】図１

Description

本開示は、撮像装置及び撮像装置の製造方法に関する。

特許文献１は、光学素子エリアがシールガラスにより覆われたＷＣＰＳ（Wafer Chip Scale Package）構造の撮像装置を開示する。

特開２０１３－４１８７８号公報

一般に、ガラス等の部材からはα線（アルファ線）が発せられる。

α線が撮影光とともにイメージセンサに入射すると、得られる撮影画像において、イメージセンサにおけるα線の入射箇所に対応する部分に白色点が出現する。このようにα線に起因して撮影画像にもたらされる白色点は、「後発白点」とも呼ばれ、被写体像の画質を損ないうるものである。

特許文献１の撮像装置では、シールガラスから発せられるα線が光学素子エリアに入射する。そのため特許文献１の撮像装置により取得される撮影画像には、被写体像に本来的には含まれていない白色点が出現することがある。

本開示は上述の事情に鑑みてなされたものであり、α線の影響を抑えた撮影画像を取得するのに有利な技術を提供することを目的とする。

本開示の一態様は、撮影光が入射する光電変換素子を有するセンサ基板と、光電変換素子を覆い、撮影光を透過するカバー基板と、撮影光を透過させるα線透過防止膜と、を備える撮像装置に関する。

α線透過防止膜は、１μｍ以下の厚みを有してもよい。

α線透過防止膜は、０．００１ｃｏｕｎｔ／ｈ以下のα線の透過率を有してもよい。

α線透過防止膜は、センサ基板とカバー基板との間に配置されてもよい。

α線透過防止膜は、カバー基板に取り付けられていてもよい。

カバー基板のうち、センサ基板側の面は凹凸形状を有し、α線透過防止膜は、カバー基板のうちのセンサ基板側の面に取り付けられていてもよい。

撮像装置は、α線透過防止膜に取り付けられる反射防止膜を備えてもよい。

撮像装置は、光電変換素子を覆うオンチップレンズを備え、α線透過防止膜は、オンチップレンズとセンサ基板との間に位置してもよい。

撮像装置は、光電変換素子を覆うオンチップレンズを備え、α線透過防止膜は、オンチップレンズを介してセンサ基板とは反対側に位置してもよい。

撮像装置は、センサ基板とカバー基板との間に設けられる気体層を備えてもよい。

撮像装置は、カバー基板のうちセンサ基板側の面に取り付けられる下部レンズを備え、下部レンズは、気体層を介してセンサ基板に対向してもよい。

撮像装置は、下部レンズのセンサ基板側の面に取り付けられる反射防止膜を備えてもよい。

撮像装置は、カバー基板のうちセンサ基板とは反対側の面に取り付けられる上部レンズと、上部レンズのうちカバー基板とは反対側の面に取り付けられる反射防止膜と、を備えてもよい。

撮像装置は、カバー基板とセンサ基板との間に位置し、カバー基板をセンサ基板に対して固定する支持体を備え、支持体は、遮光部を含んでもよい。

撮像装置は、カバー基板のうち光電変換素子に対向する部分よりの外側の部分に取り付けられる遮光体を備えてもよい。

本開示の他の態様は、センサ基板と、カバー基板と、センサ基板とカバー基板との間に位置し、気体層を介してセンサ基板に対向する下部レンズと、を備える撮像装置に関する。

気体層は、２０μｍ以下の厚みを有してもよい。

撮像装置は、下部レンズのセンサ基板側の面に取り付けられる反射防止膜を備えてもよい。

本開示の他の態様は、カバー基板及びα線透過防止膜を含む第１積層体を準備する工程と、センサ基板を含む第２積層体を準備する工程と、α線透過防止膜がカバー基板とセンサ基板との間に位置するように、第１積層体及び第２積層体を重ねる工程と、を含む撮像装置の製造方法に関する。

本開示の他の態様は、カバー基板を含む第１積層体を準備する工程と、センサ基板及びα線透過防止膜を含む第２積層体を準備する工程と、α線透過防止膜がカバー基板とセンサ基板との間に位置するように、第１積層体及び第２積層体を重ねる工程と、を含む撮像装置の製造方法に関する。

図１は、第１実施形態の一例に係る撮像装置の断面構造を概略的に示す図である。 図２Ａは、カバー基板とα線透過防止膜との間の界面構造の第１の例を示す断面図である。 図２Ｂは、図２Ａにおいて符号「Ｅ」で示されている範囲の拡大図である。 図３は、カバー基板とα線透過防止膜との間の界面構造の第２の例を示す断面図である。 図４は、カバー基板とα線透過防止膜との間の界面構造の第３の例を示す断面図である。 図５は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図６は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図７は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図８は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図９は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１０は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１１は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１２は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１３は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１４は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１５は、第２実施形態の一例に係る撮像装置の断面構造を概略的に示す図である。 図１６は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１７は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１８は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１９は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図２０は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図２１は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図２２は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図２３は、撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図２４Ａは、第２実施形態の他の例に係る撮像装置の断面構造を概略的に示す図である。 図２４Ｂは、図２４Ａに示す撮像装置の一部を拡大した図面である。 図２５Ａは、第２実施形態の他の例に係る撮像装置の断面構造を概略的に示す図である。 図２５Ｂは、図２５Ａに示す撮像装置の一部に対応し、第１形態のα線透過防止膜及び反射防止膜を示す。 図２５Ｃは、図２５Ａに示す撮像装置の一部に対応し、第２形態のα線透過防止膜及び反射防止膜を示す。 図２６は、第２実施形態の他の例に係る撮像装置の断面構造を概略的に示す図である。 図２７は、第２実施形態の他の例に係る撮像装置の断面構造を概略的に示す図である。 図２８は、第２実施形態の他の例に係る撮像装置の断面構造を概略的に示す図である。 図２９は、第２実施形態の他の例に係る撮像装置の断面構造を概略的に示す図である。 図３０は、撮影画像に出現するフレアの例（具体的にはリングフレア及びクロスフレア）を示す。

添付図面を参照して撮像装置及び撮像装置の製造方法の実施形態について説明する。

以下では、画素部分（すなわち光電変換素子部分）及び信号処理部分が積層された積層型イメージセンサ構造を有するウエハーレベルＣＳＰ（Chip Size Package）の撮像装置の例を説明する。

