KR100866619B1 - 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈 및 그 제조방법, 그리고카메라 모듈 - Google Patents

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홍주표
양시중
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Abstract

본 발명은 비아 등 외부 연결을 위한 배선 공정을 용이하게 할 수 있고, 신뢰성을 향상할 수 있으며, 카메라 모듈에 적용시 포커싱 무조정을 구현할 수 있도록 하기 위한 것이다.
이를 위해, 본 발명은, 웨이퍼; 상기 웨이퍼의 상면에 실장되는 이미지센서; 상기 이미지센서를 밀봉하도록 상기 웨이퍼의 상면에 설치되는 투명부재; 상기 웨이퍼 상에 형성되되, 상기 투명부재의 외측에 위치되도록 형성되는 비아; 상기 비아의 상단부에 형성되는 상면패드; 상기 웨이퍼의 상면 중 상기 투명부재의 외측에 형성되는 인캡슐레이션부; 및 상기 비아의 하단부에 전기적으로 연결되는 외부연결부재;를 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈 및 그 제조방법, 그리고 상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈을 포함하는 카메라 모듈을 제공한다.
카메라 모듈, 이미지센서, 웨이퍼, 투명부재, 비아, 인캡슐레이션부

Description

웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈 및 그 제조방법, 그리고 카메라 모듈{Image sensor module of wafer level and manufacturing method thereof, and camera module}
본 발명은 이미지센서 모듈 및 카메라 모듈에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 비아 등 외부 연결을 위한 배선 공정을 용이하게 하여 생산성을 향상할 수 있고, 신뢰성을 향상할 수 있으며, 카메라 모듈에 적용시 포커싱 무조정을 구현할 수 있는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈 및 그 제조방법, 그리고 카메라 모듈에 관한 것이다.
오늘날 반도체 산업의 주요 추세 중의 하나는 가급적 반도체 소자를 소형화하는 것이다. 소형화의 요구는 특히 반도체칩 패키지 산업에 있어서 두드러지는데, 패키지(package)란 미세회로가 설계된 집적회로 칩을 실제 전자기기에 실장하여 사용할 수 있도록 플라스틱 수지나 세라믹으로 봉한 형태를 말한다.
종래의 전형적인 패키지는 그 안에 내장되는 집적회로 칩에 비하여 훨씬 큰 크기를 갖는다. 따라서, 패키지의 크기를 칩 크기 수준으로 축소시키는 것이 패키지 기술자들의 관심사 중의 하나였다.
이와 같은 배경에 의하여 최근에 개발된 새로운 패키지 유형이 바로 칩 스케일 패키지(또는 칩 사이즈 패키지라고도 함)이다. 그 중에서 특히 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지(wafer level chip scale package)는 개별 칩 단위로 패키지 조립을 진행하는 전형적인 패키지 제조방법과 달리 웨이퍼 상태에서 일괄적으로 패키지들을 조립 및 제조한다는 점에 특징이 있다.
반도체 집적회로 칩의 발달은 패키지 기술의 발달로 이어져 지속적으로 고밀도화, 고속화, 소형화 및 박형화가 실현되고 있다. 특히, 패키지 소자의 구조적 측면에서의 변천을 보면, 핀 삽입형(pin insert type or through hole mount type)에서 표면 실장형(surface mount type)으로 발전하여 회로 기판에 대한 실장 밀도를 높여 왔으며, 최근에는 베어 칩(bare chip)의 특성을 패키지 상태에서 그대로 유지하면서도 패키지의 크기를 칩 수준으로 줄일 수 있는 칩 사이즈 패키지(chip size package; CSP)에 대한 활발한 연구가 진행되고 있다.
칩 사이즈 패키지 중에서 특히, 칩 표면에서 칩 패드를 재배선(rerouting or redistribution)한 후 솔더볼들을 형성시킨 유형을 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지(wafer level chip scale package; WLCSP)라 한다. 상기 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지는 소위 플립 칩(flip chip)이라 불리는 방식으로 칩(chip 또는 die)이 회로 기판에 직접 실장되며, 칩의 재배선된 회로 위에 형성된 솔더볼이 회로 기판의 전도성 패드에 접합된다. 이 때 전도성 패드에도 솔더볼이 형성되어 있어서 패키지의 솔더볼과 접합을 이루기도 한다.
최근에는 반도체 칩과 패키지의 크기가 거의 차이가 없을 정도로 작은 각종 CSP(Chip Size Package) 기술이 등장하기 시작했으며, 이 기술은 반도체의 소형, 고속, 고집적화 추세에 힘입어 예상보다 훨씬 빠르게 확산되고 있다.
이와 함께 칩을 절단하지 않은 웨이퍼(wafer) 상태에서 모든 조립 과정을 마치는 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package) 기술이 차세대 CSP 기술로 각광 받고 있다. 현재까지의 반도체 조립 공정은 웨이퍼를 각각의 칩으로 절단한 후 이루어지는 데 반해, 웨이퍼 레벨 패키지 기술은 여러 칩들이 붙어있는 웨이퍼 상태에서 다이 본딩(die bonding), 와이어 본딩(wire bonding), 몰딩(molding) 등의 일련의 조립 공정을 마친 후 이를 절단해 곧바로 완제품을 만든다.
따라서, 이 기술을 적용할 경우 현재 선보이고 있는 CSP 기술보다 전체적인 패키지 비용을 더욱 낮출 수 있다.
이러한 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지는 반도체 칩의 활성면에 솔더 볼들이 형성되는 것이 일반적이며, 이러한 구조에 따라 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지를 적층하거나 또는 전하결합소자(CCD; Charge Coupled Device)와 같은 센서 패키지 (Sensor Package) 등의 제작에 응용할 때 구조적으로 상당한 어려움이 뒤따르게 되었다.
상기한 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지 기술을 이용하여 이미지센서의 패키지를 제조한 종래의 패키지된 집적회로소자는 대한민국 특허공개 제2002-74158호에 게재되어 있으며, 상기 패키지된 집적회로소자의 구조는 도 1에 도시되어 있다.
