JP5288823B2 - 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5288823B2 JP5288823B2 JP2008036582A JP2008036582A JP5288823B2 JP 5288823 B2 JP5288823 B2 JP 5288823B2 JP 2008036582 A JP2008036582 A JP 2008036582A JP 2008036582 A JP2008036582 A JP 2008036582A JP 5288823 B2 JP5288823 B2 JP 5288823B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- insulating film
- layer
- wiring layer
- conversion device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 133
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 189
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 27
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 57
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
a/b>a’/b・・・数式1
となり、画素寸法を縮小化した後における光電変換部504から層内レンズ502を見込む角度βは、画素寸法を縮小化する前における光電変換部504aから層内レンズ502aを見込む角度αより小さくなる。すなわち、画素寸法を縮小化することにより、入射角度が大きな光を層内レンズへ取り込みにくくなる。
a/b=a’/b’・・・数式2
となり、画素寸法を縮小化した後における光電変換部504から層内レンズ502を見込む角度を、画素寸法を縮小化する前における光電変換部504aから層内レンズ502aを見込む角度αに等しくできる。すなわち、画素寸法を縮小化しても、入射角度が大きな光を層内レンズへ取り込みやすく保てる。
100,200 光電変換装置
Claims (12)
- 光電変換部が遮光されていない有効領域と、光電変換部が遮光された遮光領域とを有する光電変換装置であって、
前記有効領域の光電変換部と前記遮光領域の光電変換部とが配された半導体基板と、
前記半導体基板の上に配された多層配線構造と、を備え、
前記多層配線構造は、
前記有効領域における最上配線層であり、アルミニウムを主成分とする第1配線層と、
前記第1配線層を覆うように、前記有効領域および前記遮光領域に配された絶縁膜と、
前記遮光領域の前記絶縁膜の上に配された前記遮光領域における最上配線層であり、アルミニウムを主成分とする第2配線層と、を含み、
前記絶縁膜は、前記有効領域の光電変換部の上方に位置する第1部分と、前記有効領域の前記第1配線層の上方に位置する第2部分と、前記遮光領域に位置する第3部分とを含み、
前記第1部分は、前記半導体基板の表面から離れる方向へ凸形状であり、層内レンズの少なくとも一部として機能し、
前記絶縁膜は、前記第2部分の上面が前記第1部分の上面より前記半導体基板の前記表面に近く、前記第1部分の上面が前記第3部分の上面より前記半導体基板の前記表面に近いことを特徴とする光電変換装置。 - 前記多層配線構造は、
前記第1部分を覆うように前記有効領域の一部に配されているとともに、前記第1配線層を覆うように前記遮光領域に配された保護膜をさらに含み、
前記保護膜は、前記有効領域の光電変換部の上方に位置する部分が前記層内レンズの他の一部として機能する
ことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。 - 前記保護膜は、前記有効領域の光電変換部の上方に位置する部分が前記半導体基板の前記表面から離れる方向へ凸形状であることにより前記層内レンズの他の一部として機能する
ことを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。 - 前記層内レンズの上方に配されたカラーフィルターと、
前記カラーフィルターと前記層内レンズとの間に配された平坦化層と、
をさらに備え、
前記多層配線構造は、前記平坦化層と前記層内レンズとの界面における光の反射を防止するように配された反射防止膜をさらに含む
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記層内レンズは、シリコン窒化物で形成され、
前記反射防止膜は、シリコン酸窒化物で形成された
ことを特徴とする請求項4に記載の光電変換装置。 - 前記反射防止膜は、前記カラーフィルターを透過した光の波長をλ、前記絶縁膜の屈折率をn2、前記平坦化層の屈折率をn3とする場合、膜厚がλ/4√(n2×n3)、かつ、屈折率が√(n2×n3)になるように形成されている
ことを特徴とする請求項4又は5に記載の光電変換装置。 - 前記多層配線構造は、
前記第1配線層の下方に配され、アルミニウムを主成分とする第3配線層と、
前記第3配線層を覆うとともに、前記第1配線層と前記第3配線層とを絶縁するように、前記有効領域および前記遮光領域に配された他の絶縁膜と、
前記絶縁膜と前記他の絶縁膜との界面における光の反射を防止するように配された他の反射防止膜と、
をさらに含む
ことを特徴とする請求項4から6のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記絶縁膜は、シリコン窒化物で形成され、
前記他の反射防止膜は、シリコン酸窒化物で形成され、
前記他の絶縁膜は、シリコン酸化物で形成された
ことを特徴とする請求項7に記載の光電変換装置。 - 前記他の反射防止膜は、前記カラーフィルターを透過した光の波長をλ、前記他の絶縁膜の屈折率をn1、前記絶縁膜の屈折率をn2とする場合、膜厚がλ/4√(n1×n2)、かつ、屈折率が√(n1×n2)になるように形成されている
ことを特徴とする請求項7又は8に記載の光電変換装置。 - 請求項1から9のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の撮像面へ像を形成する光学系と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、
を備えたことを特徴とする撮像システム。 - 有効領域と遮光領域とを有する光電変換装置の製造方法であって、
半導体基板に、前記有効領域の光電変換部と前記遮光領域の光電変換部とを形成する第1の工程と、
前記半導体基板の上に多層配線構造を形成する第2の工程と、を含み、
前記第2の工程は、
第1の金属層を形成する工程と、
フォトリソグラフィー法を用いて前記第1の金属層をパターニングすることにより、前記有効領域における最上配線層とすべき第1配線層を形成する工程と、
前記第1配線層を覆うように、前記有効領域および前記遮光領域に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に第2の金属層を形成する工程と、
フォトリソグラフィー法を用いて前記第2の金属層をパターニングすることにより、前記遮光領域における最上配線層とすべき第2配線層を形成する工程と、
前記第2配線層を形成する工程の後に、前記有効領域における前記絶縁膜の上面をエッチングするエッチング工程と、を含み、
前記エッチング工程では、前記絶縁膜が、前記有効領域の光電変換部の上方に位置し前記半導体基板の表面から離れる方向に凸形状を有することにより前記層内レンズの少なくとも一部として機能する第1部分と、前記有効領域の前記第1配線層の上方に位置する第2部分と、前記遮光領域に位置する第3部分とを含む構造となるように前記絶縁膜の上面をエッチングし、
前記構造において、前記第2部分の上面が前記第1部分の上面より前記半導体基板の前記表面に近く、前記第1部分の上面が前記第3部分の上面より前記半導体基板の前記表面に近い
ことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記第2の工程は、
前記エッチング工程の前に、前記第1配線層及び前記絶縁膜を覆うように、前記有効領域および前記遮光領域に保護膜を形成する工程をさらに含み、
前記エッチング工程では、
フォトリソグラフィー法を用いて、前記第2配線層の一部を露出させるための開口を形成するように、前記遮光領域における前記保護膜をエッチングするとともに、前記第1部分が前記層内レンズとして機能するように、前記有効領域における前記保護膜および前記絶縁膜の上面をエッチングする
ことを特徴とする請求項11に記載の光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008036582A JP5288823B2 (ja) | 2008-02-18 | 2008-02-18 | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
US12/370,958 US7732884B2 (en) | 2008-02-18 | 2009-02-13 | Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same |
US12/767,885 US8390088B2 (en) | 2008-02-18 | 2010-04-27 | Photoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008036582A JP5288823B2 (ja) | 2008-02-18 | 2008-02-18 | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009194340A JP2009194340A (ja) | 2009-08-27 |
JP2009194340A5 JP2009194340A5 (ja) | 2011-04-07 |