ただし以下で説明される技術の適用対象は、積層型イメージセンサ構造の撮像装置及びＣＳＰ構造の撮像装置には限定されない。他の構造の撮像装置やそのような撮像装置の製造方法に対しても、以下で説明される技術を適用することが可能である。

［第１実施形態］
本実施形態の撮像装置は、センサ基板とカバー基板との間に位置する下部レンズを備える。

図１は、第１実施形態の一例に係る撮像装置１０の断面構造を概略的に示す図である。

図１に示す撮像装置１０は、センサ基板１１、カバー基板１３及びα線透過防止膜１４を備える。

センサ基板１１は、撮影光Ｌが入射する多数の光電変換素子１２と、各光電変換素子１２に接続される配線（図示省略）とを有する。光電変換素子１２は、センサ基板１１の受光面（すなわちカバー基板１３側の面）に沿って層延在方向Ｄ２へ二次元的に並べられており、入射光に応じた画素信号を出力する。

センサ基板１１は、ロジック基板４０に重ねられ、ロジック基板４０と一体的に構成される。一体構造のセンサ基板１１及びロジック基板４０は積層基板４１と総称される。

ロジック基板４０は、図示は省略するが、ロジック回路と、ロジック回路に接続される配線とを有する。ロジック回路は、光電変換素子１２からの画素信号を処理する信号処理回路を含む。

積層基板４１は、複数の配線電極（裏面電極を含む）４２を有する。図１には、センサ基板１１の配線とロジック基板４０の配線とを電気的に接続する配線電極４２と、ロジック基板４０の配線に電気的に接続される配線電極４２とが示されている。積層基板４１は、他の接続形態を持つ配線電極４２を含んでいてもよい。

配線電極４２は、積層基板４１の裏面（すなわちロジック基板４０のうちセンサ基板１１とは反対側の面）から突出し、外部デバイスに対する接続インタフェースとして機能する。積層基板４１の裏面は、絶縁膜であるソルダーレジスト４４により覆われている。積層基板４１の裏面から突出する配線電極４２間のスペースがソルダーレジスト４４により埋められた状態で、各配線電極４２の端面部分が外方に露出される。

図１に示す配線電極４２の露出部分は、プリント基板４５に設けられた接続電極４３に接続される。配線電極４２は、接続電極４３とともに、積層基板４１とプリント基板４５との間における信号の伝達路として機能する。

ロジック基板４０とは反対側に位置するセンサ基板１１の受光面（すなわち複数の光電変換素子１２の入光面）は、オンチップレンズ２３により覆われている。オンチップレンズ２３は、複数のマイクロレンズを有する。各マイクロレンズは、割り当てられた１以上の光電変換素子１２に向けて撮影光Ｌを集光する。

図示は省略するが、オンチップレンズ２３とセンサ基板１１（光電変換素子１２）との間には任意の機能層（例えばカラーフィルター層）が配置されていてもよい。

カバー基板１３は、センサ基板１１（特に撮影画像の取得に寄与するすべての光電変換素子１２の入光面）を覆い、撮影光Ｌを透過する。カバー基板１３は、オンチップレンズ２３及びセンサ基板１１（特に光電変換素子１２）を保護する機能を有し、剛性に優れた透明部材（例えばガラス）により構成可能である。

図１に示すカバー基板１３は、「リブ」とも称される支持体３０を介し、積層基板４１（特にセンサ基板１１）に固定されている。すなわち支持体３０は、カバー基板１３とセンサ基板１１との間に位置し、カバー基板１３及びセンサ基板１１の各々に取り付けられ、カバー基板１３をセンサ基板１１に対して固定する。支持体３０は、複数の光電変換素子１２を取り囲むように設けられており、内側に気体層２０を形成する。

このような構造を有する支持体３０は、ウエハーレベルで形成することが可能である。この場合、支持体３０を所望サイズ（例えば所望幅及び所望高さ）に精度良く形成することができる。

支持体３０は、任意の材料及び任意の構造を有しうる。後述のように、特定波長域の光の透過率が相対的に低い又は高い波長選択性を有する部材（例えば、黒樹脂、カラーフィルター又はバンドパスフィルター）によって、支持体３０の一部又は全部が構成されてもよい。所望の光学特性、耐水性及び／又は他の特性を有する機能性部材によって支持体３０の一部又は全部が構成されてもよいし、そのような機能性部材が支持体３０に取り付けられてもよい。

センサ基板１１とカバー基板１３との間には、気体層２０が位置している。気体層２０は、センサ基板１１、カバー基板１３及び支持体３０により囲まれて密閉されている。図１に示す気体層２０は空気により構成される空気層であるが、空気以外の所望特性を持つガスにより気体層２０が構成されていてもよい。例えば所望の屈折率をもたらすガスを気体層２０に封入することで、気体層２０と当該気体層２０に隣接する媒質（図１に示す撮像装置１０では、例えば下部レンズ２２及びオンチップレンズ２３）との間の界面における光反射特性を調整することができる。

気体層２０の厚み（すなわちセンサ基板１１及びカバー基板１３が重なる積層方向Ｄ１のサイズ）は限定されない。後述のように、光反射界面（例えば下部レンズ２２のセンサ基板１１側の面やカバー基板１３のセンサ基板１１側の面）をセンサ基板１１に近づけることによって、撮影画像におけるフレアやゴースト（以下、単に「フレア」とも称する）を低減しうる。

したがって、迷光Ｌ１に起因する撮影画像の画質劣化を抑える観点からは、気体層２０の厚みは小さい方が好ましい。例えば、気体層２０が２０μｍ以下の厚みを有する場合、撮影画像におけるフレアを有効に低減しうる。

カバー基板１３のうちセンサ基板１１とは反対側の面には、上部レンズ２１が取り付けられている。一方、カバー基板１３のうちセンサ基板１１側の面には、下部レンズ２２が取り付けられている。図１に示す下部レンズ２２は、センサ基板１１とカバー基板１３との間に位置し、気体層２０を介してセンサ基板１１（特に光電変換素子１２）に対向する。

実際の撮影の際、被写体からの撮影光Ｌは、図示しないレンズモジュールを通って光路が調整された後、上部レンズ２１、カバー基板１３、下部レンズ２２及びオンチップレンズ２３を通って光電変換素子１２に入射する。このようにして撮影光Ｌが複数の光電変換素子１２により受光され、各光電変換素子１２から対応の画素信号が出力されることで、被写体の撮影画像が得られる。