도 1에는 결정질 기재에 형성된 마이크로렌즈 어레이(100)를 구비하는 집적회로소자가 도시되어 있다.
표면에 마이크로렌즈 어레이(100)가 형성된 기재(102)의 아래에는 통상 유리로 형성된 패키지층(106)이 에폭시(104)에 의해 밀봉되어 있는데, 상기 패키지층(106)의 엣지를 따라서 전기콘텍트(108)가 형성된다. 상기 전기콘텍트(108)는 상기 패키지층(106)의 하부면에 형성되는 통상의 범프(110)와 접속되고, 상기 기재(102)의 상부면에 형성된 도전성패드(112)와 전기적으로 연결된다.
통상 유리로 형성된 패키지층(114)과 이와 관련된 스페이서요소(116)는 기재(102) 위에 에폭시(118) 등의 접착제로 밀봉되어 마이크로렌즈 어레이(100)와 패키지층(114) 사이에 캐비티(120)를 형성할 수 있게 된다.
상기 전기콘텍트(108)는 상기 에폭시(104) 및 패키지층(106)의 경사면에 도금 등의 방법으로 형성되어 있다.
그러나, 상술한 종래의 집적회로소자는 상기 기재(102)의 도전성패드(112)와 상기 범프(110)를 전기적으로 연결시켜 주기 위하여 상기 전기콘텍트(108)가 형성되어 있는데, 상기 집적회로소자는 복수의 구성이 적층되는 공정을 통하여 제작되기 때문에 구조 및 공정이 복잡해지는 단점이 있다.
이를 개선하기 위하여, 상기 도전성패드(112)와 범프(110)를 연결하도록 비대칭의 모양이 아닌 사각의 모양을 갖는 기재(102)에 마이크로렌즈 어레이(100)를 구비하고, 상기 기재(102)를 관통하는 비아(미도시)를 통해 도전성패드(112)와 범프(110)가 전기적으로 연결되도록 하며, 상기 기재(102)의 상부에 스페이서요 소(116)와 에폭시(118) 등의 접착제를 통해 유리로 형성된 패키지층(114)을 설치하여 기재(102)의 상면 전체 영역을 밀봉하는 집적회로소자가 개발되는 추세이다.
그러나, 상기와 같이 이루어진 집적회로소자는 기재(102)의 상면 전체 영역을 유리로 형성된 패키지층(114)으로 덮어 밀봉하기 때문에 비아를 형성하기 위한 드릴링 공정 및 이후의 공정에서 기재(102)의 상면을 이용하여 공정을 진행하지 못하고 기재(102)의 하면만을 이용하여 공정을 진행하여야 하기 때문에 공정상 어려움 및 문제점이 있었다.
한편, 도 2는 다른 형태의 집적회로소자 즉, 고체 촬상 장치를 나타낸 것으로서, 상기 고체 촬상 장치는 고체 촬상 칩(210)과, 상기 고체 촬상 칩(210)의 상면 중앙에 형성된 마이크로 렌즈(230)를 포함하는 수광영역(220)과, 상기 수광영역(220)만을 밀봉하도록 유리로 형성된 투명부재(240)로 이루어져 있다.
상기와 같이 구성된 고체 촬상 장치는 투명부재(240)가 수광영역(220)만을 밀봉하도록 설치되어 비아(미도시)를 형성하기 위한 드릴링 공정 등 공정상의 어려움 및 문제점은 없지만, 고체 촬상 칩(210)의 상면 중 수광영역(220)을 제외한 부위가 노출됨에 따라 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상술한 종래 기술에서 제기되고 있는 상기 제반 단점과 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 본 발명의 목적은 비아 등 외부 연결을 위한 배선 공정을 용이하게 하여 생산성을 향상할 수 있고, 신뢰성을 향상할 수 있으며, 카메라 모듈에 적용시 포커싱 무조정을 구현할 수 있는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈 및 그 제조방법, 그리고 카메라 모듈을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 형태에 의하면, 웨이퍼; 상기 웨이퍼의 상면에 실장되는 이미지센서; 상기 이미지센서를 밀봉하도록 상기 웨이퍼의 상면에 설치되는 투명부재; 상기 웨이퍼 상에 형성되되, 상기 투명부재의 외측에 위치되도록 형성되는 비아; 상기 비아의 상단부에 형성되는 상면패드; 상기 웨이퍼의 상면 중 상기 투명부재의 외측에 형성되는 인캡슐레이션부; 및 상기 비아의 하단부에 전기적으로 연결되는 외부연결부재;를 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈이 제공된다.
상기 투명부재는 본딩 스페이서를 통해 상기 웨이퍼의 상면에 접착되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 투명부재는 글라스로 형성될 수 있고, 상기 본딩 스페이서는 접착성을 갖는 폴리머 또는 메탈로 형성될 수 있다.
상기 외부연결부재는 상기 비아의 하단부에 형성된 하면패드를 매개로 상기 비아와 전기적으로 연결되는 솔더볼일 수 있다.
상기 비아는, 상기 웨이퍼의 상면쪽에서 드릴링 가공을 통해 형성된 비아홀과, 상기 비아홀의 내부에 충전(充塡)(filling up)되는 도전성부재로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 도전성부재는 도전성을 갖는 금속일 수 있다.
상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈은, 상기 투명부재의 일면에 형성되어 상기 이미지센서로 유입되는 광 중 장파장의 적외선을 차단하기 위한 적외선 차단부를 더 포함하여 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 적외선 차단부는, 상기 투명부재의 일면에 적외선 차단 물질이 코팅되어 형성된 적외선 차단 코팅층일 수 있다.
상기 인캡슐레이션부는 에폭시 계열의 수지로 이루어지는 것이 바람직하다.
한편, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 일 형태에 의하면, 상면에 이미지센서 및 상면패드가 구비되고, 측부에 경사면이 형성된 웨이퍼; 상기 이미지센서를 밀봉하도록 상기 웨이퍼의 상면에 설치되는 투명부재; 상기 상면패드와 일단이 연결되고 상기 웨이퍼의 경사면을 따라 상기 웨이퍼의 하면까지 연장 형성된 리드부; 상기 웨이퍼의 상면 중 상기 투명부재의 외측에 형성되는 인캡슐레이션부; 및 상기 리드부의 타단에 전기적으로 연결되는 외부연결부재;를 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈이 제공된다.
