JP2010245366A - 電子素子及びその製造方法、並びに表示装置 - Google Patents
電子素子及びその製造方法、並びに表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010245366A JP2010245366A JP2009093693A JP2009093693A JP2010245366A JP 2010245366 A JP2010245366 A JP 2010245366A JP 2009093693 A JP2009093693 A JP 2009093693A JP 2009093693 A JP2009093693 A JP 2009093693A JP 2010245366 A JP2010245366 A JP 2010245366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lower electrode
- film
- electrode
- electronic device
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 83
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 47
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 170
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 20
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 17
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 17
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNWNNQTUZYVQRK-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-1h-pyrrolo[2,3-c]pyridine-2-carboxylic acid Chemical compound BrC1=NC=C2NC(C(=O)O)=CC2=C1 NNWNNQTUZYVQRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002574 CR-39 Polymers 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】基板10上に、端部断面のテーパー角度が60°以下である下部電極22と、前記下部電極22上に配置され、水素原子の含有率が3原子%以下であり、波長650nmにおける屈折率nが1.475以下であるSiO2膜24と、前記SiO2膜24上に配置され、前記下部電極22と重なり部を有する上部電極26と、を有する電子素子である。
【選択図】図4
Description
近年、前記絶縁膜や前記薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;TFT)に関し、種々の検討が行われている。
しかしながら、特に、低温で電子素子を形成する場合、上記従来の絶縁膜ではリーク電流を抑制できないことがある。
本発明は上記に鑑みなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明の目的は、低温プロセスで製造でき、リーク電流が抑制された電子素子及びその製造方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、低温プロセスで製造でき、表示品質に優れた表示装置を提供することにある。
<1> 基板上に、端部断面のテーパー角度が60°以下である下部電極と、前記下部電極上に配置され、水素原子の含有率が3原子%以下であり、波長650nmにおける屈折率nが1.475以下であるSiO2膜と、前記SiO2膜上に配置され、前記下部電極と重なり部を有する上部電極と、を有する電子素子である。
<5> 前記絶縁膜は、波長650nmにおける屈折率nが1.475以下のSiO2膜である<3>又は<4>に記載の電子素子の製造方法である。
また、本発明によれば、低温プロセスで製造でき、表示品質に優れた表示装置を提供することができる。
本発明の電子素子は、基板上に、端部断面のテーパー角度が60°以下である下部電極と、前記下部電極上に配置され、水素原子の含有率が3原子%以下であり、波長650nmにおける屈折率nが1.475以下であるSiO2膜と、前記SiO2膜上に配置され、前記下部電極と重なり部を有する上部電極と、を有する。
また、本発明の電子素子の製造方法は、基板上に、端部断面のテーパー角度が60°以下である下部電極を形成する下部電極形成工程と、前記下部電極上に絶縁膜をスパッタにより形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に上部電極を、前記下部電極と重なり部を有するように形成する上部電極形成工程と、を有する。
しかしながら、本発明者の検討により、以下の事実が明らかとなった。
即ち、例えば200℃以下の低温でスパッタにより形成された絶縁膜は、CVDにより形成された絶縁膜に比べ、下部電極の端部(パターンエッジ付近)に対するカバレッジ(被覆性)が悪い。このため、特に、下部電極の端部が切り立った形状(後述する下部電極端部断面のテーパー角度が60°を超える場合)である場合において、該下部電極の端部に対する絶縁膜のカバレッジが悪くなり、該端部付近における絶縁膜に空洞やクラックが生じ、その結果としてリーク電流が増大することがある。
一方、後述する下部電極端部断面のテーパー角度が60°以下である場合であっても、絶縁膜の膜質によっては、やはりリーク電流が増大することがある。
そこで、電子素子を上記本発明の構成とすることにより、電子素子における絶縁膜のリーク電流が抑制される。
従って、本発明によれば、低温(例えば、200℃以下)プロセスで製造でき、リーク電流が抑制された電子素子が提供される。
即ち、本発明によれば、プラスチック基板上に設けられ、リーク電流が抑制された電子素子が提供される。
また、本発明において下部電極の「下面」とは、下部電極の面のうち、基板との接触面を指す。
また、本発明において下部電極の「上面」とは、下部電極の面のうち、下面と平行な面であって、基板から離れた側の面を指す。
また、本発明において下部電極の「側面」とは、下部電極の面のうち、上面にも下面にも該当しない面を指す。
また、本発明において、下部電極の「上端」とは、下部電極上面と下部電極側面との境界線を指す。
図1〜図3は、基板10上に下部電極12が設けられた様子を模式的に示した断面図である。
詳しくは、図1〜図3は、下部電極を、パターンエッジに直交し、かつ、基板法線方向に平行な平面で切断したときの切断面を示している。
図1に示すように、下部電極12の端部断面のテーパー角度θは、下部電極12における下面と側面とのなす角度であり、詳しくは、下部電極12の上端Pと下端Qとを結ぶ直線と、該下部電極12下面に相当する直線と、のなす角度である。
図2は、下部電極の側面が、下部電極の外側に向かって張り出した曲面である場合の例であり、図3は、下部電極の側面が、下部電極の内側に向かってえぐれた曲面である場合の例である。
