JP2001042042A - 撮像装置 - Google Patents

撮像装置

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JP2001042042A
JP2001042042A JP11212285A JP21228599A JP2001042042A JP 2001042042 A JP2001042042 A JP 2001042042A JP 11212285 A JP11212285 A JP 11212285A JP 21228599 A JP21228599 A JP 21228599A JP 2001042042 A JP2001042042 A JP 2001042042A
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imaging
image
image pickup
sensor
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Seiji Hashimoto
誠二 橋本
Toshiro Endo
敏朗 遠藤
Osamu Yuki
修 結城
Hidetoshi Hayashi
英俊 林
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 オプチカルブラックのＸ線ノイズを低減する
ことにより、主にＸ線像の画像読み取りにおける画質を
改善することにある。 【解決手段】 被写体を通過したＸ線像を可視光に変換
し、その可視像を光電変換する撮像センサーを備えた撮
像装置において、前記Ｘ線の通過を阻止する部材を前記
撮像センサーの一部に設けたことを特徴とする。また、
上記撮像装置において、前記撮像センサーの一部は、撮
像センサーの行走査方向のクランプ検出用撮像素子をカ
バーし且つ前記撮像センサーの読み取り用走査回路、読
み取り画像信号を増幅する増幅器であることを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画像を撮影する撮
像装置に関し、主にレントゲン写真等のＸ線像を撮影す
る撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、画像読み取り系としては、１次元
のラインセンサーや２次元のエリアセンサーとして、Ｃ
ＣＤを用いた縮小光学型ＣＣＤセンサーや、画素の光電
変換素子に蓄積された電荷を増幅するアンプを有するＣ
ＭＯＳセンサー、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）を
用いた等倍型ＣＩＳセンサー等が用いられている。
【０００３】このような各種の画像センサーには、レン
トゲン写真によく使用されている撮像装置として、光を
透光するファイバを並列に２次元状に敷き詰めて透過し
てきたＸ線を透光して光電変換装置によって画像信号を
得る等倍型撮像装置がある。
【０００４】この撮像装置は、ファイバ・オプティク・
プレート上にＸ線シンチレータを形成し、それを撮像セ
ンサ上に貼合わせたＸ線イメージセンサといわれる。例
えば浜松ホトニクス株式会社が発行した「FIBER OPTIC
PLATE WITH X-RAY SCINTILLATOR」資料にはＣＣＤセン
サを利用したＸ線デバイスが紹介されている。
【０００５】このＸ線デバイスでは、被写体を透過した
Ｘ線はＸ線像を可視光像に変換するＸ線シンチレータ
で、Ｘ線量に応じた可視光に変換される。Ｘ線シンチレ
ータではその構成材料により、入射したＸ線の約３０％
〜７０％が吸収され、一部は可視光に変換されず、その
まま透過し、センサへ入射する。センサへ入射したＸ線
はセンサ基板をつき抜けたり、あるいは基板電位に吸収
されたりするが、一部は光電変換され、出力画像上では
輝点として観察される。この輝点を減らすためにＸ線シ
ールド・ファイバ・オプティクス・プレートで、透過す
るＸ線を９０％以上吸収するものもある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、透過Ｘ線を完
全になくすことが出来ず、ある頻度で発生するＸ線ノイ
ズにより、画像の黒レベルが変化する問題があった。図
８にその説明図を示す。
【０００７】撮像信号はオプチカルブラックのダーク信
号と、被写体信号とからなる。オプチカルブラックはセ
ンサ上で可視光を遮光するためＡｌ膜等で被われてい
る。Ｘ線はＡｌ膜を透過するため、Ｘ線が侵入したオプ
チカルブラックの画素では、その信号レベルがダークレ
ベルにはならず、図示の様にある信号振幅を有するノイ
ズとなって発生する。撮像装置では一般的にオプチカル
ブラックをクランプして映像信号の黒基準を設定する
が、上記ノイズにより黒基準が明るい方向にクランプさ
れてしまう。従って、画面上では、オプチカルブラック
にＸ線が侵入した画素行は水平ラインの筋状のノイズと
なって画質を著しく悪化させていた。
【０００８】また、撮像素子の周辺には周辺回路（駆動
用、増幅用、メモリなど）があるが、この様な周辺回路
にＸ線が侵入すると誤動作を生ずる。例えば駆動用回路
ではリセット回路にノイズが発生し、走査が一時的に停
止したり、また、シフトパルスがずれたりする。他の周
辺回路では主にノイズとなる場合が多い。
【０００９】本発明の課題は、オプチカルブラックのＸ
線ノイズを低減することにより、主にＸ線像の画像読み
取りにおける画質を改善することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】撮像素子のオプチカルブ
ラック用画素や周辺回路上にＸ線の通過を阻止する部材
を設ける。
【００１１】本発明は、被写体を通過したＸ線像を可視
光に変換し、その可視像を光電変換する撮像センサーを
備えた撮像装置において、前記Ｘ線の通過を阻止する部
材を前記撮像センサーの一部に設けたことを特徴とす
る。
【００１２】また、上記撮像装置において、前記撮像セ
ンサーの一部は、撮像センサーの行走査方向のクランプ
検出用撮像素子をカバーし且つ前記撮像センサーの読み
取り用走査回路、読み取り画像信号を増幅する増幅器で
あることを特徴とする。
【００１３】また、上記撮像装置において、前記撮像セ
ンサーを少なくとも４枚基板上に貼り合わせたことを特
徴とする。
【００１４】また、本発明は、被写体を通過したＸ線を
可視光に変換し、その可視像を光電変換する撮像センサ
ーを備えた撮像装置において、前記撮像センサーの撮像
領域のクランプレベルを検出する光電変換素子と前記撮
像センサー用周辺回路とに前記Ｘ線の通過を阻止する部
材を設けたことを特徴とする。
【００１５】また、本発明は、被写体からの信号を電気
信号に変換する撮像領域と、前記撮像領域の一部に設け
た可視光を遮光する部材を通過する性質を有する電磁波
の通過を阻止する部材と、を有することを特徴とする。
【００１６】また、本発明は、被写体からの信号を電気
信号に変換する撮像領域と、前記撮像領域の一部に設け
た可視光を遮光する第１の部材と、前記撮像領域の一部
に設けた前記第１の部材を通過する性質を有する電磁波
の通過を阻止する第２の部材と、を有することを特徴と
する。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明による実施形態について、
図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１８】図１に撮像センサーを４枚貼り合わせた撮
像装置の概略構成図を示す。図において、１１と２２、
１２と２１はそれぞれ同一形態の撮像センサーであり、
１枚の同一基板上に撮像センサー１１と２２及び撮像セ
ンサー１２と２１が対角をなすように平面的に貼り合わ
せられる。この４枚の撮像センサー１１，１２，２１，
２２はそれぞれ、列走査回路（ＨＳＲ）１と、行走査回
路（ＶＳＲ）２と、メモリ回路３と、出力アンプ４とを
備え、２次元状に高密度に配置された光電変換素子を有
する撮像領域Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２を有している。
【００１９】ここで、撮像センサー１１を代表して、撮
像センサーの構成を説明する。撮像センサー１１の撮像
領域Ａ１は、光電変換素子の画素が水平及び垂直方向に
複数配置されることで構成される。画素間のピッチは適
用分野によって異なるが、Ｘ線による人間の胸部撮像装
置に応用する場合は、撮像領域Ａ１は約１５ｃｍ角程度
で、解像度は５０μｍ〜１００μｍが求められ、本実施
形態では画素間のピッチが５０μｍピッチの場合につい
て説明する。なお、縮小型ＣＣＤセンサーやＣＭＯＳセ
ンサー等は画素間のピッチが５〜５０μｍピッチのもの
が開発されており、５０μｍピッチの撮像領域を有する
撮像装置の生産は容易であり、大型化することのほうが
困難性が高いほどである。本実施形態では、撮像領域Ａ
１が大きいので、１対１光学系の半導体装置ＭＰＡ（Mi
rror Projection Aligner）を使っても問題はない。約
１５ｃｍ角程度の撮像領域Ａ１の撮像センサーは、８イ
ンチウェハーのシリコンチップで製造され、更にね約２
０ｃｍ角程度でも１２インチウェハーで製造可能であ
る。撮像センサーの画素数は撮像領域１５ｃｍ角、画素
ピッチ７５μｍとすると、２０００×２０００＝４００
万画素となる。
【００２０】撮像領域Ａ１の一辺には、行走査回路（Ｖ
ＳＨ）２が設けられ、この行走査回路２により垂直方向
の画素行の選択を行い、撮像領域Ａ１の他辺には行走査
回路２で駆動された画素行の画素電荷信号を一時的に保
持するメモリ回路３と、画素の電荷を増幅する読出増幅
トランジスタを能動状態に制御する不図示のトランジス
タ回路と、垂直信号線の残留信号をリセットする不図示
のリセット回路と、メモリ回路からの画素信号の読出し
を制御する列走査回路（ＨＳＲ）１と、メモリ回路３の
出力を増幅してインピーダンス変換されて外部に出力す
る出力アンプ４とが設けられている。この撮像センサー
は画素部分がフォトダイオードとＣＭＯＳアンプ、メモ
リ回路は容量とＭＯＳスイッチ、走査回路はＣＭＯＳト
ランジスタ、出力アンプもＣＭＯＳとランジスタから構
成され、全体的にＣＭＯＳプロセスにより形成される。
【００２１】また、撮像領域Ａ１が走査回路２とメモリ
回路３と接する領域の所定の画素（例えば、数十画素）
は、黒信号クランプのためのＡｌ膜等の遮光手段が施さ
れている。また、Ｘ線遮蔽部材１０はその遮光手段領域
の内側に施されている。
【００２２】図１によれば、上述の撮像センサー１１と
対称した位置に同一構成の撮像センサー２２と、これら
に相互に隣接する撮像センサー１２と撮像センサー２１
とが貼り合わせられて配置される。この貼り合わせられ
た４枚のつなぎ部分は、静止画にしろ動画にしろ被写体
を撮影する場合に重要である。走査方法としては、図１
上、水平方向を左から右に、垂直方向は上から下に走査
するとして、４枚の画面のつなぎ部（撮像領域Ａ１とＢ
１の接続部など）で画像の連続性がなくなるので、フレ
ーム周波数を６０Ｈｚから６００Ｈｚとすることで、視
覚的につなぎ部を視覚できなくできるが、例えば４枚×
４００万画素＝１６００万画素とすると、３０フレーム
／秒で読み取るとして、その周波数は１６００万×３０
＝４８０ＭＨｚとなり、単純な走査技術では困難なの
で、本実施形態では４枚の撮像センサーをパラレルに駆
動して周波数を１／４とし、１枚の撮像センサーを８線
出力として周波数を１／８とし、駆動周波数を４８０Ｍ
Ｈｚ／３２＝１５ＭＨｚに低下させて、４枚のつなぎ部
の問題をクリアしている。
【００２３】また、この際の行走査方向は、撮像領域Ａ
１とＢ１は行走査回路２のＶ１からＶｎに、撮像領域Ｂ
２とＡ２は行走査回路２のＶｎからＶ１に並列的に行走
査させ、列走査方向は、撮像領域Ａ１とＢ２は列走査回
路１のＨ１からＨｎに、撮像領域Ｂ１とＡ２は列走査回
路１のＨｎからＨ１に走査されて読み出される。そこ
で、Ｘ線遮蔽領域は、主にクランプ回路の基準電位を決
定するブラック領域へのＸ線の入射を防止するために、
撮像領域Ａ１とＢ２Ｋ列走査回路１のＨ１からＨ４領域
に相当する部分に、鉛を主としたＸ線遮蔽部材を設けて
おく。
【００２４】つぎに、図２に本撮像装置の概略断面図を
示す。上記４枚張り合わせのＸ線撮像装置では、撮像セ
ンサの内部にはオプチカルブラックがない、即ち可視光
像撮像用の画素がある。この様な撮像センサのオプチカ
ルブラック用画素と周辺回路上にはＸ線遮蔽材である鉛
板を設けている。
【００２５】図２において、図１に示す撮像センサー３
０と、撮像センサー３０に蛍光を導光するある程度のＸ
線量を減衰する導光材３２と、Ｘ線により蛍光を発する
可視光変換部材３１と、Ｘ線を遮蔽するＸ線遮蔽部材３
３と、撮像センサー３０を固定する実装基板３５と、撮
像センサー３０の周辺に実装基板３５上に配置されたド
ライバ３４とから構成されている。
【００２６】この構成により、図上から人体の一部を透
過してきたＸ線を受光して発光する蛍光体を塗布された
可視光変換部材３１によりＸ線量の大きい部分は明るく
発光し、その蛍光をＸ線を減殺する鉛を混入された光フ
ァイバー等の導光材３２で導光する。導光された蛍光は
実装基板３５上に４枚の撮像センサ３０が貼合わされて
実倍の画像を読み取り、画像信号を出力し、その周辺の
ドライバ３４や撮像信号用のＡ／Ｄ変換器等の周辺回路
で、信号処理がなされて、例えば表示装置に表示した
り、印画紙に焼き込んでレントゲン写真として出力した
りする。
【００２７】撮像センサ３０上には可視光変換部材（蛍
光体：Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓ（Ｔｂ）やＣｓＩ（ＴＩ））３１を
直接あるいはファイバオプティクスプレートと一体化し
たものが設けられ、その周囲上にＸ線遮蔽部材が取付け
られていて、特にクランプ用のブラック量を検出する光
電変換素子へのＸ線の侵入を阻止している。
【００２８】つぎに、図３に本発明の出力信号波形図を
示す。黒信号をクランプする位置にはＸ線遮蔽部材１０
により、Ｘ線の侵入が阻止され、Ｘ線ノイズが発生しな
い。従って、クランプは正常に働き、ラインノイズは発
生しない。また周辺回路もＸ線を阻止しているため、誤
動作やノイズも発生しない。
【００２９】また、図４に周辺回路の一実施形態を示
す。図示上、左のメモリとしての容量４１の４画素分は
読み出しスイッチ４３を介して転送された画素電荷を蓄
える。これは、オプチカル信号用である。Ａｌ膜による
オプチカルブラックはＸ線遮蔽部材の位置ずれを補償す
るために、数十画素分設けている。本実施形態ではＸ線
遮蔽された画素の中で、４画素分を平均化して、出力信
号線へ転送するようにしている。この平均化には、オプ
チカルブラック・パルスφＯＢの供給により、Ｘ線遮蔽
部材の各容量４１の電荷をスイッチＭＯＳ４２をショー
トすることにより得られる。その結果を水平シフトレジ
スタＨＳＲのレジスタ値によって、アンプ４６で増幅さ
れて出力される。また、各画素を読み出した後に、スイ
ッチ４５をオンしてリセットする。こうすることでＡ／
Ｄ変換後、本オプチカルブラック（ＯＢ）信号をデジタ
ル的にクランプし、クランプ精度を向上させることが出
来る。
【００３０】また、図５に図４の出力信号波形例を示
す。図において、４画素平均のＯＢ信号があり、ダミー
画素に続いて被写体信号が出力される。この４画素平均
のＯＢ信号をクランプレベルとして、撮像センサーの画
像出力信号をこのクランプレベル以上の成分だけを出力
するクランプ回路を介して、ノイズ成分を削除し、Ｓ／
Ｎに優れた画像信号を得ることとし、特に透過量を削減
することの困難なＸ線を遮蔽する領域をこのＯＢ信号用
の画素領域とすることで、従来のＸ線によりＯＢ信号に
悪影響を及ぼしていたことを削除した。
【００３１】上述したＸ線遮蔽材料には、現在のとこ
ろ、鉛（Ｐｂ）が該当し、光電変換装置の前面のグラス
ファイバーにある程度のＸ線を減衰する性能を持たせる
ことができるが、それと蛍光光量を減衰することも同時
に生成するので、結果的にＯＢ領域にＸ線を遮蔽する部
材を設けることが最善である。また、Ｘ線遮蔽部材或い
はＸ線阻止部材を撮像センサーの周辺回路にもカバーす
ることで、半導体装置のＸ線からの影響も、例えば高密
度に集積されたＤＲＡＭ等への悪影響を削減できる。
【００３２】次に、本発明の撮像装置を用いた応用例を
図６に示して説明する。図６は撮像装置の全体構成の一
実施形態の構成を示す図である。
【００３３】図６において、被写体（例えば人間の胸
部）１０１は光源（Ｘ線）１００からの放射線により撮
像される。センサーユニット１０２は図２の撮像センサ
ーと放射線を可視光に変換する蛍光体とＸ線遮蔽部材及
び周辺駆動回路から構成されている。
【００３４】センサーユニット１０２からの、４×８系
統の信号（４つの撮像センサーから８出力線により出力
される信号）はＡ／Ｄ変換器１０３でアナログからデジ