상기 투명부재는 본딩 스페이서를 통해 상기 웨이퍼의 상면에 접착되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 투명부재는 글라스로 형성될 수 있고, 상기 본딩 스페이서는 접착성을 갖는 폴리머 또는 메탈로 형성될 수 있다.
상기 외부연결부재는 상기 리드부의 타단부에 전기적으로 연결되는 솔더볼로 이루어질 수 있다.
상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈은, 상기 투명부재의 일면에 형성되어 상기 이미지센서로 유입되는 광 중 장파장의 적외선을 차단하기 위한 적외선 차단부를 더 포함하여 이루어질 수 있다.
이때, 상기 적외선 차단부는, 상기 투명부재의 일면에 적외선 차단 물질이 코팅되어 형성된 적외선 차단 코팅층일 수 있다.
상기 인캡슐레이션부는 에폭시 계열의 수지로 이루어지는 것이 바람직하다.
한편, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일 형태에 의하면, (a) 웨이퍼의 상면에 이미지센서를 실장하는 단계; (b) 투명부재를 준비하는 단계; (c) 상기 이미지센서를 밀봉함과 아울러 상기 웨이퍼의 상면 중 상기 이미지센서가 밀봉되는 영역 이외의 영역이 오픈되도록 상기 웨이퍼의 상면에 상기 투명부재를 구비하는 단계; (d) 상기 웨이퍼 상에 비아를 형성하는 단계; (e) 상기 웨이퍼의 상면 중 오픈된 영역에 인캡슐레이션부를 형성하는 단계; 및 (f) 상기 웨이퍼를 다이싱하여 단일의 이미지센서 모듈로 분할하는 단계;를 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법이 제공된다.
상기 (c)단계는, 상기 투명부재의 상면에 본딩 서포터를 접착하는 단계; 상 기 투명부재 중 상기 이미지센서와 대응되는 부위를 제외한 부위를 제거하는 단계; 상기 웨이퍼와 상기 투명부재 중 어느 하나에 본딩 스페이서를 형성하는 단계; 상기 이미지센서가 상기 투명부재에 의해 밀봉되도록 상기 웨이퍼의 상면에 상기 본딩 스페이서를 통해 상기 투명부재를 설치하는 단계; 및 상기 본딩 서포터를 제거하는 단계;를 포함하여 이루어질 수 있다.
이때, 상기 투명부재 중 상기 이미지센서와 대응되는 부위를 제외한 부위의 제거는 에칭 공정에 의해 수행되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 본딩 서포터의 제거는 열 또는 자외선 또는 레이저를 이용한 제거 공정에 의해 수행되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 (c)단계는, 상기 투명부재의 하면 중 상기 이미지센서와 대응되는 부위를 제외한 부위에 오픈홈을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼와 상기 투명부재 중 어느 하나에 본딩 스페이서를 형성하는 단계; 상기 이미지센서가 상기 투명부재에 의해 밀봉되도록 상기 웨이퍼의 상면에 상기 본딩 스페이서를 통해 상기 투명부재를 설치하는 단계; 및 상기 투명부재의 오픈홈이 상부로 개구되도록 상기 투명부재를 씨닝하는 단계;를 포함하여 이루어질 수도 있다.
이때, 상기 오픈홈의 형성은 에칭 공정에 의해 수행되는 것이 바람직하다.
상기 (d)단계는, 상기 웨이퍼의 상면 쪽에서 하면 쪽으로 드릴링 가공을 통해 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀의 내부에 도전성 부재를 충전함으로써 이루어질 수 있다.
상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법은, 상기 (f)단계 이전에 수 행되고, 상기 비아의 하단부에 외부연결부재를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 외부연결부재는 상기 비아의 하단부에 형성된 하면패드를 매개로 상기 비아와 전기적으로 연결되는 것이 바람직하다.
상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법은, 상기 (f)단계 이전에 어느 때든지 수행되고 상기 투명부재에 적외선 차단부를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어질 수 있다.
한편, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일 형태에 의하면, 웨이퍼와, 상기 웨이퍼의 상면에 실장되는 이미지센서와, 상기 이미지센서를 밀봉하도록 상기 웨이퍼의 상면에 설치되는 투명부재와, 상기 웨이퍼 상에 형성되되, 상기 투명부재의 외측에 위치되도록 형성되는 비아와, 상기 비아의 상단부에 형성되는 상면패드와, 상기 웨이퍼의 상면 중 상기 투명부재의 외측에 형성되는 인캡슐레이션부와, 상기 비아의 하단부에 전기적으로 연결되는 외부연결부재를 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈; 및 상기 인캡슐레이션부의 상단면에 하단부가 결합됨으로써 상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 상부에 설치되는 광학케이스;를 포함하는 카메라 모듈이 제공된다.
이때, 상기 인캡슐레이션부의 상단면 높이는 상기 투명부재의 상단면 높이보다 낮게 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 일 형태에 의하면, 상면에 이미지센서 및 상면패드가 구비되고 측부에 경사면이 형성된 웨이퍼와, 상 기 이미지센서를 밀봉하도록 상기 웨이퍼의 상면에 설치되는 투명부재와, 상기 상면패드와 일단이 연결되고 상기 웨이퍼의 경사면을 따라 상기 웨이퍼의 하면까지 연장 형성된 리드부와, 상기 웨이퍼의 상면 중 상기 투명부재의 외측에 형성되는 인캡슐레이션부와, 상기 리드부의 타단에 전기적으로 연결되는 외부연결부재를 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈; 및 상기 인캡슐레이션부의 상단면에 하단부가 결합됨으로써 상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 상부에 설치되는 광학케이스;를 포함하는 카메라 모듈이 제공된다.
본 발명에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈 및 그 제조방법에 의하면, 비아 등 외부 연결을 위한 배선 공정을 용이하게 하여 생산성을 향상할 수 있는 이점이 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈 및 그 제조방법에 의하면, 패키지 공정 내에서 웨이퍼의 상면 중 이미지센서 영역을 제외한 영역을 보호 가능하여 신뢰성을 향상할 수 있는 이점이 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈 및 그 제조방법에 의하면, 웨이퍼 레벨 상태에서 투명부재를 설치하고 인캡슐레이션부를 형성함으로써 이물질에 의한 불량을 최소화 할 수 있는 이점이 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈을 포함하는 카메라 모듈에 의하면, 인캡슐레이션부의 상단면에 광학케이스의 하단부가 직접 결합함으로써 인 캡슐레이션부의 상단면 높이를 조절하여 카메라 모듈을 슬림화할 수 있고, 광학케이스에 장착된 렌즈와 이미지센서 사이의 초점거리를 일정하게 유지하여 포커싱 무조정 방식의 카메라 모듈을 구현할 수 있는 이점이 있다.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈 및 그 제조방법, 그리고 카메라 모듈에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제1 실시예
먼저, 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈에 대하여 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈은, 웨이퍼(11)와, 상기 웨이퍼(11)의 상면에 실장되는 이미지센서(12)와, 상기 이미지센서(12)를 밀봉하도록 상기 웨이퍼(11)의 상면에 설치되는 투명부재(13)와, 상기 웨이퍼(11) 상에 형성되되 상기 투명부재(13)의 외측에 위치되도록 형성되는 비아(14)와, 상기 비아(14)의 상단부에 형성되는 상면패드(15)와, 상기 웨이퍼(11)의 상면 중 상기 투명부재(13)의 외측에 형성되는 인캡슐레이션부(16) 와, 상기 비아(14)의 하단부에 전기적으로 연결되는 외부연결부재(18)를 포함하여 구성된다.
상기 투명부재(13)는 본딩 스페이서(19)를 통해 상기 웨이퍼(11)의 상면에 접착되는 것이 바람직하다.
따라서, 상기 투명부재(13)는 상기 본딩 스페이서(19)의 상하방향 두께만큼 상기 웨이퍼(11)의 상면으로부터 상부로 이격되어 설치된다.
이때, 상기 투명부재(13)는 글라스로 형성될 수 있고, 상기 본딩 스페이서(19)는 접착성을 갖는 폴리머 또는 메탈로 형성될 수 있다.
상기 비아(14)는, 상기 웨이퍼(11)의 상면쪽에서 드릴링 가공을 통해 형성된 비아홀(14a)과, 상기 비아홀(14a)의 내부에 충전(充塡)(filling up)되는 도전성부재(14b)로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 비아홀(14a)은 드릴링 가공 대신 레이저 가공을 통해 형성될 수도 있으며, 상기 도전성부재(14b)는 상기 비아홀(14a)에 채워지는 도전성을 갖는 금속일 수 있다.
상기 외부연결부재(18)는 상기 비아(14)의 하단부에 형성된 하면패드(17)를 매개로 상기 비아(14)와 전기적으로 연결되는 솔더볼일 수 있다.
이때, 상기 외부연결부재(18)는 솔더볼 이외에 다른 형태를 갖는 솔더범프로 형성될 수 있다.
한편, 상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈은, 상기 투명부재(13)의 일면에 적외선 차단부(미도시)를 구비하여 상기 투명부재(13)를 통해 상기 이미지센서(12) 로 유입되는 광 중 장파장의 적외선을 차단할 수도 있다.
이때, 상기 적외선 차단부는, 상기 투명부재(13)의 일면에 적외선 차단 물질이 코팅되어 형성된 적외선 차단 코팅층일 수 있고, 상기 투명부재(13)의 일면에 설치되는 적외선 차단 필터와 같은 필름 형태의 적외선 차단 부재일 수도 있다.
물론, 상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈에 적외선 차단부를 구비하는 대신, 상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈과 결합하여 하나의 카메라 모듈을 구성하는 광학케이스 등에 적외선 차단 필터와 같은 적외선 차단 부재를 장착하여 상기 이미지센서(12)로 유입되는 장파장의 적외선을 차단할 수도 있다.
한편, 상기 인캡슐레이션부(16)는 에폭시 계열의 수지로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 인캡슐레이션부(16)가 상기 웨이퍼(11)의 상면 중 투명부재(13)에 의해 밀봉되는 영역 이외의 영역을 덮도록 형성됨으로써, 상면패드(15) 등과 같은 회로패턴 등을 보호하여 신뢰성을 향상할 수 있다.
다음으로, 도 4 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 4 내지 도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법을 순차적으로 설명하기 위한 공정 단면도들이다.
우선, 도 4에 도시된 바와 같이, 투명부재(13)를 준비하는데, 이때 상기 투명부재(13)의 일면에는 본딩 서포터(3)를 접착하여 투명부재(13)의 일부분을 제거 하더라도 제거된 부위의 다른 부위는 본딩 서포터(3)에 의해 고정된 상태를 유지할 수 있도록 한다.
그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 투명부재(13) 중 이미지센서(12:도 6 참조)와 대응되는 부위를 제외한 나머지 부위를 제거한다.
이때, 상기 투명부재(13) 중 상기 이미지센서(12)와 대응되는 부위를 제외한 부위의 제거는 에칭 공정에 의해 수행되는 것이 바람직하다.
아울러, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(11)의 상면에 이미지센서(12)를 실장하고, 상기 웨이퍼(11)와 상기 투명부재(13) 중 어느 하나에 본딩 스페이서(19)를 구비한 후, 상기 본딩 스페이서(19)를 통해 상기 웨이퍼(11)의 상면에 상기 투명부재(13)를 설치하여 상기 이미지센서(12)를 밀봉한다.
그리고, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(11)의 상면에 상기 투명부재(13)를 설치한 후에는 상기 투명부재(13)의 일면에 구비된 본딩 서포터(3)를 열 또는 자외선 또는 레이저를 이용한 제거 공정에 의해 제거한다.
이에 따라, 상기 웨이퍼(11)의 상면 중 상기 이미지센서(12)가 밀봉되는 영역 이외의 영역은 오픈된다.
다음, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(11) 상에 비아(14) 및 상면패드(15)를 형성한다.
이때, 상기 비아(14)는 상기 웨이퍼(11)의 상면 쪽에서 하면 쪽으로 드릴링 가공 등을 통해 비아홀(14a)을 형성한 후, 상기 비아홀(14b)의 내부에 도전성 부재를 충전하여 형성될 수 있다.
다음, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(11)의 상면 중 오픈된 영역에 인캡슐레이션부(16)를 형성한다.
이때, 상기 인캡슐레이션부(16)는 에폭시 계열의 수지 등으로 형성될 수 있다.
그리고, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 비아(14)의 하단부에 외부연결부재(18)를 형성한다.
이때, 상기 외부연결부재(18)는 상기 비아(14)의 하단부에 하면패드(17)를 형성하고, 상기 하면패드(17)를 매개로 하여 상기 비아(14)와 전기적으로 연결될 수 있다.
즉, 상기 비아(14)는 상기 웨이퍼(11)의 상면에 구비된 상기 상면패드(15)와 같은 전극패드를 상기 웨이퍼(11)의 하면에 구비된 하면패드(17) 및 외부연결부재(18)와 전기적으로 연결하는 역할을 수행한다.
한편, 상기 외부연결부재(18)를 형성하는 공정은 상기 인캡슐레이션부(16)를 형성하는 공정 이전에 수행될 수도 있다.
이후, 상기 웨이퍼(11)를 다이싱하여 도 3에 도시된 단일의 이미지센서 모듈로 분할한다.
한편, 도시하진 않았지만, 상기 투명부재(13)에는 적외선 차단부가 형성되어, 상기 투명부재(13)를 통해 이미지센서(12)로 유입되는 장파장의 적외선을 차단할 수 있다.
이때, 상기 투명부재(13)에 적외선 차단부를 형성하는 공정은 상기 웨이 퍼(11)를 다이싱하여 단일의 이미지센서 모듈로 분할하는 단계 이전에만 수행되면 어느 때든지 수행될 수 있다.
다음으로, 도 11 내지 도 17을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법에 대한 다른 실시 형태를 설명한다.
도 11 내지 도 17은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법을 순차적으로 설명하기 위한 다른 실시형태의 공정 단면도들이다.
우선, 도 11에 도시된 바와 같이, 투명부재(13)를 준비한다.
그리고, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 투명부재(13)의 하면 중 이미지센서(12)와 대응되는 부위를 제외한 부위에 오픈홈(13a)을 형성한다.
이때, 상기 오픈홈(13a)의 형성은 에칭 공정에 의해 수행되는 것이 바람직하다.
아울러, 도 13에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(11)의 상면에 이미지센서(12)를 실장하고, 상기 웨이퍼(11)와 상기 투명부재(13) 중 어느 하나에 본딩 스페이서(19)를 구비한 후, 상기 본딩 스페이서(19)를 통해 상기 웨이퍼(11)의 상면에 상기 투명부재(13)를 설치하여 상기 이미지센서(12)를 밀봉한다.
그리고, 도 14에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(11)의 상면에 상기 투명부재(13)를 설치한 후에는 상기 투명부재(13)의 오픈홈(13a)이 상부로 개구되도록 상기 투명부재(13)를 씨닝한다.
이에 따라, 상기 웨이퍼(11)의 상면 중 상기 이미지센서(12)가 밀봉되는 영 역 이외의 영역은 오픈된다.
다음, 도 15에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(11) 상에 비아(14) 및 상면패드(15)를 형성한다.
이때, 상기 비아(14)는 상기 웨이퍼(11)의 상면 쪽에서 하면 쪽으로 드릴링 가공 등을 통해 비아홀(14a)을 형성한 후, 상기 비아홀(14b)의 내부에 도전성 부재를 충전하여 형성될 수 있다.
다음, 도 16에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(11)의 상면 중 오픈된 영역에 인캡슐레이션부(16)를 형성한다.
이때, 상기 인캡슐레이션부(16)는 에폭시 계열의 수지 등으로 형성될 수 있다.
그리고, 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 비아(14)의 하단부에 외부연결부재(18)를 형성한다.
이때, 상기 외부연결부재(18)는 상기 비아(14)의 하단부에 하면패드(17)를 형성하고, 상기 하면패드(17)를 매개로 하여 상기 비아(14)와 전기적으로 연결될 수 있다.
즉, 상기 비아(14)는 상기 웨이퍼(11)의 상면에 구비된 상기 상면패드(15)와 같은 전극패드를 상기 웨이퍼(11)의 하면에 구비된 하면패드(17) 및 외부연결부재(18)와 전기적으로 연결하는 역할을 수행한다.
한편, 상기 외부연결부재(18)를 형성하는 공정은 상기 인캡슐레이션부(16)를 형성하는 공정 이전에 수행될 수도 있다.
이후, 상기 웨이퍼(11)를 다이싱하여 도 3에 도시된 단일의 이미지센서 모듈로 분할한다.
한편, 도시하진 않았지만, 상기 투명부재(13)에는 적외선 차단부가 형성되어, 상기 투명부재(13)를 통해 이미지센서(12)로 유입되는 장파장의 적외선을 차단할 수 있다.
이때, 상기 투명부재(13)에 적외선 차단부를 형성하는 공정은 상기 웨이퍼(11)를 다이싱하여 단일의 이미지센서 모듈로 분할하는 단계 이전에만 수행되면 어느 때든지 수행될 수 있다.
웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제2 실시예
먼저, 도 18을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈에 대하여 상세하게 설명한다.
도 18은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 18에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈은, 상면에 이미지센서(22) 및 상면패드(25)가 구비되고 측부에 경사면이 형성된 웨이퍼(21)와, 상기 이미지센서(22)를 밀봉하도록 상기 웨이퍼(21)의 상면에 설치되는 투명부재(23)와, 상기 상면패드(25)와 일단이 연결되고 상기 웨이퍼(21)의 경사면을 따라 상기 웨이퍼(21)의 하면까지 연장 형성된 리드부(24)와, 상기 웨이퍼(21)의 상면 중 상기 투명부재(23)의 외측에 형성되는 인캡슐레이션 부(26)와, 상기 리드부(24)의 타단에 전기적으로 연결되는 외부연결부재(28)를 포함하여 구성된다.
상기 투명부재(23)는 본딩 스페이서(29)를 통해 상기 웨이퍼(21)의 상면에 접착되는 것이 바람직하다.
따라서, 상기 투명부재(23)는 상기 본딩 스페이서(29)의 상하방향 두께만큼 상기 웨이퍼(21)의 상면으로부터 상부로 이격되어 설치된다.
이때, 상기 투명부재(23)는 글라스로 형성될 수 있고, 상기 본딩 스페이서(29)는 접착성을 갖는 폴리머 또는 메탈로 형성될 수 있다.
상기 외부연결부재(28)는 상기 리드부(24)의 타단부에 전기적으로 연결되는 솔더볼일 수 있다.
이때, 상기 외부연결부재(28)는 솔더볼 이외에 다른 형태를 갖는 솔더범프로 형성될 수 있다.
한편, 상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈은, 상기 투명부재(23)의 일면에 적외선 차단부(미도시)를 구비하여 상기 투명부재(23)를 통해 상기 이미지센서(22)로 유입되는 광 중 장파장의 적외선을 차단할 수도 있다.
이때, 상기 적외선 차단부는, 상기 투명부재(23)의 일면에 적외선 차단 물질이 코팅되어 형성된 적외선 차단 코팅층일 수 있고, 상기 투명부재(23)의 일면에 설치되는 적외선 차단 필터와 같은 필름 형태의 적외선 차단 부재일 수도 있다.
물론, 상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈에 적외선 차단부를 구비하는 대신, 상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈과 결합하여 하나의 카메라 모듈을 구성하 는 광학케이스 등에 적외선 차단 필터와 같은 적외선 차단 부재를 장착하여 상기 이미지센서(22)로 유입되는 장파장의 적외선을 차단할 수도 있다.
한편, 상기 인캡슐레이션부(26)는 에폭시 계열의 수지로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 인캡슐레이션부(26)가 상기 웨이퍼(21)의 상면 중 투명부재(23)에 의해 밀봉되는 영역 이외의 영역을 덮도록 형성됨으로써, 상면패드(25) 등과 같은 회로패턴 등을 보호하여 신뢰성을 향상할 수 있다.
카메라 모듈의 실시예
다음으로, 첨부된 도 19를 참조하여 본 발명에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈이 적용된 카메라 모듈에 대하여 상세히 설명한다.
도 19는 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈이 적용된 카메라 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 19에 도시된 바와 같이, 상기 카메라 모듈은, 상술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈과, 상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈을 구성하는 인캡슐레이션부(16)의 상단면에 하단부가 결합되는 광학케이스(10)를 포함하여 구성된다.
이때, 상기 인캡슐레이션부(16)의 높이는 투명부재(13)의 상단면 높이보다 낮게 형성될 수 있다.
결국, 상기 인캡슐레이션부(16)의 상단면에 광학케이스(10)의 하단부가 직접 결합함으로써 인캡슐레이션부(16)의 상단면 높이를 조절하여 카메라 모듈을 슬림화할 수 있고, 상기 광학케이스(10)에 장착된 렌즈(L)와 이미지센서(12) 사이의 초점거리를 일정하게 유지하여 포커싱 무조정 방식의 카메라 모듈을 구현할 수 있다
한편, 도 19에 도시된 카메라 모듈에는 상기 투명부재(13)를 통해 이미지센서(12)로 유입되는 광 중 장파장의 적외선을 차단하기 위한 적외선 차단 필터(F)가 광학케이스(10)에 장착되었지만, 전술한 바와 같이, 본 발명에서는 상기 투명부재(13)의 일면에 적외선 차단부를 형성함으로써, 광학케이스(10) 내부에 적외선 차단 필터(F)가 설치되는 공간을 삭제하여 카메라 모듈을 보다 슬림화할 수도 있다.
또한, 도시하진 않았지만, 상술한 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈이 적용된 카메라 모듈 역시 광학케이스(10)의 하단부를 인캡슐레이션부의 상단면에 직접 결합하되 인캡슐레이션부의 상단면 높이를 투명부재의 상단면 높이보다 낮게하여 카메라 모듈의 슬림화 및 포커싱 무조정 방식의 카메라 모듈을 구현할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이나, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 집적회로소자를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 2는 종래 기술에 따른 고체 촬상 장치를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도.
도 4 내지 도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법을 순차적으로 설명하기 위한 공정 단면도들.
도 11 내지 도 17은 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법을 순차적으로 설명하기 위한 다른 실시형태의 공정 단면도들.
도 18은 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도.
도 19는 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈이 적용된 카메라 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
11: 웨이퍼 12: 이미지센서
13: 투명부재 14: 비아
15: 상면패드 16: 인캡슐레이션부
17: 하면패드 18: 외부연결부재
19: 본딩 스페이서

Claims (31)

  1. 웨이퍼;
    상기 웨이퍼의 상면에 실장되는 이미지센서;
    상기 이미지센서를 밀봉하도록 상기 웨이퍼의 상면에 설치되는 투명부재;
    상기 웨이퍼 상에 형성되되, 상기 투명부재의 외측에 위치되도록 형성되는 비아;
    상기 비아의 상단부에 형성되는 상면패드;
    상기 웨이퍼의 상면 중 상기 투명부재의 외측에 형성되는 인캡슐레이션부; 및
    상기 비아의 하단부에 전기적으로 연결되는 외부연결부재;
    를 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투명부재는 본딩 스페이서를 통해 상기 웨이퍼의 상면에 접착되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 본딩 스페이서는 접착성을 갖는 폴리머 또는 메탈로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 투명부재는 글라스인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 외부연결부재는 상기 비아의 하단부에 형성된 하면패드를 매개로 상기 비아와 전기적으로 연결되는 솔더볼인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 비아는,
    상기 웨이퍼의 상면쪽에서 드릴링 가공을 통해 형성된 비아홀과, 상기 비아홀의 내부에 충전(充塡)(filling up)되는 도전성부재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 도전성부재는 도전성을 갖는 금속인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 투명부재의 일면에 형성되어, 상기 이미지센서로 유입되는 광 중 장파장의 적외선을 차단하기 위한 적외선 차단부를 더 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 적외선 차단부는, 상기 투명부재의 일면에 적외선 차단 물질이 코팅되어 형성된 적외선 차단 코팅층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 인캡슐레이션부는 에폭시 계열의 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  11. 상면에 이미지센서 및 상면패드가 구비되고, 측부에 경사면이 형성된 웨이퍼;
    상기 이미지센서를 밀봉하도록 상기 웨이퍼의 상면에 설치되는 투명부재;
    상기 상면패드와 일단이 연결되고 상기 웨이퍼의 경사면을 따라 상기 웨이퍼의 하면까지 연장 형성된 리드부;
    상기 웨이퍼의 상면 중 상기 투명부재의 외측에 형성되는 인캡슐레이션부; 및
    상기 리드부의 타단에 전기적으로 연결되는 외부연결부재;
    를 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 투명부재는 본딩 스페이서를 통해 상기 웨이퍼의 상면에 접착되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 본딩 스페이서는 접착성을 갖는 폴리머 또는 메탈로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 투명부재는 글라스인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 외부연결부재는 상기 리드부의 타단부에 전기적으로 연결되는 솔더볼인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 투명부재의 일면에 형성되어, 상기 이미지센서로 유입되는 광 중 장파장의 적외선을 차단하기 위한 적외선 차단부를 더 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 적외선 차단부는, 상기 투명부재의 일면에 적외선 차단 물질이 코팅되어 형성된 적외선 차단 코팅층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 인캡슐레이션부는 에폭시 계열의 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈.
  19. (a) 웨이퍼의 상면에 이미지센서를 실장하는 단계;
    (b) 투명부재를 준비하는 단계;
    (c) 상기 이미지센서를 밀봉함과 아울러 상기 웨이퍼의 상면 중 상기 이미지센서가 밀봉되는 영역 이외의 영역이 오픈되도록 상기 웨이퍼의 상면에 상기 투명부재를 구비하는 단계;
    (d) 상기 웨이퍼 상에 비아를 형성하는 단계;
    (e) 상기 웨이퍼의 상면 중 오픈된 영역에 인캡슐레이션부를 형성하는 단계; 및
    (f) 상기 웨이퍼를 다이싱하여 단일의 이미지센서 모듈로 분할하는 단계;
    를 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 (c)단계는,
    상기 투명부재의 상면에 본딩 서포터를 접착하는 단계;
    상기 투명부재 중 상기 이미지센서와 대응되는 부위를 제외한 부위를 제거하는 단계;
    상기 웨이퍼와 상기 투명부재 중 어느 하나에 본딩 스페이서를 형성하는 단계;
    상기 이미지센서가 상기 투명부재에 의해 밀봉되도록 상기 웨이퍼의 상면에 상기 본딩 스페이서를 통해 상기 투명부재를 설치하는 단계; 및
    상기 본딩 서포터를 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 투명부재 중 상기 이미지센서와 대응되는 부위를 제외한 부위의 제거는 에칭 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 본딩 서포터의 제거는 열 또는 자외선 또는 레이저를 이용한 제거 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법.
  23. 제19항에 있어서,
    상기 (c)단계는,
    상기 투명부재의 하면 중 상기 이미지센서와 대응되는 부위를 제외한 부위에 오픈홈을 형성하는 단계;
    상기 웨이퍼와 상기 투명부재 중 어느 하나에 본딩 스페이서를 형성하는 단계;
    상기 이미지센서가 상기 투명부재에 의해 밀봉되도록 상기 웨이퍼의 상면에 상기 본딩 스페이서를 통해 상기 투명부재를 설치하는 단계; 및
    상기 투명부재의 오픈홈이 상부로 개구되도록 상기 투명부재를 씨닝하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 오픈홈의 형성은 에칭 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법.
  25. 제19항에 있어서,
    상기 (d)단계는,
    상기 웨이퍼의 상면 쪽에서 하면 쪽으로 드릴링 가공을 통해 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀의 내부에 도전성 부재를 충전함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법.
  26. 제19항에 있어서,
    상기 (f)단계 이전에 수행되고, 상기 비아의 하단부에 외부연결부재를 형성하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 외부연결부재는 상기 비아의 하단부에 형성된 하면패드를 매개로 상기 비아와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법.
  28. 제19항에 있어서,
    상기 (f)단계 이전에 어느 때든지 수행되고, 상기 투명부재에 적외선 차단부를 형성하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 제조방법.
  29. 웨이퍼와, 상기 웨이퍼의 상면에 실장되는 이미지센서와, 상기 이미지센서를 밀봉하도록 상기 웨이퍼의 상면에 설치되는 투명부재와, 상기 웨이퍼 상에 형성되되, 상기 투명부재의 외측에 위치되도록 형성되는 비아와, 상기 비아의 상단부에 형성되는 상면패드와, 상기 웨이퍼의 상면 중 상기 투명부재의 외측에 형성되는 인캡슐레이션부와, 상기 비아의 하단부에 전기적으로 연결되는 외부연결부재를 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈; 및
    상기 인캡슐레이션부의 상단면에 하단부가 결합됨으로써 상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 상부에 설치되는 광학케이스;
    를 포함하는 카메라 모듈.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 인캡슐레이션부의 상단면 높이는 상기 투명부재의 상단면 높이보다 낮게 형성되는 것을 특징으로 하는 카메라 모듈.
  31. 상면에 이미지센서 및 상면패드가 구비되고 측부에 경사면이 형성된 웨이퍼와, 상기 이미지센서를 밀봉하도록 상기 웨이퍼의 상면에 설치되는 투명부재와, 상기 상면패드와 일단이 연결되고 상기 웨이퍼의 경사면을 따라 상기 웨이퍼의 하면까지 연장 형성된 리드부와, 상기 웨이퍼의 상면 중 상기 투명부재의 외측에 형성되는 인캡슐레이션부와, 상기 리드부의 타단에 전기적으로 연결되는 외부연결부재를 포함하는 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈; 및
    상기 인캡슐레이션부의 상단면에 하단부가 결합됨으로써 상기 웨이퍼 레벨의 이미지센서 모듈의 상부에 설치되는 광학케이스;
    를 포함하는 카메라 모듈.
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JP2007301244A JP2009088459A (ja) 2007-09-28 2007-11-21 ウェハーレベルのイメージセンサモジュール、その製造方法、及びカメラモジュール
US12/007,977 US20090085134A1 (en) 2007-09-28 2008-01-17 Wafer-level image sensor module, method of manufacturing the same, and camera module
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170051972A (ko) * 2015-11-03 2017-05-12 삼성전기주식회사 이미지 센서 패키지
KR20180135753A (ko) * 2017-06-13 2018-12-21 삼성전기주식회사 이미지 센서 모듈 및 이의 제조방법
KR20210136786A (ko) * 2020-05-08 2021-11-17 (주)에이피텍 와이어 본딩을 이용한 카메라 패키징 장치

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8013350B2 (en) 2007-02-05 2011-09-06 Panasonic Corporation Optical device and method for manufacturing optical device, and camera module and endoscope module equipped with optical device
JP2008219854A (ja) * 2007-02-05 2008-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイス，光学デバイスウエハおよびそれらの製造方法、ならびに光学デバイスを搭載したカメラモジュールおよび内視鏡モジュール
US8652697B2 (en) * 2009-02-25 2014-02-18 Bloom Energy Corporation Controlling a fuel cell system based on fuel cell impedance characteristic
JP2010238995A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュールおよびこれを搭載したカメラモジュール
TWI399974B (zh) * 2010-03-12 2013-06-21 Primax Electronics Ltd 攝像模組之組裝方法
TWI466278B (zh) * 2010-04-06 2014-12-21 Kingpak Tech Inc 晶圓級影像感測器構裝結構及其製造方法
WO2011141976A1 (ja) * 2010-05-12 2011-11-17 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5658189B2 (ja) * 2011-03-21 2015-01-21 ゲイリー・エドウィン・サットン 曲面状センサーカメラを有する移動通信装置、移動型光学部を有する曲面状センサーカメラ、及びシリコン繊維で製作される曲面状センサー
US8604576B2 (en) * 2011-07-19 2013-12-10 Opitz, Inc. Low stress cavity package for back side illuminated image sensor, and method of making same
KR20140126598A (ko) * 2013-04-23 2014-10-31 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US9667900B2 (en) 2013-12-09 2017-05-30 Optiz, Inc. Three dimensional system-on-chip image sensor package
TW201607014A (zh) * 2014-08-08 2016-02-16 精材科技股份有限公司 半導體結構及其製造方法
US9634059B2 (en) * 2014-12-30 2017-04-25 Semiconductor Components Industries, Llc Methods of forming image sensor integrated circuit packages
EP3270418A4 (en) * 2015-03-11 2018-12-26 Olympus Corporation Size reduction of imaging device
JP2018039152A (ja) * 2016-09-06 2018-03-15 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッド
CN110462452A (zh) * 2017-03-29 2019-11-15 夏普株式会社 光学装置用壳体和光学装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050093752A (ko) * 2005-09-02 2005-09-23 한국과학기술원 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 및 이의제조방법
JP2005286028A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Sharp Corp 固体撮像素子パッケージ、半導体パッケージ、カメラモジュール、及び固体撮像素子パッケージの製造方法
KR20060083253A (ko) * 2005-01-14 2006-07-20 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지 제조방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6352878B1 (en) * 2000-06-19 2002-03-05 National Semiconductor Corporation Method for molding a bumped wafer
JP2004063772A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
US7005310B2 (en) * 2002-08-14 2006-02-28 Renesas Technology Corporation Manufacturing method of solid-state image sensing device
JP2004153130A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Olympus Corp 半導体装置及びその製造方法
US6791842B2 (en) * 2002-11-12 2004-09-14 Kingpak Technology Inc. Image sensor structure
JP5030360B2 (ja) * 2002-12-25 2012-09-19 オリンパス株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2004296453A (ja) * 2003-02-06 2004-10-21 Sharp Corp 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法
US6995462B2 (en) * 2003-09-17 2006-02-07 Micron Technology, Inc. Image sensor packages
US7329861B2 (en) * 2003-10-14 2008-02-12 Micron Technology, Inc. Integrally packaged imaging module
JP4838501B2 (ja) * 2004-06-15 2011-12-14 富士通セミコンダクター株式会社 撮像装置及びその製造方法
JP2007074635A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像入力装置および固体撮像素子
CN101346817B (zh) * 2005-12-26 2010-09-01 夏普株式会社 固体摄像元件模块的制造方法
JP2007288755A (ja) * 2006-04-14 2007-11-01 Optopac Co Ltd カメラモジュール
JP4467551B2 (ja) * 2006-09-22 2010-05-26 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置
US20080191333A1 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Image sensor package with die receiving opening and method of the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005286028A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Sharp Corp 固体撮像素子パッケージ、半導体パッケージ、カメラモジュール、及び固体撮像素子パッケージの製造方法
KR20060083253A (ko) * 2005-01-14 2006-07-20 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지 제조방법
KR20050093752A (ko) * 2005-09-02 2005-09-23 한국과학기술원 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 및 이의제조방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170051972A (ko) * 2015-11-03 2017-05-12 삼성전기주식회사 이미지 센서 패키지
KR102126418B1 (ko) * 2015-11-03 2020-06-24 삼성전기주식회사 이미지 센서 패키지
KR20180135753A (ko) * 2017-06-13 2018-12-21 삼성전기주식회사 이미지 센서 모듈 및 이의 제조방법
KR102404330B1 (ko) * 2017-06-13 2022-06-07 삼성전기주식회사 이미지 센서 모듈 및 이의 제조방법
KR20210136786A (ko) * 2020-05-08 2021-11-17 (주)에이피텍 와이어 본딩을 이용한 카메라 패키징 장치
KR102567061B1 (ko) 2020-05-08 2023-08-16 (주)에이피텍 와이어 본딩을 이용한 카메라 패키징 장치

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