KR101545638B1 - 이미지 센서 및 그 제조 방법, 이미지 센서를 포함하는 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

이미지 센서 및 그 제조 방법, 이미지 센서를 포함하는 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 이미지 센서의 제조 방법은, 기판 내에 광센싱 소자를 형성하고, 기판의 일면 상의 광센싱 소자에 상응하는 위치에 제1 반사 금속층 패턴을 포함하는 제1 반사 구조체 및 기판의 일면 상에 제1 배선 구조체를 형성하는 것을 포함하되, 제1 반사 구조체는 제1 배선 구조체와 동일층에 형성되고, 제1 반사 구조체 중 제1 반사 금속층 패턴이 기판의 일면에 가장 가깝게 배치된다.
이미지 센서, 반사 구조체, 반사율

Description

이미지 센서 및 그 제조 방법, 이미지 센서를 포함하는 장치 및 그 제조 방법{Image sensor and fabricating method thereof, device comprising the image sensor and fabricating method thereof}
본 발명은 이미지 센서 및 그 제조 방법, 이미지 센서를 포함하는 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 장파장 광의 감도(sensitivity) 및 크로스 토크(crosstalk)가 개선된 이미지 센서 및 그 제조 방법, 이미지 센서를 포함하는 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학 영상을 전기 신호로 변환시킨다. 최근 들어 컴퓨터 산업과 통신 산업의 발달에 따라 디지털 카메라, 캠코더, PCS(Personal Communication System), 게임기기, 경비용 카메라, 의료용 마이크로 카메라 등 다양한 분야에서 성능이 향상된 이미지 센서의 수요가 증대하고 있다.
특히, MOS 이미지 센서는 구동 방식이 간편하고 다양한 스캐닝(scanning) 방식으로 구현 가능하다. 또한, 신호 처리 회로를 단일 칩에 집적할 수 있어 제품의 소형화가 가능하며, MOS 공정 기술을 호환하여 이용할 수 있어 제조 단가를 낮출 수 있다. 전력 소모 또한 매우 낮아 배터리 용량이 제한적인 제품에 적용이 용이하 다. 따라서, MOS 이미지 센서는 기술 개발과 함께 고해상도가 구현 가능함에 따라 그 이용이 급격히 늘어나고 있다.
MOS 이미지 센서는 입사광의 크기를 센싱하는 광센싱 소자와, 각 광센싱 소자에 저장된 광신호를 출력하기 위한 다층의 금속 배선층을 포함한다. 그런데, 입사광은 금속 배선층에 의해 반사되기도 하고 층간 절연막에 의해 흡수가 일어나서, 감도(sensitivity)가 떨어지게 된다. 뿐만 아니라, 반사된 광은 인접한 픽셀에 흡수되어, 크로스토크(crosstalk)가 발생하기도 한다.
따라서, 최근에는 기판의 타면(backside)을 연마하고 기판의 타면으로부터 광을 입사시키는 구조가 제안되었다. 이를 BI(backside illuminated) 이미지 센서라고 부른다. 이러한 BI 이미지 센서는 광이 입사되는 타면에 금속 배선층이 형성되어 있지 않기 때문에, 금속 배선층에 의해서 입사광이 반사되거나 층간 절연막에 의해서 광흡수가 일어나지 않는다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 장파장 광의 감도 및 크로스 토크가 개선된 이미지 센서의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 상기 이미지 센서의 제조 방법을 이용하는 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 장파장 광의 감도 및 크로스 토크가 개선된 이미지 센서를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 상기 이미지 센서를 포함하는 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은, 기판 내에 광센싱 소자를 형성하고, 상기 기판의 일면 상의 상기 광센싱 소자에 상응하는 위치에 제1 반사 금속층 패턴을 포함하는 제1 반사 구조체 및 상기 기판의 일면 상에 제1 배선 구조체를 형성하는 것을 포함하되, 상기 제1 반사 구조체는 상기 제1 배선 구조체와 동일층에 형성되고, 상기 제1 반사 구조체 중 상기 제1 반사 금속층 패턴이 상기 기판의 일면에 가장 가깝게 배치된다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 장치의 제조 방법은, 상기 이미지 센서의 제조 방법을 이용한다.
상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서는, 기판 내에 형성된 광센싱 소자와, 상기 기판의 일면 상의 상기 광센싱 소자에 상응하는 위치에 형성되고, 제1 반사 금속층 패턴을 포함하는 제1 반사 구조체와, 상기 기판의 일면 상에 배치된 제1 배선 구조체를 포함하되, 상기 제1 반사 구조체는 상기 제1 배선 구조체와 동일층에 형성되고, 상기 제1 반사 구조체 중 상기 제1 반사 금속층 패턴이 상기 기판의 일면에 가장 가깝게 배치된다.
상기 또 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 장치는, 상기 이미지 센서를 포함한다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해 서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "이루어지다(made of)"는 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 9를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법 및 이미지 센서에 대하여 상세히 설명한다. 도 1 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 단면도이다. 도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서를 제조하 기 위한 기판(10, 20)을 제공한다.
구체적으로, 기판(10, 20)은 제1 기판(10), 제1 기판(10) 상에 형성된 제2 기판(20)을 포함할 수 있다.