タル信号に変換される。センサー駆動部１０９はセンサ
ーユニット１０２に隣接して実装されている。
【００３５】Ａ／Ｄ変換された信号は画像処理回路１０
５とメモリ１０４により４枚の画像信号の合成や、画素
欠陥ノイズの補正等が行なわれる。その処理信号は記録
部１０７にメモリしたり、あるいは表示部（モニタ）１
０６に表示されたり、必要に応じてプリントされる。こ
れらの回路や各装置はコントローラ１０８で全体制御が
なされる。
【００３６】また、図７は本発明による撮像装置を用い
た画像処理システム（Ｘ線診断システム）のさらに具体
的な例を示す模式図である。
【００３７】Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０
６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透
過し、シンチレーターを上部に実装した本発明に係わる
撮像装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患
者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線６０６
０の入射に対応してシンチレーターは発光し、これを光
電変換して、電気的情報を得る。この情報はディジタル
に変換されイメージプロセッサ６０７０により画像処理
され制御室のディスプレイ６０８０で観察できる。
【００３８】また、この情報は電話回線６０９０等の伝
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。特に、クランプレベルを的確に検出して、撮像セン
サーから読み出されたノイズ成分をクランプすることに
より、ダイナミックレンジの大きい、Ｓ／Ｎに優れ、コ
ントラストの高い画像信号を得ることにより、レントゲ
ン画像によって診断の正確性を得ることができる。
【００３９】上記実施形態では、主に４枚構成の撮像セ
ンサーを張り合わせて、実写によるＸ線用撮像装置につ
いて説明したが、１枚構成の撮像センサーであってもよ
く、その際にも列走査回路の４つの光電変換素子をクラ
ンプレベルの検出に用いる場合には、Ｘ線遮蔽領域とし
てクランプレベルの検出用光電変換素子を含んで鉛等の
遮蔽材で覆う構成とすることで、上述と同様な効果を奏
し得る。また、１枚の撮像センサーからなるＸ線用撮像
装置の場合には、上述の４枚の撮像センサーを用いる場
合よりも構成が簡単となり、行列の走査回路や信号処理
回路等が簡単となり、その簡単な分もＸ線の侵入による
悪影響を防止できる。
【００４０】以上の実施形態では、Ｘ線像を撮像する撮
像装置について説明したが、Ｘ線の波長以外の電磁波を
受信する撮像装置の場合でも、同様にその電磁波の通過
を阻止する性質を有した部材を設けることにより、安定
した高画質を得ることが可能である。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、撮像センサの周辺回路
上にＸ線阻止部材を設けることにより、クランプノイズ
や画像の不安定さがなく、安定した高画質のＸ線撮像が
可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の４枚撮像装置の外観構成図
である。
【図２】本発明の実施形態による撮像装置の断面図であ
る。
【図３】本発明の実施形態による撮像装置の検出波形図
である。
【図４】本発明の実施形態による撮像装置の一部の具体
的回路図である。
【図５】本発明の実施形態による撮像装置の検出波形図
である。
【図６】本発明の実施形態による撮像装置を用いた応用
的なブロック図である。
【図７】本発明の実施形態による撮像装置を用いた応用
的な概念図である。
【図８】従来例による撮像装置の検出波形図である。
【符号の説明】
１ 列走査回路（ＨＳＲ） ２ 行走査回路（ＶＳＲ） ３ メモリ回路 ４ 出力アンプ １０ Ｘ線遮蔽部材 １１，１２，２１，２２ 撮像センサー ３０ 撮像センサー ３１ 可視光変換部材（シンチレータ） ３２ 導光材 ３３ Ｘ線遮蔽部材 ３４ ドライバ・Ａ／Ｄ変換器 ３５ 実装基板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年９月１４日（２０００．９．１
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 被写体を通過したＸ線像を可視光に変換
し、その可視像を光電変換する撮像センサーを備えた撮
像装置において、 前記Ｘ線の通過を阻止する部材を前記撮像装置の一部に
設けたことを特徴とする撮像装置。
【請求項７】 被写体からの信号を電気信号に変換する
撮像領域を備えた撮像装置において、 前記撮像装置の一部に、可視光を遮光する部材を通過す
る性質を有する電磁波の通過を阻止する部材を設けたこ
とを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】本発明は、被写体を通過したＸ線像を可視
光に変換し、その可視像を光電変換する撮像センサーを
備えた撮像装置において、前記Ｘ線の通過を阻止する部
材を前記撮像装置の一部に設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】また、本発明は、被写体からの信号を電気
信号に変換する撮像領域を備えた撮像装置において、前
記撮像装置の一部に、可視光を遮光する部材を通過する
性質を有する電磁波の通過を阻止する部材を設けたこと
を特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 結城 修 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 林 英俊 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 2G088 EE29 FF02 GG20 JJ05 JJ29 LL11

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被写体を通過したＸ線像を可視光に変換
    し、その可視像を光電変換する撮像センサーを備えた撮
    像装置において、 前記Ｘ線の通過を阻止する部材を前記撮像センサーの一
    部に設けたことを特徴とする撮像装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の撮像装置において、前
    記撮像センサーの一部は、前記撮像センサーの行走査方
    向のクランプ検出用撮像素子をカバーし且つ前記撮像セ
    ンサーの読み取り用走査回路、読み取り画像信号を増幅
    する増幅器であることを特徴とする撮像装置。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載の撮像装置において、黒
    検出用画素の一部を平均化して出力することを特徴とす
    る撮像装置。
  4. 【請求項４】 請求項２に記載の撮像装置において、黒
    検出信号の少なくとも一部を黒基準信号とすることを特
    徴とする撮像装置。
  5. 【請求項５】 請求項１又は２に記載の撮像装置におい
    て、前記撮像センサーを少なくとも４枚基板上に貼り合
    わせたことを特徴とする撮像装置。
  6. 【請求項６】 被写体を通過したＸ線を可視光に変換
    し、その可視光を光電変換する撮像センサーを備えた撮
    像装置において、 前記撮像センサーの撮像領域のクランプレベルを検出す
    る光電変換素子と前記撮像センサーの周辺回路とに物理
    的に前記Ｘ線の通過を阻止する部材を設けたことを特徴
    とする撮像装置。
  7. 【請求項７】 被写体からの信号を電気信号に変換する
    撮像領域と、 前記撮像領域の一部に設けた可視光を遮光する部材を通
    過する性質を有する電磁波の通過を阻止する部材と、を
    有することを特徴とする撮像装置。
  8. 【請求項８】 被写体からの信号を電気信号に変換する
    撮像領域と、 前記撮像領域の一部に設けた可視光を遮光する第１の部
    材と、 前記撮像領域の一部に設けた前記第１の部材を通過する
    性質を有する電磁波の通過を阻止する第２の部材と、 を有することを特徴とする撮像装置。
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