JPH04206573A - 放射線撮像装置 - Google Patents
放射線撮像装置Info
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- JPH04206573A JPH04206573A JP2329201A JP32920190A JPH04206573A JP H04206573 A JPH04206573 A JP H04206573A JP 2329201 A JP2329201 A JP 2329201A JP 32920190 A JP32920190 A JP 32920190A JP H04206573 A JPH04206573 A JP H04206573A
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
放射線撮像装置に係り、特に医療用Ｘ線診断装置に好適
な大面積２次元放射線撮像装置に係る。
な大面積２次元放射線撮像装置に係る。
【従来の技術］
薄膜フォトダイオードや薄膜トランジスタの技術進歩に
伴い、Ｗｌ膜撮像素子アレイが実用化されている。従来
主に開発された薄膜撮像素子アレイはファックス用ライ
ンセンサであり、その使用状況は光強度の強い場合に、
２値画像を得ることにあった。また近年薄膜アクティブ
マトリクスを用いた２次元撮像素子が検討されるように
なってきた。その部分断面図を第２図に示した。この撮
像素子の動作方法を述べる。放射線、または可視光がフ
ォトダイオードに到達する。フォトダイオード内部に侵
入した光は光電変換され、生成された電荷は透明電極と
画素電極に蓄えられる。その後。 薄膜トランジスタのゲート電極に印加される信号読みだ
し信号により画素電極に蓄積された電荷は絵素電極から
読みだし電極へ移動し検出回路に導かれる。 このような撮像素子の各絵素からの光の読みだし方法は
原理的に結晶ＳｉによるＭＯＳ撮像素子のそれと同じで
良い。ＭＯＳ撮像素子の場合の信号読みだし回路と動作
シーフェンスを第３図（ａ）。 （ｂ）に示した。第３図（ｂ）に示した動作シーフェン
スに現れるスパイク状ノイズはＭＯＳスイッチオン状態
を挾む形で後段の積分回路（第３図（ａ）には図示して
いない）で積分することにより除去できることが知られ
ている。しかし薄膜素子の電気的特性は結晶のそれと著
しく異なるので。 ＭＯＳ撮像素子の場合の信号読みだし回路と動作シーフ
ェンスをＴＦＴアクティブマトリクス利用撮像素子に、
ただちには適用出来なかった。 そのためＭＯＳ撮像素子の場合の信号読みだし回路や動
作シーフェンスと異なる読みだし方法を検討したり、光
検出素子の検出感度が低くなり。 Ｘ線増倍感を用いることにより感度低下を補うなどの必
要があった。 これら従来技術については、「特開昭６２−２３１６２
Ｊ、「特開昭６２−２９３３Ｊ 。 「三村他（テレビジョン学会技術報告、１２巻。 ５０号ｔ ｐ ｐ 、 ５０〜６０ ；ＩＴＥＪ Ｔｅ
ｃｈｎｉｃａｌＲｅｐｏｒｔ Ｖｏｌ、１２．Ｎｏ、５
０．ｐｐ、５０−６０．ＥＤ’８８−７０．１０’８８
−７０，ＩＤ’８８−１．０６（Ｎｏｖ、１９８８））
Ｊ 、 ’大場他（アイイーイーイーＥＤ−２７巻、
１９８０年８月号１６８２−１６８７頁）ＩＥＥＥ
ｔｒａｎｓ。 ＥＤ−２７１６８２−１６８７（１９８０）ｊなどに記
載される。 【発明が解決しようとする課題】 このような大面積薄膜撮像素子にシンチレータを組み合
わせて大面積放射線撮像素子として動作させることが原
理的に可能である。この方法に依れば、即時に動画像を
検出できたり、素子が全固体化され占有体積が著しく小
さくなり扱いやすい装置を提供できる。しかし、実際に
はこのような検出素子は感度が低く画質が悪いという問
題があり現在まで実用化されていない。そのため現在で
は、未だに即時性が無いＸ線フィルムや、大型のＸ線テ
レビを用いて放射線画像を検出している。
伴い、Ｗｌ膜撮像素子アレイが実用化されている。従来
主に開発された薄膜撮像素子アレイはファックス用ライ
ンセンサであり、その使用状況は光強度の強い場合に、
２値画像を得ることにあった。また近年薄膜アクティブ
マトリクスを用いた２次元撮像素子が検討されるように
なってきた。その部分断面図を第２図に示した。この撮
像素子の動作方法を述べる。放射線、または可視光がフ
ォトダイオードに到達する。フォトダイオード内部に侵
入した光は光電変換され、生成された電荷は透明電極と
画素電極に蓄えられる。その後。 薄膜トランジスタのゲート電極に印加される信号読みだ
し信号により画素電極に蓄積された電荷は絵素電極から
読みだし電極へ移動し検出回路に導かれる。 このような撮像素子の各絵素からの光の読みだし方法は
原理的に結晶ＳｉによるＭＯＳ撮像素子のそれと同じで
良い。ＭＯＳ撮像素子の場合の信号読みだし回路と動作
シーフェンスを第３図（ａ）。 （ｂ）に示した。第３図（ｂ）に示した動作シーフェン
スに現れるスパイク状ノイズはＭＯＳスイッチオン状態
を挾む形で後段の積分回路（第３図（ａ）には図示して
いない）で積分することにより除去できることが知られ
ている。しかし薄膜素子の電気的特性は結晶のそれと著
しく異なるので。 ＭＯＳ撮像素子の場合の信号読みだし回路と動作シーフ
ェンスをＴＦＴアクティブマトリクス利用撮像素子に、
ただちには適用出来なかった。 そのためＭＯＳ撮像素子の場合の信号読みだし回路や動
作シーフェンスと異なる読みだし方法を検討したり、光
検出素子の検出感度が低くなり。 Ｘ線増倍感を用いることにより感度低下を補うなどの必
要があった。 これら従来技術については、「特開昭６２−２３１６２
Ｊ、「特開昭６２−２９３３Ｊ 。 「三村他（テレビジョン学会技術報告、１２巻。 ５０号ｔ ｐ ｐ 、 ５０〜６０ ；ＩＴＥＪ Ｔｅ
ｃｈｎｉｃａｌＲｅｐｏｒｔ Ｖｏｌ、１２．Ｎｏ、５
０．ｐｐ、５０−６０．ＥＤ’８８−７０．１０’８８
−７０，ＩＤ’８８−１．０６（Ｎｏｖ、１９８８））
Ｊ 、 ’大場他（アイイーイーイーＥＤ−２７巻、
１９８０年８月号１６８２−１６８７頁）ＩＥＥＥ
ｔｒａｎｓ。 ＥＤ−２７１６８２−１６８７（１９８０）ｊなどに記
載される。 【発明が解決しようとする課題】 このような大面積薄膜撮像素子にシンチレータを組み合
わせて大面積放射線撮像素子として動作させることが原
理的に可能である。この方法に依れば、即時に動画像を
検出できたり、素子が全固体化され占有体積が著しく小
さくなり扱いやすい装置を提供できる。しかし、実際に
はこのような検出素子は感度が低く画質が悪いという問
題があり現在まで実用化されていない。そのため現在で
は、未だに即時性が無いＸ線フィルムや、大型のＸ線テ
レビを用いて放射線画像を検出している。
本発明は上記検出感度が低く画質が悪いという問題点を
ＴＦＴアクティブマトリクスからの信号読みだし方法を
最適化することにより解決する。 より具体的には、複数の薄膜光電変換素子と該素子のそ
れぞれに対応し該素子の出力をスイッチン、 グする
複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、該ＴＦＴＩ制御す
るための複数の薄膜制御信号線。 該ＴＦＴからの出力信号を検出するための複数の薄膜信
号検出線が積層してなる大面積２次元画像検出部と、該
薄膜制御信号線に電圧パルスを印加するための制御信号
発生部、該薄膜信号検出線からの信号を積分し検出する
ための検出回路からなる放射線撮像装置において、該薄
膜制御信号線に印加する電圧パルス幅を２０μｓ〜１０
０μｓとし、該検出回路において該薄膜制御信号線に印
加する該電圧パルスの印加開始以前に積分を開始し。 該薄膜制御信号線に印加する該電圧パルス印加路′了後
５μｓ〜１００μｓ後に、積分を終了することにより達
成される。
ＴＦＴアクティブマトリクスからの信号読みだし方法を
最適化することにより解決する。 より具体的には、複数の薄膜光電変換素子と該素子のそ
れぞれに対応し該素子の出力をスイッチン、 グする
複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、該ＴＦＴＩ制御す
るための複数の薄膜制御信号線。 該ＴＦＴからの出力信号を検出するための複数の薄膜信
号検出線が積層してなる大面積２次元画像検出部と、該
薄膜制御信号線に電圧パルスを印加するための制御信号
発生部、該薄膜信号検出線からの信号を積分し検出する
ための検出回路からなる放射線撮像装置において、該薄
膜制御信号線に印加する電圧パルス幅を２０μｓ〜１０
０μｓとし、該検出回路において該薄膜制御信号線に印
加する該電圧パルスの印加開始以前に積分を開始し。 該薄膜制御信号線に印加する該電圧パルス印加路′了後
５μｓ〜１００μｓ後に、積分を終了することにより達
成される。
該薄膜制御信号線に印加する電圧パルス幅を２０μｓ〜
１００μｓと長時間に設定することにより薄膜光電変換
素子からの電流信号を効率的に該薄膜制御信号線に導く
ことが出来信号量が大きくなる。また該薄膜制御信号線
に印加する該電圧パルス印加終了後５μｓ〜１００μｓ
後に、該検出回路の積分を終了することにより、該薄膜
制御信号線から該検出回路に効率的に信号を導くことが
出来信号量が大きくなる。従って検出信号のＳ／Ｎが向
上し検出画像の画質が向上する。
１００μｓと長時間に設定することにより薄膜光電変換
素子からの電流信号を効率的に該薄膜制御信号線に導く
ことが出来信号量が大きくなる。また該薄膜制御信号線
に印加する該電圧パルス印加終了後５μｓ〜１００μｓ
後に、該検出回路の積分を終了することにより、該薄膜
制御信号線から該検出回路に効率的に信号を導くことが
出来信号量が大きくなる。従って検出信号のＳ／Ｎが向
上し検出画像の画質が向上する。
【実施例】
本発明を実施例を用いて詳細に説明する。第１図はＸ線
照射とＸ線照射後の画像情報の読みだしのタイミングを
模式的に示したものである。図ではＸ線照射後第１列の
ＴＦＴ群にゲート信号を与える。このゲート信号は該薄
膜制御信号線を介してＴＦＴ群のゲートに電圧パルスを
与える。このパルス幅は２０μｓ〜１００μｓである。 、２０μｓより短いと検出される信号は小さくなりＳ／
Ｎが低下する。また１００μｓより長いとフォトダイオ
ードのリーク電流によるオフセットが大きくなりやはり
Ｓ／Ｎが低下する。ゲートパルスをはさんで各行の出力
信号をそれぞれの薄膜信号線を介して各々個別に用意さ
れた積分検出回路に導き積分する。積分のタイミングは
該薄膜制御信号線に印加する該電圧パルスの印加開始以
前に積分を開始し該薄膜制御信号線に印加する該電圧パ
ルス印加終了後５μｓ〜１００μｓ後に、該検出回路の
積分を終了するようにする。電圧パルス印加後５μｓよ
り短い時間で積分を終了すると検出信号が小さくなりＳ
／Ｎが低下する。この傾向は絵素数が多くなったり２画
面サイズが大きくなるに従って著しくなる。即ち大面積
撮像素子を薄膜回路を用いて実現する際の本質的な問題
であった。 電圧パルス印加後１００μｓより長い時間で積分を終了
するとオフセット成分が大きくなりゃはりＳ／Ｎが低下
する。この傾向は絵素数が多くなり１画像の読みだし時
間が長くなるに従って著しくなる。従って薄膜回路用い
た大面積撮像素子を高空間解像度にする際に基本的な問
題であった。本発明によれば最適の信号読みだしのタイ
ミングを設定したのでこれらの問題が発生しないため、
放射線撮像装置の性能が大幅に向上する。 第４図は本発明の放射線撮像素子の全体構成図である。 画面サイズは例えば６インチ角から１４インチ角程度で
ある。絵素サイズは１００μｍ角から４００１Ｌｍ角程
度である。絵素数は５００Ｘ５００から４０００Ｘ４０
００程度である。垂直走査回路は薄膜制御信号線に電圧
パルスを印加するための制御信号発生部として作用する
。積分器を含む増幅回路は各列ごとに並列に接続される
。 従って増幅回路は５００〜４０００個ある。増幅された
信号はマルチプレクサに入った後ＡＤ変換器でデジタル
信号に変換される。ＡＤ変換器は例えば８ビツトから１
６ビツト程度の精度のものを使用する。第５図は本発明
における１絵素の構造の１実施例を示した断面図である
。絵素は例えばゲート電極、信号電極、絵素電極からな
る逆スタガ型ＴＦＴ、光電変換素子（例えばｐｉｎ非晶
質Ｓｉフォトダイオード）及びＴＦＴを保護する絶縁膜
、光電変換素子を保護する透明保護膜、蛍光体からなる
。 具体的な検出回路及び素子の等価回路を第６図に示した
。第７図にこの時の実際の検出信号波形を示す。ＴＦＴ
のゲート電圧を２ｏμｓに設定する。ゲート電圧オン状
態は＋８Ｖであり、ゲート電圧オフ状態は一５Ｖである
。ゲートオン電圧は＋５Ｖ以下では信号量が小さくなる
。またゲートオン電圧＋１０Ｖ以上では出力のノイズが
増しＳ／Ｎが低下する。従って最適ゲートオン電圧は＋
５から＋１０Ｖである。積分回路のゲート電圧はＴＦＴ
がオンになる５μｓ前にオン状態（＋５Ｖ）からオフ状
態（−５Ｖ）に切り換え信号を積分する。その後３０μ
ｓオフ状態に積分した後。 オン状態に戻しリセットする。従ってＴＦＴがオフにな
ってから５μｓ後に積分回路のゲート電圧はオフになる
。このとき出力信号はほぼ飽和して−いるので信号検出
が可能である。この出力波形を積分回路のゲート電圧を
オフにする直前にサンプルホールドしＡＤ変換器にてデ
ジタル化する。 第８図は他の１実施例である。本実施例で前述の実施例
と異なる点は積分回路のゲート電圧のタイミングを変え
た点にある。即ちＴＦＴがオフになってから１４μｓ後
に積分回路のゲート電圧をオフにした。本実施例では出
力信号は完全に飽和しているので高精度の信号検出が可
能である。 次に本発明の他の実施例を説明する。Ｘ線診断用放射線
診断装置では透視モードと撮影モートを有することが望
ましい。透視モードはリアルタイムで動画像を検出する
モードである。撮影モードは高濃度高空間分解能の画像
を比較的ゆっくりと撮影するモードである。従って透視
モードの絵素信号の読みだしは完全でなくとも速く、撮
影モードの絵素信号の読みだしは速くなくとも完全に行
う必要がある。この要求に答えるためには上述の実施例
の説明から明らかなように、複数の薄膜光電変換素子と
該素子のそれぞれに対応し該素子の出力をスイッチング
する複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、該ＴＦＴを制
御するための複数の薄膜制御信号線、該ＴＦＴからの出
力信号を検出するための複数の薄膜信号検出線が積層し
てなる大面積２次元画像検出部と、該薄膜制御信号線に
電圧パルスを印加するための制御信号発生部、該薄膜信
号検出線からの信号を積分し検出するための検出回路か
らなる放射線撮像装置において、該薄膜制御信号線に印
加する電圧パルス幅を２０μｓ〜ＬｏｏＩＬｓの範囲と
し、かつ該検出回路において該薄膜制御信号線に印加す
る該電圧パルスの印加開始以前に積分を開始し、該薄膜
制御信号線に印加する該電圧パルス印加終了後５μｓ〜
１００μｓの範囲で、積分を終了するとともに、該薄膜
制御信号線に印加する電圧パルス幅、もしくは該薄膜制
御信号線に印加する該電圧パルス印加終了から検出回路
の積分を終了するまでの時間が異なる複数の撮像モード
を有することにより達成される。具体的には例えば、透
視モードとして該薄膜制御信号線に印加する電圧パルス
幅を２０μｓ。 該薄膜制御信号線に印加する該電圧パルス印加終了から
検出回路の積分を終了するまでの時間を５μｓとする。 撮影モードとしては該薄膜制御信号線に印加する電圧パ
ルス幅を３０μｓ、該薄膜制御信号線に印加する該電圧
パルス印加終了から検出回路の積分を終了するまでの時
間を２０μｓとする。このように設定すれば透視モート
は１画素の信号読みだしシーフェンスを６０μｓ以下で
行えるので５００Ｘ５００の画像を読むために３０ｒｎ
ｓ以下で読み取れ、テレビレートで動画像を表示できる
。また撮影モードは１画素の信号読みだしに十分時間を
かけられるので高精度の信号検圧が可能である。
照射とＸ線照射後の画像情報の読みだしのタイミングを
模式的に示したものである。図ではＸ線照射後第１列の
ＴＦＴ群にゲート信号を与える。このゲート信号は該薄
膜制御信号線を介してＴＦＴ群のゲートに電圧パルスを
与える。このパルス幅は２０μｓ〜１００μｓである。 、２０μｓより短いと検出される信号は小さくなりＳ／
Ｎが低下する。また１００μｓより長いとフォトダイオ
ードのリーク電流によるオフセットが大きくなりやはり
Ｓ／Ｎが低下する。ゲートパルスをはさんで各行の出力
信号をそれぞれの薄膜信号線を介して各々個別に用意さ
れた積分検出回路に導き積分する。積分のタイミングは
該薄膜制御信号線に印加する該電圧パルスの印加開始以
前に積分を開始し該薄膜制御信号線に印加する該電圧パ
ルス印加終了後５μｓ〜１００μｓ後に、該検出回路の
積分を終了するようにする。電圧パルス印加後５μｓよ
り短い時間で積分を終了すると検出信号が小さくなりＳ
／Ｎが低下する。この傾向は絵素数が多くなったり２画
面サイズが大きくなるに従って著しくなる。即ち大面積
撮像素子を薄膜回路を用いて実現する際の本質的な問題
であった。 電圧パルス印加後１００μｓより長い時間で積分を終了
するとオフセット成分が大きくなりゃはりＳ／Ｎが低下
する。この傾向は絵素数が多くなり１画像の読みだし時
間が長くなるに従って著しくなる。従って薄膜回路用い
た大面積撮像素子を高空間解像度にする際に基本的な問
題であった。本発明によれば最適の信号読みだしのタイ
ミングを設定したのでこれらの問題が発生しないため、
放射線撮像装置の性能が大幅に向上する。 第４図は本発明の放射線撮像素子の全体構成図である。 画面サイズは例えば６インチ角から１４インチ角程度で
ある。絵素サイズは１００μｍ角から４００１Ｌｍ角程
度である。絵素数は５００Ｘ５００から４０００Ｘ４０
００程度である。垂直走査回路は薄膜制御信号線に電圧
パルスを印加するための制御信号発生部として作用する
。積分器を含む増幅回路は各列ごとに並列に接続される
。 従って増幅回路は５００〜４０００個ある。増幅された
信号はマルチプレクサに入った後ＡＤ変換器でデジタル
信号に変換される。ＡＤ変換器は例えば８ビツトから１
６ビツト程度の精度のものを使用する。第５図は本発明
における１絵素の構造の１実施例を示した断面図である
。絵素は例えばゲート電極、信号電極、絵素電極からな
る逆スタガ型ＴＦＴ、光電変換素子（例えばｐｉｎ非晶
質Ｓｉフォトダイオード）及びＴＦＴを保護する絶縁膜
、光電変換素子を保護する透明保護膜、蛍光体からなる
。 具体的な検出回路及び素子の等価回路を第６図に示した
。第７図にこの時の実際の検出信号波形を示す。ＴＦＴ
のゲート電圧を２ｏμｓに設定する。ゲート電圧オン状
態は＋８Ｖであり、ゲート電圧オフ状態は一５Ｖである
。ゲートオン電圧は＋５Ｖ以下では信号量が小さくなる
。またゲートオン電圧＋１０Ｖ以上では出力のノイズが
増しＳ／Ｎが低下する。従って最適ゲートオン電圧は＋
５から＋１０Ｖである。積分回路のゲート電圧はＴＦＴ
がオンになる５μｓ前にオン状態（＋５Ｖ）からオフ状
態（−５Ｖ）に切り換え信号を積分する。その後３０μ
ｓオフ状態に積分した後。 オン状態に戻しリセットする。従ってＴＦＴがオフにな
ってから５μｓ後に積分回路のゲート電圧はオフになる
。このとき出力信号はほぼ飽和して−いるので信号検出
が可能である。この出力波形を積分回路のゲート電圧を
オフにする直前にサンプルホールドしＡＤ変換器にてデ
ジタル化する。 第８図は他の１実施例である。本実施例で前述の実施例
と異なる点は積分回路のゲート電圧のタイミングを変え
た点にある。即ちＴＦＴがオフになってから１４μｓ後
に積分回路のゲート電圧をオフにした。本実施例では出
力信号は完全に飽和しているので高精度の信号検出が可
能である。 次に本発明の他の実施例を説明する。Ｘ線診断用放射線
診断装置では透視モードと撮影モートを有することが望
ましい。透視モードはリアルタイムで動画像を検出する
モードである。撮影モードは高濃度高空間分解能の画像
を比較的ゆっくりと撮影するモードである。従って透視
モードの絵素信号の読みだしは完全でなくとも速く、撮
影モードの絵素信号の読みだしは速くなくとも完全に行
う必要がある。この要求に答えるためには上述の実施例
の説明から明らかなように、複数の薄膜光電変換素子と
該素子のそれぞれに対応し該素子の出力をスイッチング
する複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、該ＴＦＴを制
御するための複数の薄膜制御信号線、該ＴＦＴからの出
力信号を検出するための複数の薄膜信号検出線が積層し
てなる大面積２次元画像検出部と、該薄膜制御信号線に
電圧パルスを印加するための制御信号発生部、該薄膜信
号検出線からの信号を積分し検出するための検出回路か
らなる放射線撮像装置において、該薄膜制御信号線に印
加する電圧パルス幅を２０μｓ〜ＬｏｏＩＬｓの範囲と
し、かつ該検出回路において該薄膜制御信号線に印加す
る該電圧パルスの印加開始以前に積分を開始し、該薄膜
制御信号線に印加する該電圧パルス印加終了後５μｓ〜
１００μｓの範囲で、積分を終了するとともに、該薄膜
制御信号線に印加する電圧パルス幅、もしくは該薄膜制
御信号線に印加する該電圧パルス印加終了から検出回路
の積分を終了するまでの時間が異なる複数の撮像モード
を有することにより達成される。具体的には例えば、透
視モードとして該薄膜制御信号線に印加する電圧パルス
幅を２０μｓ。 該薄膜制御信号線に印加する該電圧パルス印加終了から
検出回路の積分を終了するまでの時間を５μｓとする。 撮影モードとしては該薄膜制御信号線に印加する電圧パ
ルス幅を３０μｓ、該薄膜制御信号線に印加する該電圧
パルス印加終了から検出回路の積分を終了するまでの時
間を２０μｓとする。このように設定すれば透視モート
は１画素の信号読みだしシーフェンスを６０μｓ以下で
行えるので５００Ｘ５００の画像を読むために３０ｒｎ
ｓ以下で読み取れ、テレビレートで動画像を表示できる
。また撮影モードは１画素の信号読みだしに十分時間を
かけられるので高精度の信号検圧が可能である。
本発明によれば、薄膜光電変換素子からの電流信号を効
率的に該薄膜制御信号線に導くことが出来信号量が大き
くなる。また該薄膜制御信号線から該検出回路に効率的
に信号を導くことが出来信号量が大きくなる。従って検
出信号のＳ／Ｎが向上し検出画像の画質が向上する。
率的に該薄膜制御信号線に導くことが出来信号量が大き
くなる。また該薄膜制御信号線から該検出回路に効率的
に信号を導くことが出来信号量が大きくなる。従って検
出信号のＳ／Ｎが向上し検出画像の画質が向上する。
第１図は本発明の実施例を示すタイムチャートである。
第２図は従来例を示す断面図である。第３図は他の従来
例を示す等価回路図及びタイムチャートである。第４図
は本発明の１実施例の等価回路図である。第５図は本発
明の１実施例の部分断面図である。第６図は本発明の１
実施例を示す等価回路図である。第７，８図は本発明の
実施例を示すタイムチャート及び検出信号を示す図であ
る。 乙へ 代理人弁理士 小 川 勝 男、− ｙ１図 下１”７−森や 鵠３図 １い シー１１ツ ユ 猷１
例を示す等価回路図及びタイムチャートである。第４図
は本発明の１実施例の等価回路図である。第５図は本発
明の１実施例の部分断面図である。第６図は本発明の１
実施例を示す等価回路図である。第７，８図は本発明の
実施例を示すタイムチャート及び検出信号を示す図であ
る。 乙へ 代理人弁理士 小 川 勝 男、− ｙ１図 下１”７−森や 鵠３図 １い シー１１ツ ユ 猷１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも蛍光体層と、該蛍光体層から発せられる
光を検出するために該蛍光体層に光学的に密着した複数
の薄膜光電変換素子と、該素子のそれぞれに対応し該素
子の出力をスイッチングする複数の薄膜トランジスタ（
ＴＦＴ）と、該ＴＦＴを制御するための複数の薄膜制御
信号線と、該ＴＦＴからの出力信号を検出するための複
数の薄膜信号検出線とが積層してなる大面積２次元放射
線画像検出部、該複数の薄膜制御信号線に電圧パルスを
印加するための制御信号発生部、並びに該複数の薄膜信
号検出線からの信号をそれぞれ検出するための複数の検
出回路を含み、かつ該制御信号発生部が該薄膜制御信号
線に印加する電圧パルスに対し、該電圧パルスが該ＴＦ
Ｔに印加される以前に該検出回路群において該検出信号
の積分をそれぞれ開始し、該薄膜制御信号線に印加する
該電圧パルス印加終了後に、該積分をそれぞれ終了する
ことを特徴とする放射線撮像装置。 ２、少なくとも複数の薄膜光電変換素子と該素子のそれ
ぞれに対応し該素子の出力をスイッチングする複数の薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、該ＴＦＴを制御するため
の複数の薄膜制御信号線と、該ＴＦＴからの出力信号を
検出するための複数の薄膜信号検出線とが積層してなる
大面積２次元画像検出部、該薄膜制御信号線に電圧パル
スを印加するための制御信号発生部、並びに該薄膜信号
検出線からの信号を検出するための検出回路を含む放射
線撮像装置において、該薄膜制御信号線に印加する電圧
パルス幅が２０μｓ〜１００μｓでありかつ、該検出回
路において該薄膜制御信号線に印加する該電圧パルスの
印加開始以前に検出信号の積分を開始し、該薄膜制御信
号線に印加する該電圧パルス印加終了後に、該積分を終
了することを特徴とする放射線撮像装置。 ３、少なくとも複数の薄膜光電変換素子と該素子のそれ
ぞれに対応し該素子の出力をスイッチングする複数の薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、該ＴＦＴを制御するため
の複数の薄膜制御信号線と、該ＴＦＴからの出力信号を
検出するための複数の薄膜信号検出線とが積層してなる
大面積２次元画像検出部、該薄膜制御信号線に電圧パル
スを印加するための制御信号発生部、並びに該薄膜信号
検出線からの信号を検出するための検出回路を含む放射
線撮像装置において、該検出回路において該薄膜制御信
号線に印加する該電圧パルスの印加開始以前に検出信号
の積分を開始し、該薄膜制御信号線に印加する該電圧パ
ルス印加終了後５μｓ〜１００μｓ後に、該積分を終了
することを特徴とする放射線撮像装置。 ４、特許請求範囲第１項または第２項または第３項記載
の放射線撮像装置において、該薄膜制御信号線に印加す
る電圧パルス幅、もしくは該薄膜制御信号線に印加する
該電圧パルス印加終了から検出回路の積分を終了するま
での時間が異なる複数の撮像モードを有すことを特徴と
する放射線撮像装置。 ５、少なくとも複数の薄膜光電変換素子と該素子のそれ
ぞれに対応し該素子の出力をスイッチングする複数の薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、該ＴＦＴを制御するため
の複数の薄膜制御信号線と、該ＴＦＴからの出力信号を
検出するための複数の薄膜信号検出線とが積層してなる
大面積２次元画像検出部、該薄膜制御信号線に電圧パル
スを印加するための制御信号発生部、該薄膜信号検出線
からの信号を検出するための検出回路を含む放射線撮像
装置において、該薄膜制御信号線に印加する電圧パルス
の波高値はオン状態において＋５Ｖ以上＋１０Ｖ以下で
あることを特徴とする放射線撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329201A JP3039989B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 放射線撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329201A JP3039989B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 放射線撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206573A true JPH04206573A (ja) | 1992-07-28 |
| JP3039989B2 JP3039989B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=18218783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2329201A Expired - Lifetime JP3039989B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 放射線撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3039989B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09135012A (ja) * | 1995-09-04 | 1997-05-20 | Canon Inc | 電磁波検出装置 |