図2及び図3においても、下部電極12の端部断面のテーパー角度θは、下部電極12の上端Pと下端Qとを結ぶ直線(一点鎖線)と、該下部電極12下面に相当する直線と、のなす角度である。
前記下部電極の端部断面のテーパー角度としては、リーク電流抑制の観点からは、45°以下であることが好ましく、30°以下であることがより好ましい。
本発明における基板としては特に限定はなく、例えば、YSZ(ジルコニア安定化イットリウム)、ガラス等の無機基板;ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の合成樹脂等の有機基板(本発明ではこれらの有機基板を、「プラスチック基板」や「フレキシブル基板」ともいう);等を用いることができる。
中でも、低温で絶縁膜を形成する場合に本発明による効果がより効果的に奏される点を考慮すると、プラスチック基板が好ましい。
前記プラスチック基板は、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層や、プラスチック基板の平坦性や下部電極との密着性を向上するためのアンダーコート層、等を備えていてもよい。
前記厚みが50μm以上であると、基板自体の平坦性がより向上する。
また、前記厚みが500μm以下であると、基板自体の可撓性がより向上し、フレキシブル基板としての使用がより容易となる。
本発明の電子素子は、端部断面のテーパー角度が60°以下である下部電極を有する。
本発明における下部電極の具体的形態は、例えば、(1)本発明の電子素子がコンデンサである場合には、該コンデンサにおける一方の電極であり、(2)本発明の電子素子がボトムゲート型の薄膜トランジスタである場合には、該薄膜トランジスタにおけるゲート電極であり、(3)本発明の電子素子がトップゲート型の薄膜トランジスタである場合には該薄膜トランジスタにおけるソース電極若しくはドレイン電極である。
上記の中でも、下部電極の端部断面のテーパー角度を60°以下に調整し易い点で、Mo−Nb又は酸化物導電膜が好ましく、酸化物導電膜がより好ましい。
前記酸化物導電膜は、IZO等のアモルファス酸化物導電膜であることがより好ましい。
また、IZOを用いた場合には、下部電極端部が自然酸化して絶縁化される。
このため、後述する下部電極の実効面積拡大の抑制や、下部電極端部への電界集中の抑制の観点からも、下部電極としてIZOを用いることが好ましい。
具体的には、例えば、ウェットエッチングの場合にはエッチング液を希釈して用いる方法が挙げられる。エッチング液の濃度が低い程、エッチング速度が低下し、テーパー角度が小さくなる傾向がある。
また、レジストパターン(フォトレジストを用いて形成されたレジストパターン)との密着性を調整し、テーパー角度を調節する方法がある。レジストパターンとの密着性が悪い方がテーパー角度を小さくできる。レジストパターンとの密着性は、レジストパターンのポストベークの温度で調整できる(例えば、ポストベーク温度が低い程、密着性が悪化する傾向がある)。
ドライエッチングの場合は、エッチングガスに酸素を混ぜることにより、エッチングによりレジストパターンを後退させながら下部電極膜をエッチングできるので、下部電極膜のテーパー角度を上記範囲に容易に調整できる。
また、本発明における下部電極は、端部(特に下部電極側面)が酸化処理されていることが好ましい。
これにより、端部が絶縁化されるので、テーパー角度を60°以下としたことにより生じることがある、下部電極の実効面積の拡大を抑制できる。更に、テーパー角度を60°以下としたことにより生じることがある、下部電極下端への電界の集中を抑制できる。
但し、前述のとおり、下部電極の材料としてIZOを用いた場合には、下部電極端部が自然酸化して絶縁化される。この点を考慮すると、前記酸化処理は、下部電極の材料としてIZO以外の材料(例えば、金属又は合金)を用いた場合に特に効果的である。
下部電極端部への選択的な酸化処理は、例えば、以下のようにして行うことができる。
まず、下部電極膜を例えばスパッタにより成膜し、成膜された下部電極膜上にフォトレジストを用いてレジストパターンを形成し、形成されたレジストパターンをエッチングマスクとして下部電極膜をエッチングする。このとき、下部電極は端部(側面)のみが露出した状態となる。この状態のときであってレジストパターンを剥離する前に酸化処理を行うことで、下部電極端部の選択的な酸化処理を行うことができる。その後、公知のレジスト剥離液により、レジストパターンを剥離する。
本発明の電子素子は、前記下部電極上に配置された絶縁膜を有する。
本発明における絶縁膜としては、水素原子の含有率が3原子%以下であり、波長650nmにおける屈折率nが1.475以下であるSiO2膜が好適である。
本発明における絶縁膜の具体的形態は、例えば、(1)本発明の電子素子がコンデンサである場合には、該コンデンサにおける誘電体であり、(2)本発明の電子素子がボトムゲート型の薄膜トランジスタである場合には、該薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁膜であり、(3)本発明の電子素子がトップゲート型の薄膜トランジスタである場合には該薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁膜である。
ここで、SiO2膜の水素原子含有率は、HFS分析(水素前方散乱分析)により測定された値を指す。
SiO2膜の水素原子の含有率を3原子%以下とする方法としては、例えば、(CVDではなく)スパッタにより成膜する方法が挙げられる。
ここで、SiO2膜の波長650nmにおける屈折率は、分光エリプソメーターにより測定された値を指す。
またスパッタ時の酸素濃度は3%以上50%以下が好ましい、より好ましくは5%以上20%以下である。
また、前記スパッタ時の基板温度の上限は、基板としてプラスチック基板を用いる場合の該プラスチック基板の損傷抑制の点からは、200℃以下が好ましく、150℃以下がより好ましく、100℃以下が更に好ましい。
上記範囲の中でも、75℃以下が更に好ましく、50℃以下が特に好ましい。
なお、本発明において、スパッタ時の基板温度は、基板にサーモラベルを添付して測定された値を指す。
前記スパッタとしては、RFマグネトロンスパッタが好適である。
また、ターゲットとしては、SiO2ターゲット、Siターゲットのいずれを用いてもよい(Siターゲットを用いる場合には、酸素ガスを導入しながら行う反応性スパッタによりSiO2膜を形成する)。
また、スパッタ電力としては、0.05W/mm2〜2.0W/mm2が好ましく、0.1W/mm2〜1.0W/mm2がより好ましい。
また、本発明において、リーク電流を特に低減させる観点からは、絶縁膜(例えばSiO2膜)の膜厚が80nm〜500nmであって、下部電極の膜厚が20nm〜500nmである組み合わせが好ましく、絶縁膜(例えばSiO2膜)の膜厚が80nm〜400nmであって、下部電極の膜厚が30nm〜200nmである組み合わせがより好ましい。
本発明における絶縁膜の形態の一例としては、例えば、基板上の下部電極上の領域(電圧印加用の端子部を除く)及び下部電極以外の領域に渡って全面に設けられた形態が挙げられる。前記端子部においては、絶縁膜が形成されず、下部電極が露出されている。この下部電極の露出は、例えば、フォトエッチング法、リフトオフ法、シャドウマスク法等により絶縁膜を形成(加工)することにより行うことができる。
本発明の電子素子は、前記絶縁膜上に配置され、前記下部電極と重なり部を有する上部電極を有する。
本発明における上部電極の具体的形態は、例えば、(1)本発明の電子素子がコンデンサである場合には、該コンデンサにおける一方の電極(前記下部電極に対する対向電極)であり、(2)本発明の電子素子がボトムゲート型トランジスタである場合には、該ボトムゲート型トランジスタにおけるソース電極若しくはドレイン電極であり、(3)本発明の電子素子がトップゲート型トランジスタである場合にはゲート電極である。
中でも、抵抗率が低いという点からは、金属又は合金が好ましく、Al、Al−Nd、Moがより好ましい。
パターニングの方法としては、前述の、フォトエッチング法、リフトオフ法、シャドウマスク法等を特に制限無く用いることができる。
即ち、本発明における上部電極は、基板法線方向上部電極形成面側からみたときに、前記下部電極と重なる領域を有して配置される。
このような上部電極の形態の一例としては、基板法線方向上部電極形成面側からみたときに、下部電極と交差するパターンとしてパターニングされている形態が挙げられる。
本発明の電子素子は、前記基板、前記下部電極、前記絶縁膜、及び前記上部電極以外にも、その他の要素を備えていてもよい。
該その他の要素は、基板と下部電極との間、下部電極と絶縁膜との間、絶縁膜と上部電極との間、上部電極の更に上(基板から離れた側)のどの位置に備えられていてもよい。
その他の要素としては、例えば、保護膜、本発明の電子素子がトランジスタである場合の半導体層、等が挙げられる。
前記酸化物半導体としては、In、GaおよびZnからなる群より選ばれる少なくとも1種若しくはこれらの複合酸化物を含む酸化物半導体が好ましい。特に好ましくは、例えば特開2006−165529号公報等に記載されているアモルファス酸化物半導体(例えば、IGZO)である。
次に、本発明の電子素子の好ましい実施形態について、図4〜図8を用いて説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されることはない。
図4に示すように、コンデンサ20は、基板10上に、下部電極22と、前記下部電極22上に配置されたSiO2膜24と、前記SiO2膜24上に配置され、前記下部電極22と重なり部を有する上部電極26と、を備えている。
コンデンサ20では、上部電極26と下部電極22との間に電圧が印加され、SiO2膜24の、上部電極26と下部電極22との重なり部に相当する部分に、容量が蓄積される。この際、前述の上部電極の端部断面のテーパー角度と、前述のSiO2膜の屈折率nと、により、上部電極26と下部電極22との間のリーク電流が抑制される。
図5に示すように、薄膜トランジスタ30は、基板10上に、ゲート電極である下部電極32Gと、前記下部電極32G上に配置される、ゲート絶縁膜であるSiO2膜34と、SiO2膜34上に島状(アイランド状)にパターニングされた半導体層38を備えている。薄膜トランジスタ30は、半導体層38上に更に、前記下部電極32Gと重なり部を有する、ソース電極である上部電極36Sとドレイン電極である上部電極36Dと、をそれぞれ備えている。
薄膜トランジスタ30によれば、上部電極36S及び/又は上部電極36Dと、下部電極32Gと、の間のリーク電流が抑制され、オフ電流が低減されるので、オンオフ比〔オン電流/オフ電流〕が高い良好なトランジスタ特性が得られる。
図6に示すように、薄膜トランジスタ40は、基板10上に、ゲート電極である下部電極42Gと、前記下部電極42G上に配置される、ゲート絶縁膜であるSiO2膜44と、前記SiO2膜44上に配置され、前記下部電極42Gと重なり部を有する、ソース電極である上部電極46Sとドレイン電極である上部電極46Dと、をそれぞれ備えている。薄膜トランジスタ40は、更に、上部電極46S、上部電極46D、上部電極46Sと上部電極46Dとの間のSiO2膜44を覆うように、島状(アイランド状)にパターニングされた半導体層48を備えている。
薄膜トランジスタ40によれば、上部電極46S及び/又は上部電極46Dと、下部電極42Gと、の間のリーク電流が抑制され、オフ電流が低減されるので、オンオフ比〔オン電流/オフ電流〕が高い良好なトランジスタ特性が得られる。
図7に示すように、薄膜トランジスタ50は、基板10上に、島状(アイランド状)にパターニングされた半導体層58を備えており、半導体層58上に、ソース電極である下部電極56Sと、ドレイン電極である下部電極56Dと、をそれぞれ備えている。薄膜トランジスタ50は、更に、下部電極56S、下部電極56D、及び、半導体層58上の下部電極56Sと下部電極56Dとの間の領域(チャネル領域)を覆うように、島状にパターニングされたゲート絶縁膜であるSiO2膜54が備えられている。更に、SiO2膜54上には、下部電極56S及び下部電極56Dに対して重なり部を有するようにして、ゲート電極である上部電極52Gが備えられている。
薄膜トランジスタ50によれば、下部電極56S及び/又は下部電極56Dと、上部電極52Gと、の間のリーク電流が抑制され、オフ電流が低減されるので、オンオフ比〔オン電流/オフ電流〕が高い良好なトランジスタ特性が得られる。
図8に示すように、薄膜トランジスタ60は、基板10上に、ソース電極である下部電極66Sと、ドレイン電極である下部電極66Dと、を備えている。更に、下部電極66S、下部電極66D、及び、基板10上の下部電極66Sと下部電極66Dとの間の領域(チャネル領域)を覆うように、島状にパターニングされた半導体層68が備えられ、半導体層68上に、同様に島状にパターニングされたゲート絶縁膜であるSiO2膜64が備えられている。更に、SiO2膜64上には、下部電極66S及び下部電極66Dに対して重なり部を有するようにして、ゲート電極である上部電極62Gが備えられている。
薄膜トランジスタ60によれば、下部電極66S又は下部電極66Dと、上部電極62Gと、の間のリーク電流が抑制され、オフ電流が低減されるので、オンオフ比〔オン電流/オフ電流〕が高い良好なトランジスタ特性が得られる。
以下、前述の本発明の電子素子を備えて構成された、本発明の表示装置について説明する。
図9は、本発明の表示装置の一例である液晶表示装置200を示す概略構成図である。
図9に示すように、液晶表示装置200は、互いに平行な複数のゲート配線210と、該ゲート配線210と交差する、互いに平行なドレイン配線220と、を備えている。ここで、ゲート配線210とドレイン配線220とは電気的に絶縁されている。ゲート配線210とドレイン配線220との交差部付近には、薄膜トランジスタ230が備えられている。
薄膜トランジスタ230のゲート電極は、ゲート配線210に接続されており、薄膜トランジスタ230のドレイン電極は、ドレイン配線220に接続されている。また、薄膜トランジスタ230のソース電極は、画素電極に接続されており、該画素電極と図示しない対向電極との間には液晶250が保持されている。更に、該画素電極は、接地された対向電極とともにコンデンサ240を構成している。
また、本発明によると、プロセス温度を200℃以下に下げることができる為に、表示品質が良いフレキシブルな液晶表示装置や、表示品質が良いフレキシブルな有機EL表示装置を提供できる。
≪電子素子の作製≫
<下部電極の形成>
(IZO膜の成膜)
厚さ150μmのPENフイルム(帝人デュポン社製Q65FA)基板上に、下記条件のスパッタにより膜厚100nmのIZO膜を形成した。
なお、下記条件において、基板温度は、基板のIZO成膜面側にサーモラベルを添付して測定した(後述のSiO2スパッタ及びAlスパッタにおける基板温度の測定も同様である)。
また、以下において、「sccm」は「standard cc/min」の略であり、1分間にスパッタ装置に導入される気体の体積(cc)を、標準状態(1013.25hPa(1気圧)、0℃)に換算した値である。例えば、本発明において「1sccm」は、1013.25hPa(1気圧)、0℃における気体の流量が、1cm3/minに相当することをいう。
・スパッタ装置: DCマグネトロンスパッタ装置
・ターゲット: 出光興産製の3インチIZOターゲット(純度4N)
・基板温度: 室温(20℃以上37℃以下)
・スパッタ電力: DC電源100W
・圧力(ガス導入時): 0.4Pa
・導入ガス及び流量: Ar=97sccm、O2=3.0sccm
次に、上記で形成されたIZO膜上に、フォトレジストAZ―5124E(クラリアント・ジャパン製)を用いて下部電極形成用のレジストパターンを形成した。
レジストパターンは、線幅200μmの直線状パターンとした。
IZO膜のウェットエッチングは、液温27℃で行った。
上記ITO−6Nは、シュウ酸水溶液である。
以上により、パターニングされたIZO膜(以下、「IZOパターン」ともいう)である下部電極を形成した。
下部電極は、膜厚100nm、線幅200μmの直線状のIZOパターンであった。
次に、前記基板の下部電極形成面側に、下記条件のスパッタにより膜厚200nmのSiO2膜を形成した。
SiO2膜は下部電極のほぼ全面を覆うように形成したが、シャドウマスクを用いたスパッタにより一部(電圧印加用の端子部)のみ露出させた。
・スパッタ装置: RFマグネトロンスパッタ装置
・ターゲット: フルウチ化学製の3インチSiO2ターゲット(純度4N)
・基板温度: 43℃
・スパッタ電力: RF電源200W
・圧力(ガス導入時): 0.16Pa
・導入ガス及び流量: Ar=40sccm,O2=4.5sccm
(Al膜の形成)
次に、前記基板のSiO2膜形成面側に、下記条件のスパッタにより膜厚200nmのAl膜を形成した。
・スパッタ装置: DCマグネトロンスパッタ装置
・ターゲット: フルウチ化学製の3インチAlターゲット(純度4N)
・基板温度: 室温(20℃以上37℃以下)
・スパッタ電力: DC電源400W
・圧力(ガス導入時): 0.34Pa
・導入ガス及び流量: Ar=15sccm
次に、上記で形成されたAl膜上に、フォトレジストAZ―5124E(クラリアント・ジャパン製)を用いて上部電極形成用のレジストパターンを形成した。
レジストパターンは、下部電極の直線状パターンに直交する、線幅200μmの直線状パターンとした。
以上により、パターニングされたAl膜である上部電極を形成した。
上部電極は、膜厚200nm、線幅200μmの直線状のAlパターンであり、下部電極と直交するパターン(即ち、下部電極と重なり部を有するパターン)であった。
上記で得られた電子素子について、以下の測定及び評価を行った。
測定及び評価の結果を下記表1に示す。
上記で得られた電子素子を、基板に垂直かつ下部電極端(パターンエッジ)に垂直な平面で切断し、下部電極一端部の断面を透過型電子顕微鏡(TEM;倍率400,000倍)により撮影した。
撮影されたTEM写真を用い、下部電極の一端部の断面のテーパー角度を測定した。
ここで、テーパー角度は、下部電極の上端と下端とを結ぶ直線と、下部電極の基板との接触面に相当する直線と、のなす角度とした。
上記で得られた電子素子のSiO2膜の水素原子含有率を、HFS分析により測定した。
測定結果を下記表1に示す。
上記で得られた電子素子のSiO2膜の波長650nmにおける屈折率を、分光エリプソメーター(ファイブラボ社MASS−104FH)により測定した。
測定結果を下記表1に示す。
上記で得られた電子素子のリーク電流を、アジレントテクノロジー社半導体パラメータアナライザー4155Cを用いて測定した。
ここで、リーク電流は、上部電極と下部電極との間に10Vの電圧を印加したときに両電極間に流れる電流密度値(A/cm2)とした。
なお、本条件下では、リーク電流は、1.0×10−9A/cm2以下であれば実用上の許容範囲内である。
下部電極を、膜厚40nmのMoNb膜である下部電極に変更した以外は実施例1と同様に電子素子を作製し、実施例1と同様の測定及び評価を行った。
測定及び評価の結果を下記表1に示す。
実施例2の下部電極の形成方法の詳細を以下に示す。
(MoNb膜の成膜)
厚さ150μmのPENフイルム(帝人デュポン社製Q65FA)基板上に、下記条件のスパッタにより膜厚40nmのMoNb膜を形成した。
基板温度の測定方法は、実施例1(IZO膜)と同様である。
・スパッタ装置: DCマグネトロンスパッタ装置
・ターゲット: 日立金属 純度3Nの120mmΦMoNb(Nb5質量%添加)ターゲット
・基板温度: 室温(20℃以上37℃以下)
・スパッタ電力: DC電源300W
・圧力(ガス導入時): 0.2Pa
・導入ガス及び流量: Ar=58.5sccm
次に、上記で形成されたMoNb膜上に、フォトレジストAZ―5124E(クラリアント・ジャパン製)を用いて下部電極形成用のレジストパターンを形成した。
レジストパターンは、線幅200μmの直線状パターンとした。
MoNb膜のウェットエッチングは、液温25℃で行った。
以上により、パターニングされたMoNb膜(以下、「MoNbパターン」ともいう)である下部電極を形成した。
下部電極は、膜厚40nm、線幅200μmの直線状のMoNbパターンであった。
実施例1において、IZO膜のウェットエッチングに用いたエッチング液を、ITO−02(関東化学)の2倍希釈液に変更した以外は実施例1と同様にして電子素子を作製し、実施例1と同様の測定及び評価を行った。
測定及び評価の結果を下記表1に示す。
上記ITO−02は、硝酸と塩酸との混合水溶液である。
実施例1において、SiO2スパッタ条件における圧力(ガス導入時)を0.16Paから0.4Paに変更した以外は実施例1と同様にして電子素子を作製し、実施例1と同様の測定及び評価を行った。
測定及び評価の結果を下記表1に示す。
実施例1において、IZO膜のウェットエッチングに用いたエッチング液を、ITO−02(関東化学)の2倍希釈液に変更し、更に、SiO2スパッタ条件における圧力(ガス導入時)を0.16Paから0.4Paに変更した以外は実施例1と同様にして電子素子を作製し、実施例1と同様の測定及び評価を行った。
測定及び評価の結果を下記表1に示す。
一方、下部電極の端部断面のテーパー角度が60°を超える比較例1、SiO2膜の波長650nmにおける屈折率nが1.475を超える比較例2、及び、下部電極の端部断面のテーパー角度が60°を超え、かつ、SiO2膜の波長650nmにおける屈折率nが1.475を超える比較例3では、いずれもリーク電流が増大した。
例えば、下部電極をゲート電極とし、上部電極をソース電極及びドレイン電極とし、SiO2膜と上部電極との間(又はSiO2膜及び上部電極の更に上)に半導体層を設けることで、ボトムゲート型の薄膜トランジスタを作製することができる。
また、下部電極をソース電極及びドレイン電極とし、上部電極をゲート電極とし、下部電極とSiO2膜との間(又は下部電極及びSiO2膜の更に下(基板側))に半導体層を設けることで、トップゲート型の薄膜トランジスタを作製することができる。
いずれの場合においても、リーク電流(オフ電流)が抑制され、オンオフ比〔オン電流/オフ電流〕が高い良好なトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタを得ることができる。
更に、本発明では、プラスチック基板上に形成可能な温度である200℃以下の低温でも、リーク電流が抑制された電子素子を作製できるので、リーク特性に優れたフレキシブル電子素子の作製が可能となる。
また、TFTの下部電極とゲート絶縁膜と上部電極とに、本発明を適用することにより、プラスチック基板上に表示品質に優れた液晶表示装置や有機EL表示装置を作製できる。
即ち、本発明によれば、プラスチック基板を用いたフレキシブル表示装置を作製できる。
12、22、32G、42G、56S、56D、66S、66D 下部電極
20、240 コンデンサ
24、34、44、54、64、 SiO2膜
26、36S、36D、46S、46D、52G、62G 上部電極
30、40、50、60、230 薄膜トランジスタ
38、48、58、68 半導体層
200 液晶表示装置
210 ゲート配線
220 ドレイン配線
250 液晶
P 上端
Q 下端
θ テーパー角度
Claims (7)
- 基板上に、
端部断面のテーパー角度が60°以下である下部電極と、
前記下部電極上に配置され、水素原子の含有率が3原子%以下であり、波長650nmにおける屈折率nが1.475以下であるSiO2膜と、
前記SiO2膜上に配置され、前記下部電極に対して重なり部を有する上部電極と、
を有する電子素子。 - 前記下部電極は、酸化物導電膜である請求項1に記載の電子素子。
- 基板上に、端部断面のテーパー角度が60°以下である下部電極を形成する下部電極形成工程と、
前記下部電極上に絶縁膜をスパッタにより形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜上に上部電極を、前記下部電極に対して重なり部を有するように形成する上部電極形成工程と、
を有する電子素子の製造方法。 - 前記絶縁膜形成工程は、基板温度200℃以下の条件で前記絶縁膜を形成する請求項3に記載の電子素子の製造方法。
- 前記絶縁膜は、波長650nmにおける屈折率nが1.475以下のSiO2膜である請求項3又は請求項4に記載の電子素子の製造方法。
- 前記下部電極が、酸化物導電膜である請求項3〜請求項5のいずれか1項に記載の電子素子の製造方法。
- 請求項1又は請求項2に記載の電子素子を備えた表示装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009093693A JP2010245366A (ja) | 2009-04-08 | 2009-04-08 | 電子素子及びその製造方法、並びに表示装置 |
US12/753,916 US8680526B2 (en) | 2009-04-08 | 2010-04-05 | Electronic device, method of producing the same, and display device |
TW99110750A TWI472038B (zh) | 2009-04-08 | 2010-04-07 | 電子裝置、其製造方法以及顯示裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009093693A JP2010245366A (ja) | 2009-04-08 | 2009-04-08 | 電子素子及びその製造方法、並びに表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010245366A true JP2010245366A (ja) | 2010-10-28 |
Family
ID=42933656
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009093693A Pending JP2010245366A (ja) | 2009-04-08 | 2009-04-08 | 電子素子及びその製造方法、並びに表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8680526B2 (ja) |
JP (1) | JP2010245366A (ja) |
TW (1) | TWI472038B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014225625A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-12-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
WO2015083037A1 (en) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2018011072A (ja) * | 2011-01-28 | 2018-01-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2022539703A (ja) * | 2019-06-24 | 2022-09-13 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | 複数の駆動ステージ及び関連モードを備えるスイッチングコンバータ |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5694840B2 (ja) * | 2011-04-20 | 2015-04-01 | 富士フイルム株式会社 | 有機撮像素子および有機撮像素子の製造方法 |
CN103715266A (zh) * | 2013-12-25 | 2014-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 氧化物薄膜晶体管、阵列基板的制造方法及显示器件 |
US9496415B1 (en) | 2015-12-02 | 2016-11-15 | International Business Machines Corporation | Structure and process for overturned thin film device with self-aligned gate and S/D contacts |
EP3730669A4 (en) * | 2017-12-22 | 2020-12-23 | Lg Chem, Ltd. | METHOD FOR MANUFACTURING A TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM |
GB2581952B (en) * | 2019-01-23 | 2023-06-21 | X Fab Dresden Gmbh & Co Kg | A high voltage device |
CN111524903B (zh) * | 2020-04-23 | 2023-03-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Goa阵列基板及制备方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04165679A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
JPH0653504A (ja) | 1992-07-27 | 1994-02-25 | Tdk Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH0864829A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置とこれを用いた液晶表示装置 |
JPH11212116A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-08-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2001053283A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2003086715A (ja) | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005036250A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ装置 |
JP2005285830A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Dainippon Printing Co Ltd | ゲート絶縁膜の形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法並びに薄膜トランジスタ |
JP2007095989A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2008205098A (ja) | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Canon Inc | アモルファス絶縁体膜及び薄膜トランジスタ |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3037744A1 (de) * | 1980-10-06 | 1982-05-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen einer monolithisch integrierten zwei-transistor-speicherzelle in mos-technik |
JPS5833870A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPS5933880A (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-23 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2513023B2 (ja) * | 1988-10-24 | 1996-07-03 | 三菱電機株式会社 | 電界効果型半導体装置およびその製造方法 |
EP0459763B1 (en) * | 1990-05-29 | 1997-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin-film transistors |
TW321731B (ja) * | 1994-07-27 | 1997-12-01 | Hitachi Ltd | |
JPH10125906A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Rohm Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US6445004B1 (en) * | 1998-02-26 | 2002-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof |
US6015991A (en) * | 1997-03-12 | 2000-01-18 | International Business Machines Corporation | Asymmetrical field effect transistor |
JPH10256394A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体構造体およびデバイス |
US6541294B1 (en) * | 1999-07-22 | 2003-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US6211040B1 (en) * | 1999-09-20 | 2001-04-03 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Two-step, low argon, HDP CVD oxide deposition process |
US6271094B1 (en) * | 2000-02-14 | 2001-08-07 | International Business Machines Corporation | Method of making MOSFET with high dielectric constant gate insulator and minimum overlap capacitance |
TW495854B (en) * | 2000-03-06 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4663139B2 (ja) | 2001-02-16 | 2011-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6800563B2 (en) * | 2001-10-11 | 2004-10-05 | Ovonyx, Inc. | Forming tapered lower electrode phase-change memories |
US6731064B2 (en) * | 2001-11-20 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | Yield enchancement pixel structure for active matrix organic light-emitting diode displays |
JP2003298059A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
EP1352986B8 (en) * | 2002-04-04 | 2009-03-04 | Tosoh Corporation | Quartz glass thermal sprayed parts and method for producing the same |
KR100741962B1 (ko) * | 2003-11-26 | 2007-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 |
KR20050052029A (ko) * | 2003-11-28 | 2005-06-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 |
US7512167B2 (en) * | 2004-09-24 | 2009-03-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Integrated semiconductor laser device and method of fabricating the same |
US7274040B2 (en) * | 2004-10-06 | 2007-09-25 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Contact and omnidirectional reflective mirror for flip chipped light emitting devices |
JP4959147B2 (ja) * | 2005-04-13 | 2012-06-20 | 富士フイルム株式会社 | 画像表示装置 |
US7968888B2 (en) * | 2005-06-08 | 2011-06-28 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor and manufacturing method thereof |
JP5207583B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2013-06-12 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置および放射線検出システム |
KR100711890B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
US7582969B2 (en) * | 2005-08-26 | 2009-09-01 | Innovative Micro Technology | Hermetic interconnect structure and method of manufacture |
CN103469167A (zh) * | 2005-09-01 | 2013-12-25 | 出光兴产株式会社 | 溅射靶、透明导电膜、透明电极和电极基板及其制造方法 |
JP4981283B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-07-18 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ |
JP2007200976A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2007250982A (ja) | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Canon Inc | 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP5084160B2 (ja) | 2006-03-20 | 2012-11-28 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
JP2007335472A (ja) | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 金属酸化物素子及びその製造方法 |
US20080173903A1 (en) * | 2006-12-28 | 2008-07-24 | Fujifilm Corporation | Solid-state image pickup element |
US8207063B2 (en) * | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100809440B1 (ko) * | 2007-03-09 | 2008-03-05 | 한국전자통신연구원 | n-형 및 p-형 CIS를 포함하는 박막트랜지스터 및 그제조방법 |
JP4727684B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2011-07-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
KR20100106309A (ko) * | 2007-10-15 | 2010-10-01 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 용액 처리된 전자 소자 |
US7635864B2 (en) * | 2007-11-27 | 2009-12-22 | Lg Electronics Inc. | Organic light emitting device |
JP5288823B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2013-09-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
TWI373680B (en) * | 2008-10-06 | 2012-10-01 | Au Optronics Corp | Fabricating method of pixel structure |
US8604405B2 (en) * | 2009-03-31 | 2013-12-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Backside illuminated image sensor device with refractive index dependent layer thicknesses and method of forming the same |
WO2011140355A2 (en) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | Applied Materials, Inc. | Oxide nitride stack for backside reflector of solar cell |
-
2009
- 2009-04-08 JP JP2009093693A patent/JP2010245366A/ja active Pending
-
2010
- 2010-04-05 US US12/753,916 patent/US8680526B2/en active Active
- 2010-04-07 TW TW99110750A patent/TWI472038B/zh active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04165679A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲイト型半導体装置 |
JPH0653504A (ja) | 1992-07-27 | 1994-02-25 | Tdk Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JPH0864829A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置とこれを用いた液晶表示装置 |
JPH11212116A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-08-06 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2001053283A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2003086715A (ja) | 2001-09-10 | 2003-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2005036250A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタ装置 |
