JPH02177780A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
- Publication number
- JPH02177780A JPH02177780A JP63331871A JP33187188A JPH02177780A JP H02177780 A JPH02177780 A JP H02177780A JP 63331871 A JP63331871 A JP 63331871A JP 33187188 A JP33187188 A JP 33187188A JP H02177780 A JPH02177780 A JP H02177780A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dimensional
- liquid crystal
- light
- crystal shutter
- light receiver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.2.1]oct-3-en-7-one Chemical compound C1C2C(=O)OC1C=CC2 TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、2次元画像な光電変換するための撮像装置に
関する6 〔従来の技術J 2次元画像な光電変換するための手段としては、撮像管
及び半導体装置であるところのCCpもしくはMOSエ
リアセンサーが一般的である。
関する6 〔従来の技術J 2次元画像な光電変換するための手段としては、撮像管
及び半導体装置であるところのCCpもしくはMOSエ
リアセンサーが一般的である。
特に近年は、装置の小型化の要求からCCDもしくはM
OSエリアセンサーが多く用いられる。
OSエリアセンサーが多く用いられる。
これらのエリアセンサーは、半導体基板上に受光素子と
その電気出力の転送手段を2次元的に集積したものであ
る。9考文献としては、「カラービデオカメラとその使
い方」 (原正相著 日本放送出版協会)の第4章が掲
げられる。
その電気出力の転送手段を2次元的に集積したものであ
る。9考文献としては、「カラービデオカメラとその使
い方」 (原正相著 日本放送出版協会)の第4章が掲
げられる。
[発明が解決しようとする課題]
従来技術では、前述のように半導体基板上に2次元的に
受光素子を形成しているため、画素数が多くなるとチッ
プ面積が増大し、歩留りが低くなり高価なものとなって
いた。
受光素子を形成しているため、画素数が多くなるとチッ
プ面積が増大し、歩留りが低くなり高価なものとなって
いた。
画素の面積を小さくすれば、チップ面積が小さ(抑えら
れるが、飽和露光量が低下してしまうので、入射光強度
のダイナミックレンジが小さくなるという欠点があった
。
れるが、飽和露光量が低下してしまうので、入射光強度
のダイナミックレンジが小さくなるという欠点があった
。
本発明はこのような問題点を・解決するためのもので、
その目的とするところは、高密度なエリアセンサーを用
いずに、高解像力を有しつつ広い入射光強度のダイナミ
ックレンジを容易に実現できる2次元の撮像装置を提供
することにある。
その目的とするところは、高密度なエリアセンサーを用
いずに、高解像力を有しつつ広い入射光強度のダイナミ
ックレンジを容易に実現できる2次元の撮像装置を提供
することにある。
本発明の撮像装置は、
a)2次元画像を取り込むための撮像装置において、
b)副走査方向に分割された電極を有する透過型液晶シ
ャッターと、 C)前記透過型液晶シャッターに関して入射光と反対側
に配置された導光器と、 d)前記集光器の後方に主走査方向に配置された1次元
受光器とを備えることを特徴とする。
ャッターと、 C)前記透過型液晶シャッターに関して入射光と反対側
に配置された導光器と、 d)前記集光器の後方に主走査方向に配置された1次元
受光器とを備えることを特徴とする。
[作 用1
本発明は以上の構成を有するので以下のように作用する
。
。
2次元の入射光は、透過型液晶シャッターによって副走
査方向に分割され順次選択される。
査方向に分割され順次選択される。
この選択された入射光は、2次元画像の副走査1行分で
あるので、これを導光器によって主走査方向の1画素ご
とに導光し、後方の1次元受光器に供給し主走査を行い
光電変換する。
あるので、これを導光器によって主走査方向の1画素ご
とに導光し、後方の1次元受光器に供給し主走査を行い
光電変換する。
〔実 施 例1
以下、本発明について実施例に基づいて説明する。
第1図は本発明の撮像装置の構成図である。
被写体からの反射光もしくは透過光が入射光106とし
て、透過型液晶シャッター101に入射する。透過型液
晶シャッター101は、副走査方向(図では縦方向)に
分割された電極を有しており、この電極が一定のサイク
ルで順次選択されることによって入射光106が副走査
方向に分割されかつ透過し、透過光107となる。
て、透過型液晶シャッター101に入射する。透過型液
晶シャッター101は、副走査方向(図では縦方向)に
分割された電極を有しており、この電極が一定のサイク
ルで順次選択されることによって入射光106が副走査
方向に分割されかつ透過し、透過光107となる。
電極を順次選択するサイクルは、使用する液晶の応答時
間又は1次元受光器102のサイクル時間の大きい方よ
りも長周期とする。
間又は1次元受光器102のサイクル時間の大きい方よ
りも長周期とする。
透過光107は、2次元画像における副走査方向の1行
分だけ選択されたものであるので、これを1次元受光器
102において主走査を行う。
分だけ選択されたものであるので、これを1次元受光器
102において主走査を行う。
1次元受光器102は、CCDもしくはMOSラインセ
ンサーを用いることができる。
ンサーを用いることができる。
導光器108は、1次元受光器102の各画素に、対応
した2次元画像からの入射光を導光するものである。導
光器108の構造は、例えばガラスの薄板を互いに光学
的に分離しつつ積層したものであり、その層数は少なく
とも1次元受光器102の画素数以上必要である。この
導光器10Bによって主走査方向の解像力を高めること
ができる。なお、導光器108の端面は、極力、透過型
液晶シャッター101及び1次元受光器102と近接さ
せる。
した2次元画像からの入射光を導光するものである。導
光器108の構造は、例えばガラスの薄板を互いに光学
的に分離しつつ積層したものであり、その層数は少なく
とも1次元受光器102の画素数以上必要である。この
導光器10Bによって主走査方向の解像力を高めること
ができる。なお、導光器108の端面は、極力、透過型
液晶シャッター101及び1次元受光器102と近接さ
せる。
1次元受光器102の出力信号は、増幅器104を経て
信号出力端子105へ出力される。
信号出力端子105へ出力される。
走査信号発生器103は、透過型液晶シャッター101
に副走査信号を供給し、1次元受光器102には主走査
信号を供給する。
に副走査信号を供給し、1次元受光器102には主走査
信号を供給する。
第2図に透過型液晶シャッターの構成を示す。
副走査信号は、スタート信号入力端子205及びクロッ
ク信号入力端子206より供給され、シフトレジスター
204を駆動する。
ク信号入力端子206より供給され、シフトレジスター
204を駆動する。
シフトレジスター204の出力は、それぞれ対応する電
極201に接続され、クロック信号によって電極201
が順次選択されて行く。そして選択された液晶層207
が応答する。
極201に接続され、クロック信号によって電極201
が順次選択されて行く。そして選択された液晶層207
が応答する。
対向電極202には、対向電極電位入力端子203より
対向電極電位が与えられる。
対向電極電位が与えられる。
通常、この透過型液晶シャッターの液晶セルの両面には
、偏光板が装着される。
、偏光板が装着される。
第3図に本発明の撮像装置の動作タイミング図の1例を
示す。
示す。
a)は副走査用のクロック信号であり、このクロック信
号1周期間毎に電極201が1行ずつ順次選択されて行
く。
号1周期間毎に電極201が1行ずつ順次選択されて行
く。
C)・d)は、それぞれ1行目と2行目の電極201の
選択信号である。ここに実線と破線の信号は、液晶駆動
のための交番信号を表わすものであって、同一の電極2
01を選択するごとに極性が反転する。
選択信号である。ここに実線と破線の信号は、液晶駆動
のための交番信号を表わすものであって、同一の電極2
01を選択するごとに極性が反転する。
b)は、副走査のスタート信号である。
e)は、1次元受光器102の出力信号であって、数字
は副走査側の選択順序に対応している。
は副走査側の選択順序に対応している。
つまり、N行目が選択されているときには、N行目の透
過光が光電変換されて出力信号となる。
過光が光電変換されて出力信号となる。
1次元受光器102は、副走査側のタイミングに合わせ
て走査を行う必要がある。このため主走査信号は通常、
副走査信号と同一の論理回路より発生させる。
て走査を行う必要がある。このため主走査信号は通常、
副走査信号と同一の論理回路より発生させる。
1次元受光器102にCCD又はMOSラインセンサー
を使用すると、そのサイクル時間は2000画素程度の
もので2〜4msであり、方液晶の応答時間はTN液晶
で100〜200m5なので、電極201を順次選択す
るサイクルは液晶の応答時間で決定される。このことか
ら。
を使用すると、そのサイクル時間は2000画素程度の
もので2〜4msであり、方液晶の応答時間はTN液晶
で100〜200m5なので、電極201を順次選択す
るサイクルは液晶の応答時間で決定される。このことか
ら。
仮に2000画素X画素 000行程度(ハイビジョン
相当)の解像力を要求すると、1画面当り1〜2秒で画
像取り込みが可能となる。ここに用いる1次元受光器1
02は、2000画素のラインセンサーで良く、200
万画素のエリアセンサーに比して実現容易でかつ安価で
ある。
相当)の解像力を要求すると、1画面当り1〜2秒で画
像取り込みが可能となる。ここに用いる1次元受光器1
02は、2000画素のラインセンサーで良く、200
万画素のエリアセンサーに比して実現容易でかつ安価で
