TW201607014A - 半導體結構及其製造方法 - Google Patents

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李柏漢
劉滄宇
何彥仕
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Abstract

一種半導體結構包含晶片、透光板、間隔元件與遮光層。晶片具有影像感測器、及相對的第一表面與第二表面。影像感測器位於第一表面上。透光板設置於第一表面上，且透光板覆蓋影像感測器。間隔元件位於透光板與第一表面之間，且間隔元件圍繞影像感測器。遮光層位於間隔元件與影像感測器之間的該第一表面上。

Description

半導體結構及其製造方法
本發明是有關一種半導體結構與一種半導體結構的製造方法。
應用於影像感測裝置的半導體結構在製作時，可將透光的玻璃設置於晶片上，以保護晶片的影像感測器。當光線經玻璃至晶片時，影像感測器便可偵測到半導體結構外的物體影像。
然而，光線在習知半導體結構中會任意產生反射與折射，導致影像感測器會偵測到雜訊光線，而產生鬼影影像。如此一來，在後段製程中，將很難藉由調整參數(例如亮度、對比度)改善影像感測器接收到的影像狀況，使得半導體結構的良率不易控制。
本發明之一技術態樣為一種半導體結構。
根據本發明一實施方式，一種半導體結構包含晶 片、透光板、間隔元件與遮光層。晶片具有影像感測器與表面。影像感測器位於晶片的該表面上。透光板設置於該表面上，且透光板覆蓋影像感測器。間隔元件位於透光板與該表面之間，且間隔元件圍繞影像感測器。遮光層位於間隔元件與影像感測器之間的該表面上。
在本發明一實施方式中，上述遮光層的材質包含黑色光阻。
在本發明一實施方式中，上述遮光層延伸至間隔元件與晶片的表面之間。
在本發明一實施方式中，上述遮光層為抗紅外線層。
在本發明上述實施方式中，由於間隔元件圍繞影像感測器，且遮光層位於間隔元件與影像感測器之間的晶片的表面上，因此當光線經透光板至晶片時，遮光層可吸收雜訊光線，使得雜訊光線可被過濾而避免影像感測器產生鬼影影像。
本發明之另一技術態樣為一種半導體結構。
根據本發明一實施方式，一種半導體結構包含晶片、透光板、間隔元件與反射層。晶片具有影像感測器、相對的第一表面與第二表面。影像感測器位於第一表面上。透光板設置於第一表面上，且透光板覆蓋影像感測器。間隔元件位於透光板與第一表面之間，且間隔元件圍繞影像感測器。反射層位於第二表面上，且影像感測器於第二表面的正投影與反射層重疊。
在本發明一實施方式中，上述反射層的材質包含鋁銅合金。
在本發明一實施方式中，上述半導體結構更包含絕緣層。絕緣層覆蓋反射層與第二表面。
在本發明一實施方式中，上述反射層的面積大於影像感測器的面積。
在本發明一實施方式中，上述反射層為抗紅外線層。
在本發明上述實施方式中，由於反射層位於晶片的第二表面上，且影像感測器於第二表面的正投影與反射層重疊，因此當光線經透光板至晶片時，反射層可全反射雜訊光線，可避免影像感測器產生鬼影影像。
本發明之又一技術態樣為一種半導體結構。
根據本發明一實施方式，一種半導體結構包含晶片、透光板、間隔元件與遮光層。晶片具有影像感測器、相對的第一表面與第二表面。影像感測器位於第一表面上。透光板設置於第一表面上，且透光板覆蓋影像感測器。間隔元件位於透光板與第一表面之間，且間隔元件圍繞影像感測器。遮光層位於第二表面上，且影像感測器於第二表面的正投影與遮光層重疊。
在本發明一實施方式中，上述遮光層的材質包含黑色光阻。
在本發明一實施方式中，上述半導體結構更包含絕緣層。絕緣層位於第二表面與遮光層之間。
在本發明一實施方式中，上述半導體結構更包含絕 緣層。絕緣層覆蓋遮光層與第二表面。
在本發明一實施方式中，上述遮光層的面積大於該影像感測器的面積。
在本發明一實施方式中，上述遮光層為抗紅外線層。
在本發明上述實施方式中，由於遮光層位於晶片的第二表面上，且影像感測器於第二表面的正投影與遮光層重疊，因此當光線經透光板至晶片時，遮光層可吸收雜訊光線，使得雜訊光線可被過濾而避免影像感測器產生鬼影影像。
本發明之一技術態樣為一種半導體結構的製造方法。
根據本發明一實施方式，一種半導體結構的製造方法包含下列步驟：形成遮光層於晶片的表面上，其中晶片具有在該表面上的影像感測器。形成間隔元件於透光板上或晶片的該表面上。接合透光板於晶片的該表面上，使得遮光層位於間隔元件與影像感測器之間的該表面上。
在本發明一實施方式中，上述半導體結構的製造方法更包含形成遮光層於間隔元件與晶片的該表面之間。
本發明之一技術態樣為一種半導體結構的製造方法。
根據本發明一實施方式，一種半導體結構的製造方法包含下列步驟：形成間隔元件於透光板上或晶片的第一 表面上。接合透光板於晶片的第一表面上，使得間隔元件圍繞晶片的影像感測器。形成反射層於晶片相對第一表面的第二表面上，使得影像感測器於第二表面的正投影與反射層重疊。
本發明之一技術態樣為一種半導體結構的製造方法。
根據本發明一實施方式，一種半導體結構的製造方法包含下列步驟：形成間隔元件於透光板上或晶片的第一表面上。接合透光板於晶片的第一表面上，使得間隔元件圍繞晶片的影像感測器。形成遮光層於晶片相對第一表面的第二表面上，使得影像感測器於第二表面的正投影與遮光層重疊。
在本發明一實施方式中，上述半導體結構的製造方法更包含形成絕緣層於第二表面與遮光層之間或覆蓋遮光層與第二表面。
100‧‧‧半導體結構
100a‧‧‧半導體結構
100b‧‧‧半導體結構
100c‧‧‧半導體結構
100d‧‧‧半導體結構
100e‧‧‧半導體結構
100f‧‧‧半導體結構
100g‧‧‧半導體結構
100h‧‧‧半導體結構
111‧‧‧保護層
110‧‧‧晶片
113‧‧‧焊墊
112‧‧‧影像感測器
115‧‧‧通孔
114‧‧‧第一表面
120‧‧‧透光板
116‧‧‧第二表面
140‧‧‧遮光層
130‧‧‧間隔元件
160‧‧‧反射層
150‧‧‧黏膠層
180‧‧‧遮光層
170、170a‧‧‧絕緣層
190a‧‧‧絕緣層
190‧‧‧絕緣層
204‧‧‧重佈線層
206‧‧‧防焊層
208‧‧‧導電結構
第1圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的剖面圖。
第2圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的剖面圖。
第3圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的剖面圖。
第4圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的剖面圖。
第5圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的剖面圖。
第6圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的剖面圖。
第7圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的剖面圖。
第8圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的剖面圖。
第9圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的剖面圖。
第10圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的製造方法的流程圖。
第11圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的製造方法的流程圖。
第12圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的製造方法的流程圖。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上 的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
第1圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構100的剖面圖。如圖所示，半導體結構100包含晶片110、透光板120、間隔元件130與遮光層140。其中，晶片110具有影像感測器112、相對的第一表面114與第二表面116。影像感測器112位於晶片110的第一表面114上。透光板120設置於晶片110的第一表面114上，且透光板120覆蓋影像感測器112。間隔元件130位於透光板120與晶片110的第一表面114之間，且間隔元件130圍繞影像感測器112。遮光層140位於間隔元件130與影像感測器112之間的第一表面114上。此外，晶片110的第一表面114還可具有保護層111與焊墊113。間隔元件130可利用黏膠層150固定於晶片110的第一表面114上。
在本實施方式中，半導體結構100可以為影像感測裝置，例如前照式或背照式的CMOS影像感測裝置。晶片110的材質可以包含矽，例如為矽基板。晶片110可以為晶圓(wafer)尚未切割的一部分，也可以是晶圓切割後的其中一片，並不用以限制本發明。透光板120的材質可以包含玻璃、壓克力或塑膠。黏膠層150的材質可以包含環氧樹脂。遮光層140的材質可以包含黑色光阻，但並不以此為限，其他種類的深色吸光材料亦可作為遮光層140。此外，遮光層140亦可為抗紅外線(Infrared Ray：IR)層。
由於遮光層140位於間隔元件130與影像感測器 112之間的第一表面114上，因此遮光層140也圍繞影像感測器112。這樣的設計，當光線以非垂直透光板120的方向穿過透光板120至晶片110時，遮光層140可吸收雜訊光線，使得雜訊光線可被過濾，避免影像感測器112接收到雜訊光線而產生鬼影影像。在本文中，雜訊光線意指被透光板120與晶片110折射或反射的光線。如此一來，在後段製程中，由於鬼影影像已不會產生，技術人員將可藉由調整參數(例如亮度、對比度)輕易改善影像感測器112接收到的影像狀況，使得半導體結構100的良率得以提升。
應瞭解到，在以上敘述中，已敘述過的元件連接關係與材料將不再重複贅述，合先敘明。在以下敘述中，將說明其他型式的半導體結構及其製造方法。
第2圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構100a的剖面圖。半導體結構100a包含晶片110、透光板120、間隔元件130與遮光層140。與第1圖實施方式不同的地方在於：遮光層140延伸至間隔元件130與晶片110的第一表面114之間。在本實施方式中，當光線以非垂直透光板120的方向穿過透光板120至晶片110時，遮光層140能吸收雜訊光線，使得雜訊光線可被過濾，避免影像感測器112接收到雜訊光線而產生鬼影影像。
第3圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構100b的剖面圖。如圖所示，半導體結構100b包含晶片110、透光板120、間隔元件130與反射層160。其中，晶片110具有影像感測器112、相對的第一表面114與第二表面 116。影像感測器112位於晶片110的第一表面114上。透光板120設置於晶片110的第一表面114上，且透光板120覆蓋影像感測器112。間隔元件130位於透光板120與晶片110的第一表面114之間，且間隔元件130圍繞影像感測器112。反射層160位於晶片110的第二表面116上，且反射層160的材質可以包含鋁銅合金，可用來反射光線。此外，反射層160亦可為抗紅外線層。影像感測器112於第二表面116的正投影與反射層160重疊。在本實施方式中，晶片110還具有貫穿第一表面114與第二表面116的通孔115。
由於反射層160位於晶片110的第二表面116上，且影像感測器112於第二表面116的正投影與反射層160重疊，因此當光線以非垂直透光板120的方向穿過透光板至晶片110時，反射層160可全反射雜訊光線，可避免影像感測器112接收到雜訊光線而產生鬼影影像。如此一來，在後段製程中，由於鬼影影像已不會產生，技術人員將可藉由調整參數(例如亮度、對比度)輕易改善影像感測器112接收到的影像狀況，使得半導體結構100b的良率得以提升。在本實施方式中，反射層160的面積可大於影像感測器112的面積，以具有較佳的反射效果。
第4圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構100c的剖面圖。半導體結構100c包含晶片110、透光板120、間隔元件130與反射層160。與第3圖實施方式不同的地方在於：半導體結構100c還包含絕緣層170。絕緣層170覆蓋反射層160與晶片110的第二表面116。也就是說， 在製作半導體結構100c時，形成反射層160的製程是在形成絕緣層190的製程前。
在本實施方式中，絕緣層170的材質可以包含二氧化矽，可採化學氣相沉積法(CVD)形成。
第5圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構100d的剖面圖。如圖所示，半導體結構100d包含晶片110、透光板120、間隔元件130與遮光層180。晶片110具有影像感測器112、相對的第一表面114與第二表面116。影像感測器112位於晶片110的第一表面114上。透光板120設置於晶片110的第一表面114上，且透光板120覆蓋影像感測器112。間隔元件130位於透光板120與第一表面114之間，且間隔元件130圍繞影像感測器112。遮光層180位於晶片110的第二表面116上，且影像感測器112於第二表面116的正投影與遮光層180重疊。
在本實施方式中，遮光層180的材質可以包含黑色光阻。又或者，遮光層180可以為抗紅外線層。半導體結構100d還包含絕緣層190。絕緣層190覆蓋晶片110的第二表面116，且絕緣層190位於第二表面116與遮光層180之間。也就是說，在製作半導體結構100d時，形成遮光層180的製程是在形成絕緣層190的製程後。
由於遮光層180位於晶片110的第二表面116上，且影像感測器112於第二表面116的正投影與遮光層180重疊，因此當光線以非垂直透光板120的方向穿過透光板120至晶片110時，遮光層180可吸收雜訊光線，使得雜訊 光線可被過濾，避免影像感測器112接收到雜訊光線而產生鬼影影像。如此一來，在後段製程中，由於鬼影影像已不會產生，技術人員將可藉由調整參數(例如亮度、對比度)輕易改善影像感測器112接收到的影像狀況，使得半導體結構100d的良率得以提升。在本實施方式中，遮光層180的面積可大於影像感測器112的面積，以具有較佳的吸光效果。
第6圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構100e的剖面圖。半導體結構100e包含晶片110、透光板120、間隔元件130與遮光層180。與第5圖實施方式不同的地方在於：半導體結構100e還包含絕緣層190a，但不包含絕緣層190(見第5圖)。絕緣層190a覆蓋遮光層180與晶片110的第二表面116。也就是說，在製作半導體結構100e時，形成遮光層180的製程是在形成絕緣層190a的製程前。
在第7圖至第9圖的敘述中，將以第2圖之半導體結構100a為例，說明半導體結構100a經後續製程可形成的結構。
第7圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構100f的剖面圖。晶片110具有裸露焊墊113的通孔115。在本實施方式中，通孔115為缺口型式，使焊墊113的側面裸露。半導體結構100f還包含絕緣層170a、重佈線層204、防焊層206與導電結構208。絕緣層170a位於通孔115的壁面與第二表面116上。重佈線層204位於焊墊113與絕 緣層170a上。重佈線層204電性接觸焊墊113的側面。防焊層206位於重佈線層204與絕緣層170a上。防焊層206可以為綠漆，但並不以此為限。導電結構208位於第二表面116的重佈線層204上，可透過重佈線層204電性連接焊墊113。導電結構208可以為錫球或導電凸塊，並不用以限制本發明。此外，導電結構208在第一表面114的正投影可與影像感測器112至少部分重疊。
第8圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構100g的剖面圖。與第7圖實施方式不同的地方在於，通孔115的壁面大致垂直於焊墊113，且重佈線層204電性接觸焊墊113的底面。
第9圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構100h的剖面圖。與第8圖實施方式不同的地方在於，通孔115的壁面為斜面，且與焊墊113夾鈍角。
應瞭解到，第7圖至第9圖有關通孔115、絕緣層170a、重佈線層204、防焊層206與導電結構208的設計，也可選擇性地應用於第1圖、第3圖至第6圖的半導體結構。
當第7圖至第9圖有關通孔115、絕緣層170a、重佈線層204、防焊層206與導電結構208的設計應用於第1圖時，與第7圖至第9圖的差異在於遮光層140未延伸至間隔元件130與第一表面114之間。
當第7圖至第9圖有關通孔115、絕緣層170a、重佈線層204、防焊層206與導電結構208的設計應用於第4 圖時，與第7圖至第9圖的差異在於絕緣層170覆蓋反射層160與第二表面116。
當第7圖至第9圖有關通孔115、絕緣層170a、重佈線層204、防焊層206與導電結構208的設計應用於第5圖時，與第7圖至第9圖的差異在於絕緣層190位於通孔115的壁面上，且位於第二表面116與遮光層180之間。
當第7圖至第9圖有關通孔115、絕緣層170a、重佈線層204、防焊層206與導電結構208的設計應用於第6圖時，與第7圖至第9圖的差異在於絕緣層190a覆蓋遮光層180與第二表面116。
第10圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的製造方法的流程圖。半導體結構的製造方法包含下列步驟。首先在步驟S1中，形成遮光層於晶片的第一表面上，其中晶片具有在第一表面上的影像感測器。接著在步驟S2中，形成間隔元件於透光板上或晶片的第一表面上。最後在步驟S3中，接合透光板於晶片的第一表面上，使得遮光層位於間隔元件與影像感測器之間的第一表面上。上述步驟的順序並不用以限制本發明。藉由上述步驟，可得到第1圖的半導體結構100。
此外，半導體結構的製造方法還可包含形成遮光層於間隔元件與晶片的第一表面之間，以得到第2圖的半導體結構100a。
晶片可具有焊墊、裸露焊墊的通孔與相對第一表面的第二表面。在一實施方式中，半導體結構的製造方法還 可包含形成絕緣層於通孔的壁面與第二表面上、形成重佈線層於焊墊與絕緣層上、形成防焊層於重佈線層與絕緣層上及形成導電結構於在第二表面的重佈線層上之步驟，使第1圖與第2圖的半導體結構均可具有如第7圖至第9圖有關通孔、絕緣層、重佈線層、防焊層與導電結構的設計。
第11圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的製造方法的流程圖。半導體結構的製造方法包含下列步驟。首先在步驟S1中，形成間隔元件於透光板上或晶片的第一表面上。接著在步驟S2中，接合透光板於晶片的第一表面上，使得間隔元件圍繞晶片的影像感測器。最後在步驟S3中，形成反射層於晶片相對第一表面的第二表面上，使得影像感測器於第二表面的正投影與反射層重疊。上述步驟的順序並不用以限制本發明。藉由上述步驟，可得到第3圖的半導體結構100b。接著，若形成絕緣層覆蓋反射層與第二表面，則可得到第4圖的半導體結構100c。
晶片可具有焊墊與裸露焊墊的通孔。在一實施方式中，半導體結構的製造方法還可包含形成絕緣層於通孔的壁面上且覆蓋反射層與第二表面、形成重佈線層於焊墊與絕緣層上、形成防焊層於重佈線層與絕緣層上及形成導電結構於在該第二表面的該重佈線層上之步驟，使第3圖與第4圖的半導體結構均可具有如第7圖至第9圖有關通孔、絕緣層、重佈線層、防焊層與導電結構的設計。
