JP4959147B2 - 画像表示装置 - Google Patents

Description

従来より、いわゆる電子ペーパーと呼ばれる画像表示装置として種々の表示方式のものが提案されている。上記画像表示装置の表示方式としては、たとえば、正に帯電した白色粒子と負に帯電した黒色粒子を電気泳動により移動させることにより画像を表示するマイクロカプセル型電気泳動方式ディスプレイ、カイラル剤とネマチック液晶から形成されるコレステリック液晶の選択反射により画像を表示するコレステリック液晶選択反射方式などが提案されている。

上記のような画像表示装置において、電界に応じて光学特性が変化する表示層に電圧を印加させる方式としては、たとえば、単純マトリクス電極を用いて電圧印加をおこなうパッシブ方式ならびに電界効果型トランジスタを用いて電圧印加をおこなうアクテイブ駆動方式がある。アクテイブ駆動方式は、パッシブ方式と比較して、書き換え速度がはやく、表示画像の精細度、中間調表示に優れているという特徴と有する。

アクテイブ駆動方式に必要なゲート絶縁膜及び半導体活性層から構成させる電界効果型トランジスタにおいて、従来、半導体活性層はアモルファルシリコンあるいはポリシリコンが用いられている。しかし、最近、この半導体活性層として有機化合物を用いる提案がなされている。有機化合物を用いることにより、無機化合物と比較して、フレキシブル適性、塗布方式による生産性向上などの特徴が期待されている。半導体活性層に用いられる有機化合物としてπ共役系高分子を電界効果型トランジスタの半導体活性層として用いた従来例としては、電解重合によりπ共役系高分子薄膜を形成するもの（例えば、特許文献１参照。）、π共役系高分子の溶液あるいはπ共役系高分子前駆体の溶液を塗布するもの（例えば、特許文献２参照。）等がある。

この有機化合物を半導体活性層として用いた場合には、その耐久性が低いという課題がある。この耐久性を向上させる試みとして、従来、有機半導体活性層中に紫外線吸収剤を混合する方法が提案されているが（例えば、特許文献３参照。）、依然として不十分な場合があった。

また、４１０ｎｍ以下の光を９０％以上吸収する蛍光増白剤について、ベンゾオキサゾール誘導体を塗料として用いることが開示されている（例えば、特許文献４参照。）。
特開昭６２−８５４６７号公報 特開平５−１１００６９号公報 特開２００５−５５８２号公報 特開２００２−８０７８８号公報

本発明の課題は、外部及び／又は内部からの光に含まれる２００〜４１０ｎｍの範囲の紫外線の照射によっても性能が劣化し難い画像表示装置を提供することである。

本発明は、下記方法によって達成されることを見出した。
［１］ 支持体上に、透明電極層と、ゲート絶縁膜及び有機化合物を含有する半導体活性層を有する電界効果型トランジスタと、電界に応じて光学特性が変化する表示層と、２００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の光を９０％以上吸収し４１０ｎｍを超えて５００ｎｍ以下の光を放射する蛍光増白剤を含む層と、をこの順に有することを特徴とする画像表示装置。

［２］ 前記蛍光増白剤を含む層が、更に紫外線吸収剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。

［３］ 前記蛍光増白剤が、ベンゾオキサゾール誘導体であることを特徴とする前記［１］又は［２］に記載の画像表示装置。

［４］ 前記ベンゾオキサゾール誘導体が、下記一般式（１）で表されることを特徴とする前記［３］に記載の画像表示装置。
一般式（１）

一般式（１）中、Ｒ²¹及びＲ²⁴、は水素原子、アルキル基又はアルキコキシ基を表し、Ｒ²²及びＲ²³はアルキル基を表す。Ａは置換アリール又はエテニル基を表す。

［５］ 前記表示層が、電気泳動方式の表示層であることを特徴とする前記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の画像表示装置。

［６］ 前記表示層が、ゲストホスト液晶方式の表示層であることを特徴とする前記［１］〜［４］記載のいずれか１項に記載の画像表示装置。

［７］ 前記半導体活性層が、ペンタセン又はオリゴチオフェンで構成されてなることを特徴とする前記［１］〜［６］のいずれか１項に記載の画像表示装置。

［８］ 前記ゲストホスト液晶方式に含まれる二色性色素が、アントラキノン色素又はフェノキサジン色素であることを特徴とする前記［６］に記載の画像表示装置。
［９］ 前記二色性色素の含有率が、ホスト液晶の含有率に対して０．１質量％以上１５質量％以下であることを特徴とする前記［８］に記載の画像表示装置。
［１０］ 前記ゲストホスト液晶方式の表示層の厚さが、１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする前記［６］に記載の画像表示装置。

本発明によれば、外部及び／又は内部からの光に含まれる２００〜４１０ｎｍの範囲の紫外線の照射によっても性能が劣化し難い画像表示装置を提供できる。

本発明の画像表示装置は、支持体上に、透明電極層と、ゲート絶縁膜及び有機化合物を含有する半導体活性層を有する電界効果型トランジスタと、電界に応じて光学特性が変化する表示層と、２００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の光を９０％以上吸収し４１０ｎｍを超えて５００ｎｍ以下の光を放射する蛍光増白剤を含む層と、をこの順に有することを特徴とする。
半導体活性層に有機化合物が用いられると、紫外線等に対する耐久性に問題が生じる場合があったが、本発明では、２００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の光を９０％以上吸収し４１０ｎｍを超えて５００ｎｍ以下の光を放射する蛍光増白剤を含む層を別途設けることで、耐久性を高めることに成功した。
なお、半導体活性層に紫外線吸収剤を含有させる場合に比べ、蛍光増白剤を含む層を別途設けると、半導体活性層における半導体の性能を低下させることなく、耐久性を高めることができる点で好適である。

以下本発明について詳細に説明する。

＜支持体＞
本発明に用いられる支持体としては、プラスチック基板、ガラス基板、紙、金属基板などが用いられるが、好ましくは、プラスチック基板である。プラスチック基板としては、たとえば、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、シンジオタクチックポリスチレンン（ＳＰＳ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアリレート（ＰＡｒ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリエステルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、環状ポリオレフィン、ポリイミド（ＰＩ）などが挙げられる。好ましくは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）である。

前記樹脂としては、熱膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以下のものが好ましい。ここで言う熱膨張係数は、ＴＭＡ８３１０（理学電気株式会社製、Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓシリーズ）にて測定した。例えば、ＰＥＴ（東レルミラー、１５ｐｐｍ／℃），ＰＥＮ（ＤｕＰｏｎｔ−Ｔｅｉｊｉｎ Ｑ６５Ａ ２０ｐｐｍ／℃），ＰＩ（宇部興産ユーピレックス、２０ｐｐｍ／℃）、アラミド樹脂（帝人、２ｐｐｍ／℃）などが上げられる。

また、以下にあげる様な、ガラス転移点（Ｔｇ）が１５０℃以上の樹脂に、ゾルゲル法、ガラスクロス、ガラスファイバー等の無機物を添加して、３０ｐｐｍ以下の熱膨張係数を達成しても良い。

好ましい例としては（括弧内の温度はＴｇを示す。）、ポリカーボネート樹脂（例えば、出光興産社製、タフロン、ＰＣ：１４０℃）、脂環式ポリオレフィン樹脂（例えば日本ゼオン（株）製 ゼオノア１６００：１６０℃、ＪＳＲ（株）製 アートン：１７０℃）、ポリアリレート樹脂（ユニチカ社製、Ｕポリマー、ＰＡｒ：２１０℃）、ポリエーテルスルホン樹脂（住友化学社製、ポリエーテルスルホン、ＰＥＳ：２２０℃）、ポリスルホン樹脂（東レ社製、トレスルホン、ＰＳＦ：１９０℃）、ポリエステル樹脂（例えば鐘紡（株）製 Ｏ−ＰＥＴ：１２５℃、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ：特開２００１−１５０５８４の実施例１の化合物：１６２℃）、フルオレン環変性ポリカーボネート樹脂（ＢＣＦ−ＰＣ：特開２０００−２２７６０３の実施例−４の化合物：２２５℃）、脂環変性ポリカーボネート樹脂（ＩＰ−ＰＣ：特開２０００−２２７６０３の実施例−５の化合物：２０５℃）、アクリロイル化合物（特開２００２−８０６１６の実施例−１の化合物：３００℃以上）のものが挙げられる。また、下記式（Ａ）で表わされるビスフェノールをビスフェノール成分とするポリカーボネート樹脂も好ましい例として挙げられる。

一般式（Ａ）中、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はアリール基であり、Ｘは、炭素数５〜１０のシクロアルキレン基、炭素数７〜１５のアラアルキレン基又は炭素数１〜５のハロアルキレン基である。

Ｘで表される炭素数５〜１０のシクロアルキレン基として、例えば、１，１−シクロペンチレン基、１，１−シクロヘキシレン基、１，１−（３，３，５−トリメチル）シクロヘキシレン基、ノルボルナン−２，２−ジイル基、トリシクロ［５．２．１．０．２．６］デカン−８、８’−ジイル基が挙げられ、特に１，１−シクロヘキシレン基、１，１−（３，３，５−トリメチル）シクロヘキシレン基が好適に用いられる。

Ｘで表される炭素数７〜１５のアラアルキレン基としては、例えば、フェニルメチレン基、ジフェニルメチレン基、１，１−（１−フェニル）エチレン基、９，９−フルオレニレン基が挙げられる。

Ｘで表される炭素数１〜５のハロアルキレン基としては、２，２−ヘキサフルオロプロピレン基、２，２−（１，１，３，３−テトラフルオロ−１，３−ジシクロ）プロピレン基等が好適に用いられる。

本発明のプラスチック基板として使用される樹脂の構造単位はそれぞれ１種類だけであっても２種類以上が混合されていてもよい。また本発明の効果を損なわない範囲で上記以外の構造単位を含んでいてもよい。このような他の構造単位は、好ましくは全体の５０モル％以下であり、より好ましくは１０モル％以下である。また、本発明のプラスチック基板として使用される樹脂には、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、上記以外の樹脂がブレンドされていてもよく、２種以上の樹脂から構成されていてもよい。

本発明のプラスチック基板として使用される樹脂の分子量は、数平均分子量で、１０，０００〜３００，０００（ポリスチレン換算）であることが好ましく、より好ましくは２０，０００〜２００，０００、さらに好ましくは３０，０００〜１５０，０００である。このような分子量の範囲とすることにより、プラスチック基板の機械的強度をより好ましいものとすることができる。

本発明における支持体に用いるプラスチック基板として、耐溶剤性、耐熱性などの観点から架橋樹脂も好ましく用いることができる。架橋樹脂の種類としては熱硬化性樹脂、放射線硬化樹脂のいずれも種々の公知のものを特に制限なく用いることができる。
熱硬化性樹脂の例としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フラン樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネート樹脂などが挙げられる。
架橋方法としては共有結合を形成する反応であれば特に制限なく用いることができ、ポリアルコール化合物とポリイソシアネート化合物を用いて、ウレタン結合を形成するような室温で反応が進行する系も特に制限なく使用できる。ただし、このような系は製膜前のポットライフが問題になる場合が多く、通常、製膜直前にポリイソシアネート化合物を添加するような２液混合型として用いられる。一方で１液型として用いる場合、架橋反応に携わる官能基を保護しておくことが有効であり、ブロックタイプ硬化剤として市販もされている。市販されているブロックタイプ硬化剤として、三井武田ケミカル（株）製Ｂ−８８２Ｎ、日本ポリウレタン工業（株）製コロネート２５１３（以上ブロックポリイソシアネート）、三井サイテック（株）製サイメル３０３（メチル化メラミン樹脂）などが知られている。また、エポキシ樹脂の硬化剤として用いることのできるポリカルボン酸を保護した下記Ｂ−１で表されるようなブロック化カルボン酸も知られている。

放射線硬化樹脂としては、ラジカル硬化性樹脂、カチオン硬化性樹脂に大別される。ラジカル硬化性樹脂の硬化性成分としては分子内に複数個のラジカル重合性基を有する化合物が用いられ、代表的な例として分子内に２〜６個のアクリル酸エステル基を有する多官能アクリレートモノマーと称される化合物やウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレートと称される分子内に複数個のアクリル酸エステル基を有する化合物が用いられる。
ラジカル硬化性樹脂の代表的な硬化方法として、電子線を照射する方法、紫外線を照射する方法が挙げられる。通常、紫外線を照射する方法においては紫外線照射によりラジカルを発生する重合開始剤を添加する。なお、加熱によりラジカルを発生する重合開始剤を添加すれば、熱硬化性樹脂として用いることもできる。
カチオン硬化性樹脂の硬化性成分としては、分子内に複数個のカチオン重合性基を有する化合物が用いられ、代表的な硬化方法として紫外線の照射により酸を発生する光酸発生剤を添加し、紫外線を照射して硬化する方法が挙げられる。カチオン重合性化合物の例としては、エポキシ基などの開環重合性基を含む化合物やビニルエーテル基を含む化合物を挙げることができる。

プラスチック基板において、上記で挙げた熱硬化性樹脂、放射線硬化樹脂のそれぞれ複数種を混合して用いてもよく、熱硬化性樹脂と放射線硬化樹脂を併用しても良い。また、架橋性樹脂と架橋性基を有さないポリマーと混合して用いてもよい。

