JP4095300B2 - 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 - Google Patents

光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器に関する。
【0002】
【背景技術】
受光部等のような光学的部分を有する光素子は、光学的部分を有する表面と封止するためのカバーとの間に空間を設けたほうがよいことがわかっている。このため、光素子が切断され、個片化された後に、光学的部分が光学的部分とカバーとの間に空間を設けてカバーによって封止される光デバイスの製造方法が知られている。ウエハ等の基板をダイシング等により切断する際には切削屑等が発生する。この切削屑等のゴミが光学的部分に付着したまま封止されると、その後に該空間内からゴミを除去することができなくなり、光デバイスの品質が低下するという問題があった。特に、マイクロレンズ付の光学的部分を有する固体撮像装置の場合には、マイクロレンズは凹凸を有するため、ゴミが付着しやすく、完全に除去するのが困難であった。このため、マイクロレンズ付の光学的部分を有する場合には、さらに固体撮像装置の品質が低下しやすいという問題があった。
【0003】
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、品質の高い光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明に係る光デバイスの製造方法は、(a)光透過性の第1の基板と、光学的部分を有する光素子が複数形成された第2の基板とを、それぞれの前記光学的部分を囲む形状のスペーサを介して対向させ、
(b)前記スペーサを介して前記第1の基板と前記第2の基板とを接続することによって、前記第1の基板及び前記スペーサによりそれぞれの前記光学的部分を封止し、
(c)前記第2の基板を、1つの封止された前記光学的部分を含む個々の前記光素子に切断することを含む。
【0005】
本発明によれば、第2の基板の光学的部分を封止してから、第2の基板を切断するので、光学的部分にゴミやケバなどが付着しにくい。これにより、封止部内にゴミが入ることを少なくすることができ、品質の高い光デバイスを得ることができる。
【0006】
(2)この光デバイスの製造方法において、
前記(c)工程で、さらに、前記第1の基板を切断し、
前記第1の基板は第1のカッタで切断し、前記第2の基板は第2のカッタで切断してもよい。
【0007】
(3)この光デバイスの製造方法において、
前記第1のカッタの幅は、第2のカッタの幅よりも大きくてもよい。
【0008】
これによれば、第1の基板の切断領域の幅が、第2の基板の切断領域の幅よりも広くなる。
【0009】
(4)この光デバイスの製造方法において、
前記光素子は、前記光学的部分の外側に電極を有し、
前記(c)工程で、前記第1の基板を切断するときに、前記第1の基板における前記電極の上方の部分を除去してもよい。
【0010】
これによれば、第1の基板における電極の上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を行いやすくなる。
【0011】
(5)この光デバイスの製造方法において、
前記第1の基板は、切断ラインに沿った溝を有し、
前記(c)工程で、前記溝が形成された領域において、前記第1の基板を切断してもよい。
【0012】
これによれば、第1の基板における溝が形成された部分を切断する場合、その部分の厚みは、他の部分よりも薄くなっているので、第2の基板にダメージを与えにくくすることができる。また、第1の基板の切断位置を明示することもできるものである。。また、溝が形成されていない部分を切断するよりも、第1のカッタの先端を第2の基板に接近させずに第1の基板を切断することができる。
【0013】
(6)この光デバイスの製造方法において、
前記(a)工程で、前記第1又は第2の基板の一方に前記スペーサを形成し、前記(b)工程で、前記第1又は第2の基板の他方を前記スペーサに取り付けてもよい。
【0014】
(7)この光デバイスの製造方法において、
前記スペーサは、熱硬化性樹脂を有し、
前記スペーサを、前記(b)工程で加熱することにより、前記第1の基板と前記第2の基板とを接続してもよい。
【0015】
(8)この光デバイスの製造方法において、
前記スペーサは、光硬化性樹脂を有し、
前記スペーサに対して、前記(b)工程で光を照射することにより、前記第1の基板と前記第2の基板とを接続してもよい。