α線透過防止膜１４は、撮影光Ｌを透過させる際、撮影光Ｌに含まれるα線の一部（大部分）又は全部を透過させない。

α線透過防止膜１４は、元素及び／又は電子にα粒子（アルファ粒子）が衝突した際の反作用によるα粒子の減速を利用して撮影光Ｌ中のα粒子を低減することが可能な高い膜密度及び／又は高い電子密度を有する。

α線透過防止膜１４は、任意の組成を有することができ、例えばα線を吸収、トラップ、反射、及び／又は散乱する材料により構成可能である。α線透過防止膜１４は、積層方向Ｄ１（すなわち光軸方向）に関して１μｍ以下の厚みを有する場合であっても、０．００１ｃｏｕｎｔ／ｈ以下のα線の透過率を有しうる。

カバー基板１３で発せられるα線が光電変換素子１２に入射するのを防ぐために、α線透過防止膜１４は、カバー基板１３とセンサ基板１１（特に光電変換素子１２）との間に設けられることが好ましい。図１に示すα線透過防止膜１４は、カバー基板１３と下部レンズ２２との間に配置され、カバー基板１３（特にカバー基板１３のうちセンサ基板１１側の面（すなわちセンサ基板１１に向けられた面））に取り付けられている。α線透過防止膜１４は、カバー基板１３に対して直接的に取り付けられてもよいし、図示しない接合層を介してカバー基板１３に取り付けられてもよい。

なお、撮像装置１０におけるα線透過防止膜１４の配置位置は、図１に示す位置には限定されない。α線透過防止膜１４は、撮影光Ｌの進行に関して光電変換素子１２よりも上流の任意の位置に配置可能である。すなわちα線透過防止膜１４は、光電変換素子１２に入射する前の撮影光Ｌから一部又は全部のα線を除去することができるのであれば、任意の位置に配置可能である。

したがってα線透過防止膜１４は、オンチップレンズ２３と光電変換素子１２との間（後述の図２４Ａ及び図２４Ｂ参照）に設けられてもよい。例えばオンチップレンズ２３と光電変換素子１２との間にカラーフィルター（図示省略）が設けられる場合、カラーフィルターとオンチップレンズ２３との間やカラーフィルターと光電変換素子１２との間に、α線透過防止膜１４が設けられてもよい。

またα線透過防止膜１４は、オンチップレンズ２３とカバー基板１３との間（後述の図２５Ａ～図２５Ｃ参照）に設けられてもよい。例えば、オンチップレンズ２３のカバー基板１３側の表面や下部レンズ２２のセンサ基板１１側の表面に、α線透過防止膜１４が取り付けられてもよい。

なお、α線透過防止膜１４は、撮影光Ｌが透過する際に発熱することがある。そのため撮影画像に対する熱の影響を抑える観点からは、α線透過防止膜１４は、光電変換素子１２から離れた位置（例えばカバー基板１３及び／又は下部レンズ２２）に設けられることが好ましい

α線透過防止膜１４のうちセンサ基板１１側の面には、光の反射を抑える反射防止膜１５が取り付けられる。図１に示す例では、α線透過防止膜１４と支持体３０との間及びα線透過防止膜１４と下部レンズ２２との間において、反射防止膜１５が延在する。

反射防止膜１５の材料（組成）及び反射防止膜１５の形成方法は限定されない。反射防止膜１５は、無機材料（ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＮｂＯ、ＴｉＯ、ＡｌＯ等）及び有機材料（中空シリカ粒子等）の一方又は両方によって構成されてもよい。したがって反射防止膜１５は、例えば、屈折率が１．５程度の有機膜であってもよいし、高屈折率フィラー入り材料により構成されていてもよいし、シリコン窒化膜等の無機膜であってもよい。

反射防止膜１５は、単層構造を有していてもよいし、多層構造（すなわち積層構造）を有していてもよい。

反射防止膜１５の設置箇所は、図１に示す例には限定されない。光の反射を抑制する観点からは、光の反射をもたらしうる各界面に反射防止膜１５を設けることが好ましい。

特に、光が反射しやすい屈折率差が大きい媒質間界面に反射防止膜１５を設けることによって、意図しない光の反射を効果的に抑え、迷光Ｌ１の発生を低減できる。例えば、気体層２０と当該気体層２０に隣り合う媒質（図１に示す例では下部レンズ２２及びオンチップレンズ２３の各々）との間の界面に反射防止膜１５を配置することで、意図しない光の反射を効果的に抑えることができる。

次に、カバー基板１３とα線透過防止膜１４との間の界面構造例について説明する。

図２Ａは、カバー基板１３とα線透過防止膜１４との間の界面構造の第１の例を示す断面図である。図２Ｂは、図２Ａにおいて符号「Ｅ」で示されている範囲の拡大図である。図３は、カバー基板１３とα線透過防止膜１４との間の界面構造の第２の例を示す断面図である。図４は、カバー基板１３とα線透過防止膜１４との間の界面構造の第３の例を示す断面図である。

図２Ａ～図４の各々に示す上部レンズ２１、カバー基板１３及びα線透過防止膜１４は、図１に示す例と同様の層構造を有する。

ただし図２Ａ～図４の各々に示す例では、反射防止膜１５が、α線透過防止膜１４のセンサ基板１１側の面だけではなく、上部レンズ２１及びカバー基板１３の各々のα線透過防止膜１４とは反対側の面にも設けられている。すなわち上部レンズ２１のうちカバー基板１３とは反対側の面にも、反射防止膜１５が取り付けられている。

図１ではカバー基板１３のうちセンサ基板１１側の面が平坦面として描かれているが、カバー基板１３のうちセンサ基板１１側の面（図２Ａ～図４における下面）は、凹凸形状を有していてもよい。

図２Ａ及び図２Ｂに示すカバー基板１３は、矩形状断面の凹部を含む凹凸形状面１３ｂを有する。図３に示すカバー基板１３は、三角形状断面の凹部を含む凹凸形状面１３ｂを有する。図４に示すカバー基板１３は、円形状断面（厳密には円の一部分の形状の断面）の凹部を含む凹凸形状面１３ｂを有する。また図示は省略するが、カバー基板１３のうちセンサ基板１１側の面は、ランダムな凹凸形状を持つ粗面であってもよい。なお、カバー基板１３のうち上部レンズ２１が取り付けられる面１３ａは、図２Ａ～図４に示す例では平坦形状を有するが、凹凸形状を有していてもよい。

図２Ａ～図４の各々に示すα線透過防止膜１４は、カバー基板１３のうちセンサ基板１１側の凹凸形状面１３ｂに取り付けられている。すなわちα線透過防止膜１４のうちカバー基板１３側の面（図２Ａ～図４における上面）は、カバー基板１３の凹凸形状面１３ｂに適合する凹凸形状を有する。そのためα線透過防止膜１４のうちカバー基板１３側の面は、カバー基板１３のうちセンサ基板１１側の凹凸形状面１３ｂと、隙間無く密着する。

このようにα線透過防止膜１４とカバー基板１３との間の界面が凹凸構造を持つ場合、当該界面における撮影光Ｌの屈折によって、α線透過防止膜１４における光路長を長大化することができる。その結果、α線透過防止膜１４におけるα線の非透過効率（すなわちα線を除去する効率）を向上させることができる。

α線透過防止膜１４がカバー基板１３以外の部材に取り付けられる場合にも、α線透過防止膜１４が取り付けられる部材とα線透過防止膜１４との間の界面が凹凸構造を持つことで、α線透過防止膜１４におけるα線の非透過効率を向上できる。

次に、撮像装置１０の製造方法の一例を説明する。

図５～図１４は、撮像装置１０の製造方法の一例を示す断面図である。

本例の製造方法によって作られる撮像装置１０（図１４参照）は、図１に示す撮像装置１０と同様の構造を有する。ただし本例の製造方法で作られる撮像装置１０は、上部レンズ２１及びカバー基板１３の各々のセンサ基板１１とは反対側の面、支持体３０とα線透過防止膜１４との間、及び下部レンズ２２のセンサ基板１１側の面に、反射防止膜１５が取り付けられる。

本製造方法例では、まず図５に示すように、カバー基板１３の一面にα線透過防止膜１４が付与される。

α線透過防止膜１４の付与方法は限定されない。例えばスピンコート方式、ディップ方式、スキージーを使った方式、インクジェット方式、或いは蒸着方式を利用することによって、α線透過防止膜１４の構成材料をカバー基板１３に付与することが可能である。α線透過防止膜１４の構成材料は、自然乾燥によりカバー基板１３に固着させてもよいし、熱硬化特性やＵＶ硬化特性を有する場合には加熱や紫外線照射によりカバー基板１３への固着が促されてもよい。

次に、図６に示すように、α線透過防止膜１４上に下部レンズ２２が取り付けられる。

なお図１に示す撮像装置１０のように、α線透過防止膜１４と下部レンズ２２との間に反射防止膜１５が設けられる場合には、下部レンズ２２の形成に先立って、α線透過防止膜１４上に反射防止膜１５が付与される。

下部レンズ２２は、任意の方法で形成可能である。α線透過防止膜１４上に下部レンズ２２の構成材料を付与し、当該構成材料を成形することによって下部レンズ２２が形成されてもよい。例えば、インプリント方式、グレースケールパターニング（グレースケールリソグラフィ）、リフロー方式、或いはリフロー方式とエッチバック方式との組み合わせを利用することによって、α線透過防止膜１４上に下部レンズ２２を形成することが可能である。或いは、予め作られた下部レンズ２２を、図示しない接合層を介してα線透過防止膜１４に接合してもよい。

次に、図７に示すように、α線透過防止膜１４及び下部レンズ２２上に反射防止膜１５が付与される。反射防止膜１５は、任意の方法で、α線透過防止膜１４及び下部レンズ２２上に設けられることが可能である。

次に、図８に示すように、α線透過防止膜１４上に支持体３０が付与される。

支持体３０は、任意の方法で、α線透過防止膜１４上に設けることが可能である。例えば、支持体３０を構成する材料をα線透過防止膜１４上に塗布し、その後、パターニング（例えばレジストパターニング）を行ってα線透過防止膜１４の外周部上に位置する部分のみを残すことで、支持体３０を形成してもよい。支持体３０が複数の構成層を含む場合には、薄い接着層（例えば１～５００ｎｍ程度の接着剤）を介して隣り合う構成層同士を固着してもよい。

本例の支持体３０は、カバー基板１３を含む第１積層体に形成されるが、積層基板４１（センサ基板１１及びロジック基板４０）を含む第２積層体に形成されてもよい。

次に、図９に示すように、第１積層体（カバー基板１３、α線透過防止膜１４、反射防止膜１５、下部レンズ２２及び支持体３０）と、第２積層体（積層基板４１及びオンチップレンズ２３）とが接合される。

第１積層体及び第２積層体の接合方式は限定されない。支持体３０が第１積層体（本例では反射防止膜１５）に対して良好な固着性を示す場合、支持体３０が第１積層体に対して直接的に固着されることで、第１積層体及び第２積層体は接合されてもよい。或いは、図示しない接着層を介して、第１積層体及び第２積層体は接合されてもよい。

次に、図１０に示すように、積層基板４１が部分的に取り除かれて、積層基板４１が薄化される。積層基板４１は、任意の方法で薄化可能である。

次に、図１１に示すように、積層基板４１に配線電極４２が形成され、積層基板４１の裏面を覆うソルダーレジスト４４が形成される。

次に、図１２に示すように、カバー基板１３が部分的に取り除かれて、カバー基板１３が薄化される。カバー基板１３は、任意の方法で薄化可能である。

次に、図１３に示すように、カバー基板１３上に上部レンズ２１が設けられる。

なおカバー基板１３上にアパーチャ等の遮光体（例えばブラックレジストやパターニングされた金属膜）が形成される場合（後述の図２９参照）、上部レンズ２１の形成に先立って、そのような遮光体がカバー基板１３上に形成されてもよい。

上部レンズ２１は、上述の下部レンズ２２と同様の方法によって、カバー基板１３上に設けることが可能である。カバー基板１３上に上部レンズ２１の構成材料を付与し、当該構成材料を成形することによって上部レンズ２１が形成されてもよい。或いは、予め作られた上部レンズ２１を、直接的に或いは接合層を介し、カバー基板１３に接合してもよい。