기판(10, 20)은 실리콘, 스트레인 실리콘(strained Si), 실리콘 합금, 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘 게르마늄(SiGe), 실리콘 게르마늄 카바이드(SiGeC), 게르마늄, 게르마늄 합금, 갈륨 아세나이드(GaAs), 인듐 아세나이드(InAs) 및 III-V 반도체, II-VI 반도체 중 하나, 이들의 조합물, 이들의 적층물을 포함할 수 있다. 또한, 필요에 따라서는 반도체 기판이 아닌 유기(organic) 플라스틱 기판일 수도 있다. 이하에서는, 기판(10, 20)이 각각 실리콘으로 이루어져 있는 것으로 설명한다.
또한, 기판(10, 20)은 각각 P형일 수도 있고, N형일 수도 있다. 이하에서는, 기판(10, 20)이 각각 P형으로 도핑된 것으로 설명한다.
한편, 제2 기판(20)은 제1 기판(10) 상에 성장된 에피층(epitaxial layer)일 수 있다. 이하, 제1 기판(10)과 반대측의 제2 기판(20)의 표면을 기판(10, 20)의 일면(FS), 제2 기판(20)과 반대측의 제1 기판(10)의 표면을 기판(10, 20)의 타면(BS)이라 한다.
이어서, 제2 기판 (20) 내에 광센싱 소자(110)를 형성한다.
구체적으로, 광센싱 소자(110)는 입사되는 광을 흡수하여 광량에 대응하는 전하를 생성 및/또는 축적한다. 광센싱 소자(110)로는 포토 다이오드, 포토 트랜지스터, 포토 게이트, 핀형(pinned) 포토 다이오드 또는 이들의 조합이 적용될 수 있 으며, 도면에는 포토 다이오드(PD)가 예시되어 있다.
광센싱 소자(110)의 형성 깊이는 사용되는 광의 파장에 따라 달라질 수 있다. 즉, 광센싱 소자(110)의 깊이가 깊어짐에 따라 장파장의 광의 흡수율이 높아지므로, 장파장의 광을 사용하는 이미지 센서의 경우 광센싱 소자(110)의 깊이는 단파장의 광을 사용하는 경우에 비해 깊게 형성할 수 있다.
또한, 기판(10, 20)의 일면(FS) 상에 다수의 게이트(120)가 배치될 수 있다. 이러한 게이트(120)는 예를 들어, 전하 전송 소자의 게이트, 리셋 소자의 게이트, 드라이브 소자의 게이트 등일 수 있다.
이어서, 기판(10, 20)의 일면(FS) 및 다수의 게이트(120)를 덮는 층간 절연막(130)을 형성할 수 있다. 층간 절연막(130)은 예를 들어 CVD(Chemical Vapor Deposition)등의 방식으로 절연 물질을 증착하여 형성하거나 기판(10, 20)을 열산화 시켜 형성할 수 있다.
이어서, 층간 절연막(130) 상에 제1 접착층(1110a)을 형성한다. 제1 접착층(1110a)은 제1 접착층(1110a) 상부에 배치되는 제1 도전층(1120a)을 구성하는 물질을 층간 절연막(130)에 접착시키고, 제1 도전층(1120a)의 전자이동(Electron Migration) 현상을 방지하는 역할을 한다.
제1 접착층(1110a)은 층간 절연막(130)과 직접 접촉하도록 형성되어 제1 도전층(1120a)과 층간 절연막(130)의 접착력을 향상시킬 수 있다.
제1 접착층(1110a)은 제1 도전층(1120a)에 접착력을 부여하는 물질, 예를 들어 Ti, TiN, 및 Ti와 TiN의 복합층으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이 에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 접착층(1110a)은 제1 도전층(1120a)의 광 반사율을 저하시킬 수 있으므로 광 반사가 필요한 영역의 제1 접착층(1110a)은 제거한다. 즉, 광센싱 소자(110)에 상응하는 부위의 제1 접착층(1110a)은 식각하여 제거한다.
이를 위해 제1 포토레지스트 패턴(1010)을 제1 접착층(1110a) 상에 배치하고 제1 접착층(1110a)을 식각하여 제1 접착층 패턴(1110)을 형성한다.
이어서, 도 3을 참조하면, 제1 접착층 패턴(1110) 및 층간 절연막(130) 상에 제1 도전층(1120a) 및 제1 캡핑층(1130a)을 순차 형성한다. 이에 따라 제1 도전층(1120a)은 제1 접착층 패턴(1110)과 층간 절연막(130)에 직접 접촉한다.
제1 도전층(1120a)은 예를 들어 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)로 이루어질 수 있다. 본 실시예에서는 제1 도전층(1120a)으로 알루미늄을 이용한 것을 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 제1 도전층(1120a)이 구리로 이루어진 경우 제1 금속 배선층 패턴(1120) 및 제1 반사 금속층 패턴(1120r)은 싱글 다마신 배선(single damascene interconnection)일 수도 있고, 듀얼 다마신 배선(dual damascene interconnection)일 수도 있다.
제1 캡핑층(1130a)은 제1 도전층(1120a)을 보호하는 역할을 한다. 제1 캡핑층(1130a)은 예를 들어 Ti 및 TiN의 복합막으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
이어서, 도 4를 참조하면, 하나의 식각 마스크를 이용하여 제1 접착층 패 턴(1110), 제1 도전층(1120a), 및 제1 캡핑층(1130a)을 패터닝한다.