【0016】
(9)この光デバイスの製造方法において、
前記(b)工程よりも前に、前記熱硬化性樹脂を仮硬化させてもよい。
【0017】
(10)この光デバイスの製造方法において、
前記(b)工程よりも前に、前記光硬化性樹脂を仮硬化させてもよい。
【0018】
(11)この光デバイスの製造方法において、
前記スペーサは、金属で形成され、
前記(b)工程で、ろう接を行ってもよい。
【0019】
(12)この光デバイスの製造方法において、
前記第1及び第2の基板のうち前記スペーサに取り付けられる基板に、前記ろう接を行う前に、ろう材を設けておいてもよい。
【0020】
(13)この光デバイスの製造方法において、
前記(b)工程で、前記第1の基板及び前記光学的部分との間に空間が形成されるように、前記光学的部分を封止してもよい。
【0021】
(14)この光デバイスの製造方法において、
前記(b)工程で、前記空間が真空になるように、前記光学的部分を封止してもよい。
【0022】
(15)この光デバイスの製造方法において、
前記(b)工程で、前記空間が窒素で充満するように、前記光学的部分を封止してもよい。
【0023】
(16)この光デバイスの製造方法において、
前記(b)工程で、前記空間がドライエアで充満するように、前記光学的部分を封止してもよい。
【0024】
(17)この光デバイスの製造方法において、
前記第1の基板は、少なくとも可視光を通過させ、赤外線を通過させなくてもよい。
【0025】
(18)この光デバイスの製造方法において、
前記第2の基板は、半導体ウエハであってもよい。
【0026】
(19)この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、画像センシング用に並べられた複数の受光部を有していてもよい。
【0027】
(20)この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、前記受光部の上方に設けられたカラーフィルタを有していてもよい。
【0028】
(21)この光デバイスの製造方法において、
それぞれの前記光学的部分は、前記第2の基板の表面に設けられたマイクロレンズアレイを有していてもよい。
【0029】
(22)本発明に係る光デバイスは、上記方法によって製造されてなる。
【0030】
(23)本発明に係る光モジュールは、上記光デバイスと、
前記光デバイスが取り付けられる支持部材と、
を有する光モジュール。
【0031】
(24)本発明に係る回路基板は、上記光モジュールが実装されてなる。
【0032】
(25)本発明に係る電子機器は、上記光モジュールを有する。
【0033】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0034】
(第1の実施の形態)
図1(A)〜図5(B)は、本発明の第1の実施の形態に係る光デバイス及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第1及び第2の基板10,20を使用する。
【0035】
図1(A)に示すように、第1の基板10を用意する。第1の基板10の大きさ及び形状は特に限定されないが、第2の基板20と同一の大きさであることが好ましく、第2の基板20と同一の形状であることがより好ましい。さらに、例えば図3に示すように四辺形であってもよい。第1の基板10は、光透過性を有する。第1の基板10として光学ガラスを使用することができる。第1の基板10は、光が透過するものであれば損失の大きさは問わないし、特定の波長の光のみを透過するものであってもよい。例えば、第1の基板10は、可視光を通過させるが赤外線領域の光を通過させないものであってもよい。第1の基板10は、可視光に対して損失が小さく、赤外線領域の光に対して損失が大きくてもよい。さらに、第1の基板10の表面には、反射防止膜や赤外線遮蔽膜などの光学機能膜が形成されてもよい。こうすれば、基板とは別にこのような光学機能を有するものを設けなくともよいため、光デバイス等を更に小型化することができる。
【0036】
図1(A)に示すように、第1の基板10には、溝12を設けてもよい。第1の基板10を切削して溝12を形成する場合、第1の基板10にシート14等の保持材を貼り付けておけば作業性が向上し、第1の基板10の割れを防止できる。溝12は、第1の基板10をハーフカットして形成してもよい。上記ハーフカットとは、第1の基板10を完全に切断するのではなく、図1(A)に示すように切削することによって溝を設けることである。その場合、溝12の形成は、ダイシングブレード16を使用して、ダイシングによって行ってもよい。溝12は、第1の基板10における切断ライン上に形成される。例えば、図3に示すように、格子形状をなすように、複数の溝12を形成してもよい。変形例として、第1の基板10は溝12を有さないものであってもよい。他の変形例として、第1の基板10は既に透明基板に個片化されており、複数の透明基板がシート14等の保持材によって保持されているものであってもよい。
【0037】
次に、第1及び第2の基板10,20を、少なくとも1つのスペーサ18を介して相互に取り付ける。スペーサ18は複数設けられてもよい。例えば、第1及び第2の基板10,20の一方にスペーサ18を形成し、第1及び第2の基板10,20の他方にスペーサ18を取り付ける。一例として、図1(B)に示すように、第1の基板10に枠状のスペーサ18を設ける。各スペーサ18は、第1の基板10において切断されて透明基板110になる各部分に設けられる。図1(B)に示す例では、溝12によって囲まれた部分(図3参照)に、各スペーサ18を設ける。各スペーサ18は、隣り合ったスペーサと連続的に(切れ目がないように)形成されていてもよい。この場合、スペーサ18の取り付けが容易になる。各スペーサ18は、後述する光学的部分22を囲む形状になっている。
【0038】
本実施の形態では、スペーサ18は、樹脂で形成する。第1及び第2の基板10,20との接着を考慮して、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂又はそれらを組み合わせた樹脂等のような接着性を有する樹脂を使用してもよい。例えば、感光性樹脂(感光性ポリイミド等のフォトレジスト等)の層を第1の基板10に設け、フォトリソグラフィを適用して、これをパターニングすることでスペーサ18を形成してもよい。あるいは、スクリーン印刷によってスペーサ18を形成してもよい。なお、光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂で形成されたスペーサ18は、仮硬化させることでその変形を抑えることができる。また、上記のスペーサ18を構成する樹脂が紫外線硬化型であれば、仮硬化には、弱い紫外線の照射を適用することができる。ここで、仮硬化とは、樹脂が完全に硬化しない状態であって、仮硬化した樹脂の流動性が室温下での樹脂の流動性よりも低くなるようにした状態のことをいう。これにより、第1及び第2の基板10,20をスペーサ18を介して相互に取り付ける際に、樹脂が変形しにくくなるため、下記の光学的部分22に樹脂が付着しにくくすることができる。従って、樹脂の付着による光学的部分への光の入出射の阻害を防ぐことができる。また、スペーサ18は少なくとも表面が絶縁性の材料からなることが好ましい。
【0039】
図1(C)に示すように、第2の基板20を用意する。第2の基板20には、後述する切断工程での作業性を向上させるためにシート21を貼り付けておいてもよい。図2は、第2の基板20の一部を拡大した図である。第2の基板20は、光学的部分22を含む複数の光素子100を有する。光素子100は、光学的部分22と電極34とを含む。光学的部分22は、光が入射又は出射する部分(受光部又は発光部)を有するものであって、光エネルギーを他のエネルギー(例えば電気的エネルギー)に、又は、他のエネルギー(例えば、電気的エネルギー)を光エネルギーに、変換するための部分を有するものである。1つの光学的部分22は、複数のエネルギー変換部(受光部又は発光部)24を有していてもよい。
【0040】
本実施の形態では、固体撮像装置(例えばCCD、特にフォトダイオードを備えたCCD、CMOSセンサ等のイメージセンサ等)を例として説明する。この場合、それぞれの光学的部分22は、複数のエネルギー変換部(受光部又はイメージセンサ部等)24を有する。図2に示すように、複数のエネルギー変換部24は、二次元的に並べられて、画像センシングを行えるようになっている。エネルギー変換部24は、光透過性を有するパッシベーション膜26で覆われていてもよい。第2の基板20が、半導体基板(例えば半導体ウエハ等)を含むものであれば、SiO2、SiNでパッシベーション膜26を形成してもよい。
【0041】
光学的部分22は、カラーフィルタ28を有していてもよい。カラーフィルタ28は、パッシベーション膜26上に形成されていてもよい。また、カラーフィルタ28上に平坦化層30が設けられてもよい。光学的部分22の表面には、マイクロレンズアレイ32が設けられてもよい。この場合、第1の基板10及びスペーサ18は、少なくとも第2の基板20のうちマイクロレンズアレイ32が設けられた領域を封止する。
【0042】
第2の基板20には、複数の電極34が形成されている。図2に示す電極34は、パッド上に形成されたバンプを有するが、パッドのみであってもよい。図2に示すように、電極34は、個々の光素子100において光学的部分22の外側に形成されていることが好ましい。例えば、隣りあった光学的部分22の間に、電極34が形成されていてもよい。1つの光学的部分22に、1グループの電極34(複数)が対応している。例えば、図5(B)に示すように、光学的部分22の複数辺(例えば対向する二辺)に沿って電極34を配置してもよい。また、電極34は、光学的部分22の1辺に沿って配置してもよい。
【0043】
図1(C)に示すように、第1及び第2の基板10,20を対向させる。詳しくは、第2の基板20における光学的部分22が形成された面と、第1の基板10とを対向させる。図3は、対向する第1及び第2の基板を示す平面図である。第1の基板10が溝12を有する場合は、溝を有する面が、第2の基板20に向けられるように配置されてもよい。また、切断された第1の基板10にシート14等の保持材が設けられている場合は、保持材が設けられている面の反対面が、第2の基板に向けられるように配置されてもよい。この際、第1及び第2の基板10,20の間にスペーサ18を介在させる。スペーサ18は、第2の基板20の光学的部分22を囲むように配置する(図5(B)参照)。
【0044】
図4(A)に示すように、第1及び第2の基板10,20を、スペーサ18を介して相互に取り付ける。例えば、熱硬化性樹脂でスペーサ18を形成した場合には、第1の基板10に設けられたスペーサ18と第2の基板20とを接触させて、スペーサ18を加熱してその接着力を発現させる。あるいは、第2の基板とスペーサ18との間に接着剤を設けてもよい。こうして、第1の基板10及びスペーサ18によって光学的部分22を封止することができる。本実施の形態では、第1及び第2の基板10,20の間に空間が形成されるように、光学的部分22を封止する。ここで、空間を、大気圧よりも減圧してもよいし、真空にしてもよいし、窒素やドライエア等で満たしてもよい。例えば、大気圧よりも低い気圧下、真空下、又は、窒素、若しくは、ドライエア等の雰囲気下で封止工程を行うことにより、上記構成が得られる。これにより、空間内の水蒸気等を減少させることができ、半導体装置又は電子部品等の製品の結露や過熱工程における空間の内圧の上昇による破裂を防止することができる。なお、必要であれば、第1の基板10に貼られたシート14を剥がす。さらに、この封止工程の直前に、第1及び第2の基板10、20を洗浄及び乾燥などを行うことが好ましい。これは、封止する直前に光学的部分22の清浄化を行うことにより、空間内のゴミ・ケバ等を抑えることができ、さらに最終製品の歩留まりを向上することができるためである。
【0045】
図4(B)に示すように、第1の基板10を透明基板110に切断する。この切断は、第1の基板10において透明基板110となる部分を避けて行う。すなわち、スペーサ18によって囲まれた領域(光学的部分22が位置する。)及びスペーサ18の外側で、又は、スペーサ18の少なくとも一部を残して第1の基板10を切断する。本実施の形態では、溝12に沿って、第1の基板10を切断する。
【0046】
第1の基板10の切断ラインは、第2の基板20における電極34の上方に位置する。この後の工程において、電極34に対する電気的な接続を行いやすくするため、第1の基板10における電極34の上方の部分を除去する。例えば、第1の基板10を切断するための第1のカッタ36として、切削して切断を行うツールを用いる。こうして、電極34の上方を開放させる。なお、第1のカッタ36(例えばダイシングブレード)は、後述する第2のカッタ38よりも切断幅が大きいものを用いることが好ましい。
【0047】
図4(B)に示す例では、第1のカッタ36により、溝12を形成する。これは、切断工程において第2の基板20にダメージを与えにくくするためのものであり、第1の基板10の切断位置を明示することもできるものである。本実施例では、溝12を設ける形態を示したが、溝12を設けず、第1のカッタ36により、第1の基板10を直接切断してもよい。第1のカッタ36の幅は、溝12の幅と実質的に等しい。ここで、実質的に等しいとは、完全に等しい場合と、誤差を考慮して等しい場合を含む。あるいは、第1のカッタ36の幅が、溝12の幅よりも小さくてもよい。その場合、溝12の内側で第1の基板10が切断されるので、透明基板110は、端部に段ができる。あるいは、第1のカッタ36の幅が、溝12の幅よりも大きくてもよい。さらに、第1のカッタ36の幅が、隣同士のスペーサ18の間隔よりも大きくてもよい。その場合、第1の基板10を切断するときに、スペーサ18の一部を切り欠くことになる。
【0048】
第1の基板10の切断は、電極34や第2の基板20、特に第2の基板20の表面を破損しないように行う。本実施の形態では、第1の基板10における溝12が形成された面が電極34を向いている。したがって、溝12の深さ分、第1の基板10の表面が電極34から離れているので、第1のカッタ36の先端が電極34に接触しにくくなっている。
【0049】
図4(C)に示すように、第2の基板20を切断して、個々の光素子100とする。その切断に使用する第2のカッタ38(例えばダイシングブレード)は、第1のカッタ36よりも幅の小さいものであってもよい。第2の基板20は、光学的部分22の外側であって、さらに電極34の外側で切断する。図4(C)に示す例では、隣同士の光学的部分22の間に、それぞれの光学的部分22に対応する電極34が形成されており、それらの電極34(複数)の間で第2の基板20を切断する。第2の基板20にシート21が貼り付けられていれば、第2の基板20を光素子100ごとに分離しても各光素子100がバラバラにならない。こうして、透明基板110及びスペーサ18により封止された光デバイスが得られる。本実施の形態によれば、光学的部分22を封止してから第2の基板20を切断するので、封止部内にゴミが入ることがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。
【0050】
図5(A)及び図5(B)は、本発明の第1の実施の形態に係る光デバイスを説明する図である。光デバイスは、透明基板110と、光素子100と、スペーサ18と、を有する。透明基板110から光学的部分22に光が入射する。光素子100に設けられた光学的部分22は、透明基板110とスペーサ18とによって封止されている。光学的部分22と透明基板110との間には、空間が形成されている。その空間は、真空になっていてもよいし、窒素やドライエアで満たされていてもよい。そうすることで、光学的部分22に結露が生じない。光学的部分22の外側であって、さらに光学的部分22を封止する部材(透明基板110及びスペーサ18)の外側には、光素子100に電極34が設けられている。その他の詳細は、上述した光デバイスの製造方法で説明した内容が該当する。
【0051】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【0052】
(第2の実施の形態)
図6(A)及び図6(B)は、本発明の第2の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。本実施の形態では、図6(A)に示すように、第2の基板20にスペーサ18を形成する。第2の基板20にパッシベーション膜が形成されている場合には、その上にスペーサ18を形成してもよいし、スペーサ18の形成領域にはパッシベーション膜を形成しないようにしてもよい。スペーサ18の形成方法については、第1の実施の形態で説明した通りである。そして、図6(B)に示すように、第1の基板10をスペーサ18に取り付ける。第1の基板10とスペーサ18の接着には、第1の実施の形態で説明した第2の基板20とスペーサ18の接着の内容を適用することができる。その他の内容についても、第1の実施の形態で説明した内容が該当する。
【0053】
(第3の実施の形態)
図7(A)〜図7(E)は、本発明の第3の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第1の実施の形態で説明した第1及び第2の基板10,20を使用するが、スペーサを金属で形成する。すなわち、第1及び第2の基板10,20の一方にスペーサを金属で形成し、第1及び第2の基板10,20の他方をスペーサに取り付ける。
【0054】
図7(A)に示すように、第1の基板10に、ろう材(又はシールメタル)40を設ける。ろう材40は、軟ろう及び硬ろうのいずれでもよい。ろう材40を設ける方法は、蒸着、スパッタリング、CVD、メッキ(例えば無電解メッキ)のいずれでもよい。はんだペーストのように、ろう材40がペースト状であれば、スクリーン印刷を適用してもよい。ろう材40は、スペーサとの取り付け位置に設ける。詳しくは、第1の実施の形態で説明した。