| US9077288B2 (en) | 2013-05-17 | 2015-07-07 | Nlt Technologies, Ltd. | Amplifier circuit and image sensor using amplifier circuit |
| US9401382B2 (en) | 2013-11-07 | 2016-07-26 | Nlt Technologies, Ltd. | Image sensor and manufacturing method thereof |
| US9698184B2 (en) | 2014-07-23 | 2017-07-04 | Nlt Technologies, Ltd. | Image sensor and driving method thereof |
| US9712770B2 (en) | 2015-04-24 | 2017-07-18 | Nlt Technologies, Ltd. | Image sensor |
| US10615201B2 (en) | 2016-02-26 | 2020-04-07 | Tianma Microelectronics Co., Ltd. | Image sensor and method of manufacturing the same |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2329201A patent/JP3039989B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09135012A (ja) * | 1995-09-04 | 1997-05-20 | Canon Inc | 電磁波検出装置 |
| US9077288B2 (en) | 2013-05-17 | 2015-07-07 | Nlt Technologies, Ltd. | Amplifier circuit and image sensor using amplifier circuit |
| US9401382B2 (en) | 2013-11-07 | 2016-07-26 | Nlt Technologies, Ltd. | Image sensor and manufacturing method thereof |
| US9806123B2 (en) | 2013-11-07 | 2017-10-31 | Nlt Technologies, Ltd. | Image sensor and manufacturing method thereof |
| US9698184B2 (en) | 2014-07-23 | 2017-07-04 | Nlt Technologies, Ltd. | Image sensor and driving method thereof |
| US9865644B2 (en) | 2014-07-23 | 2018-01-09 | Nlt Technologies, Ltd. | Image sensor |
| US9712770B2 (en) | 2015-04-24 | 2017-07-18 | Nlt Technologies, Ltd. | Image sensor |
| US10615201B2 (en) | 2016-02-26 | 2020-04-07 | Tianma Microelectronics Co., Ltd. | Image sensor and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3039989B2 (ja) | 2000-05-08 |
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