さらに、プラスチック基板として使用される樹脂にこれら架橋性樹脂を混合して用いた場合、得られたプラスチック基板の耐溶剤性、耐熱性、光学特性、強靭性を両立でき好ましい。また、これら樹脂に架橋性基を導入することも可能であり、ポリマー主鎖末端、ポリマー側鎖、ポリマー主鎖中のいずれの部位に架橋性基を有していてもよい。この場合、上記で挙げた汎用の架橋性樹脂を併用せずにプラスチック基板を作製しても良い。

これらの樹脂は延伸されていても良い。延伸により耐折強度など機械的強度が改善され、取扱性が向上する利点がある。特に延伸方向のオリエンテーションリリースストレス（ＡＳＴＭ Ｄ１５０４、以下ＯＲＳと略記する）が０．３〜３ＧＰａであるものは機械的強度が改善され好ましい。ＯＲＳは延伸フィルム又はシートに凍結されている、延伸により生じた内部応力である。延伸は、公知の方法が使用でき、例えば樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）より１０℃高い温度から、５０℃高い温度の間の温度で、ロール一軸延伸法、テンター一軸延伸法、同時二軸延伸法、逐次二軸延伸法、インフレーション法により延伸できる。延伸倍率は１．１〜３．５倍が好ましく用いられる。

本発明における支持体に用いるプラスチック基板の厚みは、特に規定されないが３０μｍ〜７００μｍが好ましく、より好ましくは４０μｍ〜２００μｍ、さらに好ましくは５０μｍ〜１５０μｍである。
さらにいずれの場合もヘイズは３％以下が好ましく、より好ましくは２％以下、さらに好ましくは１％以下、全光透過率は７０％以上が好ましく、より好ましくは８０％以上、さらに好ましくは９０％以上である。ヘイズは、ヘイズメーター（例えば、日本電色工業製）によって測定され、全光透過率は、可視・紫外吸収スペクトロスコピーによって測定される。

プラスチック基板には、必要により本発明の効果を損なわない範囲で、可塑剤、染顔料、帯電防止剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、無機微粒子、剥離促進剤、レベリング剤及び潤滑剤などの樹脂改質剤を添加しても良い。

前記プラスチック基板は光透過性及び非光透過性のいずれであってもよい。前記支持体として、非光透過性支持体を用いる場合には、光反射性を有する白色の支持体を用いることができる。白色支持体としては、酸化チタン、酸化亜鉛などの無機顔料を添加したプラスチック基板が挙げられる。なお、前記支持体が表示面を構成する場合は、少なくとも可視域の光に対して光透過性を有することが必要である。

＜透明電極層＞
透明電極層としては、例えば、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ等から形成することができる。透明電極については、たとえば、「液晶デバイスハンドブック」（日本学術振興会第１４２委員会編、日刊工業新聞社、１９８９年）の第２３２〜２３９頁に記載のものが用いられる。
透明電極は、スパッタ法、ゾルゲル法、印刷法により形成することができる。

＜ゲート絶縁膜及び有機化合物を含有する半導体活性層を有する電界効果型トランジスタ＞
本発明の画像表示装置に用いられる電界効果型トランジスタは、ゲート絶縁膜、半導体活性層を有し、更にゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有する。
図１に電界効果型トランジスタの構成の概略断面図を示す。基板（支持体）１上にゲート電極２を設け、その上にゲート絶縁膜３を備える。更にその上に、ソース電極４及びドレイン電極５を設け、その上に半導体活性層６を備える有機ＴＦＴ７である。

［半導体活性層］
半導体活性層６は有機化合物で構成され、該有機化合物としてはπ共役系化合物が好ましく、たとえば、ポリチオフェン誘導体、ポリエチレンとポリチオフェンの共重合体誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、フタロシアニン誘導体、ペンタセン誘導体、フラーレン誘導体、カーボンナノチューブ誘導体などが挙げられる。
より好ましくは、ペンタセン誘導体、ポリチオフェン誘導体であり、具体的には、ヘキシルオリゴチオフェン、ペンタセン、カーボンナノチューブ等である。

半導体活性層６の厚さは、０．０１〜１００μｍが好ましく、より好ましくは０．０５〜１０μｍである。この範囲よりも薄いと、欠陥の制御が難しく、良好な半導体特性が得難くなり、この範囲よりも厚いと、半導体活性層に用いる材料の使用量が増えるためコストが高くなる傾向にある。

半導体活性層の作製法としては、非水系有機溶媒に前記有機化合物を溶解させて、塗布・乾燥させる方法が好ましい。
上記非水系有機溶媒の例としては、クロロホルム、ジクロロメタン、トルエン、キシレン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

塗布方法としては、スピンキャスト法、ディッピング法、滴下法、凸版あるいは凹版印刷法、インクジェット法などが挙げられる。また、前記有機化合物は他の化合物と混合して用いることが出きる。混合できる化合物としては高分子材料が好ましいが、特に半導体性質を示す高分子材料が好ましい。

［電極］
本発明にかかる電界効果トランジスタのゲート領域、ソース領域、ドレイン領域に用いる電極としては、導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、アルミニウム、亜鉛、マグネシウム、及びこれらの合金や、インジウム・錫酸化物等の導電性金属酸化物、あるいはドーピング等で導電率を向上させた無機及び有機半導体、例えばシリコン単結晶、ポリシリコン、アモルファスシリコン、ゲルマニウム、グラファイト、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチエニレンビニレン、ポリパラフェニレンビニレン等、さらにはこれらの複合体が挙げられる。
特にソース領域、ドレイン領域に用いる電極は、上に挙げた中でも半導体活性層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。

電極の形成方法は特に限定されず、蒸着法、スパッタ法のような乾式法、塗布法、印刷法、インクジェット法のような湿式法、その他転写法などが用いられる。湿式法では、電極材料の溶液を用いる方法、電極材料の微粒子を、それを溶かさない溶媒に分散した分散物を用いることもできる。

［ゲート絶縁膜］
ゲート絶縁膜としては、誘電率が高く、導電率が低いものが好ましい。例としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、ポリエチレン、ポリイミド等が挙げられる。
ゲート絶縁膜の厚さは、０．０１μｍ〜１００μｍが好ましく、より好ましくは０．０５μｍ〜１０μｍである。

［電界効果型トランジスタの構成］
本発明にかかる電界効果型トランジスタにおいて、チャネル長さは、０．０１〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは０．０５〜１０μｍである。チャネル幅は、０．０１〜１００ｍｍであることが好ましく、０．１〜１０ｍｍであることがより好ましい。

また、本発明にかかる電界効果型トランジスタの電界効果移動度は、１０^-4〜１０³ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃであることが好ましく１０^-3〜１０ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃであることがより好ましい。
オン・オフ比は、１０²〜１０⁸であることが好ましく、１０³〜１０⁷であることがより好ましい。

尚、図１においては、薄膜型の電界効果型トランジスタを示したが、本発明における電界効果型トランジスタの構造は薄膜型に限定されるものではなく、円筒型など立体型でもよい。

＜表示層＞
本発明において、前記電界効果型トランジスタの上に、電界に応じて光学特性が変化する表示層を設ける。電界に応じて光学特性が変化する表示層としては、電気泳動表示層、コレステリック液晶表示層、高分子分散型液晶表示層などが好適に用いられる。

［電気泳動表示層］
電気泳動表示層としては、着色された荷電微粒子がマイクロカプセル中の分散媒体中に分散された方式、着色された荷電微粒子がエンボス加工により形成させた鋳型中の分散媒体中に分散された方式などを利用することができる。互いに異なる色と荷電を有する粒子を用いることもできる。また、分散媒体中に染料を溶解させて、分散媒体を着色することもできる。
荷電粒子としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、酸化チタン、酸化タングステン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸バリウムなどの無機粒子あるいはポリマー、カーボンブラックなどの有機粒子のいずれであってもよい。白色の荷電粒子として好ましくは、酸化チタン、シリカゲル（ＳｉＯ₂）、アルミナ、ポリマー粒子、黒色の荷電粒子として好ましくは、カーボンブラックからなる荷電粒子である。
荷電粒子は、分散媒への分散安定性を高める目的で、表面を修飾することが好ましい。表面を修飾する方法としては、チタンカップリング剤（イソプロピルトリイソステアロイルチタネートなど）、シランカップリング剤（ペンタデカフルオロデシルトリメチルシランなど）、アルミニウムカップリング剤（アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレートなど）、グラフト重合などが挙げられる。グラフト重合は、酸化チタンに対してはポリエチレングラフト重合、ポリスチレングラフト重合が、シリガゲルに対してはシラノール基を利用したグラフト重合が利用できる。

荷電粒子を分散させる分散媒としては、水あるいは非水系有機溶媒いずれを用いることができる。水と有機溶媒を混合してもよい。非水系有機溶媒としては、好ましくは、炭化水素（ヘキサン、ヘプタン、ペンタン、オクタン、アイソパー（エクソン社）など）、炭化水素系芳香族化合物（ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、アルキルナフタレンなど）、ハロゲン系炭化水素（ジフルオロプロパン、ジクロロエタン、クロロエタン、ブロモエタンなど）、ハロゲン系炭化水素系芳香族化合物（クロロベンゼンなど）、エーテル系化合物（ジブチルエーテル、アニソール、ジフェニルエーテルなど）、アルコール系化合物（グリセリンなど）、カルボニル基を有する化合物（プロピレンカーボネートなど）、ニトロ系化合物（ニトロメタンなど）、ニトリル系化合物（アセトニトリル、ベンゾニトリルなど）などである。荷電粒子の分散性を高めるため、分散媒体と荷電粒子の比重は近いほうが好ましい。
分散媒体は、電子ペーパー用途との関連において、屈折率、比重、粘度、抵抗率、誘電率などを調整することが好ましい。この調製には、複数の溶媒を混合して行うことができる。分散媒体には、酸、アルカリ、塩、分散安定剤、酸化防止や紫外線吸収などを目的とした安定剤、抗菌剤、防腐剤などを添加することができる。

表示層が電気泳動表示層の場合、電気泳動表示層の厚さは、１μｍ〜１００μｍが好ましく、５μｍ〜５０μｍがより好ましい。

［ゲストホスト液晶表示層］
本発明のゲストホスト方式液晶層とは、液晶中に二色性色素を溶解させた液晶組成物をセル中に封入し、これに電場を与え、電場による液晶の動きに合わせて、二色性色素の配向を変化させ、セルの吸光状態を変化させることによって表示する方式である。

ここで、本発明の二色性色素に用いられる発色団について説明する。
本発明において、二色性色素に用いられる発色団はいかなるものであってもよいが、高いオーダーパラメーターを示す、ホスト液晶への溶解性が高いという効果をより得やすくするという観点からは、例えば、アゾ色素、アントラキノン色素、ペリレン色素、メロシアニン色素、アゾメチン色素、フタロペリレン色素、インジゴ色素、アズレン色素、ジオキサジン色素、ポリチオフェン色素、フェノキサゾン色素（フェノキサジン−３−オン）などが挙げられ、具体的には、「Ｄｉｃｈｒｏｉｃ Ｄｙｅｓ ｆｏｒ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ」（Ａ．Ｖ．Ｉｖａｓｈｃｈｅｎｋｏ著、ＣＲＣ社、１９９４年）に記載されているものが挙げられる。

この中でも、好ましくはアゾ色素、アントラキノン色素、ペリレン色素、フェノキサゾン色素であり、さらに好ましくはアントラキノン色素及び／又はフェノキサゾン色素である。特に、これらの色素であって、後述する一般式（２）で表される置換基を有するものを採用することにより、本発明の効果がより顕著に得られる。

より具体的には、本発明の二色性色素は、下記一般式（２）で表される置換基を有することが好ましい。

一般式（２）： −（Ｈｅｔ）_j−｛（Ｂ¹）_p−（Ｑ¹）_q−（Ｂ²）_r｝_n−Ｃ¹

一般式（２）中、Ｈｅｔは酸素原子又は硫黄原子であり、特に好ましくは硫黄原子である。

一般式（２）中、Ｂ¹及びＢ²は、各々独立に、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又は２価の環状脂肪族炭化水素基を表し、いずれも置換基を有していてもいなくてもよい。

Ｂ¹及びＢ²で表わされるアリーレン基としては、好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１０のアリーレン基である。好ましいアリーレン基の具体例を挙げると、フェニレン基、ナフタレン基、アントラセン基である。特に好ましくは、置換フェニレン基であり、さらに好ましくは１，４−フェニレン基である。

Ｂ¹及びＢ²で表わされるヘテロアリーレン基としては、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のヘテロアリーレン基である。好ましいヘテロアリーレン基の具体例は、ピリジン環、キノリン環、イソキノリン環、ピリミジン環、ピラジン環、チオフェン環、フラン環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環及びトリアゾール環からなる基、及びこれらが縮環して形成される縮環の２個の炭素原子から水素をそれぞれ１個ずつ除いて得られるヘテロアリーレン基である。

Ｂ¹及びＢ²の表す２価の環状脂肪族炭化水素基としては、好ましくは炭素数４〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０の２価の環状脂肪族炭化水素基である。好ましい２価の環状脂肪族炭化水素基の具体例は、シクロヘキサンジイル、シクロペンタンジイルであり、より好ましくはシクロヘキサン−１，２−ジイル基、シクロヘキサン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロペンタンー１，３−ジイル基であり、特に好ましくは、（Ｅ）−シクロヘキサン−１，４−ジイル基である。

Ｂ¹及びＢ²の表す２価のアリーレン基、２価のヘテロアリーレン基及び２価の環状炭化水素基は、さらに置換基を有していてもよく、置換基としては、下記の置換基群Ｖが挙げられる。