이에 따라 제1 배선 구조체(1110, 1120, 1130) 및 제1 반사 구조체(1120r, 1130)가 하나의 식각 마스크를 이용하여 동시에 형성된다. 또한, 이들 제1 배선 구조체(1110, 1120, 1130) 및 제1 반사 구조체(1120r, 1130)는 동일층에 형성된다. 제1 반사 구조체(1120r, 1130)가 제1 배선 구조체(1110, 1120, 1130)와 별도로 형성되지 않고 동일한 공정에서 함께 형성되므로 제1 반사 구조체(1120r, 1130) 형성 공정이 단순화된다.
이와 같이 형성된 제1 배선 구조체(1110, 1120, 1130)는 제1 접착층 패턴(1110), 제1 금속 배선층 패턴(1120), 및 제1 캡핑층 패턴(1130)을 포함한다. 제1 접착층 패턴(1110), 제1 금속 배선층 패턴(1120), 및 제1 캡핑층 패턴(1130)은 기판(10, 20)의 일면으로부터 순차 배치된다. 도 5에 도시한 바와 같이 제1 배선 구조체(1110, 1120, 1130)는 콘택(미도시) 등에 의해 층간 절연막(130)에 개재된 게이트(120) 및/또는 소스/드레인(미도시)과 연결된다. 제1 배선 구조체(1110, 1120, 1130)는 배선 구조체(1110, 1120, 1120r, 1130, 1210, 1220, 1230, 1310, 1320, 1330) 중 기판(10, 20)의 일면에 가장 가깝게 배치된다.
한편, 제1 반사 구조체(1120r, 1130)는 제1 금속 배선층 패턴(1120)과 동일한 물질로 이루어진 제1 반사 금속층 패턴(1120r) 및 제1 캡핑층 패턴(1130)을 포함할 수 있다. 제1 반사 금속층 패턴(1120r) 및 제1 캡핑층 패턴(1130)은 기판(10, 20)의 일면(FS)으로부터 순차 배치된다. 제1 반사 금속층 패턴(1120r)은 제1 반사 구조체(1120r, 1130) 기판(10, 20)의 일면(FS)에 가장 가깝게 배치되며, 기판(10, 20)의 타면(BS)으로 입사되어 광센싱 소자(110)를 통과한 광이 제1 반사 금속층 패턴(1120r)에서 처음 반사된다.
층간 절연막(130)과 직접 접촉하는 제1 반사 금속층 패턴(1120r)의 두께는 제1 접착층 패턴(1110)과 제1 금속 배선층 패턴(1120)의 두께의 합과 동일하다.
이어서, 도 5를 참조하면, 제1 배선 구조체(1110, 1120, 1130) 및 제1 반사 구조체(1120r, 1130) 상부에 제2 배선 구조체(1210, 1220, 1230) 및 제3 배선 구조체(1310, 1320, 1330)를 형성한다. 제1 배선 구조체(1110, 1120, 1130)와 제1 반사 구조체(1120r, 1130) 및 제2 배선 구조체(1210, 1220, 1230) 사이에는 배선 층간 절연막(140)이 개재될 수 있고, 제2 배선 구조체(1210, 1220, 1230) 및 제3 배선 구조체(1310, 1320, 1330) 사이에도 배선 층간 절연막(140)이 개재될 수 있다. 제2 배선 구조체(1210, 1220, 1230) 및 제3 배선 구조체(1310, 1320, 1330)는 제1 배선 구조체(1110, 1120, 1130)와 동일한 적층 구조를 가질 수 있다. 즉, 제2 반사 구조체(미도시) 및 제3 반사 구조체(미도시)를 별도로 형성하지 않음으로써 배선 구조체(1110, 1120, 1120r, 1130, 1210, 1220, 1230, 1310, 1320, 1330)의 형성 공정을 단순화 시킬 수 있다.
도 6을 참조하면, 배선 구조체(1110, 1120, 1120r, 1130, 1210, 1220, 1230, 1310, 1320, 1330) 상에 지지 기판(30)을 부착한다. 도 6에서는 접착막(150a, 150b)을 이용하여 부착하는 방법을 설명한다.
구체적으로, 배선 층간 절연막(140) 상에 접착막(150a)을 형성한 후, 표면을 평탄화한다. 반대로, 표면을 평탄화한 후 접착막(150a)를 형성할 수도 있다. 지지 기판(30) 상에 접착막(150b)을 형성한다. 그 후, 접착막(150a, 150b)끼리 서로 대향하도록 하여, 지지 기판(30)을 배선 층간 절연막(140) 상에 접착시킨다.
배선 구조체(1110, 1120, 1120r, 1130, 1210, 1220, 1230, 1310, 1320, 1330) 상에 지지 기판(30)을 부착하는 방법은 여러 가지가 있을 수 있다. 예를 들어, 직접 본딩(direct bonding)을 이용하여 부착할 수 있다. 직접 본딩은 플라즈마 처리를 이용하여, 배선 구조체(1110, 1120, 1120r, 1130, 1210, 1220, 1230, 1310, 1320, 1330)의 표면과 지지 기판(30)의 표면을 활성화하고, 활성화된 표면을 서로 부착하는 방식이다.
도 7을 참조하면, 상기 지지 기판(30)이 부착된 기판(10, 20)의 상하를 반전시킨다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 지지 기판(30)이 부착된 기판(10, 20)의 일부를 제거한다.
구체적으로, 식각 공정(예를 들어, 반응성 식각 공정) 또는 연마 공정(예를 들어, CMP(Chemical Mechanical Polishing), BGR(Back Grinding)) 등을 이용하여 제1 기판(10)을 제거할 수 있다. 상기 제1 기판(10)을 전부 제거할 수도 있으나 일부만 제거할 수도 있다.
마지막으로, 도 9를 참조하면, 제2 기판(20)의 타면(BS) 상에 반사 방지막(162) 및 하부 평탄화막(164) 등을 형성할 수 있다.
반사 방지막(162)은 외부에서 입사하는 광의 반사를 방지하는 역할을 한다. 반사 방지막(162)은 예를 들어, 산화막, 질화막, 산질화막, 이들의 조합물, 이들의 적층물과 같은 절연막으로 이루어질 수 있다.
반사 방지막(162) 상에 형성된 하부 평탄화막(164)은 예를 들어 산화물로 이루어질 수 있다.
하부 평탄화막(164) 상에는 컬러 필터(170), 상부 평탄화막(175), 마이크로 렌즈(180)를 순차적으로 형성할 수 있다. 또한, 마이크로 렌즈(180)가 형성된 상부 평탄화막(175)의 프로파일을 따라서 컨포말하게 보호막(190)이 형성될 수 있다. 한편, 도 9에서는 예시적으로 컬러 필터(170)의 상측 및 하측에 상부 평탄화막(175) 및 하부 평탄화막(164)이 형성된 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 컬러 필터(170) 하측에만 평탄화막이 있을 수도 있고, 컬러 필터(170) 상측에만 평탄화막이 있을 수도 있고, 컬러 필터(170) 상측, 하측 모두에 평탄화막이 없을 수도 있다.
마이크로 렌즈(180)는 PR(PhotoResist)과 같은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 물론, 마이크로 렌즈(180)를 무기 물질로 이용하여 형성할 수도 있다. 유기 물질로 마이크로 렌즈(180)를 형성할 때에는, 예를 들어, 상부 평탄화막(175) 상에 유기 물질 패턴을 형성하고 열공정을 수행한다. 열공정에 의해 유기 물질 패턴이 렌즈 형태로 변하게 된다.
보호막(190)은 무기물 산화막일 수 있다. 예를 들어, 실리콘 산화막(SiO2), 티타늄 산화막(TiO2), 지르코늄 산화막(ZrO2), 헤프늄 산화막(HfO2) 및 이의 적층막, 조합막을 사용할 수 있다. 특히, 보호막(190)으로 실리콘 산화막의 일종인 LTO(Low Temperature Oxide)를 사용할 수 있다. 이와 같이 LTO를 사용하는 이유는, LTO는 저온(약 100℃~200℃)에서 제조되기 때문에, 하부막들에 손상(damage)을 적게 준다. 뿐만 아니라, LTO는 비정질(amorphous)이기 때문에 거칠지 않다. 따라서, 입사광의 반사/굴절/산란 등을 줄일 수 있다.
마이크로 렌즈(180)가 유기 물질로 이루어져 있기 때문에 외부 충격에 약할 수 있다. 따라서, 보호막(190)은 마이크로 렌즈(180)를 외부 충격으로부터 보호하는 역할을 한다. 뿐만 아니라, 이웃하는 마이크로 렌즈(180) 사이에는 약간의 공간이 있을 수 있는데, 보호막(190)은 이러한 공간을 채우는 역할을 한다. 이웃하는 마이크로 렌즈(180) 사이의 공간을 채우면, 입사광의 집광 능력을 높일 수 있다. 이웃하는 마이크로 렌즈(180) 사이의 공간으로 도달하는 입사광의 반사/굴절/산란 등을 줄일 수 있기 때문이다.
이하, 도 9, 도 10 및 도 11을 참조하여, 이와 같이 하여 형성된 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서(11)의 광학 특성 향상 효과를 설명한다. 도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서 광 손실 정도를 나타내는 그래프이다. 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서의 반사율을 나타낸 그래프이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서(11)는 기판(20)의 타면(BS)으로부터 광이 입사된다.
기판(20)의 타면(BS)으로부터 입사된 광은 광센싱 소자(110)를 거쳐 제1 반사 금속층 패턴(1120r)에 도달한다. 제1 반사 금속층 패턴(1120r)은 광센싱 소자(110)에 상응하는 위치에 배치되어 있으며, 광센싱 소자(110)를 통과한 광이 맨 처음 도달하는 반사성 물질일 수 있다. 제1 반사 금속층 패턴(1120r)에 도달한 광은 광센싱 소자(110)측으로 다시 반사된다. 이 경우 광센싱 소자(110)에 도달한 광은 광 경로가 길어져 기판(20)의 타면(BS)으로부터 깊게 형성된 광센싱 소자(110)에 도달한 것과 같은 효과를 가진다.
도 10은 기판(20)의 깊이에 따른 광 유출량 (photo flux)의 정도를 나타낸 그래프이다. 본 그래프에 의하면, 상대적으로 파장이 짧은 G 파장, F 파장 혹은 E 파장일수록 기판(20)의 깊이가 일정 깊이 이상이 되면 광 유출량이 거의 없는 것을 확인 할 수 있다. 따라서 단파장의 광의 경우 기판(20)의 깊이와 유출 광량은 상관관계가 없다고 볼 수 있다. 그러나 상대적으로 파장이 긴 A ~ C 파장인 경우는 기판(20)의 깊이에 따른 광 유출량이 일정한 값을 갖고 감소함을 알 수 있다. 따라서 장파장일수록 기판(20)의 깊이와 유출 광량은 상관 관계가 있다고 볼 수 있다. 본 실시예의 경우 제1 반사 금속층 패턴(1120r)을 이용하여 광이 진행하는 기판(20)의 두께를 증가시켜 장파장 광의 유출을 감소시킬수 있다.
한편, 도 11을 참조하면, 제1 반사 구조체(1120r, 1130)로 예를 들어 Al을 2000Å( □ 표), 또는 2500Å(△ 표) 두께로 형성한 경우 반사율이 90%에 육박하는 것을 확인할 수 있다. 이에 반해, 제1 반사 구조체(1120r, 1130)로서 TiN 100Å/Al 2000Å/TiN 650Å(× 표)를 형성한 경우 광의 파장의 장단에 따라 50 내지 60%로 반사율이 급감함을 확인할 수 있다. 이는 제1 접착층 패턴(1110)으로 사용된 TiN이 광을 흡수하기 때문이다.
본 실시예는 광센싱 소자(110)에 상응하는 위치에는 제1 접착층 패턴(1110) 을 형성하지 않고 제1 반사 금속층 패턴(1120r)을 형성함으로써 광 진행 경로 상 광센싱 소자(110)와 가장 가까운 위치에 제1 반사 금속층 패턴(1120r)이 배치되어 반사율이 향상된다.
이하, 도 12 내지 도 17을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법 및 이미지 센서에 대하여 상세히 설명한다. 도 12 내지 도 16은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 단면도이다. 도 17은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다. 이하의 실시예들에서는 이전의 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 부여하고, 설명을 생략하거나 간략화한다.
도 1 내지 도 4, 및 도 12를 참조하면, 먼저, 도 1 내지 도 4에서 설명한 방법으로 제1 배선 구조체(1110, 1120, 1130) 및 제1 반사 구조체(1120r, 1130)를 형성한다. 제1 배선 구조체(1110, 1120, 1130) 및 제1 반사 구조체(1120r, 1130) 사이에는 패터닝에 의한 제1 이격 슬릿(s1)이 형성된다.
이어서, 도 12를 참조하면, 제1 배선 구조체(1110, 1120, 1130) 및 제1 반사 구조체(1120r, 1130) 상에 제1 배선 층간 절연막(140a)을 형성하고, 제1 배선 층간 절연막(140a) 상에 제2 접착층(1211a)을 형성한다. 제2 접착층(1211a)은 제1 접착층(도 1의 1110a 참조)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며 동일한 기능을 수행한다.
이어서, 도 12 및 도 13을 참조하면, 제2 포토레지스트 패턴(1020)을 제2 접착층(1211a) 상에 배치하고 제2 접착층(1211a)을 식각하여 제2 접착층 패턴(1211) 을 형성한다. 제2 접착층 패턴(1211)은 제1 이격 슬릿(s1)에 상응하는 위치에는 형성되지 않는다.
이어서, 도 14를 참조하면, 제2 접착층 패턴(1211) 및 제1 배선 층간 절연막(140a) 상에 제2 도전층(1221a) 및 제2 캡핑층(1231a)을 순차 형성한다. 이에 따라 제2 도전층(1221a)은 제2 접착층 패턴(1211)과 제1 배선 층간 절연막(140a)에 직접 접촉한다. 제2 도전층(1221a) 및 제2 캡핑층(1231a)은 각각 제1 도전층(도 3의 1120a 참조) 및 제1 캡핑층(도 3의 1130a 참조)과 동일한 물질로 이루어진다.
이어서, 도 14 및 도 15를 참조하면, 하나의 식각 마스크를 이용하여 제2 접착층 패턴(1211), 제2 도전층(1221a), 및 제2 캡핑층(1231a)을 패터닝한다. 이에 따라 제2 배선 구조체(1211, 1221, 1231) 및 제2 반사 구조체(1221r, 1231)가 하나의 식각 마스크를 이용하여 동시에 형성된다. 또한, 이들 제2 배선 구조체(1211, 1221, 1231) 및 제2 반사 구조체(1221r, 1231)는 동일층에 형성된다. 본 실시예는 제2 반사 구조체(1221r, 1231)를 포함하는 점에서 이전 실시예와 상이하다. 제2 반사 구조체(1221r, 1231)는 제2 반사 금속층 패턴(1221r) 및 제2 캡핑층 패턴(1231)을 포함한다. 제2 반사 금속층 패턴(1221r) 및 제2 캡핑층 패턴(1231)은 기판(10, 20)의 일면(FS)으로부터 순차 배치된다. 본 실시예의 제2 반사 금속층 패턴(1221r)은 제1 이격 슬릿(s1)에 상응하는 위치에 배치되어 제1 이격 슬릿(s1)을 통과한 광을 광센싱 소자(110)측으로 반사시킨다. 이에 따라 광 손실이 감소되고 광 경로는 이전 실시예보다 더욱 길어진다. 제2 배선 구조체(1211, 1221, 1231) 및 제2 반사 구조체(1221r, 1231) 사이에 배치된 제2 이격 슬릿(s2)은 제1 이격 슬릿(s1)과 상 응하지 않는 위치에 배치된다. 본 실시예의 제2 배선 구조체(1211, 1221, 1231)의 구조는 이전 실시예와 동일하다.
이어서, 도 16을 참조하면, 제2 배선 구조체(1211, 1221, 1231) 및 제2 반사 구조체(1221r, 1231) 상에 제2 배선 층간 절연막(140b)을 형성하고, 제3 배선 구조체(1310, 1320, 1330)를 형성한다. 제3 배선 구조체(1310, 1320, 1330)는 제1 배선 구조체(1110, 1120, 1130) 및 제2 배선 구조체(1211, 1221, 1231)와 동일한 적층 구조를 가질 수 있다. 즉, 제3 반사 구조체(미도시)를 별도로 형성하지 않음으로써 배선 구조체(1110, 1120, 1130, 1211, 1221, 1221r, 1231, 1310, 1320, 1330)의 형성 공정을 단순화 시킬 수 있다. 제3 배선 구조체(1310, 1320, 1330) 상에는 제3 배선 층간 절연막(140c)을 추가로 형성할 수 있다. 제3 배선 구조체(1310, 1320, 1330) 사이에는 제3 이격 슬릿(s3)이 형성될 수 있으나, 제3 이격 슬릿(s3)의 위치에는 제한이 없다.
이어서, 도 17을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예와 동일한 공정을 이용하여 이미지 센서(12)를 완성한다. 본 실시예의 이미지 센서(12)는 본 발명의 제1 실시예에 비해 제2 반사 구조체(1221r, 1231)를 더 포함하여 광 손실을 더욱 감소시키고 광 반사율을 향상시킬 수 있다.
이하, 도 18 내지 도 24를 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법 및 이미지 센서에 대하여 상세히 설명한다. 도 18 내지 도 23은 본 발명의 제3 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 단면도이다. 도 24는 본 발명의 제3 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
도 18을 참조하면, 층간 절연막(132)을 형성하고 이를 패터닝하여 광센싱 소자(110)에 상응하는 위치에 요철 패턴(132a)을 형성한다. 광센싱 소자(110)에 집광하기 용이하도록 요철 패턴(132a)은 볼록 패턴일 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 오목 패턴으로 형성될 수도 있다. 여기서, 볼록 패턴이란, 기판(10, 20)의 타면(BS)측으로부터 일면(FS)측으로 돌출된 형상을 의미한다.
이어서, 도 19를 참조하면, 요철 패턴(132a)이 형성된 층간 절연막(132) 상에 제1 접착층(1112a)을 형성한다.
이어서, 도 20을 참조하면, 제3 포토레지스트 패턴(1030)을 제1 접착층(1112a) 상에 배치하고 제1 접착층(1112a)을 식각하여 제1 접착층 패턴(1112)을 형성한다. 이 경우 제3 포토레지스트 패턴(1030)은 요철 패턴(132a)의 이격 공간에 형성된다. 이에 따라, 제1 접착층 패턴(1112)은 요철 패턴(132a) 상에는 형성되지 않는다.
이어서, 도 21을 참조하면, 제1 접착층 패턴(1112) 및 요철 패턴(132a) 상에 제1 도전층(1122a) 및 제1 캡핑층(1132a)을 순차 형성한다. 이에 따라 제1 도전층(1122a)은 제1 접착층 패턴(1112)과 요철 패턴(132a)에 직접 접촉한다.
이어서, 도 22를 참조하면, 하나의 식각 마스크를 이용하여 제1 접착층 패턴(1112), 제1 도전층(1122a), 및 제1 캡핑층(1132a)을 패터닝한다.
이에 따라, 제1 배선 구조체(1112, 1122, 1132) 및 제1 반사 구조체(1122r, 1132)가 하나의 식각 마스크를 이용하여 동시에 형성된다. 여기서, 제1 반사 구조체(1122r, 1132) 중 제1 반사 금속층 패턴(1122r)은 볼록 패턴 형상의 요철 패 턴(132a)상에 배치되어 오목한 표면을 가진다. 입사된 광이 오목한 표면의 제1 반사 금속층 패턴(1122r)으로부터 반사되어 이에 상응하는 위치의 광센싱 소자(110)로 광을 집광시킨다.
이어서, 도 23을 참조하면, 도 5에서 설명한 본 발명의 제1 실시예와 동일한 공정을 이용하여 제1 배선 구조체(1112, 1122, 1132) 및 제1 반사 구조체(1122r, 1132) 상부에 제2 배선 구조체(1210, 1220, 1230) 및 제2 배선 구조체(1310, 1320, 1330)를 형성한다. 본 실시예는 이에 한정되는 것은 아니며, 도 12 내지 도 16에서 설명한 본 발명의 제2 실시예와 동일한 공정을 이용하여 제1 배선 구조체(1112, 1122, 1132) 및 제1 반사 구조체(1122r, 1132) 상부에 제2 배선 구조체(1210, 1220, 1230) 및 제2 반사 구조체(도 15의 1221r, 1231 참조)를 형성하고, 그 위에 제3 배선 구조체(1310, 1320, 1330)를 형성할 수도 있다. 이 경우 제1 배선 구조체(1112, 1122, 1132) 및 제1 반사 구조체(1122r, 1132)의 이격 공간은 제2 반사 구조체에 의해 커버될 수 있다.
이어서, 도 24를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예와 동일한 공정을 이용하여 이미지 센서(13)를 완성한다. 본 실시예의 이미지 센서(13)는 요철 패턴(132a) 및 이와 직접 접촉하는 제1 반사 금속층 패턴(1122r)에 의해 광센싱 소자(110)에 광을 효율적으로 집광시킬 수 있다.
이하에서는, 도 25 내지 도 29를 참조하여, 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 이용한 장치를 설명한다. 도 25는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 구현한 칩을 설명하기 위한 도면이다. 도 26 내지 도 29는 본 발명의 실시예 들에 따른 이미지 센서를 포함하는 프로세서 기반 장치를 설명하기 위한 도면들이다. 도 26은 컴퓨터 장치를 나타내고, 도 27 및 도 28은 카메라 장치를 나타내고, 도 29는 휴대폰 장치를 나타낸 것이다. 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서는 전술한 장치 이외에 다른 장치(예를 들어, 스캐너, 기계화된 시계 장치, 네비게이션 장치, 비디오폰, 감독 장치, 자동 포커스 장치, 추적 장치, 동작 감시 장치, 이미지 안정화 장치 등)에도 사용될 수 있음은 자명하다.
도 25를 참조하면, 상술한 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 구현한 칩(200)은 광센싱 소자를 포함하는 픽셀들이 이차원적으로 배열되어 이루어진 센서 어레이(210), 타이밍 발생기(timing generator)(220), 로우 디코더(row decoder)(230), 로우 드라이버(row driver)(240), 상관 이중 샘플러(Correlated Double Sampler, CDS)(250), 아날로그 디지털 컨버터(Analog to Digital Converter, ADC)(260), 래치부(latch)(270), 컬럼 디코더(column decoder)(280) 등을 포함한다.
센서 어레이(210)는 2차원적으로 배열된 다수의 단위 픽셀들을 포함한다. 다수의 단위 픽셀들은 광학 영상을 전기적인 출력 신호로 변환하는 역할을 한다. 센서 어레이(210)는 로우 드라이버(240)로부터 행 선택 신호, 리셋 신호, 전하 전송 신호 등 다수의 구동 신호를 수신하여 구동된다. 또한, 변환된 전기적인 출력 신호는 수직 신호 라인을 통해서 상관 이중 샘플러(250)에 제공된다.
타이밍 발생기(220)는 로우 디코더(230) 및 컬럼 디코더(280)에 타이밍(timing) 신호 및 제어 신호를 제공한다.
로우 드라이버(240)는 로우 디코더(230)에서 디코딩된 결과에 따라 다수의 단위 픽셀들을 구동하기 위한 다수의 구동 신호를 액티브 픽셀 센서 어레이(210)에 제공한다. 일반적으로 행렬 형태로 단위 픽셀이 배열된 경우에는 각 행별로 구동 신호를 제공한다.
상관 이중 샘플러(250)는 액티브 픽셀 센서 어레이(210)에 형성된 출력 신호를 수직 신호 라인을 통해 수신하여 유지(hold) 및 샘플링한다. 즉, 특정한 잡음 레벨(noise level)과, 상기 출력 신호에 의한 신호 레벨을 이중으로 샘플링하여, 잡음 레벨과 신호 레벨의 차이에 해당하는 차이 레벨을 출력한다.
아날로그 디지털 컨버터(260)는 차이 레벨에 해당하는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력한다.
래치부(270)는 디지털 신호를 래치(latch)하고, 래치된 신호는 컬럼 디코더(280)에서 디코딩 결과에 따라 순차적으로 영상 신호 처리부(도면 미도시)로 출력된다.
도 25에 도시된 모든 기능 블록들은 원칩(one chip)으로 구성되어 있을 수도 있고, 여러 개의 칩으로 구성되어 있을 수도 있다. 예를 들어, 타이밍 발생기(220)는 별도의 하나의 칩으로 구성되고, 나머지 칩은 하나의 칩으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 설명된 칩들은 패키지 형태로 구현될 수 있다.
도 26을 참조하면, 컴퓨터 장치(300)는 버스(305)를 통해 입출력(I/O) 소자(330)와 커뮤니케이션할 수 있는 마이크로프로세서 등과 같은 중앙 정보 처리 장치(CPU)(320)를 포함한다. 이미지 센서(310)는 버스(305) 또는 다른 통신 링크를 통해서 장치와 커뮤니케이션할 수 있다. 또, 프로세서 기반 장치(300)은 버스(305)를 통해 CPU(320)와 커뮤니케이션할 수 있는 RAM(340) 및/또는 포트(360)을 더 포함할 수 있다. 포트(360)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 소자 등을 커플링하거나, 또 다른 장치와 데이터를 통신할 수 있는 포트일 수 있다. 이미지 센서(310)는 CPU, 디지털 신호 처리 장치(DSP) 또는 마이크로프로세서 등과 함께 집적될 수 있다. 또, 메모리가 함께 집적될 수도 있다. 물론 경우에 따라서는 프로세서와 별개의 칩에 집적될 수도 있다.
도 27을 참조하면, 카메라 장치(400)은 이미지 센서(413)가 회로 기판(411) 상에 본딩 와이어를 통하여 실장되어 있는 이미지 센서 패키지(410)를 포함한다. 또한, 회로 기판(411) 상에는 하우징(420)이 부착되고, 하우징(420)은 회로 기판(411) 및 이미지 센서(413)를 외부 환경으로부터 보호한다.
하우징(420)에는 촬영하고자 하는 영상이 통과하는 경통부(421)가 형성되고, 경통부(421)의 외부를 향하는 외측 단부에는 보호 커버(422)가 설치되고, 경통부(421)의 내측 단부에는 적외선 차단 및 반사 방지 필터(423)가 장착될 수 있다. 또한, 경통부(421)의 내부에는 렌즈(424)가 장착되고, 경통부(421)의 나사산을 따라서 렌즈(424)가 이동될 수 있다.
도 28을 참조하면, 카메라 장치(500)는 관통 비아(through via)(572)를 이용한 이미지 센서 패키지(501)를 사용한다. 관통 비아(572)를 이용하면, 와이어 본딩을 이용하지 않고도 이미지 센서(570)와 회로 기판(560)이 전기적으로 접속할 수 있다. 여기서 설명되지 않은 부호인 520은 제1 렌즈이고, 540은 제2 렌즈이고, 526, 527은 렌즈 컴포넌트(lens component)이다. 또한, 505는 지지부(support member), 545는 어퍼쳐(aperture), 510, 530은 투명 기판, 550은 유리이다.
도 29를 참조하면, 핸드폰 시스템(450)의 소정 위치에 이미지 센서(452)가 부착되어 있다. 도 29에 도시된 위치와 다른 부분에 이미지 센서(452)가 부착될 수도 있음은 당업자에게 자명하다.
상술한 이미지 센서를 포함하는 장치의 제조 방법은 본 발명의 제1 내지 제3 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 이용한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1 내지 도 8은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서 광 손실 정도를 나타내는 그래프이다.
도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서의 반사율을 나타낸 그래프이다.
도 12 내지 도 16은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 단면도이다.
도 17은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
도 18 내지 도 23은 본 발명의 제3 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명하기 위한 중간 단계 단면도이다.
도 24는 본 발명의 제3 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
도 25는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 구현한 칩을 설명하기 위한 도면이다.
도 26 내지 도 29는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 포함하는 프로세서 기반 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
10: 제1 기판 20; 제2 기판
1110: 제1 접착층 1120: 제1 배선 금속층 패턴
1120r: 제1 반사 금속층 패턴
1130: 제1 캡핑층
1210: 제2 접착층 1220: 제2 배선 금속층 패턴
1220r: 제2 반사 금속층 패턴
1230: 제2 캡핑층 132a: 요철 패턴

Claims (25)

  1. 기판 내에 광센싱 소자를 형성하고,
    상기 기판의 일면 상의 상기 광센싱 소자에 상응하는 위치에 제1 반사 금속층 패턴을 포함하는 제1 반사 구조체 및 상기 기판의 일면 상에 제1 배선 구조체를 형성하는 것을 포함하되,
    상기 제1 반사 구조체는 상기 제1 배선 구조체와 동일층에 형성되고,
    상기 제1 반사 구조체 중 상기 제1 반사 금속층 패턴이 상기 기판의 일면에 가장 가깝게 배치되고,
    상기 제1 배선 구조체 및 상기 제1 반사 구조체를 형성하는 것은
    상기 기판의 일면 상에 제1 접착층을 형성하고,
    상기 광센싱 소자에 상응하는 부위의 상기 제1 접착층을 식각하여 제1 접착층 패턴을 형성하는 것을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 배선 구조체 및 상기 제1 반사 구조체는 하나의 식각 마스크를 이용하여 동시에 형성되는 이미지 센서의 제조 방법.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 접착층을 형성하기 이전에 상기 기판의 일면 상에 층간 절연막을 형성하는 것을 더 포함하고,
    상기 제1 접착층은 상기 층간 절연막과 직접 접촉하도록 형성하는 이미지 센서의 제조 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제1 접착층 패턴 및 상기 층간 절연막 상에 상기 제1 접착층 패턴과 상기 층간 절연막에 직접 접촉하도록 제1 도전층 및 제1 캡핑층을 순차 형성하는 것을 더 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 기판 내에 형성된 광센싱 소자;
    상기 기판의 일면 상의 상기 광센싱 소자에 상응하는 위치에 형성되고, 상기 기판의 일면으로부터 순차 배치되는 제1 반사 금속층 패턴 및 제1 캡핑층 패턴을 포함하는 제1 반사 구조체; 및
    상기 기판의 일면 상에 배치되고, 상기 기판의 일면으로부터 순차 배치된 제1 접착층 패턴, 제1 금속 배선층 패턴, 및 상기 제1 캡핑층 패턴을 포함하는 제1 배선 구조체를 포함하되,
    상기 제1 반사 구조체는 상기 제1 배선 구조체와 동일층에 형성되고,
    상기 제1 반사 구조체 중 상기 제1 반사 금속층 패턴이 상기 기판의 일면에 가장 가깝게 배치된 이미지 센서.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제1 배선 구조체는 상기 기판의 일면 상에 적층된 배선 구조체 중 상기 기판의 일면에 가장 가깝게 배치되는 이미지 센서.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 제 14항에 있어서,
    상기 제1 배선 구조체 및 상기 제1 반사 구조체가 서로 이격되어 형성된 이격 슬릿, 및 상기 제1 배선 구조체 및 상기 제1 반사 구조체 상부에 형성되고 제2 반사 금속층 패턴을 포함하는 제2 반사 구조체를 더 포함하고,
    상기 제2 반사 금속층 패턴은 상기 이격 슬릿에 상응하는 위치에 형성되는 이미지 센서.
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 제 14항에 있어서,
    상기 기판과 상기 제1 반사 구조체 사이에 개재된 층간 절연막을 더 포함하고,
    상기 층간 절연막은 상기 광센싱 소자에 상응하는 위치에 형성된 요철 패턴을 더 포함하는 이미지 센서.
  24. 삭제
  25. 삭제
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