第12圖繪示根據本發明一實施方式之半導體結構的製造方法的流程圖。半導體結構的製造方法包含下列步 驟。首先在步驟S1中，形成間隔元件於透光板上或晶片的第一表面上。接著在步驟S2中，接合透光板於晶片的第一表面上，使得間隔元件圍繞晶片的影像感測器。最後在步驟S3中，形成遮光層於晶片相對第一表面的第二表面上，使得影像感測器於第二表面的正投影與遮光層重疊。上述步驟的順序並不用以限制本發明。
此外，半導體結構的製造方法還可包含形成絕緣層於第二表面與遮光層之間或覆蓋遮光層與第二表面。當形成絕緣層於第二表面與遮光層之間時，可得到第5圖的半導體結構100d。當形成絕緣層覆蓋遮光層與第二表面時，可得到第6圖的半導體結構100e。
晶片可具有焊墊與裸露焊墊的通孔。在一實施方式中，半導體結構的製造方法包含形成絕緣層於通孔的壁面上及第二表面與遮光層之間、形成重佈線層於焊墊與絕緣層上、形成防焊層於重佈線層與絕緣層上及形成導電結構於在第二表面的重佈線層上之步驟，使第5圖的半導體結構可具有如第7圖至第9圖有關通孔、絕緣層、重佈線層、防焊層與導電結構的設計。
在一實施方式中，半導體結構的製造方法包含形成絕緣層於通孔的壁面上且覆蓋遮光層與第二表面、形成重佈線層於焊墊與絕緣層上、形成防焊層於重佈線層與絕緣層上及形成導電結構於在第二表面的重佈線層上之步驟，使第6圖的半導體結構可具有如第7圖至第9圖有關通孔、絕緣層、重佈線層、防焊層與導電結構的設計。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧半導體結構
110‧‧‧晶片
111‧‧‧保護層
112‧‧‧影像感測器
113‧‧‧焊墊
114‧‧‧第一表面
116‧‧‧第二表面
120‧‧‧透光板
130‧‧‧間隔元件
140‧‧‧遮光層
150‧‧‧黏膠層

Claims (29)

  1. 一種半導體結構，包含：一晶片，具有一影像感測器與一第一表面，該影像感測器位於該第一表面上；一透光板，設置於該第一表面上，且該透光板覆蓋該影像感測器；一間隔元件，位於該透光板與該第一表面之間，且該間隔元件圍繞該影像感測器；以及一遮光層，位於該間隔元件與該影像感測器之間的該第一表面上。
  2. 如請求項1所述之半導體結構，其中該遮光層的材質包含黑色光阻。
  3. 如請求項1所述之半導體結構，其中該遮光層延伸至該間隔元件與該第一表面之間。
  4. 如請求項1所述之半導體結構，其中該遮光層為抗紅外線層。
  5. 如請求項1所述之半導體結構，其中該晶片具有一焊墊、裸露該焊墊的一通孔與相對該第一表面的一第二表面，該半導體結構更包含：一絕緣層，位於該通孔的壁面與該第二表面上； 一重佈線層，位於該焊墊與該絕緣層上；一防焊層，位於該重佈線層與該絕緣層上；以及一導電結構，位於在該第二表面的該重佈線層上。
  6. 如請求項5所述之半導體結構，其中該導電結構在該第一表面的正投影與該影像感測器至少部分重疊。
  7. 一種半導體結構，包含：一晶片，具有一影像感測器、及相對的一第一表面與一第二表面，該影像感測器位於該第一表面上；一透光板，設置於該第一表面上，且該透光板覆蓋該影像感測器；一間隔元件，位於該透光板與該第一表面之間，且該間隔元件圍繞該影像感測器；以及一反射層，位於該第二表面上，且該影像感測器於該第二表面的正投影與該反射層重疊。
  8. 如請求項7所述之半導體結構，其中該反射層的材質包含鋁銅合金。
  9. 如請求項7所述之半導體結構，其中該晶片具有一焊墊與裸露該焊墊的一通孔，該半導體結構更包含：一絕緣層，位於該通孔的壁面上，且覆蓋該反射層與該第二表面； 一重佈線層，位於該焊墊與該絕緣層上；一防焊層，位於該重佈線層與該絕緣層上；以及一導電結構，位於在該第二表面的該重佈線層上。
  10. 如請求項9所述之半導體結構，其中該導電結構在該第一表面的正投影與該影像感測器至少部分重疊。
  11. 如請求項7所述之半導體結構，其中該反射層的面積大於該影像感測器的面積。
  12. 如請求項7所述之半導體結構，其中該反射層為抗紅外線層。
  13. 一種半導體結構，包含：一晶片，具有一影像感測器、及相對的一第一表面與一第二表面，該影像感測器位於該第一表面上；一透光板，設置於該第一表面上，且該透光板覆蓋該影像感測器；一間隔元件，位於該透光板與該第一表面之間，且該間隔元件圍繞該影像感測器；以及一遮光層，位於該第二表面上，且該影像感測器於該第二表面的正投影與該遮光層重疊。
  14. 如請求項13所述之半導體結構，其中該遮光層的 材質包含黑色光阻。
  15. 如請求項13所述之半導體結構，其中該晶片具有一焊墊與裸露該焊墊的一通孔，該半導體結構更包含：一絕緣層，位於該通孔的壁面上，且位於該第二表面與該遮光層之間；一重佈線層，位於該焊墊與該絕緣層上；一防焊層，位於該重佈線層與該絕緣層上；以及一導電結構，位於在該第二表面的該重佈線層上。
  16. 如請求項15所述之半導體結構，其中該導電結構在該第一表面的正投影與該影像感測器至少部分重疊。
  17. 如請求項13所述之半導體結構，其中該晶片具有一焊墊與裸露該焊墊的一通孔，該半導體結構更包含：一絕緣層，位於該通孔的壁面上，且覆蓋該遮光層與該第二表面；一重佈線層，位於該焊墊與該絕緣層上；一防焊層，位於該重佈線層與該絕緣層上；以及一導電結構，位於在該第二表面的該重佈線層上。
  18. 如請求項17所述之半導體結構，其中該導電結構在該第一表面的正投影與該影像感測器至少部分重疊。
  19. 如請求項13所述之半導體結構，其中該遮光層的面積大於該影像感測器的面積。
  20. 如請求項13所述之半導體結構，其中該遮光層為抗紅外線層。
  21. 一種半導體結構的製造方法，包含：形成一遮光層於一晶片的一第一表面上，其中該晶片具有在該第一表面上的一影像感測器；形成一間隔元件於一透光板上或該晶片的該第一表面上；以及接合該透光板於該晶片的該第一表面上，使得該遮光層位於該間隔元件與該影像感測器之間的該第一表面上。
  22. 如請求項21所述之半導體結構的製造方法，更包含；形成該遮光層於該間隔元件與該晶片的該第一表面之間。
  23. 如請求項21所述之半導體結構的製造方法，其中該晶片具有一焊墊、裸露該焊墊的一通孔與相對該第一表面的一第二表面，該製造方法更包含：形成一絕緣層於該通孔的壁面與該第二表面上；形成一重佈線層於該焊墊與該絕緣層上； 形成一防焊層於該重佈線層與該絕緣層上；以及形成一導電結構於在該第二表面的該重佈線層上。
  24. 一種半導體結構的製造方法，包含：形成一間隔元件於一透光板上或一晶片的一第一表面上；接合該透光板於該晶片的該第一表面上，使得該間隔元件圍繞該晶片的一影像感測器；以及形成一反射層於該晶片相對該第一表面的一第二表面上，使得該影像感測器於該第二表面的正投影與該反射層重疊。
  25. 如請求項24所述之半導體結構的製造方法，其中該晶片具有一焊墊與裸露該焊墊的一通孔，該製造方法更包含：形成一絕緣層於該通孔的壁面上且覆蓋該反射層與該第二表面；形成一重佈線層於該焊墊與該絕緣層上；形成一防焊層於該重佈線層與該絕緣層上；以及形成一導電結構於在該第二表面的該重佈線層上。
  26. 一種半導體結構的製造方法，包含：形成一間隔元件於一透光板上或一晶片的一第一表面上； 接合該透光板於該晶片的該第一表面上，使得該間隔元件圍繞該晶片的一影像感測器；以及形成一遮光層於該晶片相對該第一表面的一第二表面上，使得該影像感測器於該第二表面的正投影與該遮光層重疊。
  27. 如請求項26所述之半導體結構的製造方法，更包含；形成一絕緣層於該第二表面與該遮光層之間或覆蓋該遮光層與該第二表面。
  28. 如請求項27所述之半導體結構的製造方法，其中該晶片具有一焊墊與裸露該焊墊的一通孔，該製造方法更包含：形成該絕緣層於該通孔的壁面上及該第二表面與該遮光層之間；形成一重佈線層於該焊墊與該絕緣層上；形成一防焊層於該重佈線層與該絕緣層上；以及形成一導電結構於在該第二表面的該重佈線層上。
  29. 如請求項27所述之半導體結構的製造方法，其中該晶片具有一焊墊與裸露該焊墊的一通孔，該製造方法更包含：形成該絕緣層於該通孔的壁面上且覆蓋該遮光層與該 第二表面；形成一重佈線層於該焊墊與該絕緣層上；形成一防焊層於該重佈線層與該絕緣層上；以及形成一導電結構於在該第二表面的該重佈線層上。
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