【0055】
図7(B)に示すように、第1の基板10に溝12を形成する。その詳細も、第1の実施の形態で説明した。本実施の形態では、ろう材40を設けてから溝12を形成するが、順序は逆でもよい。
【0056】
図7(C)に示すように、第2の基板20にスペーサ42を形成する。スペーサ42は、ニッケルや金などの金属で形成する。その形成方法には、メッキ(例えば無電解メッキ)を適用することができる。
【0057】
図7(D)に示すように、第1及び第2の基板10,20を、スペーサ42を介して相互に取り付ける。具体的には、第1の基板10をスペーサ42に接合する。その接合には、ろう接を適用する。詳しくは、第1の基板10に形成されたろう材40を、加熱により溶融させて、第1の基板10及びスペーサ42を接合する。
【0058】
図7(E)に示すように、第1及び第2の基板10,20が相互に取り付けられたら、その後、図4(B)及び図4(C)に示す工程を行う。こうして得られた光デバイスにおいて、光学的部分22は、透明基板110、スペーサ42及びろう材40によって封止されている。
【0059】
その他の詳細については、第1の実施の形態で説明した内容が該当する。本実施の形態の変形例として、第1の基板10に金属のスペーサを設け、そのスペーサと第2の基板20とを接合してもよい。また、本実施の形態では、ろう接を適用したが、ろう材を設けないで、接着剤を使用してもよい。
【0060】
(第4の実施の形態)
図8は、本発明の第4の実施の形態に係る光モジュール及び回路基板を説明する図である。図8に示す光モジュールは、図5(A)に示す光デバイス50を有する。光デバイス50は、支持部材(例えばケース)52に取り付けられている。支持部材52には、配線54が形成されている。支持部材52は、配線54等を有しない部材からなるものであってもよい。支持部材52は、MID(Molded Interconnect Device)であってもよい。光デバイス50の電極34と配線54とは、電気的に接続されている。電気的接続には、例えばワイヤ56を用いてもよい。また、電気的な接続部(例えばワイヤ56及びそのボンディングされた部分)には、封止材料58が設けられている。すなわち、電気的な接続部は、封止材料58で封止されている。封止材料58は、例えばポッティングによって設けてもよい。光デバイス50は、透明基板110及びスペーサ18によって光学的部分22が封止されているので、封止材料58が光学的部分22を覆わない。これは、透明基板110及びスペーサ18が、封止材料58に対してダムとして機能するためである。
【0061】
配線54の一部は、外部端子(例えばリード)60となっている。外部端子60は、回路基板62に形成された配線パターン64と電気的に接続されている。図8に示す例では、回路基板62に穴が形成されており、その穴に外部端子60が挿入されている。その穴の周囲に配線パターン64のランドが形成され、そのランドと外部端子60とは、ろう材(例えばはんだ)で接合されている。このように、回路基板62は、光モジュールが実装されてなる。
【0062】
(その他の実施の形態)
図9は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを説明する図である。図9に示す光モジュールは、図5(A)に示す光デバイス50と、これが取り付けられた支持部材70とを有する。支持部材70には、穴72が形成されており、透明基板110の少なくとも一部が穴72の内側に位置している。また、穴72には、レンズホルダ74が取り付けられている。レンズホルダ74にも穴76が形成され、その内側にレンズ78が取り付けられている。穴76,72は連通しており、レンズ78にて集光した光が第1の基板10に入射する。なお、透明基板110は、赤外線の領域の光をカットするものであってもよい。光デバイス50の電極34と、支持部材70の配線79との接合には、接着剤、異方性導電材料、異方性導電膜、金属接合のいずれを適用してもよい。また、光デバイス50と支持部材70との間に、図示しないアンダーフィル材を設けてもよい。
【0063】
図10は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを説明する図である。図10に示す光モジュールは、図5(A)に示す光デバイス50と、これが取り付けられた支持部材80とを有する。支持部材80には、穴82が形成されており、透明基板110の少なくとも一部が穴82の内側に位置している。また、穴82には、レンズホルダ74が取り付けられている(詳しくは上述した)。
【0064】
図10において、光デバイス50は、基板84に実装されており、その電極34と基板84に形成された配線パターン86とが接合されている。その接合には、接着剤、異方性導電材料、異方性導電膜、金属接合のいずれを適用してもよい。また、光デバイス50と基板84との間に、図示しないアンダーフィル材を設けてもよい。基板84にも穴88が形成されている。穴76,82,88は連通しており、レンズ78にて集光した光が第1の基板10に入射する。
【0065】
基板84には、電子部品(例えば半導体チップ)90が実装(例えばフェースダウンボンディング)されている。電子部品90と配線パターン86とは電気的に接続されている。その他、図示しない複数の電子部品が実装されていてもよい。基板84が屈曲し、電子部品90と光デバイス50とが接着剤92を介して接着されている。なお、予め、光デバイス50と電子部品90をそれぞれ基板84に実装してから、基板84を屈曲させて、光デバイス50と電子部品90を接着してもよい。
【0066】
本発明の実施の形態に係る電子機器として、図11に示すノート型パーソナルコンピュータ1000は、光モジュールが組み込まれたカメラ1100を有する。また、図12に示すデジタルカメラ2000は光モジュールを有する。さらに、図13(A)及び図13(B)に示す携帯電話3000は、光モジュールが組み込まれたカメラ3100を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(A)〜図1(C)は、本発明の第1の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図2】図2は、本発明の第1の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図3】図3は、本発明の第1の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図4】図4(A)〜図4(C)は、本発明の第1の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図5】図5(A)〜図5(B)は、本発明の第1の実施の形態に係る光デバイスを説明する図である。
【図6】図6(A)〜図6(B)は、本発明の第2の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図7】図7(A)〜図7(E)は、本発明の第3の実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図である。
【図8】図8は、本発明の第4の実施の形態に係る光モジュール及び回路基板を説明する図である。
【図9】図9は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。
【図10】図10は、本発明の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。
【図11】図11は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図12】図12は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図13】図13(A)〜図13(B)は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
10 第1の基板
12 溝
18 スペーサ
20 第2の基板
22 光学的部分
24 エネルギー変換部(受光部)
28 カラーフィルタ
32 マイクロレンズアレイ
34 電極
36 第1のカッタ
38 第2のカッタ
40 ろう材
42 スペーサ
50 光デバイス
52 支持部材
62 回路基板
70 支持部材
80 支持部材
100 光素子
110 透明基板

Claims (19)

  1. (a)光透過性の第1の基板と、画像センシング用に並べられた複数の受光部を有してなる光学的部分を有する光素子が複数形成された第2の基板とを、それぞれの前記光学的部分を囲む形状のスペーサを介して対向させ、
    (b)前記スペーサを介して前記第1の基板と前記第2の基板とを接続することによって、前記第1の基板及び前記スペーサによりそれぞれの前記光学的部分を封止し、その後、
    (c)前記第1の基板をダイシングブレードによって複数の透明基板に切断し、その後、前記第2の基板を、1つの封止された前記光学的部分を含む個々の前記光素子に切断することを含み、
    前記光素子は、前記光学的部分の封止領域の外側に電極を有し、
    前記(c)工程で、前記第1の基板を切断するときに、前記第1の基板における前記電極の上方の部分を除去する光デバイスの製造方法。
  2. 請求項1記載の光デバイスの製造方法において、
    前記第1の基板は第1のカッタで切断し、前記第2の基板は第2のカッタで切断する光デバイスの製造方法。
  3. 請求項2記載の光デバイスの製造方法において、
    前記第1のカッタの幅は、前記第2のカッタの幅よりも大きい光デバイスの製造方法。
  4. 請求項1から請求項3のいずれかに記載の光デバイスの製造方法において、
    前記第1の基板は、切断ラインに沿った溝を有し、
    前記(c)工程で、前記溝が形成された領域において、前記第1の基板を切断する光デバイスの製造方法。
  5. 請求項1から請求項4のいずれかに記載の光デバイスの製造方法において、
    前記(a)工程で、前記第1又は第2の基板の一方に前記スペーサを形成し、
    前記(b)工程で、前記第1又は第2の基板の他方を前記スペーサに取り付ける光デバイスの製造方法。
  6. 請求項1から請求項5のいずれかに記載の光デバイスの製造方法において、
    前記スペーサは、熱硬化性樹脂を有し、
    前記スペーサを、前記(b)工程で加熱することにより、前記第1の基板と前記第2の基板とを接続する光デバイスの製造方法。
  7. 請求項1から請求項5のいずれかに記載の光デバイスの製造方法において、
    前記スペーサは、光硬化性樹脂を有し、
    前記スペーサに対して、前記(b)工程で光を照射することにより、前記第1の基板と前記第2の基板とを接続する光デバイスの製造方法。
  8. 請求項6記載の光デバイスの製造方法において、
    前記(b)工程よりも前に、前記熱硬化性樹脂を仮硬化させる光デバイスの製造方法。
  9. 請求項7記載の光デバイスの製造方法において、
    前記(b)工程よりも前に、前記光硬化性樹脂を仮硬化させる光デバイスの製造方法。
  10. 請求項5記載の光デバイスの製造方法において、
    前記スペーサは、金属で形成され、
    前記(b)工程で、ろう接を行う光デバイスの製造方法。
  11. 請求項10記載の光デバイスの製造方法において、
    前記第1及び第2の基板のうち前記スペーサに取り付けられる基板に、前記ろう接を行う前に、ろう材を設けておく光デバイスの製造方法。
  12. 請求項1から請求項11のいずれかに記載の光デバイスの製造方法において、
    前記(b)工程で、前記第1の基板及び前記光学的部分との間に空間が形成されるように、前記光学的部分を封止する光デバイスの製造方法。
  13. 請求項12記載の光デバイスの製造方法において、
    前記(b)工程で、前記空間が真空になるように、前記光学的部分を封止する光デバイスの製造方法。
  14. 請求項12記載の光デバイスの製造方法において、
    前記(b)工程で、前記空間が窒素で充満するように、前記光学的部分を封止する光デバイスの製造方法。
  15. 請求項12記載の光デバイスの製造方法において、
    前記(b)工程で、前記空間がドライエアで充満するように、前記光学的部分を封止する光デバイスの製造方法。
  16. 請求項1から請求項15のいずれかに記載の光デバイスの製造方法において、
    前記第1の基板は、少なくとも可視光を通過させ、赤外線を通過させないものである光デバイスの製造方法。
  17. 請求項1から請求項16のいずれかに記載の光デバイスの製造方法において、
    前記第2の基板は、半導体ウエハである光デバイスの製造方法。
  18. 請求項1から請求項17のいずれかに記載の光デバイスの製造方法において、
    それぞれの前記光学的部分は、前記受光部の上方に設けられたカラーフィルタを有してなる光デバイスの製造方法。
  19. 請求項1から請求項18のいずれかに記載の光デバイスの製造方法において、
    それぞれの前記光学的部分は、前記第2の基板の表面に設けられたマイクロレンズアレイを有してなる光デバイスの製造方法。
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