そして、図１４に示すように、上部レンズ２１及びカバー基板１３上に反射防止膜１５が設けられる。

上述の一連の工程を経て作られたウエハーレベルＣＳＰタイプの撮像装置１０は、その後ダイシングされて、複数のベアチップが作られる。

上述のように、本例の製造方法は、カバー基板１３及びα線透過防止膜１４を含む第１積層体を準備する工程（図５～図８参照）と、センサ基板１１（積層基板４１）を含む第２積層体を準備する工程とを含む。そして当該製造方法は、α線透過防止膜１４がカバー基板１３とセンサ基板１１との間に位置するように、第１積層体及び第２積層体を重ねる工程（図９参照）を更に含む。

［第２実施形態］
本実施形態において、上述の第１実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

本実施形態の撮像装置は、下部レンズ２２を具備しない。

図１５は、第２実施形態の一例に係る撮像装置１０の断面構造を概略的に示す図である。

図１５に示す撮像装置１０は、上述の図１に示す撮像装置１０と同様の構成を有するが、下部レンズ２２を具備しない。

本例の撮像装置１０によれば、気体層２０の積層方向Ｄ１の厚みを更に小さくして、カバー基板１３をセンサ基板１１（特に光電変換素子１２）に近づけることができる。

これにより、撮像装置１０の積層方向Ｄ１のサイズの小型化（すなわち低背化）を促進することが可能である。

次に、撮像装置１０の製造方法の一例を説明する。

図１６～図２３は、撮像装置１０の製造方法の一例を示す断面図である。本例の製造方法により作られる撮像装置１０（図２３参照）は、図１５に示す撮像装置１０と同様の構造を有する。

本製造方法例では、まず図１６に示すように、カバー基板１３上にα線透過防止膜１４が付与される。

その後、図１７に示すようにα線透過防止膜１４上に反射防止膜１５が付与され、図１８に示すように反射防止膜１５上に支持体３０が付与される。

その後、図１９に示すように、第１積層体（カバー基板１３、α線透過防止膜１４、反射防止膜１５及び支持体３０）と、第２積層体（積層基板４１及びオンチップレンズ２３）とが、支持体３０を介して接合される。

その後、図２０に示すように積層基板４１が薄化され、図２１に示すように積層基板４１に対して配線電極４２及びソルダーレジスト４４が設けられ、図２２に示すようにカバー基板１３が薄化される。

そして、図２３に示すように、カバー基板１３上に上部レンズ２１が設けられる。

上述の一連の工程を経て作られたウエハーレベルＣＳＰタイプの撮像装置１０は、その後、ダイシングされて、複数のベアチップが作られる。

図２４Ａは、第２実施形態の他の例に係る撮像装置１０の断面構造を概略的に示す図である。図２４Ｂは、図２４Ａに示す撮像装置１０の一部を拡大した図面である。

α線透過防止膜１４は、オンチップレンズ２３とセンサ基板１１との間に位置するように設けられてもよい。

図２４Ａ及び図２４Ｂに示す例では、オンチップレンズ２３とセンサ基板１１（光電変換素子１２）との間に、α線透過防止膜１４及び反射防止膜１５が設けられている。α線透過防止膜１４はセンサ基板１１側に位置し、反射防止膜１５はオンチップレンズ２３側に位置する。

より具体的には、図２４Ｂに示すように、センサ基板１１上に、保護膜５５、遮光膜５４、平坦化膜５３、カラーフィルター層５２、α線透過防止膜１４、反射防止膜１５、有機材料層５１及びオンチップレンズ２３が順次重ねられている。

保護膜５５は、光電変換素子１２を保護する部材であり、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）により構成可能である。遮光膜５４は、層延在方向Ｄ２に関して隣り合う光電変換素子１２間に位置し、隣接する光電変換素子１２への光の漏れ込みを防止する。平坦化膜５３は、カラーフィルター層５２が形成される領域を平坦化する。カラーフィルター層５２は、光電変換素子１２毎に設けられる複数のカラーフィルターを含む。有機材料層５１は、接着層として機能し、例えばアクリル系樹脂材料、スチレン系樹脂材料或いはエポキシ系樹脂材料により構成可能である。

図２５Ａは、第２実施形態の他の例に係る撮像装置１０の断面構造を概略的に示す図である。図２５Ｂは、図２５Ａに示す撮像装置１０の一部に対応し、第１形態のα線透過防止膜１４及び反射防止膜１５を示す。図２５Ｃは、図２５Ａに示す撮像装置１０の一部に対応し、第２形態のα線透過防止膜１４及び反射防止膜１５を示す。

α線透過防止膜１４は、オンチップレンズ２３を介してセンサ基板１１とは反対側に位置していてもよい。

図２５Ａ～図２５Ｃに示す例では、α線透過防止膜１４及び反射防止膜１５が、積層基板４１（特にセンサ基板１１のカバー基板１３側の面）及びオンチップレンズ２３を覆うように設けられている。ここで、α線透過防止膜１４は積層基板４１側に位置し、反射防止膜１５は、カバー基板１３側に位置し、気体層２０と隣り合っている。図２５Ａ～図２５Ｃに示す例では、カバー基板１３のうちのセンサ基板１１側の面にも反射防止膜１５が取り付けられている。

支持体３０は、反射防止膜１５を介してカバー基板１３に取り付けられ、反射防止膜１５及びα線透過防止膜１４を介して積層基板４１（特にセンサ基板１１）に取り付けられている。

オンチップレンズ２３及び積層基板４１上のα線透過防止膜１４及び反射防止膜１５の具体的な積層形態は限定されない。

図２５Ｂに示すように、α線透過防止膜１４及び反射防止膜１５の各々は、ほぼ均一の厚みを持って、オンチップレンズ２３及び積層基板４１（特にセンサ基板１１）上に延びていてもよい。この場合、オンチップレンズ２３上のα線透過防止膜１４及び反射防止膜１５は、オンチップレンズ２３のカバー基板１３側の曲面の形状に応じた湾曲形状を有する。

また図２５Ｃに示すように、α線透過防止膜１４の平坦面上に反射防止膜１５が設けられてもよい。すなわちα線透過防止膜１４は、オンチップレンズ２３の上方において層延在方向Ｄ２に延びる平坦面を形成し、反射防止膜１５は当該平坦面上に固定されてもよい。

反射防止膜１５がα線透過防止膜１４の曲面上に設けられる場合（図２５Ｂ参照）よりも、反射防止膜１５がα線透過防止膜１４の平坦面上に設けられる場合（図２５Ｃ参照）の方が、反射防止膜１５を精度良く形成することが容易になる傾向がある。

