CN102386192B - 制造光学传感器的方法、光学传感器和包括其的照相机 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及制造光学传感器的方法、光学传感器和包括其的照相机。所述制造光学传感器的方法包括：设置包含多个像素区域的半导体晶片；设置包含光透射晶片的光透射基板，其中所述光透射晶片上附接有多个光透射部件，所述多个光透射部件被布置在所述光透射晶片的第一主表面上，并且所述多个光透射部件中的每一个的α射线发射量小于或等于0.05c/cm2·h；通过固定部件将所述光透射基板固定到所述半导体晶片上；以及将被固定在一起的半导体晶片和光透射基板分成单独的件。

Description

制造光学传感器的方法、光学传感器和包括其的照相机
技术领域
本发明涉及制造光学传感器的方法、光学传感器和照相机。
背景技术
用作用于图像拾取装置的光学传感器的固态图像拾取器件是已知的。在基于固态技术的光学传感器中，通过使用具有凹部的塑料封装或陶瓷封装，在盖子部件中封入(encapsulate)通过将晶片分成各单个芯片而获得的图像拾取器件芯片。在这样的光学传感器中，已知的是，当使用玻璃作为盖子部件时，从包含于玻璃中的重金属等发射的α射线不利地影响图像拾取器件芯片的特性。因此，提出使用不发射α射线的晶体(crystal)作为光学传感器的盖子部件的配置(参见日本专利申请公开No.2008-34502)。此外，还提出使用发射少量α射线的玻璃作为盖子部件的配置(参见日本专利申请公开No.05-279074)。
通过将包含图像拾取器件的晶片状态半导体基板和光透射基板固定在一起并且将固定后的基板分成单独的芯片而获得的WLCSP(晶片级芯片尺寸封装)是已知的。例如在日本专利申请公开No.2010-050260中公开了WLCSP的配置和制造方法。可以将WLCSP型光学传感器在晶片级进行一并处理，使得可以降低制造成本，并且可以实现小型化和薄型化的光学传感器。
但是，当由不发射α射线的晶体或发射少量α射线的玻璃形成的光透射基板被固定到晶片上时，存在这样的问题：即，在制造工艺期间，由于热膨胀而出现晶片或光透射基板的翘曲(warping)或者两者的翘曲，并且实得率(yield rate)下降。另外，即使在制造之后，如果在固定后的光透射基板和晶片之间发生翘曲，也存在出现裂纹或剥离(peeling)的问题。因此，通过将固定后的基板和晶片分成单独的芯片而获得的光学传感器具有相同的问题。
本发明提供可以减少α射线对于图像拾取器件芯片的影响并且可以抑制翘曲的光学传感器的制造方法。因此，可以使得光学传感器和使用光学传感器的照相机更加可靠。
发明内容
本发明的一个方面针对制造光学传感器的方法。该方法包括：设置包含多个像素区域的半导体晶片；设置包含光透射晶片的光透射基板，其中所述光透射晶片上附接有多个光透射部件，所述多个光透射部件被布置在所述光透射晶片的第一主表面上，并且所述多个光透射部件中的每一个的α射线发射量小于或等于0.05c/cm2·h；通过固定部件将所述光透射基板固定到所述半导体晶片上，使得所述多个光透射部件和所述半导体晶片相互面对；以及将固定在一起的所述半导体晶片和所述光透射基板分成单独的件。
参照附图阅读示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。
附图说明
图1包括图1A和图1B，其中，图1A是第一实施例的光学传感器的透视平面图，图1B是第一实施例的光学传感器的断面图。
图2A和图2B是表示第一实施例的光学传感器的制造方法的平面图。
图2C～2H是表示第一实施例的光学传感器的制造方法的断面图。
图3A和图3B是第一实施例的光学传感器的部分断面图。
图4A是第二实施例的光学传感器的透视平面图。
图4B是第二实施例的光学传感器的断面图。
图5A和图5B是表示第二实施例的光学传感器的制造方法的平面图。
图5C～5H是表示第二实施例的光学传感器的制造方法的断面图。
图6是光学传感器被应用于作为图像拾取系统的例子的数字照相机的框图。
具体实施方式
以下将参照图1～6来描述本发明的实施例。