（置換基群Ｖ）
ハロゲン原子（例えば塩素、臭素、沃素、フッ素）、メルカプト基、シアノ基、カルボキシル基、リン酸基、スルホ基、ヒドロキシ基、炭素数１〜１０、好ましくは炭素数２〜８、さらに好ましくは炭素数２〜５のカルバモイル基（例えばメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基）、炭素数０〜１０、好ましくは炭素数２〜８、さらに好ましくは炭素数２〜５のスルファモイル基（例えばメチルスルファモイル基、エチルスルファモイル基、ピペリジノスルホニル基）、ニトロ基、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０、さらに好ましくは炭素数１〜８のアルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基、２−メトキシエトキシ基、２−フェニルエトキシ基）、炭素数６〜２０、好ましくは炭素数６〜１２、さらに好ましくは炭素数６〜１０のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ｐ−メチルフェノキシ基、ｐ−クロロフェノキシ基、ナフトキシ基）、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数２〜１２、さらに好ましくは炭素数２〜８のアシル基（例えば、アセチル基、ベンゾイル基、トリクロロアセチル基）、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数２〜１２、さらに好ましくは炭素数２〜８のアシルオキシ基（例えばアセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基）、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数２〜１２、さらに好ましくは炭素数２〜８のアシルアミノ基（例えばアセチルアミノ基）、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０、さらに好ましくは炭素数１〜８のスルホニル基（例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基）、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０、さらに好ましくは炭素数１〜８のスルフィニル基（例えば、メタンスルフィニル基、エタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基）、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１２、さらに好ましくは炭素数１〜８の置換又は無置換のアミノ基（例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ベンジルアミノ基、アニリノ基、ジフェニルアミノ基、４−メチルフェニルアミノ基、４−エチルフェニルアミノ基、３−ｎ−プロピルフェニルアミノ基、４−ｎ−プロピルフェニルアミノ基、３−ｎ−ブチルフェニルアミノ基、４−ｎ−ブチルフェニルアミノ基、３−ｎ−ペンチルフェニルアミノ基、４−ｎ−ペンチルフェニルアミノ基、３−トリフルオロメチルフェニルアミノ基、４−トリフルオロメチルフェニルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、３−ピリジルアミノ基、２−チアゾリルアミノ基、２−オキサゾリルアミノ基、Ｎ，Ｎ−メチルフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−エチルフェニルアミノ基）、

炭素数０〜１５、好ましくは炭素数３〜１０、さらに好ましくは炭素数３〜６のアンモニウム基（例えば、トリメチルアンモニウム基、トリエチルアンモニウム基）、炭素数０〜１５、好ましくは炭素数１〜１０、さらに好ましくは炭素数１〜６のヒドラジノ基（例えば、トリメチルヒドラジノ基）、炭素数１〜１５、好ましくは炭素数１〜１０、さらに好ましくは炭素数１〜６のウレイド基（例えば、ウレイド基、Ｎ，Ｎ−ジメチルウレイド基）、炭素数１〜１５、好ましくは炭素数１〜１０、さらに好ましくは炭素数１〜６のイミド基（例えば、スクシンイミド基）、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１２、さらに好ましくは炭素数１〜８のアルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基）、炭素数６〜８０、好ましくは炭素数６〜４０、さらに好ましくは炭素数６〜３０のアリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基、２−ピリジルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、４−プロピルシクロヘキシル−４’−ビフェニルチオ基、４−ブチルシクロヘキシル−４’−ビフェニルチオ基、４−ペンチルシクロヘキシル−４’−ビフェニルチオ基、４−プロピルフェニル−２−エチニル−４’−ビフェニルチオ基）、炭素数１〜８０、好ましくは炭素数１〜４０、さらに好ましくは炭素数１〜３０のヘテロアリールチオ基（例えば、２−ピリジルチオ基、３−ピリジルチオ基、４−ピリジルチオ基、２−キノリルチオ基、２−フリルチオ基、２−ピロリルチオ基）、炭素数２〜２０、好ましくは炭素数２〜１２、さらに好ましくは炭素数２〜８のアルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２−ベンジルオキシカルボニル基）、炭素数６〜２０、好ましくは炭素数６〜１２、さらに好ましくは炭素数６〜１０のアリーロキシカルボニル基（例えば、フェノキシカルボニル基）、炭素数１〜１８、好ましくは炭素数１〜１０、さらに好ましくは炭素数１〜５の無置換アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基）、炭素数１〜１８、好ましくは炭素数１〜１０、さらに好ましくは炭素数１〜５の置換アルキル基（例えば、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基、カルボキシエチル基、エトキシカルボニルメチル基、アセチルアミノメチル基、またここでは炭素数２〜１８、好ましくは炭素数３〜１０、さらに好ましくは炭素数３〜５の不飽和炭化水素基（例えば、ビニル基、エチニル基、１−シクロヘキセニル基、ベンジリジン基、ベンジリデン基）も置換アルキル基に含まれることにする）、炭素数６〜２０、好ましくは炭素数６〜１５、さらに好ましくは炭素数６〜１０の置換又は無置換のアリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基、ｐ−カルボキシフェニル基、ｐ−ニトロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、ｐ−シアノフェニル基、ｍ−フルオロフェニル基、ｐ−トリル基、４−プロピルシクロヘキシル−４’−ビフェニル基、４−ブチルシクロヘキシル−４’−ビフェニル基、４−ペンチルシクロヘキシル−４’−ビフェニル基、４−プロピルフェニル−２−エチニル−４’−ビフェニル基）、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数２〜１０、さらに好ましくは炭素数４〜６の置換又は無置換のヘテロアリール基（例えば、ピリジル基、５−メチルピリジル基、チエニル基、フリル基、モルホリノ基、テトラヒドロフルフリル基）。

これら置換基群Ｖはベンゼン環やナフタレン環が縮合した構造を形成することができる。さらに、これらの置換基上にさらに此処までに説明したＶの説明で示した置換基が置換していてもよい。

置換基群Ｖのうち、Ｂ¹及びＢ²の表す２価のアリーレン基、２価のヘテロアリーレン基及び２価の環状炭化水素基の置換基として好ましいものは、上述のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、置換アミノ基、ヒドロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基であり、さらに好ましくは、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子である。

一般式（２）におけるＱ¹は、２価の連結基を表し、炭素原子、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選ばれる少なくとも１種の原子から構成される原子団からなる連結基である。

Ｑ¹が表す２価の連結基としては、好ましくは炭素数０〜６０、より好ましくは炭素数
０〜３０、更に好ましくは炭素数０〜１０の２価の連結基である。
また、Ｑ¹が表す２価の連結基としては、好ましくは、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アミド基、エーテル基、エルテル基、スルホアミド基、スルホン酸エステル基、ウレイド基、スルホニル基、スルフィニル基、チオエーテル基、カルボニル基、−ＮＲ−基（ここで、Ｒは水素原子又はアルキル基、アリール基を表す）、アゾ基、アゾキシ基、複素環２価基を１つ又はそれ以上組み合わせて構成される２価の連結基が挙げられる。

Ｑ¹で表されるアルキレン基として、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキレン基であり、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、シクロヘキシルー１，４−ジイル基を挙げることができる。
Ｑ¹で表されるアルケニレン基として、好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１０のアルケニレン基であり、例えば、エテニレン基を挙げることができる。
Ｑ¹で表されるアルキニレン基として、好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１０のアルキニレン基であり、例えば、エチニレン基を挙げることができる。
−ＮＲ−基におけるＲの表すアルキル基において、好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｒの表すアリール基において、好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１０のアリール基である。
Ｑ¹で表される複素環として、好ましくは、ピペラジン基であり、例えば、ピペラジン−１，４−ジイル基を挙げることができる。

Ｑ¹の表す２価の連結基として、好ましくは、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、エーテル基、チオエーテル基、アミド基、エステル基、カルボニル基、及びそれらを組み合わせた基である。

Ｑ¹で表される２価の連結基として、特に好ましくは、アルキレン基、エステル基である。

Ｑ¹はさらに置換基を有していてもよく、置換基としては上記置換基群Ｖが挙げられる。

一般式（２）におけるＣ¹は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基又はアシルオキシ基を表す。
Ｃ¹として好ましくは、炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２、さらに好ましくは炭素数１〜８のアルキル基又はシクロアルキル基、炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０、さらに好ましくは炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、さらに好ましくは炭素数２〜８のアシルオキシ基、炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２、さらに好ましくは炭素数１〜８のアシル基、又は炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、さらに好ましくは炭素数２〜８のアルコキシカルボニル基である。

上記アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基又はアシルオキシ基は、置換基を有していてもいなくてもよく、置換基としては上記置換基群Ｖが挙げられる。
Ｃ¹で表されるアルキル基の置換基としては、置換基群Ｖのうち、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子）、ヒドロキシ基、アルコキシ基（特にメトキシ基）、アリール基（特にフェニル基）であることが好ましい。

Ｃ¹で表されるシクロアルキル基の置換基は、置換基群Ｖのうち、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子）、ヒドロキシ基、アルコキシ基（特にメトキシ基）、アリール基（特にフェニル基）であることが好ましい。

Ｃ¹で表されるアルコキシ基の置換基は、置換基群Ｖのうち、ハロゲン原子（特にフッ素原子）、アルコキシ基（特にメトキシ基、エトキシ基）、アリール基（特にフェニル基）であることが好ましい。

Ｃ¹で表されるアルコキシカルボニル基の置換基は、置換基群Ｖのうち、ハロゲン原子（特にフッ素原子）、アルコキシ基（特にメトキシ基）であることが好ましい。

Ｃ¹で表されるアシル基の置換基は、置換基群Ｖのうち、ハロゲン原子（特にフッ素原子）、アルコキシ基（特にメトキシ基）であることが好ましい。

Ｃ¹で表されるアシルオキシ基の置換基は、置換基群Ｖのうち、ハロゲン原子（特にフッ素原子）、アルコキシ基（特にメトキシ基）であることが好ましい。

Ｃ¹で表されるアルキル基及びシクロアルキル基としての具体例は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−プロピルシクロヘキシル基、４−ブチルシクロヘキシル基、４−ペンチルシクロヘキシル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基、ベンジル基を挙げることができる。
Ｃ¹で表されるアルコキシ基としての具体例は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、２−メトキシエトキシ基、２−フェニルエトキシ基、トリフルオロメトキシ基を挙げることができる。
Ｃ¹で表されるアシルオキシ基としての具体例は、例えば、アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基を挙げることができる。
Ｃ¹で表されるアシル基としての具体例は、例えば、アセチル基、ホルミル基、ピバロイル基、２−クロロアセチル基、ステアロイル基、ベンゾイル基、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル基を挙げることができる。
Ｃ¹で表されるアルコキシカルボニル基としての具体例は、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２−ベンジルオキシカルボニル基を挙げることができる。

Ｃ¹は特に好ましくは、アルキル基又はアルコキシ基であり、さらに好ましくは、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、又はトリフルオロメトキシ基である。

ｊは０又は１を表し、好ましくは０である。
ｐ、ｑ、ｒは、各々独立に０〜５の整数を表し、ｎは１〜３の整数を表す。Ｂ¹とＢ²で表される基の総数、すなわち（ｐ＋ｒ）×ｎは、３〜１０の整数であり、より好ましくは、３〜６の整数である。ｐ、ｑ又はｒが２以上の時、２以上のＢ¹、Ｑ¹及びＢ²はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、ｎが２以上の時、２以上の｛（Ｂ¹）_p−（Ｑ¹）_q−（Ｂ²）_r｝は、それぞれ、同一でも異なっていてもよい。

好ましいｐ、ｑ、ｒ及びｎの組合せを以下に記す。
（ｉ） ｐ＝３、ｑ＝０、ｒ＝０、ｎ＝１
（ｉｉ） ｐ＝４、ｑ＝０、ｒ＝０、ｎ＝１
（ｉｉｉ） ｐ＝５、ｑ＝０、ｒ＝０、ｎ＝１
（ｉｖ） ｐ＝２、ｑ＝０、ｒ＝１、ｎ＝１
（ｖ） ｐ＝２、ｑ＝１、ｒ＝１、ｎ＝１
（ｖｉ） ｐ＝１、ｑ＝１、ｒ＝２、ｎ＝１
（ｖｉｉ） ｐ＝３、ｑ＝１、ｒ＝１、ｎ＝１
（ｖｉｉｉ） ｐ＝２、ｑ＝０、ｒ＝２、ｎ＝１
（ｉｘ） ｐ＝１、ｑ＝１、ｒ＝１、ｎ＝２
（ｘ） ｐ＝２、ｑ＝１、ｒ＝１、ｎ＝２

特に好ましくは、（ｉ）ｐ＝３、ｑ＝０、ｒ＝０、ｎ＝１；（ｉｖ）ｐ＝２、ｑ＝０、ｒ＝１、ｎ＝１；及び（ｖ）ｐ＝２、ｑ＝１、ｒ＝１、ｎ＝１；の組合せである。

さらに、−｛（Ｂ¹）_p−（Ｑ¹）_q−（Ｂ²）_r｝_n−Ｃ¹は、液晶性を示す部分構造を含むことが好ましい。ここでいう液晶とは、いかなるフェーズであってもよいが、好ましくはネマチック液晶、スメクチック液晶、ディスコティック液晶であり、特に好ましくは、ネマチック液晶である。