JP5288823B2 true JP5288823B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=40954318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008036582A Expired - Fee Related JP5288823B2 (ja) | 2008-02-18 | 2008-02-18 | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7732884B2 (ja) |
JP (1) | JP5288823B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101545638B1 (ko) * | 2008-12-17 | 2015-08-19 | 삼성전자 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법, 이미지 센서를 포함하는 장치 및 그 제조 방법 |
JP5356872B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2013-12-04 | パナソニック株式会社 | 個体撮像装置の製造方法 |
JP2010238848A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Sony Corp | 固体撮像装置および電子機器 |
JP2010245366A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Fujifilm Corp | 電子素子及びその製造方法、並びに表示装置 |
US8344471B2 (en) * | 2009-07-29 | 2013-01-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | CMOS image sensor big via bonding pad application for AICu process |
JP5563257B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-07-30 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法 |
JP5525878B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2014-06-18 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換膜積層型固体撮像素子及び撮像装置 |
JP5610961B2 (ja) | 2010-09-30 | 2014-10-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
JP5737971B2 (ja) * | 2011-01-28 | 2015-06-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP6039530B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2016-12-07 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびこれを用いた撮像システム |
JP5783741B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2015-09-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法 |
JP5372102B2 (ja) | 2011-02-09 | 2013-12-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
US9224773B2 (en) | 2011-11-30 | 2015-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Metal shielding layer in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same |
JP5893550B2 (ja) | 2012-04-12 | 2016-03-23 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP6053382B2 (ja) * | 2012-08-07 | 2016-12-27 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の製造方法。 |
CN108155198B (zh) * | 2017-12-22 | 2021-04-02 | 成都先锋材料有限公司 | 一种cmos影像传感封装结构及其制作方法 |
CN107946335B (zh) * | 2017-12-22 | 2020-10-27 | 成都先锋材料有限公司 | 一种cmos影像传感封装结构及其制作方法 |
KR102564457B1 (ko) * | 2018-04-02 | 2023-08-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
JP2021019058A (ja) | 2019-07-18 | 2021-02-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および機器 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5980964A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Toshiba Corp | 光電変換素子 |
US4731665A (en) * | 1984-12-28 | 1988-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus with read-out of selected combinations of lines |
DE3856165T2 (de) * | 1987-01-29 | 1998-08-27 | Canon Kk | Photovoltaischer Wandler |
US4959723A (en) * | 1987-11-06 | 1990-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus having multi-phase scanning pulse to read out accumulated signal |
JPH0620290B2 (ja) * | 1987-11-30 | 1994-03-16 | 富士写真フイルム株式会社 | スチル・ビデオ信号再生装置 |
US5146339A (en) * | 1989-11-21 | 1992-09-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus employing Darlington transistor readout |
CA2056087C (en) * | 1990-11-27 | 1998-01-27 | Masakazu Morishita | Photoelectric converting device and information processing apparatus employing the same |
JP3620237B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2005-02-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
JP2001042042A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Canon Inc | 撮像装置 |
JP2001077339A (ja) | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2001298175A (ja) | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Toshiba Corp | 撮像システム |
JP2002176156A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
JP4652634B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2011-03-16 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP2003204050A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
DE10245393A1 (de) * | 2002-09-28 | 2004-04-08 | Wickmann-Werke Gmbh | Mittels Lichtbogen selbst-konfigurierendes Bauelement |
JP4383959B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2009-12-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
JP2005033074A (ja) | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP4871499B2 (ja) | 2004-09-03 | 2012-02-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び該固体撮像装置を用いた撮像システム |
