JP4724277B2 - 画像撮影装置、画像撮影方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像撮影技術に関するものであり、例えば、センサで直接検出して被写体を撮像する画像撮影技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ある種の蛍光体に放射線(X線、α線、β線、γ線、電子線、紫外線等)を照射すると、この放射線エネルギーの一部が蛍光体中に蓄積され、この蛍光体に可視光等の励起光を照射すると、蓄積されたエネルギーに応じて蛍光体が輝尽発光を示すことが知られており、このような性質を示す蛍光体は蓄積性蛍光体(輝尽性蛍光体)と呼ばれる。
【0003】
この蓄積性蛍光体を利用して、人体等の被写体の放射線画像情報を一旦蓄積性蛍光体のシートに記録し、この蓄積性蛍光体シートをレーザ光等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜしめ、得られた輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づき写真感光材料等の記録材料、CRT等の表示装置に被写体の放射線画像を可視像として出力させる放射線画像情報記録再生システムが提案されている(特開昭55−12429号、同56−11395号など)。
【0004】
また、近年においては半導体のセンサを使用して同様にX線画像を撮影する装置が開発されている。これらのシステムは、従来の銀塩写真を用いる放射線写真システムと比較して極めて広い放射線露出域にわたって画像を記録しうるという実用的な利点を有している。すなわち、非常に広いダイナミックレンジのX線を光電変換手段により読み取って電気信号に変換し、この電気信号を用いて写真感光材料等の記録材料、CRT等の表示装置に放射線画像を可視像として出力させることによって、放射線露光量の変動に影響されない放射線画像を得ることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
半導体センサを使用したフラットパネルセンサにおいては、各画素の読み出しのスイッチング素子としてTFT(薄膜トランジスタ)が主に使用される。まれにはダイオードが使用される場合もある。
【0006】
X線装置においては、光入力時間はX線の曝射期間に相当する。システムの要求としては、X線曝射後に直ちにデータを読み出すことにより、曝射後短い時間でX線画像をユーザに提供することが可能になる。
【0007】
また、画素に対応しているオフセットの増加を考慮に入れても曝射後直ちに読み出すことは理屈に適ったことである。しかし、X線曝射期間に相当する光入力直後にセンサから電荷を読み出すと、画素間のクロストークが起きる問題があった。
【0008】
本発明の目的は、画素間のクロストークを軽減させた画像を撮影することができる画像撮影装置及び画像撮影方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、センサ手段と、前記センサ手段の画素間のクロストークを計測し、前記センサ手段からの読み出しを開始するまでの時間を設定する設定手段と、放射線曝射の終了から前記設定手段で設定された時間後に前記センサ手段からデータの読み出しを開始するように前記センサ手段を駆動する駆動手段と、を有することを特徴とする画像撮影装置が提供される
【0010】
本発明によれば、放射線曝射が終了してから所定時間待機した後にセンサ手段からデータの読み出しを開始することにより、画素間のクロストークが軽減した画像を得ることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を、実施例に沿って図面を参照しながら説明する。
画像撮影装置において、画素間のクロストークの原因の一つに、光入射直後にTFTスイッチの漏洩があることがわかった。そこで、X線曝射終了の信号を検出した後に、TFTスイッチの漏洩特性がなくなる時間だけ待機して、その後にTFTスイッチをONして各画素の読み出しを開始するようにする。読み出し待機時間の決定に関しては、センサ製造過程のバラツキにも依存する可能性があるので、製品出荷前に個別X線入射を行って、読み出し待機時間ごとのクロストークを計測することにより決定することが可能である。
【0012】
X線曝射終了の信号の検出に関しては、フラットパネルセンサの前面に配置される自動露出制御用のセンサ(AEC、あるはフォトタイマと呼ばれる)、あるいはフラットパネルセンサの背面に配置される半導体センサでX線入射量をリアルタイムでモニタすることにより実現することが可能である。他方、X線発生装置をオンラインで結合されることを利用して、X線発生装置の高電圧の印可期間、あるい管球電流をモニタする信号を、センサ駆動装置に入力することによりX線曝射終了信号として、X線曝射終了から一定時間後に読み出すようにすることも可能である。
【0013】
図1を用いて、本実施例のX線撮像システム(画像撮影装置)の全体を説明する。101はX線室、102はX線制御室、103は診断室を表している。本X線撮像システムの全体的な動作はシステム制御部110によって支配される。システム制御部110の機能は、主に以下に述べるものである。
【0014】
まず、操作者インターフェース111を介して操作者からの指示を受ける。操作者インターフェース111は、撮影開始入力手段を含む構成である。
【0015】
操作者インターフェース111は、ディスプレイ上のタッチパネル、マウス、キーボード、ジョイスティック、フットスイッチなどがある。操作者インターフェース111から撮像条件(静止画、動画、X線管電圧、管電流、X線照射時間など)および撮像タイミング、画像処理条件、被検者ID、取込画像の処理方法などの設定を行うことが出来るが、ほとんどの情報は放射線情報システムから転送されるので、個別に入力する必要はない。操作者の重要な作業は、撮影した画像の確認作業である。つまり、アングルが正しいか、患者が動いていないか、画像処理が適切か等の判断をおこなう。
【0016】
そして、システム制御部110はX線撮像シーケンスを司る撮像制御部214に、撮像者105の指示に基づいた撮像条件を指示し、データを取り込む。撮像制御部214はその指示に基づき、放射線源であるX線発生装置120、撮像用寝台130、X線検出器140を駆動して画像データを取り込み、画像処理部10に転送後、操作者指定の画像処理を施してディスプレイ160に表示、同時に基本画像処理データを外部記憶装置161に保存する。
【0017】
さらに、システム制御部110は撮像者105の指示に基づいて、再画像処理及び再生表示、ネットワーク上の装置へ画像データを転送して保存、ディスプレイ表示やフィルムヘの印刷などを行う。
【0018】
次に、信号の流れを追って順次説明を加える。
X線発生装置120にはX線管球121とX線絞り123とが含まれる。X線管球121は撮像制御部214に制御された高圧発生電源124によって駆動され、X線ビーム125を放射する。X線絞り123は撮像制御部214により駆動され、撮像領域の変更に伴い、不必要なX線照射を行わないようにX線ビーム125を整形する。X線ビーム125はX線透過性の撮像用寝台130の上に横たわった被検体126に向けれられる。撮像用寝台130は、撮像制御部214の指示に基づいて駆動される。X線ビーム125は、被検体126および撮像用寝台130を透過した後にX線検出器140に照射される。
【0019】
X線検出部140はグリッド141、シンチレータ142、光検出器アレー8、X線露光量モニタ(AEC)144および駆動回路145から構成される。駆動回路145は、図4に示すようにX線露光量モニタ(AEC)144のX線曝射終了信号、あるいは高圧発生電源124からの高圧印加電源あるいはX線管電流の信号を検出して、一定期間ウェイトした後にTFTスイッチを駆動して電荷を読み出すことになる。読み出しウェイト時間は、製造するセンサのTFT特性が安定していれば定数を使用していも良いが、製造ロットごとにばらつきがあるような場合には、出荷前等に後述する読み出し回路で読み出しウェイト時間を変化させてデータを読み込み、このデータ中でのクロストーク量を計算して、画像ノイズとして影響しないウェイト時間をセンサ毎に決定してもよい。また、ウェイト時間は、撮影毎に異なる時間になるような設定であってもよいし、撮影毎に関係なく常に一定の時間になるような設定であってもよい。
【0020】
図4において、駆動回路145は、読み出しウェイト回路501及び読み出し時間設定回路502を有し、AEC144及び高圧発生電源124から入力し、光検出アレイ8を制御する。
【0021】
図5にディレイのタイミングを示す。X線高圧印加信号やX線管電流信号を使用する場合は、信号が立ち下がってからX線が更に放出されている可能性があるので、読み出しウェイト時間は点線のように立ち上がり、X線モニター(AEC)を使用する場合に比べて長めに設定される。駆動回路145の詳細については後述するが、ここで設定される読み出しウェイト時間は、読み出し開始に対するウェイト時間であり、本実施例でのウェイト時間は約100msec程度である。ウェイト時間後、読み出し区間にて読み出しが行われる。
【0022】
グリッド141は、被検体126を透過することによって生じるX線散乱の影響を低減する。グリッド141はX線低吸収部材と高吸収部材とから成り、例えば、AlとPbとのストライプ構造をしている。そして、光検出器アレー8とグリッド141との格子比の関係によりモワレが生じないようにX線照射時には撮像制御部214の指示に基づいてグリッド141を振動させる。
【0023】
シンチレータ142ではエネルギーの高いX線によって蛍光体の母体物質が励起され、再結合する際の再結合エネルギーにより可視領域の蛍光が得られる。その蛍光はCaWO4やCdWO4などの母体自身によるものやCsI:TlやZnS:Agなどの母体内に付活された発光中心物質によるものがある。
【0024】
このシンチレータ142に隣接して光検出器アレー8が配置されている。この光検出器アレー8は光子を電気信号に変換する。X線露光量モニタ144はX線透過量を監視するものである。X線露光量モニタ144は結晶シリコンの受光素手などを用いて直接X線を検出しても良いし、イオンチャンバ方式のものを光検出器アレー8の前面に配置しても良いし、シンチレータ142からの光を検出してもよい。この例では、光検出器アレー8を透過した可視光(X線量に比例)を光検出器アレー8基板裏面に成膜されたアモーファスシリコン受光素子で検知し、撮像制御部214にその情報を送り、撮像制御部214はその情報に基づいて高圧発生電源124を駆動してX線を遮断あるいは調節する。駆動回路145は、撮像制御部214の制御下で、光検出器アレー(フラットパネルセンサ)8を駆動し、各画素から信号を読み出す。光検出器アレー8、周辺駆動回路145については後で詳述する。
【0025】
X線検出部140からの画像信号は、X線室101からX線制御室102内の画像処理部10へ転送される。この転送の際、X線室101内はX線発生に伴うノイズが大きいため、画像データがノイズのために正確に転送されない場合が有るため、転送路の耐雑音性を高くする必要がある。誤り訂正機能を持たせた伝送系にする事やその他、例えば、差動ドライバによるシールド付き対より線や光ファイバによる転送路を用いることが望ましい。画像処理部10では、撮像制御部214の指示に基づき表示データを切り替える(後に詳しく述べる)。その他、画像データの補正、空間フィルタリング、リカーシブ処理などをリアルタイムで行ったり、階調処理、散乱線補正、DR圧縮処理などを行うことも可能である。
【0026】
処理された画像はディスプレイアダプタ151を介してディスプレイ160に表示される。またリアルタイム画像処理と同時に、データの補正のみ行われた基本画像は、高速記憶装置161に保存される。高速記憶装置161としては、大容量、高速かつ高信頼性を満たすデータ保存装置が望ましく、例えば、RAID等のハードディスクアレー等が望ましい。また、操作者の指示に基づいて、高速記憶装置161に蓄えられた画像データは外部記憶装置に保存される。その際、画像データは所定の規格(例えば、IS&C)を満たすように再構成された後に、外部記憶装置に保存される。外部記憶装置は、例えば、光磁気ディスク162、LAN上のファイルサーバ170内のハードディスクなどである。
【0027】
本X線撮像システムは、LANボード163を介して、LANに接続する事も可能であり、HISとのデータの互換性を持つ構造を有している。LANには、複数のX線撮像システムを接続する事は勿論のこと、画像を動画・静止画を表示するモニタ174、画像データをファイリングするファイルサーバ170、画像をフィルムに出力するイメージプリンタ172、複雑な画像処理や診断支援を行う画像処理用端末173などが接続される。本X線撮像システムは、所定のプロトコル(例えば、DICOM)に従って、画像データを出力する。その他、LANに接続されたモニタを用いて、X線撮像時に医師によるリアルタイム遠隔診断が可能である。
【0028】
図2に光検出アレー8の一例の等価回路を示す。以下の例は2次元アモーファスシリコンセンサについて説明を加えていくが、検出素子は特に限定する必要はなく、例えばその他の固体撮像素子(電荷結合素子など)あるいは光電子倍増管のような素子であってもA/D変換部の機能、構成については同様である。
【0029】
さて、図2に戻って説明を加える。1素子の構成は光検出部21と電荷の蓄積および読み取りを制御するスイッチングTFT22とで構成され、一般にはガラスの基板上に配されたアモーファスシリコン(α−Si)で形成される。光検出部21中の21Cはこの例では単に寄生キャパシタンスを有した光ダイオードでもよいし、光ダイオード21Dと検出器のダイナミックレンジを改良するように追加コンデンサ21Cを並列に含んでいる光検出器と捉えても良い。ダイオード21DのアノードAは共通電極であるバイアス配線Lbに接続され、カソードKはコンデンサ21Cに蓄積された電荷を読み出すための制御自在なスイッチングTFT22に接続されている。この例では、スイッチングTFT22はダイオード21DのカソードKと電荷読み出し用増幅器26との間に接続された薄膜トランジスタである。
【0030】
信号電荷はスイッチングTFT22とリセット用スイッチング素子25を操作してコンデンサ21Cをリセットした後に、放射線1を放射することにより、光ダイオード21Dで放射線量に応じて電荷発生し、コンデンサ21Cに蓄積される。その後、再度、信号電荷はスイッチングTFT22とリセット用スイッチング素子25を操作して容量素子に電荷を転送する。そして、光ダイオード21Dにより蓄積された量を電位信号として前置増幅器26によって読み出し、A/D変換を行うことにより入射放射線量を検出する。
【0031】
図3は2次元に配列した光電変換装置を表した等価回路図である、図2で示された光電変換素子を具体的に2次元に拡張して構成した場合における光電変換動作について述べる。
【0032】
光検出アレー8の画素は、2000×2000〜4000×4000程度の画素から構成され、アレー面積は200mm×200mm〜500mm×500mm程度である。図3において、光検出アレー8は4096×4096の画素から構成され、アレー面積は430mm×430mmである。よって、1画素のサイズは約105μm×105μmである。1ブロック内の4096画素を横方向に配線し、4096ラインを順に縦に配置する事により各画素を2次元的に配置している。
【0033】
上記の例では4096×4096画素の光検出器アレー8を1枚の基板で構成した例を示したが、4096×4096画素の光検出器アレー8を2048×2048個の画素を持つ4枚の光検出器で構成することもできる。2048×2048個の検出器を4枚で1つの光検出器アレー8を構成する場合は、分割して製作する事により歩留まりが向上するなどのメリットがある。
【0034】
前述の通り1画素は、光電変換素子21とスイッチングTFT22とで構成される。21(1,1)〜21(4096,4096)は前述の光電変換素子21に対応するものであり、光検出ダイオードのカソード側をK、アノード側をAとして表している。22(1,1)〜22(4096,4096)はスイッチングTFT22に対応するものである。
【0035】
2次元光検出器アレー8の各列の光電変換素子21(m,n)のK電極は対応するスイッチングTFT22(m,n)のソース、ドレイン導電路によりその列に対する共通の列信号線(Lc1〜Lc4096)に接続されている。例えば、列1の光電変換素子21(1,1)〜21(1,4096)は第1の列信号配線Lc1に接続されている。各行の光電変換素子21のA電極は共通にバイアス配線Lbを通して前述のモードを操作するバイアス電源31に接続されている。各行のTFT22のゲート電極は行選択配線(Lr1〜Lr4096)に接続されている。例えば、行1のTFT22(1,1)〜22(4096,1)は行選択配線Lr1に接続される。行選択配線Lrはラインセレクタ部32を通して撮像制御部33に接続されている。ラインセレクタ部32は例えばアドレスデコーダ34と4096個のスイッチ素子35から構成される。この構成により任意のラインLrnを読み出すことが可能である。ラインセレクタ部32は、最も簡単に構成するならば単に液晶ディスプレイなどに用いられているシフトレジスタによって構成することも可能である。
【0036】
列信号配線Lcは撮像制御部33により制御される信号読み出し部36に接続されている。25は列信号配線Lrをリセット基準電源24の基準電位にリセットするためのスイッチ、26は信号電位を増幅するための前置増幅器、38はサンプルホールド回路、39はアナログマルチプレクサ、40はA/D変換器をそれぞれ表す。それぞれの列信号配線Lrnの信号は前置増幅器26により増幅され、サンプルホールド回路38によりホールドされる。その出力はアナログマルチプレクサ39により、順次A/D変換器40へ出力され、ディジタル値に変換され画像処理部10に転送される。
【0037】
本実施例の光電変換装置は4096×4096個の画素を4096個のラインLcnに分け、1列あたり4096画素の出力を同時に転送し、この列信号配線Lcを通して4096個の前置増幅器26、4096個のサンプルホールド部38を通してアナログマルチプレクサ39によって順次、A/D変換器40に出力される。
【0038】
図3ではあたかもA/D変換器40が1つで構成されているように表されているが、実際には4〜32の系統で同時にA/D変換を行う。これは、アナログ信号帯域、A/D変換レートを不必要に大きくすることなく、画像信号の読み取り時間を短くすることが要求されるためである。A/D変換部について詳細は後述する。
【0039】
蓄積時間とA/D変換時間とは密接な関係にあり、高速にA/D変換を行うとアナログ回路の帯域が広くなり所望のS/Nを達成することが難しくなる。従って、A/D変換速度を不必要に速くすることなく、画像信号の読み取り時間を短くすることが要求される。そのためには、多くのA/D変換器40を用いてA/D変換を行えばよいが、その場合はコストが高くなる。よって、上述の点を考慮して適当な値を選択する必要がある。
【0040】
放射線1の照射時間はおよそ10〜500msecであるので、全画面の取り込み時間あるいは電荷蓄積時間を100msecのオーダーあるいはやや短めにすることが適当である。
【0041】
例えば、全画素を順次駆動して100msecで画像を取り込むために、アナログ信号帯域を50MHz程度にし、例えば、10MHzのサンプリングレートでA/D変換を行うと、最低でも4系統のA/D変換器40が必要になる。本撮像装置では16系統で同時にA/D変換を行う。16系統のA/D変換器40の出力はそれぞれに対応する16系統の図示しないメモリ(FIFOなど)に入力される。そのメモリを選択して切り替えることで連続した1ラインの走査線にあたる画像データとして以後の画像処理部10、あるいはそのメモリに転送される。この後、画像、グラフとしてディスプレイなどの表示装置に表示を行う。
【0042】
以上のように、センサに光が入力した直後のTFTスイッチの漏洩を考慮して、ウェイト時間を持たせる事により、画素間のクロストークを軽減、あるいは除去した画像を得る事が可能になる。
【0043】
上記実施例の機能を実現するためのソフトウェアのプログラムコードを供給し、そのシステムのコンピュータ(CPUあるいはMPU)に格納されたプログラムに従って動作させることによって実施したものも、本発明の範疇に含まれる。
【0044】
この場合、上記ソフトウェアのプログラムコード自体が上述した実施例の機能を実現することになり、そのプログラムコード自体、およびそのプログラムコードをコンピュータに供給するための手段、例えばかかるプログラムコードを格納した記録媒体は本発明を構成する。かかるプログラムコードを記憶する記録媒体としては、例えばフロッピーディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROM等を用いることができる。
【0045】
なお、上記実施例は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【0046】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、放射線曝射が終了して所定時間待機した後にセンサ手段からデータの読み出しを開始することにより、画素間のクロストークが軽減した画像を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】X線画像撮影装置の詳細な構成を示す図である。
【図2】センサ等価回路を示す図である。
【図3】フラットセンサパネルの回路図である。
【図4】駆動回路の構成を示す図である。
【図5】読み出しタイミングを示す図である。
【符号の説明】
8 光検出器アレー
10 画像処理部
21 光検出部
22 TFT
101 X線室
102 X線制御室
103 診断室
105 撮像者
110 システム制御部
111 操作者インタフェース
120 X線発生装置
121 X線管球
123 X線絞り
124 高圧発生電源
125 X線ビーム
126 被検体
130 撮像用寝台
140 X線検出器
141 グリッド
142 シンチレータ
144 X線露光量モニタ
145 駆動回路
151 ディスプレイアダプタ
160 ディスプレイ
161 外部記憶装置
163 LANボード
170 ファイルサーバ
172 イメージプリンタ
173 画像処理用端末
174 モニタ
214 撮像制御部

Claims (6)

  1. センサ手段と、
    前記センサ手段の画素間のクロストークを計測し、前記センサ手段からの読み出しを開始するまでの時間を設定する設定手段と、
    放射線曝射の終了から前記設定手段で設定された時間後に前記センサ手段からデータの読み出しを開始するように前記センサ手段を駆動する駆動手段と、
    を有することを特徴とする画像撮影装置。
  2. センサ手段と、
    前記センサ手段の画素間のクロストークを計測し、前記センサ手段からの読み出しを開始するまでの時間を決定する決定手段と、
    放射線曝射の終了から前記決定手段で決定された時間後に前記センサ手段からデータの読み出しを開始するように前記センサ手段を駆動する駆動手段と、
    を有することを特徴とする画像撮影装置。
  3. 記センサ手段は、半導体センサにより形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の画像撮影装置。
  4. 記駆動手段は、データを読み出すための薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の画像撮影装置。
  5. センサ手段の画素間のクロストークを計測し、前記センサ手段からの読み出しを開始するまでの時間を設定する設定ステップと、
    放射線曝射の終了から前記設定ステップで設定された時間後に前記センサ手段からデータの読み出しを開始するように前記センサ手段を駆動する駆動ステップと、
    を有することを特徴とする画像撮影方法。
  6. センサ手段の画素間のクロストークを計測し、前記センサ手段からの読み出しを開始するまでの時間を決定する決定ステップと、
    放射線曝射の終了から前記決定ステップで決定された時間後に前記センサ手段からデータの読み出しを開始するように前記センサ手段を駆動する駆動ステップと、
    を有することを特徴とする画像撮影方法。
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