ある。
また、例えば2000画素xlooO行のエリアセンサ
ーと2000画素のラインセンサーを比べると、ライン
センサーの方が画素面積を2倍程度大きくしても実現容
易であるので、飽和露光量が大きくなり入射光強度のダ
イナミックレンジが゛広くなるという利点がある。
ーと2000画素のラインセンサーを比べると、ライン
センサーの方が画素面積を2倍程度大きくしても実現容
易であるので、飽和露光量が大きくなり入射光強度のダ
イナミックレンジが゛広くなるという利点がある。
本発明の撮像装置が適用される被写体としては、例^ば
スライドフィルムがある。光源と透過型液晶シャッター
との間にスライドフィルムを置く形態になる。この場合
、副走査方向の解像力を低下させないためには、被写体
をなるべく透過型液晶シャッター101に近接させるこ
とが重要である。なぜなら、被写体から発散する光線が
副走査方向の対応する行以外の行へ入射することを防ぐ
ためである。
スライドフィルムがある。光源と透過型液晶シャッター
との間にスライドフィルムを置く形態になる。この場合
、副走査方向の解像力を低下させないためには、被写体
をなるべく透過型液晶シャッター101に近接させるこ
とが重要である。なぜなら、被写体から発散する光線が
副走査方向の対応する行以外の行へ入射することを防ぐ
ためである。
あるいは、レンズ等の結像手段を用いて、スライドフィ
ルムの像を透過型液晶シャッター上に結像させても良い
。
ルムの像を透過型液晶シャッター上に結像させても良い
。
[発明の効果]
以上述べたように、本発明は副走査を透過型液晶シャッ
ターで行い、主走査を1次元受光器で行うので、高密度
なエリアセンサーを用いずに高解像力を有しつつ広い入
射光強度のダイナミックレンジを容易に実現できる2次
元の撮像装置を提供できる。
ターで行い、主走査を1次元受光器で行うので、高密度
なエリアセンサーを用いずに高解像力を有しつつ広い入
射光強度のダイナミックレンジを容易に実現できる2次
元の撮像装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の撮像装置の構成図。
第2図は本発明の透過型液晶シャッターの構成図。第3
図は本発明の撮像装置の動作タイミング図。 透過型液晶シャッター 1次元受光器 走査信号発生器 増幅器 信号出力端子 導光器 第1図 /l/ /ρ2 /p3 /ρり /ρr /#? ?虻編「シjな7tシ4Vツ7一 ノΔ−えjえλJ− 吏鉛榛号た−1 著蓮し メS(土、S鈎うじシ 4L器
図は本発明の撮像装置の動作タイミング図。 透過型液晶シャッター 1次元受光器 走査信号発生器 増幅器 信号出力端子 導光器 第1図 /l/ /ρ2 /p3 /ρり /ρr /#? ?虻編「シjな7tシ4Vツ7一 ノΔ−えjえλJ− 吏鉛榛号た−1 著蓮し メS(土、S鈎うじシ 4L器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 a) 2次元画像を取り込むための撮像装置において、 b)副走査方向に分割された電極を有する透過型液晶シ
ャッターと、 c)該透過型液晶シャッターに関して入射光と反対側に
配置された導光器と、 d)該集光器の後方に主走査方向に配置された1次元受
光器とを備えることを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63331871A JPH02177780A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63331871A JPH02177780A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02177780A true JPH02177780A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=18248576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63331871A Pending JPH02177780A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02177780A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017032158A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | シャープ株式会社 | 収納庫 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63331871A patent/JPH02177780A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017032158A (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-09 | シャープ株式会社 | 収納庫 |
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