JP2006073886A (ja) | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Canon Inc | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US7453109B2 (en) * | 2004-09-03 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensor and imaging system |
JP4878117B2 (ja) | 2004-11-29 | 2012-02-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP2006147661A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受光装置とその製造方法およびカメラ |
US7592645B2 (en) * | 2004-12-08 | 2009-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and method for producing photoelectric conversion device |
JP4549195B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2010-09-22 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP4618786B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2011-01-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
KR100807214B1 (ko) | 2005-02-14 | 2008-03-03 | 삼성전자주식회사 | 향상된 감도를 갖는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
JP4761505B2 (ja) | 2005-03-01 | 2011-08-31 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、ならびに撮像システム |
JP4944399B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2012-05-30 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US7884434B2 (en) * | 2005-12-19 | 2011-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus, producing method therefor, image pickup module and image pickup system |
JP2007287818A (ja) | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP2007294667A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 |
US7544982B2 (en) | 2006-10-03 | 2009-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Image sensor device suitable for use with logic-embedded CIS chips and methods for making the same |
JP5159120B2 (ja) | 2007-02-23 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびその製造方法 |
JP5188080B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2013-04-24 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像装置の駆動方法、及び読み出し装置 |
JP5063234B2 (ja) * | 2007-07-20 | 2012-10-31 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、及び、撮像装置の動作方法 |
-
2008
- 2008-02-18 JP JP2008036582A patent/JP5288823B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-13 US US12/370,958 patent/US7732884B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-04-27 US US12/767,885 patent/US8390088B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100207014A1 (en) | 2010-08-19 |
US7732884B2 (en) | 2010-06-08 |
JP2009194340A (ja) | 2009-08-27 |
US20090206434A1 (en) | 2009-08-20 |
US8390088B2 (en) | 2013-03-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5288823B2 (ja) | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 | |
JP5736755B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
JP6060851B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP4944399B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US8803067B2 (en) | Multi-wiring layer solid-state imaging device with increased sensitivity, electronic apparatus, and method for manufacturing same | |
US20180047778A1 (en) | Photoelectric conversion device and method for producing photoelectric conversion device | |
JP4383959B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
JP5446485B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置 | |
JP2009194340A5 (ja) | ||
JP2009252983A (ja) | 撮像センサー、及び撮像センサーの製造方法 | |
US20150244958A1 (en) | Solid-state imaging device | |
JP2008091643A (ja) | 固体撮像装置 | |
US20190157332A1 (en) | Back-side Illumination CMOS Image Sensor and Forming Method Thereof | |
JP2006120845A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
JP2013214616A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 | |
JP2006191000A (ja) | 光電変換装置 | |
KR20080112714A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
JP2006121065A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2012186396A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2010062417A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2013084763A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器 | |
JP5224685B2 (ja) | 光電変換装置、その製造方法、撮像モジュール及び撮像システム | |
TW201507119A (zh) | 固態影像感測裝置及固態影像感測裝置之製造方法 | |
JP2009146957A (ja) | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 | |
JP2006203449A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110218 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110218 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130604 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |