JP5538807B2 - 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、および撮像システム - Google Patents
光電変換装置、光電変換装置の製造方法、および撮像システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5538807B2 JP5538807B2 JP2009236432A JP2009236432A JP5538807B2 JP 5538807 B2 JP5538807 B2 JP 5538807B2 JP 2009236432 A JP2009236432 A JP 2009236432A JP 2009236432 A JP2009236432 A JP 2009236432A JP 5538807 B2 JP5538807 B2 JP 5538807B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoelectric conversion
- titanium layer
- plug
- titanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 70
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 243
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 130
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 130
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 129
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 69
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 44
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 16
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims description 14
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Description
本発明の光電変換装置は、チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が、ともに光電変換部の上を覆っているオプティカルブラック画素と、チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が光電変換部の上を覆ってはいないが、それ以外の部分に存する有効画素とを有し、前記有効画素および前記オプティカルブラック画素は、絶縁膜と、前記絶縁膜中に形成されたプラグと、前記プラグより上に形成されたアルミニウムを主成分とする層と、前記アルミニウムを主成分とする層より上と、前記アルミニウムを主成分とする層と前記プラグの間の両方に形成されたチタン層を有し、前記チタン層の膜厚は合計で5nm以上15nm以下であり、かつ、前記有効画素の前記チタン層の合計体積が、前記オプティカルブラック画素の前記チタン層の合計体積より少なくなるように、前記チタン層がパターニングされていることを特徴とする。
本発明の光電変換装置の製造方法は、チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が、ともに光電変換部の上を覆っているオプティカルブラック画素と、チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が光電変換部の上を覆ってはいないが、それ以外の部分に存する有効画素とを有する光電変換装置の製造方法において、前記有効画素および前記オプティカルブラック画素を形成する領域に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜中にプラグを形成する工程と、前記プラグの上に、5nm以上15nm以下の膜厚を有するチタン層を形成する工程と、前記チタン層より上に、アルミニウムを主成分とする層と形成する工程と、前記有効画素の前記チタン層の体積が、前記オプティカルブラック画素の前記チタン層の体積より少なくなるように、前記チタン層をパターニングする工程を有することを特徴する。
本発明の光電変換装置の製造方法は、チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が、ともに光電変換部の上を覆っているオプティカルブラック画素と、チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が光電変換部の上を覆ってはいないが、それ以外の部分に存する有効画素とを有する光電変換装置の製造方法において、前記有効画素および前記オプティカルブラック画素を形成する領域に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜中にプラグを形成する工程と、前記プラグの上にアルミニウムを主成分とする層と形成する工程と、
前記アルミニウムを主成分とする層の上に5nm以上15nm以下の膜厚を有するチタン層を形成する工程と、前記有効画素の前記チタン層の体積が、前記オプティカルブラック画素の前記チタン層の体積より少なくなるように、前記チタン層をパターニングする工程を有することを特徴とする。
本発明の光電変換装置の製造方法は、チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が、ともに光電変換部の上を覆っているオプティカルブラック画素と、チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が光電変換部の上を覆ってはいないが、それ以外の部分に存する有効画素と、を有する光電変換装置の製造方法において、前記有効画素および前記オプティカルブラック画素を形成する領域に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜中にプラグを形成する工程と、前記プラグの上に、第一のチタン層を形成する工程と、前記第一のチタン層より上にアルミニウムを主成分とする層と形成する工程と、前記アルミニウムを主成分とする層より上に前記第一のチタン層との合計膜厚が5nm以上15nm以下になるような第二のチタン層を形成する工程と、前記有効画素の前記チタン層の合計体積が、前記オプティカルブラック画素の前記チタン層の合計体積より少なくなるように、前記第一のチタン層および前記第二のチタン層をパターニングする工程を有することを特徴とする。
本発明の第1の実施形態に係る光電変換装置を、図1を用いて説明する。図1(A)は、本発明の第1実施形態に係る光電変換装置の構造を示す断面図である。
本発明の第1実施形態に係る光電変換装置の変形例を図4(A)から図4(C)に示す。図4(A)から図4(C)は、図1(B)に対応する断面図であり、図1(B)と同様の機能を有するものは同じ符号を付し詳細な説明は省略する。
本発明の光電変換装置を撮像装置として撮像システムに適用した場合の一実施例について詳述する。撮像システムとして、デジタルスチルカメラやデジタルカムコーダなどがあげられる。図5に、撮像システムの例としてデジタルスチルカメラに光電変換装置を適用した場合のブロック図を示す。
2 オプティカルブラック画素領域
11 半導体基板
12 半導体領域
13 転送MOSトランジスタ
14 FD領域
15 コンタクトプラグ
16 第1の配線層
17 第1のビアプラグ
18 第2の配線層
19 第2のビアプラグ
20 第3の配線層
21 パッシベーション層
22 配線層とビアプラグの接続領域
Claims (11)
- チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が、ともに光電変換部の上を覆っているオプティカルブラック画素と、
チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が光電変換部の上を覆ってはいないが、それ以外の部分に存する有効画素と、を有する光電変換装置において、
前記有効画素および前記オプティカルブラック画素は、
絶縁膜と、前記絶縁膜中に形成されたプラグと、
前記プラグより上に形成されたアルミニウムを主成分とする層と、
前記アルミニウムを主成分とする層より上、または前記アルミニウムを主成分とする層と前記プラグとの間のいずれか一方に形成されたチタン層とを有し、
前記チタン層の膜厚は5nm以上15nm以下であり、かつ、
前記有効画素の前記チタン層の体積が、前記オプティカルブラック画素の前記チタン層の体積より少なくなるように、前記チタン層がパターニングされていることを特徴とする光電変換装置。 - チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が、ともに光電変換部の上を覆っているオプティカルブラック画素と、
チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が光電変換部の上を覆ってはいないが、それ以外の部分に存する有効画素と、を有する光電変換装置において、