上述の図２４Ａ～図２５Ｃに示すようにα線透過防止膜１４が気体層２０とセンサ基板１１との間に設けられる場合、以下の製造方法によって撮像装置１０を作ることができる。

すなわち本製造方法例は、カバー基板１３を含む第１積層体を準備する工程と、センサ基板１１及びα線透過防止膜１４を含む第２積層体を準備する工程と、含む。そして本製造方法は、α線透過防止膜１４がカバー基板１３とセンサ基板１１との間に位置するように、第１積層体及び第２積層体を重ねる工程を含む。

次に、図２６～図２９を参照して支持体３０の構成例を説明する。

図２６～図２９の各々に示す撮像装置１０は、図１５に示す撮像装置１０と同様の構成を有するが、図２６～図２９の各々に示す支持体３０は特有の構成を有する。

図２６は、第２実施形態の他の例に係る撮像装置１０の断面構造を概略的に示す図である。

支持体３０は複数の構造体を含んでいてもよく、これらの構造体は、お互いに積み重ねられた積層構造を有していてもよい。

図２６に示す支持体３０は、お互いに積み重ねられた第１支持構造体３０ａ及び第２支持構造体３０ｂを有する。第１支持構造体３０ａ及び第２支持構造体３０ｂは、直接的にお互いに接合されてもよいし、図示しない薄い接着層を介してお互いに接合されてもよい。

第１支持構造体３０ａ及び第２支持構造体３０ｂは、お互いに異なる材料で構成されてもよいし、お互いに同じ材料で構成されてもよい。例えば、第１支持構造体３０ａ及び第２支持構造体３０ｂは、お互いに異なる機能特性を有する材料（有機膜及び無機膜（無機酸化膜、窒化膜、金属膜等）を含む）で構成されてもよい。そのような機能特性として、機械特性（例えば剛性）、耐水性（水分非透過性）、吸湿性、光非透過性、封止性、及びその他の任意の特性が挙げられる。

図２７は、第２実施形態の他の例に係る撮像装置１０の断面構造を概略的に示す図である。

支持体３０は、一部又は全体において、遮光部３１を含んでいてもよい。

図２７に示す支持体３０は、遮光性能を持つ材料（例えば黒樹脂）により全体が構成されている。本例の支持体３０によれば、光電変換素子１２への迷光の入射を防ぎ、撮影画像におけるフレアの発生を抑えることができる。

図２８は、第２実施形態の他の例に係る撮像装置１０の断面構造を概略的に示す図である。

支持体３０には、様々な機能特性を持つ取付体が取り付けられていてもよい。

図２８に示す支持体３０には、遮光体（例えば金属膜）３３が取り付けられている。図２８に示す例では、支持体３０のカバー基板１３側の面と、支持体３０の側面（特に気体層２０に向けられた面）とに、遮光体３３が取り付けられている。

図２９は、第２実施形態の他の例に係る撮像装置１０の断面構造を概略的に示す図である。

カバー基板１３のうち光電変換素子１２に対向する部分よりも外側の部分に、遮光体３３が取り付けられてもよい。

図２９に示す例では、カバー基板１３のうちの上部レンズ２１が取り付けられる面の外周部において、上部レンズ２１を囲むように遮光体３３が設けられている。なお遮光体３３は、カバー基板１３のうちセンサ基板１１側の面に取り付けられていてもよい（図示省略）。

なお、図２４Ａ～図２９に開示されるα線透過防止膜１４及び支持体３０に関する構造は、下部レンズ２２を持たない撮像装置１０に対してだけではなく、下部レンズ２２を持つ撮像装置１０（上述の第１実施形態の撮像装置１０）に対しても応用可能である。

以上説明したように上述の各実施形態の撮像装置１０によれば、撮影光Ｌは、α線透過防止膜１４を通過した後に光電変換素子１２に入射するため、α線透過防止膜１４によりα線が低減された状態の撮影光Ｌを光電変換素子１２に入射させることができる。

特に、α線透過防止膜１４がカバー基板１３とセンサ基板１１（特に光電変換素子１２）との間に配置されることで、カバー基板１３から発せられるα線もα線透過防止膜１４によって撮影光Ｌから取り除くことができる。

このように、撮像装置１０がα線透過防止膜１４を備えることによって、撮影画像におけるα線起因の白点の発生を低減し、撮影画像の画質劣化を抑えることができる。

またカバー基板１３とセンサ基板１１との間に気体層２０を形成する場合にα線透過防止膜１４を設けることによって、撮影画像における白点の発生の低減に加え、撮像装置１０の低背化の促進にも有利である。

すなわちα線透過防止膜１４を設けることによって、カバー基板１３とセンサ基板１１との間の距離が小さくても、撮影画像におけるα線起因の白点の発生を抑えることができる。

そして、カバー基板１３とセンサ基板１１との間の気体層２０の厚みを小さくすることで、撮像装置１０全体の積層方向Ｄ１（すなわち光軸方向）のサイズを小さくすることができる。

また気体層２０の厚みを小さくすることによって、カバー基板１３及び下部レンズ２２を光電変換素子１２の近くに設置することができる。カバー基板１３及び下部レンズ２２は光を効果的に反射させる界面を構成する。したがって気体層２０の厚みを小さくすることで、光の反射界面を光電変換素子１２の近くに配置することができる。この場合、センサ基板１１（特に光電変換素子１２）に近い位置で光を反射させることができ、反射光を、本来入射されるべき光電変換素子１２又は近傍の光電変換素子１２に入射させることができる。

フレア（ゴーストを含む）は、光が、意図しない反射等によって、本来入射されるべき光電変換素子とは異なる光電変換素子に入射することでもたらされる。特に、本来入射されるべき光電変換素子から離れた別の光電変換素子に光が入射することで、図３０に示すように、撮影画像においてフレア（リングフレアＦ１及びクロスフレアＦ２参照）が目立つ状態で出現する。

一方、カバー基板１３及び下部レンズ２２を光電変換素子１２の近くに配置することで、反射光が、本来入射されるべき光電変換素子１２から離れた別の光電変換素子１２に入射するのを防いで、フレアを低減又は目立ちにくくすることができる。

このようにカバー基板１３とセンサ基板１１との間に気体層２０及びα線透過防止膜１４が設けられる撮像装置１０は、撮影画像における白点及びフレアの発生を低減して撮影画像の画質劣化を抑えつつ、低背化を図るのに、とりわけ有利である。

またカバー基板１３とセンサ基板１１との間に、気体層２０とともに下部レンズ２２を設けることによって、より一層効果的に、撮影画像におけるフレアの発生を低減することができる。

すなわち気体層２０と下部レンズ２２との間の界面は、屈折率差が大きい光反射界面を構成し、カバー基板１３により構成される光反射界面よりも、センサ基板１１（特に光電変換素子１２）の近くに位置する。オンチップレンズ２３やセンサ基板１１において意図せずに反射された撮影光Ｌは、気体層２０と下部レンズ２２との間の界面で反射されることで、より一層効果的に、本来入射されるべき光電変換素子１２又は近傍の光電変換素子１２に入射しやすくなる。その結果、撮影画像においてフレアが、より一層、低減又は目立ちにくくなる。

また上部レンズ２１及び下部レンズ２２を設けることによって、撮像装置１０におけるＣＲＡ（Ｃｈｉｅｆ Ｒａｙ Ａｎｇｌｅ：主光線入射角度）の調整幅を拡大することができる。

すなわち撮影光Ｌの光路は、上部レンズ２１及び下部レンズ２２によっても調整されることができる。そのため上部レンズ２１及び下部レンズ２２を設けることによって、上部レンズ２１よりも撮影光Ｌの進行の上流側に設けられるレンズモジュール（図示省略）の設計条件を緩和することが可能である。

具体的には、レンズモジュールにおいて、高性能なレンズを使う必要がなくなり、安価なレンズを使用することが可能である。またレンズモジュールに含まれるレンズ数を少なくしたり、薄型のレンズを使用したりすることが可能である。そのため、レンズモジュール全体のサイズを小さくして、レンズモジュールと撮像装置１０とを含む装置全体の低背化の促進に有利である。

また反射防止膜１５を設けることによって、撮影光Ｌの反射を抑えて迷光の発生を防ぐとともに、撮像装置１０の構成要素の反り等の変形を抑えることも期待できる。

例えば、樹脂材料（例えば透明樹脂で構成される上部レンズ２１及び／又は下部レンズ２２）には反りが生じやすいが、そのような樹脂材料に反射防止膜１５を取り付けることによって当該樹脂材料の反りを抑制しうる。

また支持体３０をウエハーレベルで形成する場合、支持体３０の幅や高さを高精度に調整することができる。また黒樹脂やメタル膜を利用して支持体３０を構成することにより、光電変換素子１２への迷光の入射を防いで、撮影画像におけるフレアの発生を抑えることができる。また支持本体に対して無機酸化膜、窒化膜或いは金属膜等と組み合わせることで、支持体３０の水分耐性も向上できる。

［変形例］
上述の実施形態では、センサ基板１１とカバー基板１３との間に気体層２０が設けられているが、気体層２０の代わりに、低屈折率材料又は高屈折率材料により構成される光透過層（例えば透明樹脂）が設けられていてもよい。

本明細書で開示されている実施形態及び変形例はすべての点で例示に過ぎず限定的には解釈されないことに留意されるべきである。上述の実施形態及び変形例は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態での省略、置換及び変更が可能である。例えば上述の実施形態及び変形例が全体的に又は部分的に組み合わされてもよく、また上述以外の実施形態が上述の実施形態又は変形例と組み合わされてもよい。また、本明細書に記載された本開示の効果は例示に過ぎず、その他の効果がもたらされてもよい。

上述の技術的思想を具現化する技術的カテゴリーは限定されない。例えば上述の装置を製造する方法或いは使用する方法に含まれる１又は複数の手順（ステップ）をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムによって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。またそのようなコンピュータプログラムが記録されたコンピュータが読み取り可能な非一時的（ｎｏｎ－ｔｒａｎｓｉｔｏｒｙ）な記録媒体によって、上述の技術的思想が具現化されてもよい。

なお、本開示は以下の構成を取ることもできる。
［項目１］
撮影光が入射する光電変換素子を有するセンサ基板と、
前記光電変換素子を覆い、前記撮影光を透過するカバー基板と、
前記撮影光を透過させるα線透過防止膜と、を備える撮像装置。
［項目２］
前記α線透過防止膜は、１μｍ以下の厚みを有する項目１に記載の撮像装置。
［項目３］
前記α線透過防止膜は、０．００１ｃｏｕｎｔ／ｈ以下のα線の透過率を有する項目１又は２に記載の撮像装置。
［項目４］
前記α線透過防止膜は、前記センサ基板と前記カバー基板との間に配置される項目１～３のいずれかに記載の撮像装置。
［項目５］
前記α線透過防止膜は、前記カバー基板に取り付けられている項目１～４のいずれかに記載の撮像装置。
［項目６］
前記カバー基板のうち、前記センサ基板側の面は凹凸形状を有し、
前記α線透過防止膜は、前記カバー基板のうちの前記センサ基板側の面に取り付けられている項目５に記載の撮像装置。
［項目７］
前記α線透過防止膜に取り付けられる反射防止膜を備える項目１～６のいずれかに記載の撮像装置。
［項目８］
前記光電変換素子を覆うオンチップレンズを備え、
前記α線透過防止膜は、前記オンチップレンズと前記センサ基板との間に位置する項目１～７のいずれかに記載の撮像装置。
［項目９］
前記光電変換素子を覆うオンチップレンズを備え、
前記α線透過防止膜は、前記オンチップレンズを介して前記センサ基板とは反対側に位置する項目１～８のいずれかに記載の撮像装置。
［項目１０］
前記センサ基板と前記カバー基板との間に設けられる気体層を備える項目１～９のいずれかに記載の撮像装置。
［項目１１］
前記カバー基板のうち前記センサ基板側の面に取り付けられる下部レンズを備え、
前記下部レンズは、気体層を介して前記センサ基板に対向する項目１～１０のいずれかに記載の撮像装置。
［項目１２］
前記下部レンズの前記センサ基板側の面に取り付けられる反射防止膜を備える項目１１に記載の撮像装置。
［項目１３］
前記カバー基板のうち前記センサ基板とは反対側の面に取り付けられる上部レンズと、
前記上部レンズのうち前記カバー基板とは反対側の面に取り付けられる反射防止膜と、を備える項目１～１２のいずれかに記載の撮像装置。
［項目１４］
前記カバー基板と前記センサ基板との間に位置し、前記カバー基板を前記センサ基板に対して固定する支持体を備え、
前記支持体は、遮光部を含む項目１～１３のいずれかに記載の撮像装置。
［項目１５］
前記カバー基板のうち前記光電変換素子に対向する部分よりの外側の部分に取り付けられる遮光体を備える項目１～１４のいずれかに記載の撮像装置。
［項目１６］
センサ基板と、
カバー基板と、
前記センサ基板と前記カバー基板との間に位置し、気体層を介して前記センサ基板に対向する下部レンズと、を備える撮像装置。
［項目１７］
前記気体層は、２０μｍ以下の厚みを有する項目１６に記載の撮像装置。
［項目１８］
前記下部レンズの前記センサ基板側の面に取り付けられる反射防止膜を備える項目１６又は１７に記載の撮像装置。
［項目１９］
カバー基板及びα線透過防止膜を含む第１積層体を準備する工程と、
センサ基板を含む第２積層体を準備する工程と、
前記α線透過防止膜が前記カバー基板と前記センサ基板との間に位置するように、前記第１積層体及び前記第２積層体を重ねる工程と、を含む撮像装置の製造方法。
［項目２０］
カバー基板を含む第１積層体を準備する工程と、
センサ基板及びα線透過防止膜を含む第２積層体を準備する工程と、
前記α線透過防止膜が前記カバー基板と前記センサ基板との間に位置するように、前記第１積層体及び前記第２積層体を重ねる工程と、を含む撮像装置の製造方法。
［項目２１］
カバー基板及び下部レンズを含む第１積層体を準備する工程と、
センサ基板を含む第２積層体を準備する工程と、
前記下部レンズが前記カバー基板と前記センサ基板との間に位置するように、前記第１積層体及び前記第２積層体を重ねる工程と、を含む撮像装置の製造方法。