JP2005285830A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Dainippon Printing Co Ltd | ゲート絶縁膜の形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法並びに薄膜トランジスタ |
JP2007095989A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2008205098A (ja) | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Canon Inc | アモルファス絶縁体膜及び薄膜トランジスタ |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018011072A (ja) * | 2011-01-28 | 2018-01-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2014225625A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-12-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
WO2015083037A1 (en) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9991392B2 (en) | 2013-12-03 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2022539703A (ja) * | 2019-06-24 | 2022-09-13 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | 複数の駆動ステージ及び関連モードを備えるスイッチングコンバータ |
JP7348968B2 (ja) | 2019-06-24 | 2023-09-21 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | 複数の駆動ステージ及び関連モードを備えるスイッチングコンバータ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI472038B (zh) | 2015-02-01 |
TW201041145A (en) | 2010-11-16 |
US8680526B2 (en) | 2014-03-25 |
US20100258806A1 (en) | 2010-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2010245366A (ja) | 電子素子及びその製造方法、並びに表示装置 | |
JP5099739B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製法 | |
US10644165B2 (en) | Thin-film transistor, method of fabricating thin-film transistor, and display device | |
US8263977B2 (en) | TFT substrate and TFT substrate manufacturing method | |
JP5171990B2 (ja) | Cu合金膜および表示装置 | |
JP5528734B2 (ja) | 電子素子及びその製造方法、表示装置、並びにセンサー | |
JP5512144B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP5615744B2 (ja) | 電界効果型トランジスタ、表示装置、センサ及び電界効果型トランジスタの製造方法 | |
WO2011013682A1 (ja) | 配線構造およびその製造方法、並びに配線構造を備えた表示装置 | |
JP2011129926A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2010040645A (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタの製造方法及び該製造方法によって製造された薄膜電界効果型トランジスタ | |
JP5437776B2 (ja) | 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
US20220140114A1 (en) | Method for manufacturing oxide semiconductor thin film transistor | |
US9893193B2 (en) | Thin-film transistor including a gate electrode with a side wall insulating layer and display device | |
JP5478963B2 (ja) | 電子素子及び電子素子の製造方法 | |
TWI470808B (zh) | 半導體元件及其製作方法 | |
US20230420573A1 (en) | Thin film transistor and method of manufactruting thin film transistor | |
KR102151557B1 (ko) | 산화물 반도체 박막, 박막 트랜지스터 및 스퍼터링 타깃 | |
CN104716193A (zh) | 一种薄膜晶体管及其制备方法和应用 | |
JP2010205932A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
WO2023153509A1 (ja) | 薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法 | |
US20240194685A1 (en) | Driving substrate, method for fabricating same, and display panel | |
JP2011091365A (ja) | 配線構造およびその製造方法、並びに配線構造を備えた表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130618 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130812 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20131008 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131115 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20131209 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20131220 |