前記有効画素および前記オプティカルブラック画素は、
絶縁膜と、前記絶縁膜中に形成されたプラグと、
前記プラグより上に形成されたアルミニウムを主成分とする層と、
前記アルミニウムを主成分とする層より上と、前記アルミニウムを主成分とする層と前記プラグの間の両方に形成されたチタン層を有し、
前記チタン層の膜厚は合計で5nm以上15nm以下であり、かつ、
前記有効画素の前記チタン層の合計体積が、前記オプティカルブラック画素の前記チタン層の合計体積より少なくなるように、前記チタン層がパターニングされていることを特徴とする光電変換装置。 - 前記プラグと前記絶縁膜はCMP処理がなされたことを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 前記プラグは、バリアメタル層を有し、前記プラグのコア層とバリアメタル層と前記絶縁膜とは同一面を形成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力された撮像信号を処理する信号処理部とを有した撮像システム。 - チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が、ともに光電変換部の上を覆っているオプティカルブラック画素と、
チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が光電変換部の上を覆ってはいないが、それ以外の部分に存する有効画素と、を有する光電変換装置の製造方法において、
前記有効画素および前記オプティカルブラック画素を形成する領域に、
絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜中にプラグを形成する工程と、
前記プラグの上に、5nm以上15nm以下の膜厚を有するチタン層を形成する工程と、前記チタン層より上に、アルミニウムを主成分とする層と形成する工程と、
前記有効画素の前記チタン層の体積が、前記オプティカルブラック画素の前記チタン層の体積より少なくなるように、前記チタン層をパターニングする工程を有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が、ともに光電変換部の上を覆っているオプティカルブラック画素と、
チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が光電変換部の上を覆ってはいないが、それ以外の部分に存する有効画素と、を有する光電変換装置の製造方法において、
前記有効画素および前記オプティカルブラック画素を形成する領域に、
絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜中にプラグを形成する工程と、
前記プラグの上にアルミニウムを主成分とする層と形成する工程と、
前記アルミニウムを主成分とする層の上に5nm以上15nm以下の膜厚を有するチタン層を形成する工程と、
前記有効画素の前記チタン層の体積が、前記オプティカルブラック画素の前記チタン層の体積より少なくなるように、前記チタン層をパターニングする工程を有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が、ともに光電変換部の上を覆っているオプティカルブラック画素と、
チタン層およびアルミニウムを主成分とする層が光電変換部の上を覆ってはいないが、それ以外の部分に存する有効画素と、を有する光電変換装置の製造方法において、
前記有効画素および前記オプティカルブラック画素を形成する領域に、
絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜中にプラグを形成する工程と、
前記プラグの上に、第一のチタン層を形成する工程と、
前記第一のチタン層より上にアルミニウムを主成分とする層と形成する工程と、
前記アルミニウムを主成分とする層より上に前記第一のチタン層との合計膜厚が5nm以上15nm以下になるような第二のチタン層を形成する工程と、
前記有効画素の前記チタン層の合計体積が、前記オプティカルブラック画素の前記チタン層の合計体積より少なくなるように、前記第一のチタン層および前記第二のチタン層をパターニングする工程を有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記チタン層を形成する工程の後に、前記有効画素と前記オプティカルブラック画素に対して水素終端化処理を行う工程を有することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記プラグを形成する工程は、前記プラグと前記絶縁膜に対してCMP処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
- 前記プラグは、バリアメタル層を有し、前記プラグのコア層とバリアメタル層と前記絶縁膜とは同一面を形成するように処理することを特徴とする請求項6乃至10のいずれか1項に記載の光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009236432A JP5538807B2 (ja) | 2009-10-13 | 2009-10-13 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、および撮像システム |
US12/893,006 US8471196B2 (en) | 2009-10-13 | 2010-09-29 | Photoelectric conversion apparatus and imaging system using the photoelectric conversion apparatus having an optical black pixel region with a light shielding film and a titanium film above a plug |
KR1020100098600A KR20110040693A (ko) | 2009-10-13 | 2010-10-11 | 광전변환장치 및 이를 사용한 촬상 시스템 |
CN201010502907.XA CN102044551B (zh) | 2009-10-13 | 2010-10-13 | 光电转换装置和使用光电转换装置的成像系统 |
KR1020140044295A KR101468434B1 (ko) | 2009-10-13 | 2014-04-14 | 광전변환장치 및 이를 사용한 촬상 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009236432A JP5538807B2 (ja) | 2009-10-13 | 2009-10-13 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、および撮像システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011086674A JP2011086674A (ja) | 2011-04-28 |
JP2011086674A5 JP2011086674A5 (ja) | 2013-08-15 |
JP5538807B2 true JP5538807B2 (ja) | 2014-07-02 |
Family
ID=43854086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009236432A Expired - Fee Related JP5538807B2 (ja) | 2009-10-13 | 2009-10-13 | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、および撮像システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8471196B2 (ja) |
JP (1) | JP5538807B2 (ja) |
KR (2) | KR20110040693A (ja) |
CN (1) | CN102044551B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9224773B2 (en) * | 2011-11-30 | 2015-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Metal shielding layer in backside illumination image sensor chips and methods for forming the same |
US9659991B2 (en) | 2012-10-22 | 2017-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Image capturing apparatus, manufacturing method thereof, and camera |
US9508844B2 (en) * | 2014-01-06 | 2016-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Semiconductor arrangement and formation thereof |
JP6217458B2 (ja) * | 2014-03-03 | 2017-10-25 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2017092499A (ja) * | 2017-02-10 | 2017-05-25 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、及び撮像システム |
JP6982977B2 (ja) * | 2017-04-24 | 2021-12-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002289609A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2003229556A (ja) * | 2002-02-04 | 2003-08-15 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
TWI228793B (en) * | 2003-04-28 | 2005-03-01 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR100591753B1 (ko) | 2003-05-30 | 2006-06-22 | 삼성전자주식회사 | 베리어 메탈의 형성방법 및 그 구조 |
JP4836409B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2011-12-14 | オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド | 光半導体集積回路装置 |
KR100745985B1 (ko) * | 2004-06-28 | 2007-08-06 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
US7935994B2 (en) * | 2005-02-24 | 2011-05-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light shield for CMOS imager |
KR100790966B1 (ko) * | 2005-06-20 | 2008-01-02 | 삼성전자주식회사 | 컬러 필터별 균일한 광감도를 갖는 cmos 이미지 센서 |
JP4193870B2 (ja) * | 2006-05-09 | 2008-12-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置 |
JP2008218755A (ja) | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
JP4302751B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2009-07-29 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体光センサ |
JP4725614B2 (ja) | 2008-01-24 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2009194256A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Sharp Corp | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 |
JP5302644B2 (ja) * | 2008-12-03 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、及び撮像システム |
KR101545638B1 (ko) * | 2008-12-17 | 2015-08-19 | 삼성전자 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법, 이미지 센서를 포함하는 장치 및 그 제조 방법 |
-
2009
- 2009-10-13 JP JP2009236432A patent/JP5538807B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-09-29 US US12/893,006 patent/US8471196B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-11 KR KR1020100098600A patent/KR20110040693A/ko active Application Filing
- 2010-10-13 CN CN201010502907.XA patent/CN102044551B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-04-14 KR KR1020140044295A patent/KR101468434B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102044551A (zh) | 2011-05-04 |
US20110084196A1 (en) | 2011-04-14 |
JP2011086674A (ja) | 2011-04-28 |
KR20110040693A (ko) | 2011-04-20 |
US8471196B2 (en) | 2013-06-25 |
KR101468434B1 (ko) | 2014-12-04 |
CN102044551B (zh) | 2016-08-03 |
KR20140053931A (ko) | 2014-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7301936B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
US11011565B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus and image pickup system | |
US9000493B2 (en) | Solid-state imaging device, method for producing same, and camera | |
JP5110831B2 (ja) | 光電変換装置及び撮像システム | |
US8184189B2 (en) | Image sensing device and image sensing system | |
JP2012182426A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置を用いた撮像システム及び固体撮像装置の製造方法 | |
KR101468434B1 (ko) | 광전변환장치 및 이를 사용한 촬상 시스템 | |
JP2010067774A (ja) | 光電変換装置及び撮像システム | |
JP5784167B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2010165753A (ja) | 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の製造方法 | |
JP5441382B2 (ja) | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 | |
JP2013214616A (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 | |
JP2008218755A (ja) | 光電変換装置及び撮像システム | |
JP5885721B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
US10461119B2 (en) | Solid-state imaging device, imaging system, and method for manufacturing solid-state imaging device | |
CN105185801B (zh) | 固态图像拾取装置和图像拾取系统 | |
JP2010135695A (ja) | 撮像装置、及び撮像システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121012 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130701 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140401 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5538807 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140430 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |