JP2007294667A - 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板60上に、光電変換素子を有する画素部41と、信号処理を行うための周辺回路部45とを備える固体撮像素子を、画素部と周辺回路部の上に平坦化層59を形成する工程と、周辺回路部45内に配線回路パターンが含まれる中間層81を、画素部41と周辺回路部45の双方にわたって共通したプロセスにより形成する工程と、画素部41を含む領域に対して中間層81を、平坦化層59をストッパとして選択的に除去する工程と、選択的に除去した後の画素部41及び周辺回路部45の表面に保護層88を形成する工程とを含む製造方法で作製する。
【選択図】図7
Description
N型シリコン基板2表面側のP型不純物層3上には、画素部53側にフォトダイオード30、周辺回路部54側にフィールド酸化膜19等が設けられている。
遮光膜11及び絶縁膜13上の中間層15には、BPSG(Boro-phospho silicate glass)膜からなる平坦化層8と窒化シリコン膜14からなる層内凹レンズ9、中間配線層20、酸化シリコン(SiO2)からなる酸化膜22、層間膜24、平坦化層26を有する。そして、平坦化層26上には、カラーフィルタ層16、マイクロレンズ17が順次積層して設けられる。中間配線層20は、主に周辺回路部54の多層配線回路の厚みに対応して形成される。
そこで、周辺回路部54の形成を完了させた後に画素部53の一部を除去して薄くし、画素部53の層間膜上にカラーフィルタ16とマイクロレンズ17を形成するようにした固体撮像素子が、特許文献1に記載されている。
すなわち、図9に示した従来の固体撮像素子では、画素部53の層間距離Haが回路形成のために延長され、その結果、素子全体の高さとなる距離Hbが長くなり、光路が長くなった。すると、前述したように集光精度が得られにくくなり、光利用効率も吸収のために低下する傾向があった。また、光線を絞るとフォトダイオード30から光線がはみ出して受光量が減少した。
(1) 半導体基板上に、入射光に応じた信号電荷を発生する光電変換素子を有する画素部と、発生した前記信号電荷の読み出し駆動および該信号電荷の信号処理を行うための周辺回路部とを備える固体撮像素子の製造方法であって、前記画素部と前記周辺回路部の上に平坦化層を形成する工程と、前記周辺回路部内に配線回路パターンが含まれる中間層を、前記画素部と前記周辺回路部の双方にわたって共通したプロセスにより形成する工程と、前記画素部を含む領域に対して前記中間層を、前記平坦化層をストッパとして選択的に除去する工程と、選択的に除去した後の前記画素部及び前記周辺回路部の表面に保護層を形成する工程と、を含む固体撮像素子の製造方法。
以下、本発明に係る固体撮像素子の好適な実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本実施形態の固体撮像素子の概念的な平面図を示す。
本実施形態の固体撮像素子100は、複数の光電変換素子からの信号電荷を転送する複数の垂直転送路(VCCD)を含む画素部41と、垂直転送動作を行うための垂直転送ドライバ42と、複数の垂直転送路から転送される信号電荷を受けて転送する水平転送路(HCCD)43と、転送された信号電荷に応じて信号処理を行う信号処理回路44などの周辺回路部とを有し、素子を駆動するための回路が画素部41の近くに並設されている。
図2は本発明に係る固体撮像素子100の製造方法の要部を画素部と周辺回路部に対して工程順に概略を示した説明図である。なお、図2は、図1の矢印B−Bの断面図である。
図2(a)に示すように、予め必要な処理が施された半導体基板46上に、シリコン窒化膜(SiN)による絶縁膜47を積層する。
次に、本発明に係る固体撮像素子100の製造方法について、凸層内レンズを有するCCDと2層メタル構造の周辺回路との混載構造の固体撮像素子を例により詳細に説明する。この固体撮像素子は、窒化シリコン(SiN)からなる平坦化層の形成までは、従前同様の通常の成膜プロセスを行う。
なお、前述したように、周辺回路部45にはフィールド酸化膜57が形成される。半導体装置の高集積化・高密度化に伴い、半導体素子の微細化が進められているが、このような半導体装置においては、素子分離技術としてLOCOS(Local Oxidation of Silicon)が広く用いられている。素子分離のなされた半導体装置は、素子形成領域を分離するために素子分離用の厚い酸化膜を形成してなる素子分離領域(フィールド酸化膜領域)と、このフィールド酸化膜57で囲まれ、素子形成を行う領域であって薄い酸化膜を形成してなる領域(アクティブ領域)とに分けられる。
41 画素部
42 垂直転送ドライバ
43 水平転送路
44 信号処理回路
45 周辺回路部
48 中間層
52 保護膜
55 転送電極
56 遮光膜
58 BPSG膜
59 平坦化層
60 半導体基板
63 タングステンプラグ
81 層間膜
82 酸化膜
83 第1層メタル
85 平坦化膜
86 タングステンプラグ
87 第2層メタル
88 層間膜(保護膜)
91 カラーフィルタ
93 マイクロレンズ
100 固体撮像素子
Claims (5)
- 半導体基板上に、入射光に応じた信号電荷を発生する光電変換素子を有する画素部と、発生した前記信号電荷の読み出し駆動および該信号電荷の信号処理を行うための周辺回路部とを備える固体撮像素子の製造方法であって、
前記画素部と前記周辺回路部の上に平坦化層を形成する工程と、
前記周辺回路部内に配線回路パターンが含まれる中間層を、前記画素部と前記周辺回路部の双方にわたって共通したプロセスにより形成する工程と、
前記画素部を含む領域に対して前記中間層を、前記平坦化層をストッパとして選択的に除去する工程と、
選択的に除去した後の前記画素部及び前記周辺回路部の表面に保護層を形成する工程と、
を含む固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記画素部の前記保護膜上に前記光電変換素子に光を集光させる光学機能層を形成する工程を有し、
前記光学機能層が、特定波長成分のみ透過させるカラーフィルタ、前記光電変換素子に光を集光させるマイクロレンズの少なくともいずれかを含む固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1又は請求項2記載の固体撮像素子の製造方法に基づいて作製される固体撮像素子であって、
前記周辺回路部における前記中間層の除去端の側壁面が、前記保護膜で覆われている固体撮像素子。 - 請求項3記載の固体撮像素子であって、
前記平坦化層が窒化シリコン膜を含む層である固体撮像素子。 - 請求項3又は請求項4記載の固体撮像素子であって、
前記保護層が窒化シリコン膜を含む層である固体撮像素子。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006120638A JP2007294667A (ja) | 2006-04-25 | 2006-04-25 | 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 |
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JP2009194340A (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | Canon Inc | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
JP2010040650A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 固体撮像装置 |
WO2021235167A1 (ja) * | 2020-05-22 | 2021-11-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
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2006
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