１０ 撮像装置、１１ センサ基板、１２ 光電変換素子、１３ カバー基板、１４ α線透過防止膜、１５ 反射防止膜、２０ 気体層、２１ 上部レンズ、２２ 下部レンズ、２３ オンチップレンズ、３０ 支持体、３０ａ 第１支持構造体、３０ｂ 第２支持構造体、３１ 遮光部、３３ 遮光体、４０ ロジック基板、４１ 積層基板、４２ 配線電極、４３ 接続電極、４４ ソルダーレジスト、４５ プリント基板、５１ 有機材料層、５２ カラーフィルター層、５３ 平坦化膜、５４ 遮光膜、５５ 保護膜、Ｄ１ 積層方向、Ｄ２ 層延在方向、Ｆ１ リングフレア、Ｆ２ クロスフレア、Ｌ 撮影光、Ｌ１ 迷光

Claims (20)

1. 撮影光が入射する光電変換素子を有するセンサ基板と、
   前記光電変換素子を覆い、前記撮影光を透過するカバー基板と、
   前記撮影光を透過させるα線透過防止膜と、を備える撮像装置。
2. 前記α線透過防止膜は、１μｍ以下の厚みを有する請求項１に記載の撮像装置。
3. 前記α線透過防止膜は、０．００１ｃｏｕｎｔ／ｈ以下のα線の透過率を有する請求項１に記載の撮像装置。
4. 前記α線透過防止膜は、前記センサ基板と前記カバー基板との間に配置される請求項１に記載の撮像装置。
5. 前記α線透過防止膜は、前記カバー基板に取り付けられている請求項１に記載の撮像装置。
6. 前記カバー基板のうち、前記センサ基板側の面は凹凸形状を有し、
   前記α線透過防止膜は、前記カバー基板のうちの前記センサ基板側の面に取り付けられている請求項５に記載の撮像装置。
7. 前記α線透過防止膜に取り付けられる反射防止膜を備える請求項５に記載の撮像装置。
8. 前記光電変換素子を覆うオンチップレンズを備え、
   前記α線透過防止膜は、前記オンチップレンズと前記センサ基板との間に位置する請求項１に記載の撮像装置。
9. 前記光電変換素子を覆うオンチップレンズを備え、
   前記α線透過防止膜は、前記オンチップレンズを介して前記センサ基板とは反対側に位置する請求項１に記載の撮像装置。
10. 前記センサ基板と前記カバー基板との間に設けられる気体層を備える請求項１に記載の撮像装置。
11. 前記カバー基板のうち前記センサ基板側の面に取り付けられる下部レンズを備え、
    前記下部レンズは、気体層を介して前記センサ基板に対向する請求項１に記載の撮像装置。
12. 前記下部レンズの前記センサ基板側の面に取り付けられる反射防止膜を備える請求項１１に記載の撮像装置。
13. 前記カバー基板のうち前記センサ基板とは反対側の面に取り付けられる上部レンズと、
    前記上部レンズのうち前記カバー基板とは反対側の面に取り付けられる反射防止膜と、を備える請求項１に記載の撮像装置。
14. 前記カバー基板と前記センサ基板との間に位置し、前記カバー基板を前記センサ基板に対して固定する支持体を備え、
    前記支持体は、遮光部を含む請求項１に記載の撮像装置。
15. 前記カバー基板のうち前記光電変換素子に対向する部分よりの外側の部分に取り付けられる遮光体を備える請求項１に記載の撮像装置。
16. センサ基板と、
    カバー基板と、
    前記センサ基板と前記カバー基板との間に位置し、気体層を介して前記センサ基板に対向する下部レンズと、を備える撮像装置。
17. 前記気体層は、２０μｍ以下の厚みを有する請求項１６に記載の撮像装置。
18. 前記下部レンズの前記センサ基板側の面に取り付けられる反射防止膜を備える請求項１６に記載の撮像装置。
19. カバー基板及びα線透過防止膜を含む第１積層体を準備する工程と、
    センサ基板を含む第２積層体を準備する工程と、
    前記α線透過防止膜が前記カバー基板と前記センサ基板との間に位置するように、前記第１積層体及び前記第２積層体を重ねる工程と、を含む撮像装置の製造方法。
20. カバー基板を含む第１積層体を準備する工程と、
    センサ基板及びα線透過防止膜を含む第２積層体を準備する工程と、
    前記α線透過防止膜が前記カバー基板と前記センサ基板との間に位置するように、前記第１積層体及び前記第２積層体を重ねる工程と、を含む撮像装置の製造方法。