−｛（Ｂ¹）_p−（Ｑ¹）_q−（Ｂ²）_r｝_n−Ｃ¹の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定されるものではない（図中、波線は連結位置を表す）。

本発明に用いられる二色性色素は、−｛（Ｂ¹）_p−（Ｑ¹）_q−（Ｂ²）_r｝_n−Ｃ¹で表される置換基を１つ以上有しているのが好ましく、１〜８個有しているのがより好ましく、１〜４個有しているのがさらに好ましく、特に好ましくは１又は２個有している場合である。

前記一般式（２）で表される置換基の好ましい構造は、下記の組み合わせである。
〔１〕 Ｈｅｔが硫黄原子であり、Ｂ¹がアリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｂ²がシクロヘキサン−１，４−ジイル基を表し、Ｃ¹がアルキル基を表し、ｊ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０、ｒ＝１及びｎ＝１を表す構造。
〔２〕 Ｈｅｔが硫黄原子であり、Ｂ¹がアリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｂ²がシクロヘキサン−１，４−ジイル基を表し、Ｃ¹がアルキル基を表し、ｊ＝１、ｐ＝１、ｑ＝０、ｒ＝２及びｎ＝１を表す構造。

特に好ましい構造は、
〔Ｉ〕 Ｈｅｔが硫黄原子を表し、Ｂ¹が１，４−フェニレン基を表し、Ｂ²がトランス−シクロヘキシル基を表し、Ｃ¹がアルキル基（好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基又はヘキシル基）を表し、ｊ＝１、ｐ＝２、ｑ＝０、ｒ＝１及びｎ＝１である下記一般式（ａ−１）で表される構造、
〔２〕 Ｈｅｔが硫黄原子を表し、Ｂ¹が１，４−フェニレン基を表し、Ｂ²がトランス−シクロヘキサン−１，４−ジイル基を表し、Ｃ¹がアルキル基（好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基又はヘキシル基）を表し、ｊ＝１、ｐ＝１、ｑ＝０、ｒ＝２及びｎ＝１である下記一般式（ａ−２）で表される構造、
である。

前記一般式（ａ−１）及び（ａ−２）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a12は、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。該置換基としては、前述の置換基群Ｖから選ばれる置換基が挙げられる。
Ｒ^a1〜Ｒ^a12は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子（特にフッ素原子）、アルキル基、アリール基、アルコキシ基であるのことが好ましい。Ｒ^a1〜Ｒ^a12で表わされるアルキル基、アリール基、及びアルコキシ基のうち、好ましいものは、前述の置換基群Ｖに記載のアルキル基、アリール基、及びアルコキシ基と同義である。

前記一般式（ａ−１）及び（ａ−２）中、Ｃ^a1及びＣ^a2は、それぞれ、アルキル基を表し、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基である。特に好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基又はヘキシル基である。

アゾ色素はモノアゾ色素、ビスアゾ色素、トリスアゾ色素、テトラキスアゾ色素、ペンタキスアゾ色素などいかなるものであってもよいが、好ましくはモノアゾ色素、ビスアゾ色素、トリスアゾ色素である。
アゾ色素に含まれる環構造としては芳香族環（ベンゼン環、ナフタレン環など）のほかヘテロ環（キノリン環、ピリジン環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリミジン環など）であってもよい。

アントラキノン色素の置換基としては、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を含むものが好ましく、例えば、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基である。
該置換基の置換数はいかなる数であってもよいが、ジ置換、トリ置換、テトラキス置換が好ましく、特に好ましくはジ置換、トリ置換である。該置換基の置換位置はいかなる場所であってもよいが、好ましくは１，４位ジ置換、１，５位ジ置換、１，４，５位トリ置換、１，２，４位トリ置換、１，２，５位トリ置換、１，２，４，５位テトラ置換、１，２，５，６位テトラ置換構造である。

アントラキノン系色素としては、より好ましくは、下記一般式（３）で表される化合物である。

一般式（３）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸の少なくとも一つは、−（Ｈｅｔ）_j−｛（Ｂ¹）_p−（Ｑ¹）_q−（Ｂ²）_r｝_n−Ｃ¹であり、他は各々独立に、水素原子又は置換基である。
−（Ｈｅｔ）_j−｛（Ｂ¹）_p−（Ｑ¹）_q−（Ｂ²）_r｝_n−Ｃ¹において、Ｈｅｔは酸素原子又は硫黄原子であり、Ｂ¹及びＢ²は、各々独立に、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又は２価の環状脂肪族炭化水素基を表し、Ｑ¹は２価の連結基を表し、Ｃ¹はアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基又はアシルオキシ基を表し、ｊは０又は１を表し、ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ０〜５の整数を表し、ｎは１〜３の整数を表す。（ｐ＋ｒ）×ｎは３〜１０の整数を表し、より好ましくは、３〜６の整数である。ｐ、ｑ及びｒがそれぞれ２以上の時、２以上のＢ¹、Ｑ¹及びＢ²はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、ｎが２以上の時、２以上の｛（Ｂ¹）_p−（Ｑ¹）_q−（Ｂ²）_r｝は同一でも異なっていてもよい。
ここで、Ｈｅｔ，Ｂ¹、Ｂ²、Ｑ¹、Ｃ¹、ｊ、ｐ、ｑ、ｒ、及びｎの好ましい範囲は、それぞれ前記一般式（２）で記載したＨｅｔ、Ｂ¹、Ｂ²、Ｑ¹、Ｃ¹、ｊ、ｐ、ｑ、ｒ、及びｎの好ましい範囲と同様である。

一般式（３）中、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸で表される前記置換基としては、上記置換基群Ｖが挙げられるが、好ましくは、炭素数６〜８０、より好ましくは炭素数６〜４０、更に好ましくは炭素数６〜３０のアリールチオ基（例えばフェニルチオ、ｐ−メチルフェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、４−メチルフェニルチオ、４−エチルフェニルチオ、４−ｎ−プロピルフェニルチオ、２−ｎ−ブチルフェニルチオ、３−ｎ−ブチルフェニルチオ、４−ｎ−ブチルフェニルチオ、２−ｔ−ブチルフェニルチオ、３−ｔ−ブチルフェニルチオ、４−ｔ−ブチルフェニルチオ、３−ｎ−ペンチルフェニルチオ、４−ｎ−ペンチルフェニルチオ、４−アミルペンチルフェニルチオ、４−ヘキシルフェニルチオ、４−ヘプチルフェニルチオ、４−オクチルフェニルチオ、４−トリフルオロメチルフェニルチオ、３−トリフルオロメチルフェニルチオ、２−ピリジルチオ、１−ナフチルチオ、２−ナフチルチオ、４−プロピルシクロヘキシル−４’−ビフェニルチオ、４−ブチルシクロヘキシル−４’−ビフェニルチオ、４−ペンチルシクロヘキシル−４’−ビフェニルチオ、４−プロピルフェニル−２−エチニル−４’−ビフェニルチオ）、炭素数１〜８０、より好ましくは炭素数１〜４０、更に好ましくは炭素数１〜３０のヘテロアリールチオ基（例えば２−ピリジルチオ、３−ピリジルチオ、４−ピリジルチオ、２−キノリルチオ、２−フリルチオ、２−ピロリルチオ）、置換若しくは無置換のアルキルチオ基（例えば、メチルチオ、エチルチオ、ブチルチオ、フェネチルチオ）、置換若しくは無置換のアミノ基（例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ベンジルアミノ、アニリノ、ジフェニルアミノ、４−メチルフェニルアミノ、４−エチルフェニルアミノ、３−ｎ−プロピルフェニルアミノ、４−ｎ−プロピルフェニルアミノ、３−ｎ−ブチルフェニルアミノ、４−ｎ−ブチルフェニルアミノ、３−ｎ−ペンチルフェニルアミノ、４−ｎ−ペンチルフェニルアミノ、３−トリフルオロメチルフェニルアミノ、４−トリフルオロメチルフェニルアミノ、２−ピリジルアミノ、３−ピリジルアミノ、２−チアゾリルアミノ、２−オキサゾリルアミノ、Ｎ，Ｎ−メチルフェニルアミノ、Ｎ，Ｎ−エチルフェニルアミノ）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子）、置換若しくは無置換のアルキル基（例えば、メチル、トリフルオロメチル）、置換若しくは無置換のアルコキシ基（例えば、メトキシ、トリフルオロメトキシ）、置換若しくは無置換のアリール基（例えば、フェニル）、置換若しくは無置換のヘテロアリール基（例えば、２−ピリジル）、置換若しくは無置換のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ）、置換若しくは無置換のヘテロアリールオキシ基（例えば、３−チエニルオキシ）などである。

Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸として好ましくは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、置換若しくは無置換の、アリールチオ基、アルキルチオ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基又はアリーロキシ基であり、特に好ましくは水素原子、フッ素原子、置換若しくは無置換の、アリールチオ基、アルキルチオ基、アミノ基、アルキルアミノ基又はアリールアミノ基である。

また、更に好ましくは、一般式（３）において、Ｒ¹、Ｒ⁴、Ｒ⁵、及びＲ⁸の少なくとも一つが、−（Ｈｅｔ）_j−｛（Ｂ¹）_p−（Ｑ¹）_q−（Ｂ²）_r｝_n−Ｃ¹の場合である。

フェノキサゾン色素（フェノキサジン−３−オン）の置換基としては、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を含むものが好ましく、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基が好ましい例として挙げられる。

フェノキサゾン色素として、より好ましくは、下記一般式（４）で表される化合物である。

一般式（４）中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶及びＲ¹⁷の少なくとも一つ以上は、−（Ｈｅｔ）_j−｛（Ｂ¹）_p−（Ｑ¹）_q−（Ｂ²）_r｝_n−Ｃ¹であり、他はそれぞれ水素原子又は置換基である。
−（Ｈｅｔ）_j−｛（Ｂ¹）_p−（Ｑ¹）_q−（Ｂ²）_r｝_n−Ｃ¹において、Ｈｅｔは酸素原子又は硫黄原子であり、Ｂ¹及びＢ²は、各々独立に、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又は２価の環状脂肪族炭化水素基を表し、Ｑ¹は２価の連結基を表し、Ｃ¹はアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基又はアシルオキシ基を表し、ｊは０又は１を表し、ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ０〜５の整数を表し、ｎは１〜３の整数を表す。（ｐ＋ｒ）×ｎは３〜１０の整数であり、より好ましくは、３〜６の整数である。ｐ、ｑ及びｒがそれぞれ２以上の時、２以上のＢ¹、Ｑ¹及びＢ²はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、ｎが２以上の時、２以上の｛（Ｂ¹）_p−（Ｑ¹）_q−（Ｂ²）_r｝は同一でも異なっていてもよい。
ここで、Ｂ¹、Ｂ²、Ｑ¹、Ｃ¹、ｐ、ｑ、ｒ、及びｎの好ましい範囲は、それぞれ前記一般式（２）で記載したＢ¹、Ｂ²、Ｑ¹、Ｃ¹、ｐ、ｑ、ｒ、及びｎの好ましい範囲と同様である。

一般式（４）中、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶及びＲ¹⁷で表される置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルバモイル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アミド基であり、特に好ましくは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリールチオ基、アミド基である。

Ｒ¹⁶として、好ましくはアミノ基（アルキルアミノ、アリールアミノ基を含む）、ヒドロキシル基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシ基又はアリールオキシ基であり、特に好ましくはアミノ基である。

また、更に好ましくは、一般式（４）において、Ｒ¹¹、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁶の少なくとも一つが、−（Ｈｅｔ）_j−｛（Ｂ¹）_p−（Ｑ¹）_q−（Ｂ²）_r｝_n−Ｃ¹の場合である。

以下に、本発明に使用可能なアントラキノン色素及び／又はフェノキサゾン色素の二色性色素の具体例を示すが、本発明は以下の具体例によってなんら限定されるものではない。

以下に、本発明に使用可能なアゾ系二色性色素の具体例を示すが、本発明は以下の具体例によってなんら限定されるものではない。

以下に本発明に使用可能なジオキサジン系二色性色素ならびにメロシアニン系二色性色素の具体例を示すが、本発明は以下の具体例によってなんら限定されるものではない。

前記一般式（２）で表される置換基を有する二色性色素は、公知の方法を組み合わせて合成することができる。例えば、特開２００３−１９２６６４号公報等の記載の方法に従い合成することができる。

本発明の液晶組成物に使用可能なホスト液晶は、本発明の化合物と共存し得るものであれば特に制限はないが、例えば、ネマチック相あるいはスメクチック相を示す液晶化合物が利用できる。その具体例としては、アゾメチン化合物、シアノビフェニル化合物、シアノフェニルエステル、フッ素置換フェニルエステル、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル、フッ素置換シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル、シアノフェニルシクロヘキサン、フッ素置換フェニルシクロヘキサン、シアノ置換フェニルピリミジン、フッ素置換フェニルピリミジン、アルコキシ置換フェニルピリミジン、フッ素置換アルコキシ置換フェニルピリミジン、フェニルジオキサン、トラン系化合物、フッ素置換トラン系化合物、アルケニルシクロヘキシルベンゾニトリルなどが挙げられる。「液晶デバイスハンドブック」（日本学術振興会第１４２委員会編、日刊工業新聞社、１９８９年）の第１５４〜１９２頁及び第７１５〜７２２頁に記載の液晶化合物を用いることができる。ＴＦＴ駆動に適したフッ素置換されたホスト液晶を使用することもできる。例えば、Ｍｅｒｃｋ社の液晶（ＺＬＩ−４６９２、ＭＬＣ−６２６７、６２８４、６２８７、６２８８、６４０６、６４２２、６４２３、６４２５、６４３５、６４３７、７７００、７８００、９０００、９１００、９２００、９３００、１００００など）、チッソ社の液晶（ＬＩＸＯＮ５０３６ｘｘ、５０３７ｘｘ、５０３９ｘｘ、５０４０ｘｘ、５０４１ｘｘなど）が挙げられる。