第一实施例
图1A和图1B是表示本发明的第一实施例的光学传感器的图。图1A是光学传感器的透视平面图。图1B是沿图1A中的线IB-IB切取的示意性断面图。
根据第一实施例，光学传感器包含经由固定部件3被固定(附接)到光透射盖子部件2上的图像拾取器件芯片1。通过被光透射盖子部件2、图像拾取器件芯片1和固定部件3包围来形成空间7。与第二实施例(在后面描述)相对照，空间7防止光透射部件2和图像拾取器件芯片1相互面对的表面相互接触。
图像拾取器件芯片1包含被设置在固定部件3的内部区域27内的像素区域5。通过用固定部件3将图像拾取器件芯片1(在半导体晶片中被形成)和光透射基板2固定在一起并然后将固定后的元件切割成单独的件，获得光学传感器。
在本实施例中，图像拾取器件芯片1是互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。像素区域5具有用于将入射光转换成电荷的多个转换元件和与所述多个转换元件对应的多个晶体管。布线结构12、第一平坦化膜14、滤色器15、第二平坦化膜16被布置在图像拾取器件芯片1的半导体基板(晶片)上。微透镜17被布置在半导体基板的上(外部)表面上(在基板的光入射侧)。绝缘膜20、导电膜21和绝缘部件23被布置在半导体基板11下面(与光入射侧相对的侧)。对于绝缘膜20使用氧化物膜(oxide film)或氮化物膜(nitride film)等。对于导电膜21使用Al或Cu等。对于绝缘部件23使用焊料抗蚀剂(solder resist)等。
图像拾取器件芯片1包含通孔(through-hole)电极6，所述通孔电极6贯穿在作为半导体基板11的光入射侧的光透射盖子部件侧的第一主表面和在与第一主表面相对的侧的第二主表面。通孔电极6由导电膜21的一部分形成。通孔电极6与布线结构内的表面电极13电连接。为了与图中未示出的电路板连接，图像拾取器件芯片1具有由导电膜21的一部分形成的布线22。
此外，图像拾取器件芯片1具有用于与外部电路连接的连接端子24，所述连接端子24被布置在光透射盖子部件2的相对侧并且与布线端子22电连接。虽然对于连接端子24使用的是焊料球，但是，也可以使用诸如ACP、ACF或NCP的各向异性导电部件。对于作为图像拾取器件芯片的CMOS图像传感器使用硅基板。作为CMOS图像传感器的替代，可对于图像拾取器件芯片使用CCD图像传感器等。
光透射盖子部件2表示将光透射基板分成单独的件之后的配置，并且包含玻璃板2a和光透射部件2b，所述光透射部件2b被固定(附接)到玻璃板2a的面向图像拾取器件芯片的表面上并且其α射线的发射量小于(少于)或等于0.05c/cm2·h(每小时每平方厘米的计数)。如果从透射盖子部件2发射的α射线的量大于0.05c/cm2·h，那么图像拾取器件芯片1会发生故障(malfunction)或者图像质量会劣化，因此，需要减少α射线的发射量。希望光透射盖子部件2和图像拾取器件芯片1具有彼此相近的线性(linear)膨胀系数。但是，现有的用于光学传感器的低α射线玻璃具有与图像拾取器件芯片1的线性膨胀系数大大不同的线性膨胀系数。因此，作为光透射盖子部件2，用于在与图像拾取器件芯片1连接时抑制翘曲的玻璃板2a和用于减少对于图像拾取器件芯片1的α射线照射的光透射部件2b被组合在一起。作为玻璃板2a的材料，可以使用具有接近2.6ppm/℃的线性膨胀系数的材料，该2.6ppm/℃是作为用于图像拾取器件芯片1的半导体基板11的硅的线性膨胀系数，并且，具体而言，可以使用具有大于或等于2.0ppm/℃且小于或等于4.0ppm/℃的线性膨胀系数的材料。因此，作为玻璃基板2a，使用具有3.2ppm/℃的线性膨胀系数的硼硅酸盐(borosilicate)玻璃。作为用于玻璃基板2a的硼硅酸盐玻璃，可以使用Pyrex(注册商标)和Tempax(注册商标)等。与光透射部件2b相比，用于玻璃基板2a的这些材料发射的α射线量更大。
图像拾取器件芯片1和玻璃板2a具有彼此相近的线性膨胀系数，因此，由于温度变化导致的翘曲被抑制。光透射部件2b是发射少量(low level)α射线的材料，并且进一步地，如果玻璃板2a发射α射线，那么光透射部件2b吸收α射线并且减少α射线，因此，可以减少α射线对于图像拾取器件芯片1的影响。光透射部件2b越厚，则光透射部件2b越有效地吸收α射线，并且，50μm或更大的厚度是进一步优选的。另一方面，光透射部件2b的厚度优选为200μm或更小。原因是，如果光透射部件2b的厚度大于200μm，那么，玻璃板2a和图像拾取器件芯片之间的距离增大并由此使得固定部件3变厚，从而使得制造变得困难。此外，耐湿性(humidity resistance)会劣化。作为光透射部件2b，使用由具有约6ppm/℃(每摄氏度的百万分率，parts per millionper degree Celsius)的线性膨胀系数的硼硅酸盐玻璃形成的低α射线玻璃。作为光透射部件2b，还可以使用具有约10ppm/℃的线性膨胀系数的晶体、或硅酸盐(silicate)玻璃等。
固定部件3由有机材料制成。具体而言，固定部件3是粘合剂(adhesive)材料或化合物，诸如UV固化液体粘合剂、热固化液体粘合剂和由感光膜制成的片状(sheet)粘合剂等。例如，通过构图来形成固定部件3。当玻璃板和图像拾取器件芯片之间的距离大时难以制造的原因在于，当在用于在希望的位置中形成固定部件的工艺中使用液体粘合剂时，粘合剂容易扩散，并且，当使用片状粘合剂时，需要层叠多层的板状粘合剂。
下面将参照图2A～2H来描述图1A和图1B中的光学传感器的制造方法。与图1A和图1B所示的配置相比，图2A～2H所示的配置被简化。首先，制备半导体晶片30(图2A)，所述半导体晶片30包含多个像素区域5，并且特别地，在所述半导体晶片30中，在由硅单晶(silicon single crystal)形成的基板31上形成图1A所示的多个像素区域。通过一般的半导体器件制造工艺来形成像素区域5等。
然后，制备包含光透射晶片41和多个光透射部件2b的光透射基板40(图2B)，其中，所述多个光透射部件2b在光透射晶片41的第一主表面上与半导体晶片30的多个像素区域5中的每一个对应地被布置。从多个光透射部件2b中的每一个发射的α射线的量小于(低于或少于)或等于0.05c/cm2·h。光透射基板40的尺寸与半导体晶片30的尺寸基本上相同。在图2B中，附图标记42表示用于切割光透射基板40的虚线。
如图3A和图3B所示，通过被布置在光透射部件2b的边缘区域或整个表面上的粘合剂43来将光透射晶片41和光透射部件2b固定在一起(相互附接)。当光透射晶片41和光透射部件2b在边缘区域上被固定在一起时，在光透射晶片41和光透射部件2b之间形成空间，并且，当它们在整个表面上被固定在一起时，在光透射晶片41和光透射部件2b之间形成粘合剂43的层(参见图3A和图3B)。在本实施例中，光透射晶片41和光透射部件2b在边缘区域上被固定在一起。光透射晶片41是具有0.3mm的厚度和具有与硅的线性膨胀系数相近的3.2ppm/℃的线性膨胀系数的硼硅酸盐玻璃(Pyrex(注册商标))。光透射部件2b是具有约6ppm/℃的线性膨胀系数并且α射线发射量小于或等于0.05c/cm2·h的硼硅酸盐玻璃。虽然图3A和图3B示出光透射晶片41和光透射部件2b通过粘合剂43被附接，但是，也可例如通过气相淀积法等直接在光透射晶片41上形成光透射部件2b。光透射部件2b需要能够减少进入半导体晶片30上的像素区域5的α射线。因此，光透射部件2b的尺寸可以大于或等于半导体晶片30上的像素区域5的尺寸。此外，如图1所示，光透射部件2b的尺寸可以小于固定部件3的内部区域。光透射晶片41发射的α射线的量比光透射部件2b发射的α射线的量大。
然后，返回参照图2C，以格子(grid)图案在半导体晶片上布置固定部件3。当通过使用液体粘合剂将光透射基板40与半导体晶片30接合时，固定部件3被布置在固定部件3将光透射部件2b包围起来的位置处。虽然在图2C中，固定部件3被布置在半导体晶片30上，但是，固定部件3可以被布置在光透射基板40上，或者可以被布置在半导体晶片30和光透射基板40两者上。
然后，如图2D所示，被固定到光透射晶片41上的多个光透射部件2b和半导体晶片30现在相互面对。在该位置中，光透射基板40和半导体晶片30通过固定部件被有效地接合在一起。为了确保耐湿性并减小尺寸，固定部件3的宽度“w”可以大于或等于1mm且小于或等于2mm。
然后，在图2E所示的状态中，减小半导体晶片30的厚度。作为用于减小半导体基板的厚度的方法，从后部磨削(back-grinding)、CMP(化学机械平坦化)和蚀刻中选择一种或更多种方法。半导体晶片30的厚度从被处理之前的700μm减小到约75μm。当半导体晶片30的厚度减小到约100μm时，在下一工艺中，容易地形成通孔电极。
图2F示出在半导体晶片30中形成通孔电极6的简化工艺。对于通孔电极6，为了在形成于半导体晶片的表面上的多层布线(图中未示出)中的布线部分中制作开口，通过蚀刻形成通孔。然后，形成诸如硅氧化物(silicon oxide)膜的绝缘膜，并且，通孔中的绝缘膜被蚀刻以制作开口。通过例如Cu电镀来形成通孔电极，并且，在半导体晶片的与面对光透射基板的表面相对的表面(后表面)上形成布线。然后，在半导体晶片的后表面上形成焊料抗蚀剂作为绝缘部件，在布线上形成开口，并且形成焊料球作为连接端子24。
然后，如图2G所示，固定后的半导体晶片和光透射基板沿图2B中限定的虚线被切割成单独的件。附图标记50表示切割位置。用于切割的方法选自刀片划割(dicing)和激光划割等。激光划割在减薄的半导体晶片中具有优异的可加工性(workability)，可以用小的宽度切割半导体晶片，并且可以抑制在切割表面上产生毛刺(burr)。在上述的工艺中，完成光学传感器，如图2H所示。如上所述，可以减小α射线对于图像拾取器件芯片的影响，并且，可以通过本实施例的光学传感器抑制翘曲。此外，通过本实施例的光学传感器的制造方法，可以减小α射线对于图像拾取器件芯片的影响，可以抑制晶片的翘曲，并且，可以抑制被切割成单独的件的光学传感器的翘曲。因此，可以提高生产实得率。
第二实施例
图4A和图4B是表示本发明的第二实施例的光学传感器的图。图4A是光学传感器的透视平面图。图4B是沿图4A中的线IVB-IVB切取的示意性断面图。
与图1A和图1B中的光学传感器的不同在于，光透射部件2和图像拾取器件芯片1相互面对的表面的至少多个部分相互接触。与图1A和图1B中的构成要素相同的构成要素被赋予相同的附图标记，并且，将省略对于它们的详细描述。
如图4B所示，光透射盖子部件2和图像拾取器件芯片1之间的接触是图像拾取器件芯片1的微透镜17与光透射部件2b之间的接触。这里，微透镜17和光透射部件2b之间的接触包含：微透镜17与光透射部件2b直接相互接触的配置，以及微透镜17与光透射部件2b经由抗反射涂层膜等而相互接触的配置。
通过这样的配置，当减薄图像拾取器件芯片1的硅基板时，强度增大。因此，可以抑制诸如翘曲的变形以及破裂的可能性。
下面，将参照图5A～5H来描述图4A和图4B中的光学传感器的制造方法。图5A～5H以与图2A～2H相同的方式被简化。当图5A～5H所示的制造方法与图2A～2H所示的相同时，将简要描述制造方法，并且将详细描述制造方法之间的不同。
首先，如图5A所示，制备半导体晶片30，其中，所述半导体晶片30包含多个像素区域5，并且特别地，在所述半导体晶片30中，在由硅单晶形成的半导体晶片上形成图4A所示的多个像素区域。在半导体晶片30的第一主表面(最上面的表面)上形成微透镜17。
然后，如图5B所示，制备光透射基板40，所述光透射基板40包含光透射晶片41和多个光透射部件2b，所述多个光透射部件2b在光透射晶片41的第一主表面上与半导体晶片30的多个像素区域5中的每一个对应地布置。从光透射部件2b发射的α射线的量小于或等于0.05c/cm2·h。
然后，以格子图案在半导体晶片上布置固定部件3(图5C)。当通过使用液体粘合剂将光透射基板40与半导体晶片30接合时，固定部件3被布置在固定部件3将光透射部件2b包围起来的位置处。
然后，使光透射基板40上的多个光透射部件2b和半导体晶片30相互面对，并且，光透射基板40和半导体晶片30通过固定部件3被接合在一起(图5D)。此时，多个光透射部件2b和半导体晶片30相互面对的表面的至少多个部分相互接触。更具体而言，由于微透镜17是在半导体晶片30的最上面的表面上形成的，因此，光透射部件2b和微透镜17相互接触。
然后，减小半导体晶片的厚度(图5E)。为了有效地形成通孔电极6，半导体晶片30的厚度被减薄，使得半导体晶片的总厚度被减薄到约100μm。但是，一般地，在光透射基板40和半导体晶片30之间形成中空(hollow)部分(即，空间)的配置中，当进行减薄时，可以通过来自例如磨削石的压力使中空部分凹进(dent)。因此，如果用于减薄半导体晶片30和光透射基板40之间的距离的压力不被适当地控制，那么，这会呈现由于晶片会局部变形或出现裂纹而导致的问题。由于该问题，传感器的尺寸难以被扩大。在本实施例中，通过使光透射基板40和半导体晶片30紧密接触，空间中的凹陷(depression)减小，使得在半导体晶片30的减薄工艺中防止可能的变形或裂纹。因此，可以获得大尺寸的光学传感器。这里，大尺寸的光学传感器主要意指视角为17.3×13mm或更大的4/3系统(Four Thirds System)的图像传感器。例如，大尺寸的光学传感器具有约22.3×14.9mm的APS-C的尺寸、约36.0×24mm的全尺寸、或者中间尺寸。
然后，参照图5F，在半导体晶片中形成通孔电极6，并且在半导体晶片30的与面向光透射基板的表面相对的表面(后表面)上形成布线(图5F)。然后，在半导体晶片的后表面上形成焊料抗蚀剂作为绝缘部件，在布线上形成开口，并且，形成焊料球作为连接端子24。
然后，固定后的半导体晶片30和光透射基板40被切割成单独的件(图5G)。在上述的工艺中，完成光学传感器(图5H)。
如上所述，可以减少α射线对于图像拾取器件芯片的影响，并且，可以通过本实施例的光学传感器来进一步抑制翘曲。此外，通过本实施例的光学传感器的制造方法，可以减少α射线对于图像拾取器件芯片的影响，可以进一步抑制晶片的翘曲，并且，可以抑制被切割成单独的件的光学传感器的翘曲，从而使得可以抑制实得率的降低。
第三实施例
应用于数字照相机
图6是本发明的第一或第二实施例中描述的光学传感器被应用于作为图像拾取装置600的例子的数字照相机的框图。在图像拾取装置600中，通过上述的光学传感器的第一或第二实施例中的任一个来实现固态图像拾取器件604。
用于将光聚焦于固态图像拾取器件604的配置包含快门601、图像拾取透镜602和孔径603。快门601控制固态图像拾取器件604的曝光，并且，入射光通过图像拾取透镜602被聚焦于固态图像拾取器件604上。此时，由孔径603控制光量。
根据进入的光而从固态图像拾取器件604输出的信号在图像拾取信号处理电路605中被处理，并且通过A/D转换器606被从模拟信号转换成数字信号。A/D转换器606可被集成在固态图像拾取器件中。由信号处理单元607计算所输出的数字信号，并且拾取的图像数据被产生。根据由用户设定的操作模式，拾取的图像数据可以在安装于数字照相机中的存储器610中被保存，或者，可以通过外部I/F单元613被传送到诸如计算机或打印机的外部设备。拾取的图像数据也可以通过记录介质控制I/F单元611被记录于诸如存储器卡等的记录介质612中，所述记录介质612可被附接于数字照相机上并且可从数字照相机上被拆下。
固态图像拾取器件604、图像拾取信号处理电路605、A/D转换器606和信号处理单元607被定时发生器608控制，并且，整个系统被总体控制/计算单元609控制，所述总体控制/计算单元609可被微处理器等实现。也可通过相同的工艺在与固态图像拾取器件604的半导体基板相同的半导体基板上形成上述系统。如上所述，通过使用本实施例的配置，能够提供可以减少α射线对于图像拾取器件芯片的影响的光学传感器的制造方法、光学传感器和使用光学传感器的照相机。可以适当地组合或适当地修改上述的实施例。
虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最宽的解释以包含所有这样的变更方式以及等同的结构和功能。

Claims (13)

1.一种制造光学传感器的方法，包括：
设置包含多个像素区域的半导体晶片；
设置包含光透射晶片的光透射基板，其中所述光透射晶片上附接有多个光透射部件，所述多个光透射部件被布置在所述光透射晶片的主表面上，并且所述多个光透射部件中的每一个发射α射线，所述多个光透射部件中的每一个的α射线的量小于所述光透射晶片的发射的α射线的量并且小于或等于0.05c/cm2·h；
通过固定部件将所述光透射基板接合到所述半导体晶片上，使得所述多个光透射部件中的每一个和所述半导体晶片的所述多个像素区域中的每一个相互面对；以及
将接合后的半导体晶片和光透射基板分成多个光学传感器，所述多个光学传感器中的每一个包括：通过将所述半导体晶片分成单独的件而获得的图像拾取器件芯片；通过将所述光透射晶片分成单独的件而获得的板；位于像素区域和所述板之间的所述多个光透射部件之一；以及位于图像拾取器件芯片和所述板之间以包围光透射部件的固定部件，
其中，所述光透射晶片的线性膨胀系数和所述半导体晶片的线性膨胀系数之差小于所述多个光透射部件中的每一个的线性膨胀系数和所述半导体晶片的线性膨胀系数之差；以及
其中，在所述多个光学传感器中的每一个中，所述光透射部件的厚度大于或等于50μm，并且所述光透射部件的尺寸小于固定部件的内部区域。
2.根据权利要求1的方法，其中，设置半导体晶片包含：制备具有微透镜的半导体晶片，这些微透镜在与所述多个像素区域对应的位置处被布置在半导体晶片上；以及在通过固定部件的所述接合和所述将接合后的半导体晶片和光透射基板分成多个光学传感器之间减薄所述半导体晶片。
3.根据权利要求2的方法，其中，在通过固定部件将所述光透射基板接合到所述半导体晶片上之后，所述多个光透射部件的表面的至少一部分与所述半导体晶片的表面的至少一部分接触。
4.根据权利要求1的方法，其中，在所述接合时，在以格子图案在所述半导体晶片上布置粘合剂之后，通过使所述多个光透射部件面对所述多个像素区域来接合所述光透射晶片和所述半导体晶片，使得所述固定部件包围所述多个光透射部件中的每一个。
5.根据权利要求1的方法，其中，在设置光透射基板时，具有经由布置在所述光透射晶片和所述多个光透射部件中的每一个之间的粘合剂固定到所述光透射晶片的所述多个光透射部件的光透射基板被设置。
6.根据权利要求5的方法，其中，在设置光透射基板时，设置其中粘合剂被布置在所述多个光透射部件中的每一个在光透射晶片侧的整个表面上的光透射基板。
7.根据权利要求1的方法，其中，
所述光透射晶片由玻璃制成，所述玻璃的线性膨胀系数大于或等于2.0ppm/℃且小于或等于4.0ppm/℃，以及
所述半导体晶片由硅制成。
8.一种光学传感器，包括：
包含像素区域的图像拾取器件芯片；以及
固定到所述图像拾取器件芯片上的玻璃板，
其中，所述光学传感器包含：
在所述玻璃板和所述像素区域之间的固定到所述玻璃板的光透射部件，所述光透射部件发射α射线，所述α射线的量小于所述玻璃板的发射的α射线的量并且小于或等于0.05c/cm2·h；以及
包围所述玻璃板和所述图像拾取器件芯片之间的光透射部件的固定部件，以及
其中，所述玻璃板的线性膨胀系数和所述图像拾取器件芯片的线性膨胀系数之差小于所述光透射部件的线性膨胀系数和所述图像拾取器件芯片的线性膨胀系数之差，所述光透射部件的厚度大于或等于50μm，并且所述光透射部件的尺寸小于固定部件的内部区域。
9.根据权利要求8的光学传感器，其中，所述图像拾取器件芯片包括布置在所述像素区域上的微透镜，并且所述光透射部件与所述微透镜接触。
10.根据权利要求8的光学传感器，其中，所述图像拾取器件芯片包含通孔电极。
11.根据权利要求8的光学传感器，其中，所述玻璃板的线性膨胀系数大于或等于2.0ppm/℃且小于或等于4.0ppm/℃，并且，所述图像拾取器件芯片包含由硅制成的半导体基板。
12.一种照相机，包括：
根据权利要求1的方法制造的光学传感器；以及
被配置为处理通过所述光学传感器获得的信号的信号处理单元。
13.一种照相机，包括：
根据权利要求8的光学传感器；以及
被配置为处理通过所述光学传感器获得的信号的信号处理单元。
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