本発明に使用するホスト液晶の誘電率異方性は、正であっても負であってもよい。誘電率異方性が正のホスト液晶を水平配向させた場合には、電圧無印加時には液晶は水平に配向しているために二色性色素も水平となり光を吸収する。一方、電圧印加時に液晶分子が垂直に傾いてくるため二色性色素も垂直に傾き、その結果光を透過するようになる。すなわち、電圧印加時には白表示、電圧無印加時には黒表示を行うモードとなる。誘電率異方性が負のホスト液晶を垂直配向させる場合には、電圧無印加時には液晶は垂直に配向しているために二色性色素も垂直となり光を吸収することなく透過する。一方、電圧印加時に液晶分子が水平に傾いてくるため二色性色素も水平に傾き、その結果光を吸収するようになる。すなわち、電圧無印加時には白表示、電圧印加時には黒表示を行うモードとなる。誘電率異方性が負の液晶となるためには、液晶分子の短軸に誘電率異方性が大きななるような構造にする必要があるが、例えば、「月刊デイスプレイ」（２０００年、４月号）の第４頁〜９頁に記載のもの、Ｓｙｎｌｅｔｔ．， 第４巻、第３８９頁〜３９６頁、１９９９年に記載のものが挙げられる。なかでも、電圧保持率の観点から、フッ素系置換基を有する誘電率異方性が負の液晶が好ましい。例えば、Ｍｅｒｃｋ社の液晶（ＭＬＣ−６６０８、６６０９、６６１０など）が挙げられる。

また、本発明のゲストホスト方式液晶には、二周波駆動液晶を用いることができる。本発明の画像表示装置において、二波長駆動液晶を用いることにより、応答速度が速くできるという効果が認められる。二周波駆動液晶とは、該液晶に印加される電場の周波数が低周波数領域の場合に正の誘電率異方性を示し、高周波数領域の場合に誘電率異方性の符号が負に逆転する液晶である。日本学術振興会第１４２委員会編、液晶デバイスハンドブック、日刊工業新聞社、１９８９年、第１８９〜１９２頁に詳しい。その具体例として、イーストマン・コダック社の二周波駆動液晶を示す。

この他にも、市販の二周波駆動液晶材料として、チッソ社製ＤＦ−０２ＸＸ、ＤＦ−０５ＸＸ、ＦＸ−１００１、ＦＸ−１００２、メルク社製ＭＬＣ−２０４８などを挙げることができる。

本発明で用いられる二周波駆動液晶は、複数の液晶化合物の混合物であってもよい。さらに、印加される電場の低周波数領域と高周波数領域で誘電率異方性の符号が逆転しない液晶化合物を含んでもよい。

液晶層に印加される電圧の周波数領域の好ましい範囲は、用いる液晶組成物の種類、該液晶組成物のクロスオーバー周波数等によって異なるが、一般的には該液晶組成物に印加される電場の周波数領域は、０．１Ｈｚ〜１０ＭＨｚであるのが好ましく、１Ｈｚ〜１ＭＨｚであるのがより好ましい。
二周波駆動液晶の場合には、低周波領域及び高周波領域の電圧が用いられる。低周波数領域として用いられるのは、一般的には０．１Ｈｚ〜１００ｋＨｚであることが好ましく、１Ｈｚ〜１０ｋＨｚであることがより好ましく、１０Ｈｚ〜１０ｋＨｚであることがさらに好ましい。また、高周波数領域としては、一般的には１００Ｈｚ〜１０ＭＨｚであることが好ましく、１００Ｈｚ〜１ＭＨｚであることがより好ましく、１ｋＨｚ〜１ＭＨｚであることがさらに好ましい。

本発明では、ホスト液晶の物性を所望の範囲に変化させることを目的として（例えば、液晶相の温度範囲を所望の範囲にすることを目的として）、液晶性を示さない化合物を添加してもよい。また、カイラル化合物、紫外線吸収剤、酸化防止剤などの化合物を含有させてもよい。そのような添加剤は、たとえば、「液晶デバイスハンドブック」（日本学術振興会第１４２委員会編、日刊工業新聞社、１９８９年）の第１９９〜２０２頁に記載のＴＮ、ＳＴＮ用カイラル剤が挙げられる。本発明として、好ましい形態のひとつは、カイラル化合物を添加したカイラルネマチック液晶相を利用したモードである。カイラル化合物としては、たとえば、メルク社製のＲ−８１１、Ｓ−８１１、Ｒ−１０８２、Ｓ−１０８２などが利用できる。カイラル化合物の比率は、０．０１〜１５質量％が好ましく、０．５〜６質量％が特に好ましい。

本発明の液晶素子における、ホスト液晶及び二色性色素の含有量については特に制限はないが、二色性色素の含有量はホスト液晶の含有量に対して０．１〜１５質量％であることが好ましく、０．５〜６質量％であることが特に好ましい。
また、ホスト液晶及び二色性色素の含有量は、双方を含む液晶組成物を調整し、その液晶組成物を封入した液晶セルの吸収スペクトルをそれぞれ測定して、液晶セルとして所望の光学濃度を示すのに必要な色素濃度を決定することが望ましい。

表示層がゲストホスト液晶表示層の場合、ゲストホスト液晶表示層の厚さは、１μｍ〜１００μｍが好ましく、４μｍ〜４０μｍがより好ましい。

＜蛍光増白剤を含む層＞
本発明にかかる蛍光増白剤は、２００〜４１０ｎｍの波長の光を吸収して、約４１０〜約５００ｎｍの波長の光を放射する性質を有する化合物を含有することが好ましい。これらの蛍光増白剤は本来の黄色い反射光のほかに、新たに蛍光増白剤により発光される約４１０〜約５００ｎｍの波長の青色光が付加されるため反射光は白色になり、かつ、蛍光効果による分だけ可視光のエネルギーが増加するため結果として増白されたことになる。
なお、本発明の画像表示装置では、可視光領域の光を透過して表示するため、蛍光増白剤は、表示に利用する可視光領域の光（波長４１０ｎｍ〜８００ｎｍ）を吸収しないことが好ましい。すなわち、可視光領域の最短波長付近である４１０ｎｍを境界として、４１０ｎｍ以下の波長の光を吸収して、４１０ｎｍより長い波長の光を放射する蛍光増白剤を用いることが、画像の表示には極めて効率的である。

本発明に用いる蛍光増白剤を含む層は、波長が２００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の光を９０％以上吸収し、カットする層であり、特に限定されないが、透明樹脂成分と蛍光増白剤とを含有する層であることが好ましい。
光の吸収率は、可視・紫外吸収スペクトロスコピーによって測定される。

蛍光増白剤を含む層の透明樹脂成分としては、アクリル樹脂系、ウレタン樹脂系、アミノアルキッド樹脂系、エポキシ樹脂系、シリカ樹脂系、フッ素樹脂系などを挙げることができる。これらの樹脂は主剤、硬化剤、希釈剤、レベリング剤、はじき防止剤などを任意に配合することができる。

例えば、透明樹脂成分としてアクリルウレタン樹脂、シリコンアクリル樹脂を選んだ場合には、硬化剤としてポリイソシアネートなどを、希釈剤としてトルエン、キシレンなどの炭化水素系溶剤、酢酸イソブチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶剤、イソプロピルアルコール、ブチルアルコールなどのアルコール系を用いることができる。

透明樹脂成分としては、具体的には、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチルスチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。また、ここでアクリルウレタン樹脂とは、メタクリル酸エステル（メチルが代表的）とヒドロキシエチルメタクリレート共重合体とポリイソシアネートと反応させて得られるアクリルウレタン樹脂をいう。なおこの場合のポリイソシアネートとはトリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ポリメチレンポリフェニレンポリイソシアネート、トリジンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートなどが挙げられる。

更にこれら成分に加えアクリル樹脂、シリコーン樹脂などのレベリング剤、シリコーン系、アクリル系等のはじき防止剤等を必要に応じて配合することができる。

本発明において使用される蛍光増白剤は、通常市販されているものあるいは下記一般式（１）で表される化合物の中から耐光性などに基づいて選択することができる。

一般式（１）中、Ｒ²¹及びＲ²⁴は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はアルキコキシ基を表し、Ｒ²²及びＲ²³はアルキル基を表す。Ａは置換アリール基又は置換エテニル基を表す。）

本発明の一般式（１）におけるＲ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴及びＡについて以下に詳しく説明する。

Ｒ²¹及びＲ²⁴は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はアルコキシ基を表すが、詳しくは水素原子、炭素数１ないし８のアルキル基、又は炭素数１ないし８のアルコキシ基を表す。

更に詳しくは、Ｒ²¹及びＲ²⁴は、各々独立に、水素原子、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−オクチル、イソプロピル、イソブチル、２−エチルヘキシル、ｔ−ブチル、ｔ−アミル、ｔ−オクチル、シクロペンチル若しくはシクロヘキシル等のアルキル基、又はメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、イソプロポキシ、イソブトキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ｔ−ブトキシ若しくはシクロヘキシルオキシ等のアルコキシ基である。
Ｒ²¹及びＲ²⁴は、好ましくは水素原子又はアルキル基であり、特に好ましくは水素原子である。

Ｒ²²及びＲ²³は、アルキル基を表すが、好ましくは炭素数１〜１６のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基である。
更に詳しくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−ヘキサデカニル（セチル）、イソプロピル、イソブチル、２−エチルヘキシル、ｔ−ブチル、ｔ−アミル、ｔ−オクチル、シクロペンチル又はシクロヘキシル等のアルキル基を表す。

好ましくは、Ｒ²²は、メチル基、又は２級若しくは３級の炭素数１〜１０のアルキル基であり、より好ましくは、メチル、イソプロピル、ｔ−ブチル又はシクロヘキシル基であり、更に好ましくは、ｔ−ブチル又はシクロヘキシル基である。
Ｒ²³は、好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル又は２−エチルヘキシル基であり、より好ましくは、メチル、ｎ−ブチル、ｎ−オクチル又は２−エチルヘキシル基である。

Ａは置換アリール基又は置換エテニル基を表すが、より好ましくは炭素数６〜４０の置換アリール基又は炭素数８〜４０の置換エテニル基を表し、更に好ましくは炭素数６〜１２の置換アリール基又は炭素数８〜２０の置換エテニル基を表す。
好ましくは以下に示す置換アリール又はエテニル基である。

式中、Ｒ³¹及びＲ³⁴は前記Ｒ²¹及びＲ²⁴と同義である。Ｒ³²は前記Ｒ²²と同義である。Ｒ³³は前記Ｒ²³と同義である。
ｍは１〜５の整数を表し、好ましくは、１〜３の整数を表す。

Ｘ及びＹは、各々独立に、アルキル、アリール、アルコキシ、アルキルアミノ、アリールアミノ、アミノ又は水酸基を表す。
Ｘ及びＹで表されるアルキル基としては、メチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル又はシクロヘキシル等を挙げることができる。
Ｘ及びＹで表されるアリール基としては、フェニル、トリル又はナフチル等を挙げることができる。
Ｘ及びＹで表されるアルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ又はイソプロポキシ等を挙げることができる。
Ｘ及びＹで表されるアルキルアミノ基としては、アミノメチル、エチルアミノ、オクチルアミノ、ジメチルアミノ又はＮ−メチル−Ｎ−エチルアミノ等を挙げることができる。 Ｘ及びＹで表されるアリールアミノ基としては、アニリノ、４−トリルアミノ又はＮ−メチルアニリノ等を挙げることができる。
Ｘ及びＹで表されるこれらの基は、更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、前記置換基群Ｖを挙げることができる。
Ｘ及びＹは、好ましくはアリール基、アルコキシ基又はアニリノ基である。

一般式（１）で表される化合物は、好ましくは下記一般式（５）で表される化合物である。）

一般式（５）中、Ｒ²⁵及びＲ²⁷は前記Ｒ²²と同義の基であり、Ｒ²⁶及びＲ²⁸は前記Ｒ²³と同義の基である。ｎは１又は２である。
これらの化合物は特開平１１−２９５５６号公報記載の方法で合成することができる。

以下本発明で用いられる蛍光増白剤の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

以上は有機物の例であるが、これらに限らず無機物でもよい。これらの蛍光増白剤は必要に応じて１種又は２種以上を併用することができる。それらの添加量は成形物の厚さ、蛍光増白剤の性質、紫外線吸収剤の有無、性質、添加量によって変化するので一義的に定めることはできないが、当業者はいくらかの試験をすることによって容易に決定することができる。一般的には厚さ０．１ミリの塗膜であれば０．１〜５０質量％で十分である。その配合量と、添加される材料の厚さはほぼ反比例すると考えて良い。例えば厚さ０．１ミリの塗膜に式（１）の化合物は５質量％、式（２）の化合物では３質量％、式（１３）の化合物では２．１質量％添加することで、２００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の光を効果的に実質的にカットできる。

以上のように、本発明では蛍光増白剤を透明樹脂塗料に配合することで目的を達成することができるが、蛍光増白剤の耐光性に不安がある場合や、蛍光増白剤のみでは短波長域が十分にカットしきれない場合には紫外線吸収剤を併用することが望ましい。一般に紫外線吸収剤は紫外線を吸収して熱に変換する性質を有する化合物である。それらは、ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン系、サリチル酸系、シアノアクリレート系に大別される。

ベンゾトリアゾール系の有効吸収波長は約２７０〜３８０ｎｍで、代表例としては２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’、５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’、５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’、５’−ジ−ｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−４’−オクトキシフェニル）ベンゾトリアゾール等を挙げることができる。

ベンゾフェノン系の有効吸収波長は約２７０〜３８０ｎｍで、代表例としては２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン等を挙げることができる。

サリチル酸系の有効吸収波長は約２９０〜３３０ｎｍで、代表例としてはフェニルサリシレート、ｐ−ｔ−ブチルフェニルサリシレート、ｐ−オクチルフェニルサリシレートなどを挙げることができる。

シアノアクリレート系の有効吸収波長は約２７０〜３５０ｎｍで、代表例としては２−エチルヘキシル−２−シアノ−３、３−ジフェニルアクリレート、エチル−２−シアノ−３、３−ジフェニルアクリレート等を挙げることができる。

なお、これらの紫外線吸収剤は表示に利用する可視光領域の光（波長４１０ｎｍ〜８００ｎｍ）を吸収しないことが好ましい。

これらの紫外線吸収剤は１種又は２種以上を併用することができる。好適な添加量は塗膜の厚さ、蛍光増白剤の性質等によって変化するので一義的に定めることはできないが、当業者はいくらかの試験をすることによって容易に決定することができる。一般的には厚さ０．１ミリの塗膜であれば１〜３０質量％で十分である。

本発明における蛍光増白剤を含む層は、透明樹脂成分及び蛍光増白剤を含み、更に適宜紫外線吸収剤を用いる。これら組成物の含有率は、好ましくは、樹脂を基準（１００質量％）に考えて蛍光増白剤を０．１〜２０質量％、紫外線吸収剤を０〜２０質量％含有することが好ましい。

蛍光増白剤を含む層の厚さは、好ましくは２〜１０００μｍであるが、更に好ましくは５〜２００μｍの間である。
これら透明樹脂成分を塗布する方法は任意であるが、スプレー法、ディッピング法、ローラーコート法、フローコーター法、流し塗り法などがある。塗布後の乾燥は透明樹脂成分によって異なるが、概ね室温〜１２０℃で１０〜９０分程度行うことが望ましい。

＜機能層＞
本発明の画像表示装置には、各種の機能層を付与することができる。機能層として例えば、帯電防止層、硬化樹脂層（透明ハードコート層）、反射防止層、白色反射層、易接着層、防眩層、光学補償層、配向層、液晶層などである。本技術のこれらの機能層及びその材料としては、界面活性剤、滑り剤、マット剤、帯電防止層、ハードコート層などが挙げられる。また、本発明のフイルムには、カール防止加工を施すこともできる。

＜バリア層及び有機層＞
本発明の画像表示装置には、バリア層と有機層と積層した積層体を設けることが好ましい。このような積層体を設けることで、水及び／又は酸素の浸入を防ぐことができ、本発明の半導体活性層の性能低下を抑えることができる。

前述のように、２つの支持体の間に前記表示層が配置されるが、支持体において該表示層を設けた面とは反対面側に、バリア層及び有機層の積層体を配置することが好ましい。ここで、バリア層及び有機層の積層体は、２つの支持体の双方に設けられていてもよく、片方にのみ設けられていてもよい。好ましくは、双方に設けられている場合である。
また、層の数は、特に定めるものではないが、好ましくは、バリア層と有機層とを組み合わせを１セットとすると、１〜５セットであり、より好ましくは、１〜３セットである。
バリア層及び有機層の積層体の全体の厚みは、１μｍ〜１００μｍであることが好ましく、１μｍ〜５０μｍであることがより好ましい。

（バリア層）
本発明において、バリア層とは、水及び／又は酸素の通過を阻止するために設けられる層をいう。
本発明のバリア層の作製方法は、本発明の趣旨を逸脱しない限り特に定めるものではないが、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法などが適しており、特許第３４００３２４号、特開２００２−３２２５６１号、特開２００２−３６１７７４号の各公報記載の方法を好ましく採用することができる。

本発明のバリア層は、無機材料から構成される無機バリア層であることが極めて好ましく、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｅ、Ｔａ等の１種以上を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物などがより好ましい。

バリア層の厚みに関しても特に限定しないが、一つのバリア層の厚みが、５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であることが好ましく、さらに好ましくは、１０ｎｍ〜１０００ｎｍであり、最も好ましくは、１０ｎｍ〜２００ｎｍである。また、バリア層を２層以上設ける場合は、それぞれの層が同じ組成でも別の組成でも良い。

水蒸気バリア性と高透明性を両立させるにはバリア層として珪素酸化物や珪素酸化窒化物を用いることが好ましい。
珪素酸化物はＳｉＯ_xと表記され、例えば、バリア層としてＳｉＯ_xを用いる場合、より良好な水蒸気バリア性と高い光線透過率を得るためには、１．６＜ｘ＜１．９であることが好ましい。
珪素酸化窒化物はＳｉＯ_xＮ_yと表記されるが、このｘとｙの比率は、密着性をより向上させるためには、酸素リッチの膜とし、１＜ｘ＜２、０＜ｙ＜１が好ましく、水蒸気バリア性向上をより向上させるためには、窒素リッチの膜とし、０＜ｘ＜０．８、０．８＜ｙ＜１．３が好ましい。

（有機層）
前記バリア層の脆性を改良し及びバリア性を向上させる為に、本発明では、バリア層と有機層を積層する。

有機層厚みについては特に限定はしないが、１０ｎｍ〜５０００ｎｍが好ましく、さらに好ましくは１０〜２０００ｎｍであり、最も好ましくは１０ｎｍ〜５０００ｎｍである。このような厚さとすることにより、上記バリア層の構造欠陥をより効率よく有機層で埋めることができ、バリア性がより向上する。逆に有機層の厚みが厚すぎると、曲げ等の外力により有機層がクラックを発生し易くなるためバリア性が低下してしまう不具合が発生する。

有機層としては、例えば、（１）ゾル−ゲル法を用いて作製した無機酸化物層を利用する方法、（２）有機物を塗布又は蒸着で積層した後、紫外線又は電子線で硬化させる方法を用いて形成することができる。また、（１）及び（２）は、組み合わせて使用しても良く、例えば、樹脂フィルム上に（１）の方法で薄膜を形成した後、無機酸化物層を作製し、その後（２）の方法で薄膜を形成しても良い。

（１）ゾル−ゲル法
本発明におけるゾル−ゲル法では、好ましくは溶液中、又は塗膜中で金属アルコキシドを加水分解、縮重合させて、緻密な薄膜を得る。またこの時、樹脂を併用して、有機−無機ハイブリッド材料にしても良い。
金属アルコキシドとしては、アルコキシシラン及び／又はアルコキシシラン以外の金属アルコキシドを使用する。アルコキシシラン以外の金属アルコキシドとしては、ジルコニウムアルコキシド、チタンアルコキシド、アルミニウムアルコキシド等が好ましい。

ゾル−ゲル反応時に併用する樹脂としては、水素結合形成基を有していることが好ましい。
水素結合形成基を有する樹脂の例としては、ヒドロキシル基を有するポリマーとその誘導体（ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、フェノール樹脂、メチロールメラミン等とその誘導体）；カルボキシル基を有するポリマーとその誘導体（ポリ（メタ）アクリル酸、無水マレイン酸、イタコン酸等の重合性不飽和酸の単位を含む単独又は共重合体と、これらのポリマーのエステル化物（酢酸ビニル等のビニルエステル、メタクリル酸メチル等の（メタ）アクリル酸エステル等の単位を含む単独又は共重合体）等）；エーテル結合を有するポリマー（ポリアルキレンオキサイド、ポリオキシアルキレングリコール、ポリビニルエーテル、珪素樹脂等）；アミド結合を有するポリマー（＞Ｎ（ＣＯＲ）−結合、すなわち、Ｎ（ＣＯＲ）からなる３価の基（式中、Ｒは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を示す）を有するポリオキサゾリンやポリアルキレンイミンのＮ−アシル化物）；＞ＮＣ（Ｏ）−結合、すなわち、ＮＣ（Ｏ）からなる３価の基を有するポリビニルピロリドンとその誘導体；ウレタン結合を有するポリウレタン；尿素結合を有するポリマー等を挙げることができる。
樹脂の使用量は、金属アルコキシド１モルに対して、０．１〜１００モルであり、より好ましくは０．５〜５０モルである。

また、ゾル−ゲル反応時にモノマーを併用し、ゾル−ゲル反応時、又はその後に重合させて有機−無機ハイブリッド材料を作製することもできる。このようなモノマーとしては、アクリレート、メタクリレート、イソシアネートを挙げることができる。
モノマーの使用量は、金属アルコキシド１モルに対して、０．１〜１００モルであり、より好ましくは０．５〜５０モルである。

ゾル−ゲル反応時には、水、及び有機溶媒中で金属アルコキシドを加水分解、及び縮重合させるが、この時、触媒を用いることが好ましい。加水分解の触媒としては、一般に酸（有機又は無機酸）が用いられる。
酸の使用量は、金属アルコキシド（アルコキシシラン及び他の金属アルコキシドを含有する場合には、アルコキシシラン＋他の金属アルコキシド）１モル当たり、好ましくは０．０００１〜０．０５モルであり、より好ましくは０．００１〜０．０１モルである。
加水分解後、無機塩基やアミンなどの塩基性化合物を添加して溶液のｐＨを中性付近にし、縮重合を促進しても良い。

また、中心金属にＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒを有する金属キレート化合物、スズの化合物等の有機金属化合物、有機酸のアルカリ金属塩等の金属塩類など、他のゾル−ゲル触媒も併用することができる。ゾル−ゲル触媒化合物の組成物中の割合は、ゾル液の原料であるアルコキシシランに対し、好ましくは０．０１〜５０重量％、より好ましくは０．１〜５０重量％、さらに好ましくは０．５〜１０重量％である。

次に、ゾル−ゲル反応に用いられる溶媒について述べる。溶媒はゾル液中の各成分を均一に混合させ、本発明の組成物の固形分調製をすると同時に、種々の塗布方法に適用できるようにし、組成物の分散安定性及び保存安定性を向上させるものである。これらの溶媒は上記目的を果たせるものであれば特に限定されない。これらの溶媒の好ましい例として、水、及び水と混和性の高い有機溶媒が挙げられる。
溶媒の使用量は、金属アルコキシド１当量当たり、好ましくは１〜１００，０００質量％であり、より好ましくは１０〜１０，０００質量％である。

ゾル−ゲル反応の速度を調節する目的で、多座配位可能な有機化合物を添加して、金属アルコキシドを安定化しても良い。その例としては、β−ジケトン及び／又はβ−ケトエステル類、及びアルカノールアミンが挙げられる。
このβ−ジケトン類及び／又はβ−ケトエステル類の具体例としては、アセチルアセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸−ｎ−プロピル、アセト酢酸−ｉ−プロピル、アセト酢酸−ｎ−ブチル、アセト酢酸−ｓｅｃ−ブチル、アセト酢酸−ｔｅｒｔ−ブチル、２，４−ヘキサン−ジオン、２，４−ヘプタン−ジオン、３，５−ヘプタン−ジオン、２，４−オクタン−ジオン、２，４−ノナン−ジオン、５−メチル−ヘキサン−ジオンなどを挙げることができる。これらのうち、アセト酢酸エチル及びアセチルアセトンが好ましく、特にアセチルアセトンが好ましい。これらのβ−ジケトン類及び／又はβ−ケトエステル類は、１種単独で又は２種以上を混合して使用することもできる。
これらの多座配位可能な化合物は、ゾル−ゲル触媒として前記の金属キレート化合物を用いた場合、その反応速度を調節する目的にも用いることができる。
多座配位可能な化合物の使用量は、金属アルコキシド１モルに対して、０．１〜１００モルであり、より好ましくは０．５〜５０モルである。

次に、ゾル−ゲル反応組成物を塗設する方法について述べる。ゾル液はカーテンフローコート、ディップコート、スピンコート、ロールコート等の塗布法によって、フィルム上に薄膜を形成することができる。
この場合、加水分解のタイミングは製造工程中の如何なる時期であっても構わない。例えば、予め必要な組成の液を加水分解部分縮合して目的のゾル液を調製し、それを塗布し、乾燥する方法、必要な組成の液を調製し塗布と同時に加水分解部分縮合させながら乾燥する方法、塗布し一次乾燥後、加水分解に必要な水含有液を重ねて塗布し加水分解させる方法等を好適に採用できる。また、塗布方法としては、様々な形態をとることが可能であるが、生産性を重視する場合には多段の吐出口を有するスライドギーサー上で下層塗布液と上層塗布液のそれぞれが必要な塗布量になる様に吐出流量を調整し、形成した多層流を連続的に支持体に乗せ、乾燥させる方法（同時重層法）が好適に用いられる。

ゾル−ゲル反応組成物の塗設後の乾燥温度は、好ましくは１５０〜３５０℃、より好ましくは１５０〜２５０℃、さらに好ましくは１５０〜２００℃である。

塗布・乾燥後の有機層をさらに緻密にするため、エネルギー線の照射を行っても良い。その照射線種に特に制限はないが、支持体の変形や変性に対する影響を勘案し、紫外線、電子線あるいはマイクロ波の照射を特に好ましく用いることができる。
照射強度は好ましくは３０ｍＪ／ｃｍ²〜５００ｍＪ／ｃｍ²であり、より好ましくは５０ｍＪ／ｃｍ²〜４００ｍＪ／ｃｍ²である。照射温度は室温から支持体の変形温度の間を制限無く採用することが可能であり、好ましくは３０℃〜１５０℃、より好ましくは５０℃〜１３０℃である。

（２）有機物を塗布又は蒸着で積層した後、紫外線又は電子線で硬化させる方法
モノマーを紫外線又は電子線で架橋させて有機層を形成する場合について説明する。モノマーとしては、紫外線或いは電子線で架橋できる基を含有していれば特に限定は無いが、アクリロイル基又はメタクリロイル基、オキセタン基を有するモノマーを用いることが好ましい。
例えば、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、イソシアヌル酸（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパン（メタ）アクリレート、エチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレートなどのうち、２官能以上のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有するモノマーを架橋させて得られる高分子を主成分とすることが好ましい。これらの２官能以上のアクリロイル基又はメタクリロイル基を有するモノマーは２種類以上を混合して用いても、また１官能の（メタ）アクリレートを混合して用いてもよい。
また、オキセタン基を有する物としては、特開２００２−３５６６０７号公報の一般式（３）〜（６）に記載されている構造を有する物を使うことが好ましい。この場合、これらを任意に混合しても良い。

また、ディスプレイ用途に要求される耐熱性、耐溶剤性の観点から、特に架橋度が高く、ガラス転移温度が２００℃以上である、イソシアヌル酸アクリレート、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレートを主成分とすることがさらに好ましい。

かかる（２）の方法において、有機物を塗布又は蒸着する方法は特に制限されない。
例えば、真空成膜法で有機層を形成する場合、蒸着、プラズマＣＶＤ等の成膜方法が好ましく、有機物質モノマーの成膜速度を制御しやすい抵抗加熱蒸着法がより好ましい。
塗布方式で作製する場合には、従来用いられる種々の塗布方法、例えば、スプレーコート、スピンコート、バーコート等の方法を用いることができる。

（２）の方法において、有機物質モノマーの架橋方法に関しては、何らその制限はないが、電子線や紫外線等による架橋が、真空槽内に容易に取り付けられる点や架橋反応による高分子量化が迅速である点で望ましい。

（水吸収剤）
また、本発明では、基板と有機層及びバリア層からなる積層体との間、該積層体の最上層、有機層とバリア層との間、又は、有機層若しくはバリア層中に、以下に示すような水吸収剤を併用してもよい。
水吸収剤は、アルカリ土類金属を中心に、水吸収機能を有する化合物から選択することができる。例えば、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、及びＭｇＯなどが挙げられる。さらに、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａの様な金属元素から選択する事もできる。

これらの吸収剤粒子の粒径は、好ましくは１００ｎｍ以下であり、５０ｎｍ以下で使用されるのがさらに好ましい。

水吸収剤を含む層を別途設ける場合には、上述のバリア層と同様真空下蒸着法等を使って作製しても良いし、ナノ粒子を各種方法で作製して用いても良い。これらは、層厚みとして１〜１００ｎｍで使用される場合が好ましく、１〜１０ｎｍで用いられることがさらに好ましい。
水吸収剤の塗布量は、１０^-4ｇ／ｍ²〜１０²ｇ／ｍ²であることが好ましく、１０^-3ｇ／ｍ²〜１０ｇ／ｍ²であることがより好ましい。

バリア層に添加する場合には、共蒸着法を用いることが好ましい。
有機層に添加する場合には、有機物に水吸収剤を混合して塗布することで作製することが好ましい。

（白色反射層）
本発明の画像表示装置では、酸化チタン等を含む白色反射層を支持体に設けてもよい。 なお、、支持体において説明したように、光反射性を有する白色の支持体を用いることができる。この場合には、支持体として酸化チタン、酸化亜鉛などの無機顔料を添加したプラスチック基板を用いることもできる。

＜画像表示装置の構成＞
本発明の画像表示装置の構成は、表示層がいずれの形式であっても、少なくとも、支持体と、透明電極と、上記電界効果型トランジスタ（以下、「有機ＴＦＴ」と称する。）と、上記表示層と、蛍光増白剤を含有する層と、を有する。

蛍光増白剤を含有する層と、有機ＴＦＴの半導体活性層とは、支持体に対して互いに異なる面側に設けると、半導体活性層の耐久性を向上させることができるため好ましい。
また、蛍光増白剤を含有する層は、支持体において表示層側ではない側に設けることが好ましい。表示層側に設けると、液晶層に印加される実行電圧が低下し、表示性能が低下するためである。
更に、有機ＴＦＴ側の支持体１の表面に、白色反射層１１を設けることも好適である。

なお、支持体と、透明電極と、有機ＴＦＴと、表示層と、蛍光増白剤を含有する層の組成物の詳細については、前述の通りである。
また、支持体において説明したように、光反射性を有する白色の支持体を用いることができる。この場合には、支持体として酸化チタン、酸化亜鉛などの無機顔料を添加したプラスチック基板を用いてもよいし、酸化チタン等を含む白色反射層を支持体に設けてもよい。

その他本発明にかかる画像表示装置の作製には、公知の方法を適用することができる。

図２に、表示層として電気泳動表示層を用いた本発明の画像表示装置の一例を、概略構成断面図で示す。
２つの支持体（基板）１，１５の間に、有機ＴＦＴ７と、電気泳動表示層８と、透明電極１０と、が積層して形成され、透明電極１０側の支持体１５の表面に、蛍光増白剤を含有する層１６を有し、有機ＴＦＴ７側の支持体１の表面に、白色反射層１１を有する。

図３に、表示層としてゲストホスト液晶表示層を用いた本発明の画像表示装置の一例を、概略構成断面図で示す。

表示層が、ゲストホスト液晶表示層の場合には、液晶を配向させる目的で、液晶と支持体（基板）の接する表面に配向処理を施した層を形成することが好ましい。該配向処理としては、たとえば、４級アンモニウム塩を塗布し配向させる方法、ポリイミドを塗布しラビング処理により配向する方法、ＳｉＯｘを斜め方向から蒸着して配向する方法、さらには、光異性化を利用した光照射による配向方法などが挙げられる。配向膜については、たとえば、日本学術振興会第１４２委員会編、液晶デバイスハンドブック、日刊工業新聞社、１９８９年、第２４０〜２５６頁に記載のものが用いられる。

図３に示すとおり、支持体（基板）１から順に、有機ＴＦＴ ７、ポリイミド配向層１２、液晶層１３、ポリイミド配向層１４、透明電極１０、支持体１５で積層されていることが好ましく、更に、透明電極１０側の支持体１５であって液晶側とは反対面表面に蛍光増白剤を含む層１６が設けられることが好ましく、有機ＴＦＴ ７側の支持体１であって液晶側とは反対面表面に白色反射層１１が設けられることが好ましい。

ゲストホスト液晶表示層を有する画像表示装置は、基板同士をスペーサーなどを介して、１〜５０μｍの間隔を設けて、その空間にゲストホスト方式液晶層を形成することにより作製できる。スペーサーについては、たとえば、日本学術振興会第１４２委員会編、液晶デバイスハンドブック、日刊工業新聞社、１９８９年、第２５７〜２６２頁に記載のものが用いられる。各構成層は、基板上に塗布あるいは印刷することにより基板間の空間に配置することができる。

以下実施例に基づき詳細に説明する。ここで、本実施例は本発明の方法を効果的に実施することができるものであるが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

＜実施例１＞
図２に本実施例における画像表示装置の構成を示す。但し実施例１では、図２の白色反射層１１は設けなかった。

（有機ＴＦＴの作製）
図１に本実施例におけるπ−共役系樹状高分子電界効果型トランジスタの構造を示す。
まず、無アルカリガラス基板１上にクロムを蒸着し、ゲート電極２とした。次にスパッタ法により、２０００オングストロームの酸化シリコン膜３を製膜した後、クロム、金の順に蒸着を行い、通常の光リソグラフィー技術でソース電極４、ドレイン電極５を形成した。
続いて、上記ゲート電極２、酸化シリコン膜３、ソース電極４及びドレイン電極５を形成した基板を１０％濃度のフッ酸に浸漬することにより表面親水化処理をした後、この基板のソース電極４及びドレイン電極５側をヘキシルオリゴチオフェン化合物（アルドリッチ社製）の２質量％クロロホルム溶液に浸漬してからゆっくり引き上げることにより、半導体活性層６を作製した。

以上の手順でチャネル長１０μｍ、チャネル幅１ｍｍ、半導体活性層の厚さ約０．２μｍのπ−共役系樹状高分子電界効果型トランジスタを得た。このトランジスタは電界効果移動度が８×１０^-2ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ、オン・オフ比が約５桁であった。

（電気泳動表示層の作製）
白色荷電粒子として酸化チタン粒子を、黒色荷電粒子としてカーボンブラックを、絶縁性液体としてパラフィンを用いた分散液を調整して、ポリウレタンを壁材としたマイクロカプセルを界面重合法により作製した。マイクロカプセルの平均粒子サイズは５０μｍ、マイクロカプセルの平均壁厚４μｍであった。
このマイクロカプセルを上記有機ＴＦＴ７上に塗布し、電気泳動層８を作製した。

（電極を付した基板の作製）
他方、別途、前述のガラス基板１５に、インジウムスズオキサイドの透明電極（ＩＴＯ電極）１０を作製した。
この基板１５と先に作製した電気泳動表示層８を有するガラス基板１とを、図２に示すように、電気泳動表示層８を挟むように接着した。

（蛍光増白剤及び紫外線吸収剤を含む層）
アクリテック（大日本インキ製商品名）１００質量％に対し、式（１４）の化合物を５．０質量％、及び２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール１．１質量％を加えたもの１５ｇに対し、トルエン：メチルエチルケトン＝１：１を８５ｇ加え固形分を溶解し蛍光増白剤及び紫外線吸収剤を含む組成物を得た。
該組成物をガラス基板１５の外側（即ち表示層側ではない）表面に塗布し、乾燥後１００μｍになるよう蛍光増白剤及び紫外線吸収剤を含む層１６を作製し、本発明にかかる画像表示装置を得た。
なお、蛍光増白剤及び紫外線吸収剤を含む組成物は、２００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の光の吸収率は９０％以上であることが、可視・紫外吸収スペクトルの測定によって確認された。

（表示性能の評価）
得られた素子を信号発生器（東陽テクニカ（株）製）を用いて、直流電圧を半導体活性層が付設された透明電極側をプラスに、それに対向する透明電極側をマイナスに印加させたところ、黒色カーボンブラック粒子が表示側に移動し黒色に変化した。
また、直流電圧を半導体活性層が付設された透明電極側をマイナスに、それに対向する透明電極側をプラスに印加させたところ、白色酸化チタン粒子が表示側に移動し白色に変化した。
更に、直流電圧のマイナスとプラスを交互に印加させたところ、黒色と白色が交互に変化し、１万回繰り返してもその色の変化の程度は変化しなかった。

次に、本発明の画像表示装置に、高圧水銀灯の光を１２０時間照射したところ、同様の実験を行なっても、色の変化の程度は変化しなかった。

＜比較例１＞
実施例１において、蛍光増白剤及び紫外線吸収剤を含む層における、式（１４）の化合物及び２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾールに代えて、住友スリーエム社製ＩＳＣＬＡＲＬ（商品名）を用いて調製した以外は同様にして、比較例１の画像表示装置を得た。
住友スリーエム社製ＩＳＣＬＡＲＬ（商品名）を含む組成物は、４１０ｎｍの光の吸収率は、８５％であることが確認された。

（表示性能の評価）
この比較例１の画像表示装置について、実施例１と同様に高圧水銀灯の光を１２０時間照射したところ、発色時の色の濃さが低下することが目視で観測され、また、消色時の透明度も低下することが確認された。
すなわち、本発明の画像表示装置は、比較例１の画像表示装置に比べ、繰り返し時における表示性能が高いことが確認された。

＜実施例２＞
図４に本実施例における画像表示装置の構成を示す。

１．プラスチック基板の作製
特開２０００−１０５４４５号公報の実施例１の試料１１０の作製と同様にＰＥＮ（Ｄｕｐｏｎｔ−Ｔｅｉｊｉｎ Ｑ６５Ａ）に対し下塗り層及びバック層を作製した。
すなわち、ポリエチレン−２，６−ナフタレートポリマー１００重量部と紫外線吸収剤としてＴｉｎｕｖｉｎ Ｐ．３２６（チバ・ガイギーＣｉｂａ−Ｇｅｉｇｙ社製）２重量部とを乾燥した後、３００℃にて溶融後、Ｔ型ダイから押し出し、１４０℃で３．３倍の縦延伸を行ない、続いて１３０℃で３．３倍の横延伸を行い、さらに２５０℃で６秒間熱固定して厚さ９０μｍのプラスチック基板１（ＰＥＮ）を得た。

２．機能性層の設置
（下塗層の塗設）
上記プラスチック基板の両面にコロナ放電処理、ＵＶ照射処理、さらにグロー放電処理をした後、一方の面にゼラチン０．１ｇ／ｍ²、ソジウムα−スルホジ−２−エチルヘキシルサクシネート０．０１ｇ／ｍ²、サリチル酸０．０４ｇ／ｍ²、ｐ−クロロフェノール０．２ｇ／ｍ²、（ＣＨ₂＝ＣＨＳＯ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＮＨＣＯ）₂ＣＨ₂０．０１２ｇ／ｍ²、ポリアミド−エピクロロヒドリン重縮合物０．０２ｇ／ｍ²の下塗液を塗布して（１０ｍＬ／ｍ²、バーコーター使用）、下塗層１７を設けた。乾燥は、１１５℃、６分実施した（乾燥ゾーンのローラーや搬送装置はすべて１１５℃となっている）。得られたプラスチック基板の熱膨張係数は、１５ｐｐｍ／℃であった。

（バック層の塗設）
下塗後の上記支持体において、下塗層を設けていない他方の面にバック層として下記組成の帯電防止層を塗設し、さらに該帯電防止層の上に滑り層を塗設し、支持体−１を得た。

（帯電防止層１８の塗設）
平均粒子サイズ０．００５μｍの酸化スズ−酸化アンチモン複合物の比抵抗は５Ω・ｃｍの微粒子粉末の分散物（２次凝集粒子サイズ約０．０８μｍ）を０．２ｇ／ｍ²、ゼラチン０．０５ｇ／ｍ²、（ＣＨ₂＝ＣＨＳＯ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＮＨＣＯ）₂ＣＨ₂０．０２ｇ／ｍ²、ポリオキシエチレン−ｐ−ノニルフェノール（重合度１０）０．００５ｇ／ｍ²及びレゾルシン０．２２ｇ／ｍ²とともに塗布した。

（滑り層１９の調製）
ジアセチルセルロース（２５ｍｇ／ｍ²）、Ｃ₆Ｈ₁₃ＣＨ（ＯＨ）Ｃ₁₀Ｈ₂₀ＣＯＯＣ₄₀Ｈ₈₁（６ｍｇ／ｍ²）／Ｃ₅₀Ｈ₁₀₁Ｏ（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₆Ｈ（９ｍｇ／ｍ²）混合物を塗布した。なお、この混合物は、キシレン／プロピレングリコールモノメチルエーテル（１／１）中で、１０５℃で溶融し、常温のプロピレングリコールモノメチルエーテル（１０倍量）に注加分散して作製した後、アセトン中で分散物（平均粒子サイズ０．０１μｍ）にしてから添加した。
マット剤として二酸化ケイ素粒子（０．３μｍ）を１５ｍｇ／ｍ²となるように添加した。乾燥は、１１５℃、６分行なった。尚、乾燥ゾーンのローラーや搬送装置はすべて１１５℃で行った。

滑り層は、動摩擦係数０．０６（５ｍｍφのステンレス硬球、荷重１００ｇ、スピード６ｃｍ／分）、静摩擦係数０．０７（クリップ法）であった。表示面と滑り層の動摩擦係数は、０．１２であった。

３．バリア層の設置
上記支持体−１を用いて、以下処理を行った。
ロールトゥーロール方式のスパッタリング装置を用いた。この装置は真空槽を有しており、その中央部にはプラスチックフィルムを表面に接触させて冷却するためのドラムが配置されている。また、上記真空槽にはプラスチックフィルムを巻くための送り出しロール及び巻き取りロールが配置されている。送り出しロールに巻かれたプラスチック基板はガイドロールを介してドラムに巻かれ、さらにプラスチック基板はガイドロールを介してロールに巻かれる。真空排気系としては排気口から真空ポンプによって真空槽内の排気が常に行われている。成膜系としてはパルス電力を印加できる直流方式の放電電源に接続されたカソード上にターゲットが装着されている。この放電電源は制御器に接続され、さらにこの制御器は真空槽へ配管を介して反応ガス導入量を調整しつつ供給するガス流量調整ユニットに接続されている。また、真空槽には一定流量の放電ガスが供給されるよう構成されている。以下、具体的な条件を示す。

ターゲットとしてＳｉをセットし、放電電源としてパルス印加方式の直流電源を用意した。プラスチック基板として厚さ１００μｍのポリエーテルスルホンフィルムを用意し（前記支持体−１）、これを送り出しロールに掛け、巻き取りロールまで通した。スパッタリング装置への基材の準備が終了後、真空槽の扉を閉めて真空ポンプを起動し、真空引きとドラムの冷却を開始した。到達圧力が４×１０^-4Ｐａ、ドラム温度が５℃になったところで、プラスチック基板の走行を開始した。放電ガスとしてアルゴンを導入して放電電源をＯＮし、放電電力５ｋＷ、成膜圧力０．３ＰａでＳｉターゲット上にプラズマを発生させ、３分間プレスパッタを行った。この後、反応ガスとして酸素を導入した。放電が安定してからアルゴン及び酸素ガス量を徐々に減らして成膜圧力を０．１Ｐａまで下げた。０．１Ｐａでの放電の安定を確認してから、一定時間酸化ケイ素の成膜を行い、バリア層２２を形成した。バリア層２２の厚さは、１００ｎｍであった。成膜終了後、真空槽を大気圧に戻して酸化ケイ素を成膜した基板を取り出した。

４．有機層の設置
ついで、（１）テトラエチレングリコールジアクリレート、（２）カプロラクトンアクリレート、（３）トリプロピレングリコールモノアクリレートを重量比＝７：１．２：１．４で混合した溶液に、ラジカル開始剤（イルガキュアー６５１：チバガイギー社製）を１ｗｔ％添加し溶剤に溶かして、０．１ｍｍ厚のポリエーテルサルホンの樹脂基板上に塗布乾燥した後、ＵＶ照射により、硬化させ、樹脂基板上に厚さ約１μｍの有機層２３を作製した。

５．バリア層と有機層を積層したフィルム積層体
上記３，４の操作を繰り返し、バリア層及び有機層を各３層ずつ積層したフィルム積層体を作製した。
更に、特開平６−１２３８０６号公報記載の方法にて、滑り層の上にハードコート層２１を設けた。

６．有機ＴＦＴの作製
実施例１に記載のオリゴチオフェン化合物をペンタセンに変更し、蒸着によりペンタセンを半導体活性層６とし、且つ、基板をガラス基板から上記１〜５で作製したフィルム積層体を有するプラスチック基板に変更した以外は実施例１に準じて電界効果型トランジスタ（有機ＴＦＴ７）を完成させた。

このトランジスタは電界効果移動度が２×１０^-1ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃ、オン・オフ比が約５桁であった。

この基板において、半導体活性層を有する面とは異なる面に、表面処理により表面活性を失活させた酸化チタンからなる白色顔料を、５質量％のカルボキシセルロースとともに分散して調整した塗布液を塗布し、白色反射層１１を付設した。

７．液晶層の作製
半導体活性層上にポリイミド垂直配向膜１２（ＪＳＲ製、品番：ＪＡＬＳ−２０２１）を付設し、ホスト液晶として誘電率異方性が負のシアノ系ネマチック液晶ＺＬＩ−２８０６（メルク社製）及び１質量％の割合で下記二色性色素、１質量％の割合でカイラル剤Ｒ−８１１（メルク社製）を含む液晶組成物から構成されるゲストホスト液晶層１３を作製した。

８．電極を付した基板の作製
他方、別途、前述のプラスチック基板（好ましくは、ＰＥＮ）１５に、インジウムスズオキサイドの透明電極層１０、ポリイミド垂直配向膜（日産化学製）１４を作製した。
この基板１５と先に調製した液晶層１３を有するプラスチック基板１とを、図４に示すように、液晶層１３を挟んでポリイミド垂直配向膜、透明電極が積層するように接着した。

９．蛍光増白剤及び紫外線吸収剤を含む層
アクリテック（大日本インキ製商品名）１００質量％に対し、式（１４）の化合物を５．０質量％、及び２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール１．１質量％を加えたもの１５ｇに対し、トルエン：メチルエチルケトン＝１：１を８５ｇ加え固形分を溶解し蛍光増白剤及び紫外線吸収剤を含む組成物を得た。
該組成物を透明電極とは異なる側のプラスチック基板１５表面に塗布し、乾燥後１００μｍになるよう蛍光増白剤及び紫外線吸収剤を含む層１６を作製し、本発明の画像表示装置を得た。
なお、蛍光増白剤及び紫外線吸収剤を含む組成物は、２００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の光の吸収率は９０％以上であることが、可視・紫外吸収スペクトルの測定によって確認された。

（表示性能の評価）
得られた素子を信号発生器（東陽テクニカ（株）製）を用いて、交流電圧（２０Ｖ、１００Ｈｚ）を印加させたところ、電圧が印加された部分だけ、黄色に着色した。また、交流電圧のオン・オフを１万回繰り返したところ、黄色と白色が交互に変化し、繰り返してもその色の変化の程度は変化しなかった。

＜比較例２＞
実施例２において、蛍光増白剤及び紫外線吸収剤を含む層における、式（１４）の化合物及び２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾールに代えて、住友スリーエム社製ＩＳＣＬＡＲＬ（商品名）を用いて調製した以外は同様にして、比較例２の画像表示装置を得た。
住友スリーエム社製ＩＳＣＬＡＲＬ（商品名）を含む組成物は、４１０ｎｍの光の吸収率は、８５％であることが確認された。

この比較例２の画像表示装置について、実施例１と同様に高圧水銀灯の光を１２０時間照射したところ、発色時の色の濃さが低下することが目視で観測され、また、消色時の透明度も低下することが確認された。
すなわち、本発明の画像表示装置は、繰り返し時における表示性能が高いことが確認された。

＜実施例３＞
実施例２に記載の液晶素子において、ホスト液晶として、上述の二周波駆動用液晶１を用いた以外は実施例２と同様の操作によりゲストホスト液晶素子を作製した。

得られた素子を、信号発生器（東陽テクニカ（株）製）を用いて、交流電圧（２０Ｖ）で低周波数として１００Ｈｚ、高周波数として１００ｋＨｚを印加させたところ、低周波数の交流電場を印加したところ白色に、高周波数の交流電場を印加したところ黒色に変化し、周波数を切り替えたところ、黒色と白色が交互に変化し、繰り返してもその色の変化の程度は変化しなかった。次に、本発明の画像表示装置に、高圧水銀灯の光を１２０時間照射したところ、同様の実験を行なっても、色の変化の程度は変化しなかった。

＜実施例４＞
実施例２において、蛍光増白剤として式（１４）の化合物をもちいたところを、式（４）、（１３）又は（１９）に変更して画像表示装置を作製した。
得られた素子を信号発生器（東陽テクニカ（株）製）を用いて、交流電圧（２０Ｖ、１００Ｈｚ）を印加させたところ、電圧が印加された部分だけ、黄色に着色した。また、交流電圧のオン・オフを１万回繰り返したところ、黄色と白色が交互に変化し、繰り返してもその色の変化の程度は変化しなかった。
なお、これらの蛍光増白剤及び紫外線吸収剤を含む組成物は、いずれも２００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の光の吸収率が９０％以上であることが確認された。

本発明にかかるゲート絶縁膜及び有機化合物を含有する半導体活性層を有する電界効果型トランジスタを示す模式断面図である。 本発明の画像表示装置の一例を示す模式断面図である。 本発明の画像表示装置の他の一例を示す模式断面図である。 実施例２の画像表示装置を示す模式断面図である。

符号の説明

１，１５ 支持体（基板）
２ ゲート電極
３ ゲート絶縁膜
４ ソース電極
５ ドレイン電極
６ 半導体活性層
７ 有機ＴＦＴ
８ 電気泳動表示層
１０ 透明電極
１１ 白色反射層
１２，１４ ポリイミド垂直配向膜
１３ ゲストホスト方式液晶層
１４ ポリイミド垂直配向膜
１６ 蛍光増白剤及び紫外線吸収剤を含む層
１７ 下塗り層
１８ 帯電防止層
１９ 滑り層
２１ ハードコート層
２２，２４，２６ バリア層
２３，２５，２７ 有機層

Claims (10)

1. 支持体上に、透明電極層と、ゲート絶縁膜及び有機化合物を含有する半導体活性層を有する電界効果型トランジスタと、電界に応じて光学特性が変化する表示層と、２００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の光を９０％以上吸収し４１０ｎｍを超えて５００ｎｍ以下の光を放射する蛍光増白剤を含む層と、をこの順に有することを特徴とする画像表示装置。
2. 前記蛍光増白剤を含む層が、更に紫外線吸収剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
3. 前記蛍光増白剤が、ベンゾオキサゾール誘導体であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像表示装置。
4. 前記ベンゾオキサゾール誘導体が、下記一般式（１）で表されることを特徴とする請求項３に記載の画像表示装置。
   
   〔一般式（１）中、Ｒ²¹及びＲ²⁴、は水素原子、アルキル基又はアルキコキシ基を表し、Ｒ²²及びＲ²³はアルキル基を表す。Ａは置換アリール又はエテニル基を表す。〕
5. 前記表示層が、電気泳動方式の表示層であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
6. 前記表示層が、ゲストホスト液晶方式の表示層であることを特徴とする請求項１〜請求項４記載のいずれか１項に記載の画像表示装置。
7. 前記半導体活性層が、ペンタセン又はオリゴチオフェンで構成されてなることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の画像表示装置。
8. 前記ゲストホスト液晶方式に含まれる二色性色素が、アントラキノン色素又はフェノキサジン色素であることを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
9. 前記二色性色素の含有率が、ホスト液晶の含有率に対して０．１質量％以上１５質量％以下であることを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置。
10. 前記ゲストホスト液晶方式の表示層の厚さが、１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。