JP3494948B2 - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子の実
装にフェースダウンボンディング工法を用いた固体撮像
装置およびその製造方法に関するものである。
装にフェースダウンボンディング工法を用いた固体撮像
装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像装置として、例えば、特
開平６−２０４４４２号公報にて公開された固体撮像装
置がある。上記固体撮像装置の概略構成を図１１に、そ
の製造方法を図１２ないし図１５に示す。
開平６−２０４４４２号公報にて公開された固体撮像装
置がある。上記固体撮像装置の概略構成を図１１に、そ
の製造方法を図１２ないし図１５に示す。
【０００３】上記固体撮像装置は、図１１に示すよう
に、外部に電気信号を出力する電極端子群１０３と、該
電極端子群１０３上の周囲に絶縁性樹脂による突起枠１
０４とが形成されたガラス基板１０１に対し、突起電極
１０５が形成された固体撮像素子１０２を導電性接着剤
１０６にて接着し、上記ガラス基板１０１と固体撮像素
子１０２との隙間のうち、固体撮像素子１０２の受光エ
リア１０２ａを除く範囲を封止樹脂１０７で封止した構
成である。
に、外部に電気信号を出力する電極端子群１０３と、該
電極端子群１０３上の周囲に絶縁性樹脂による突起枠１
０４とが形成されたガラス基板１０１に対し、突起電極
１０５が形成された固体撮像素子１０２を導電性接着剤
１０６にて接着し、上記ガラス基板１０１と固体撮像素
子１０２との隙間のうち、固体撮像素子１０２の受光エ
リア１０２ａを除く範囲を封止樹脂１０７で封止した構
成である。
【０００４】上記固体撮像装置の製造方法としては、ま
ず第一工程において、図１２に示すように、上記固体撮
像素子１０２に設けた突起電極１０５に対して導電性接
着剤１０６を転写法にて塗布する。
ず第一工程において、図１２に示すように、上記固体撮
像素子１０２に設けた突起電極１０５に対して導電性接
着剤１０６を転写法にて塗布する。
【０００５】次に、第二工程において、図１３（ａ）、
（ｂ）に示すように、上記ガラス基板１０１上に、蒸着
法にて銅(Cu)等の金属膜を形成した後、該金属膜に配線
加工を施して電極端子１０３を形成し、さらに、エポキ
シ系材料を主成分としたペーストを用い印刷法によって
突起枠１０４を形成する。
（ｂ）に示すように、上記ガラス基板１０１上に、蒸着
法にて銅(Cu)等の金属膜を形成した後、該金属膜に配線
加工を施して電極端子１０３を形成し、さらに、エポキ
シ系材料を主成分としたペーストを用い印刷法によって
突起枠１０４を形成する。
【０００６】続く第三工程においては、図１４に示すよ
うに、導電性接着剤１０６を転写した固体撮像素子１０
２と、上記第二工程でエポキシ系材料を印刷して突起枠
１０４を形成したガラス基板１０１とを接合した後、加
熱装置にて加熱し導電性接着剤１０６および突起枠１０
４を硬化させる。
うに、導電性接着剤１０６を転写した固体撮像素子１０
２と、上記第二工程でエポキシ系材料を印刷して突起枠
１０４を形成したガラス基板１０１とを接合した後、加
熱装置にて加熱し導電性接着剤１０６および突起枠１０
４を硬化させる。
【０００７】最後に、第四工程において、図１５に示す
ように、固体撮像素子１０２とガラス基板１０１との隙
間のうち、突起枠１０４の外周範囲へ封止樹脂１０７を
浸透させた後、加熱装置で加熱して封止樹脂１０７を硬
化させる。
ように、固体撮像素子１０２とガラス基板１０１との隙
間のうち、突起枠１０４の外周範囲へ封止樹脂１０７を
浸透させた後、加熱装置で加熱して封止樹脂１０７を硬
化させる。
【０００８】上記固体撮像装置は、ガラス基板１０１側
から入射される光を固体撮像素子１０２によって電気信
号に変換し、該電気信号を突起電極１０５および電極端
子１０３を介して画像信号として外部に出力する装置で
ある。
から入射される光を固体撮像素子１０２によって電気信
号に変換し、該電気信号を突起電極１０５および電極端
子１０３を介して画像信号として外部に出力する装置で
ある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記固体撮像装置で
は、光が入射する領域、すなわち上記受光エリア１０２
ａに異物が付着すると、該異物によって入射光が遮ら
れ、出力画像において黒点として異物が写し出されてし
まう。このため、上記固体撮像装置の製造には、受光エ
リア１０２ａに異物が付着しないように厳しい異物対策
が要求される。
は、光が入射する領域、すなわち上記受光エリア１０２
ａに異物が付着すると、該異物によって入射光が遮ら
れ、出力画像において黒点として異物が写し出されてし
まう。このため、上記固体撮像装置の製造には、受光エ
リア１０２ａに異物が付着しないように厳しい異物対策
が要求される。
【００１０】具体的な異物対策としては、例えば、以下
に示すような三つの方法が考えられる。一つは異物が厳
しく管理された清浄度の高い環境下で固体撮像装置を製
造する方法、もう一つは付着した異物を除去する工程を
追加する方法、さらにもう一つは製造工程において受光
面上のハンドリングおよびオペレーションを避けるとい
う方法である。
に示すような三つの方法が考えられる。一つは異物が厳
しく管理された清浄度の高い環境下で固体撮像装置を製
造する方法、もう一つは付着した異物を除去する工程を
追加する方法、さらにもう一つは製造工程において受光
面上のハンドリングおよびオペレーションを避けるとい
う方法である。
【００１１】しかしながら、上記従来の技術では、固体
撮像素子１０２に設けられた突起電極１０５に対して導
電性接着剤１０６を転写する工程、およびガラス基板１
０１に対して突起枠１０４を印刷する工程で、受光面上
でオペレーションを行う必要が生じており、この作業中
に異物が付着する虞があった。
撮像素子１０２に設けられた突起電極１０５に対して導
電性接着剤１０６を転写する工程、およびガラス基板１
０１に対して突起枠１０４を印刷する工程で、受光面上
でオペレーションを行う必要が生じており、この作業中
に異物が付着する虞があった。
【００１２】また、導電性接着剤１０６や突起枠１０４
を形成する樹脂の硬化は、固体撮像素子１０２とガラス
基板１０１とを実装した後、加熱装置で加熱することに
よって行われる。このため、上記固体撮像素子１０２に
導電性接着剤１０６を転写した直後や、上記ガラス基板
に１０１に突起枠１０４を印刷した直後の状態では、固
体撮像素子１０２やガラス基板１０１の受光面上に異物
付着が認められても、導電性接着剤１０６や突起枠１０
４が固まっていない状態であるため、異物除去の工程を
入れることができず、一度受光面に付着した異物は取り
除くことができないという問題がある。
を形成する樹脂の硬化は、固体撮像素子１０２とガラス
基板１０１とを実装した後、加熱装置で加熱することに
よって行われる。このため、上記固体撮像素子１０２に
導電性接着剤１０６を転写した直後や、上記ガラス基板
に１０１に突起枠１０４を印刷した直後の状態では、固
体撮像素子１０２やガラス基板１０１の受光面上に異物
付着が認められても、導電性接着剤１０６や突起枠１０
４が固まっていない状態であるため、異物除去の工程を
入れることができず、一度受光面に付着した異物は取り
除くことができないという問題がある。
【００１３】さらに、清浄度の高い環境下で上記固体撮
像装置を製造する方法は、上記従来の固体撮像装置にお
いても適用可能ではあるが、異物が厳しく管理されたク
リーンルーム内での製造工程を必要とするため、設備コ
ストが大きくなるといった問題がある。
像装置を製造する方法は、上記従来の固体撮像装置にお
いても適用可能ではあるが、異物が厳しく管理されたク
リーンルーム内での製造工程を必要とするため、設備コ
ストが大きくなるといった問題がある。
【００１４】また、上記固体撮像装置では、ガラス基板
１０１界面に直接金属膜を形成しているため、該金属膜
から電極端子群１０３を形成する配線加工において、非
常に高い技術（ドライエッチング工法を用いてガラス基
板１０１と金属膜との界面の直前まで金属膜のエッチン
グを行った後、ウエットエッチング工法にてガラス基板
１０１の受光領域の界面を荒らさないように残った金属
膜を除去しなければならない）が要求されるという問題
がある。
１０１界面に直接金属膜を形成しているため、該金属膜
から電極端子群１０３を形成する配線加工において、非
常に高い技術（ドライエッチング工法を用いてガラス基
板１０１と金属膜との界面の直前まで金属膜のエッチン
グを行った後、ウエットエッチング工法にてガラス基板
１０１の受光領域の界面を荒らさないように残った金属
膜を除去しなければならない）が要求されるという問題
がある。
【００１５】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、その目的は、受光面における異物の付
着を防止し、安価で且つ高品位の固体撮像装置およびそ
の製造方法を提供することにある。
なされたもので、その目的は、受光面における異物の付
着を防止し、安価で且つ高品位の固体撮像装置およびそ
の製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置の
製造方法は、上記の課題を解決するために、透明基板に
固体撮像素子が実装されてなる固体撮像装置の製造方法
において、上記透明基板上に絶縁層を形成する絶縁層形
成工程と、上記絶縁層上に所定のパターンを有する配線
層を形成する配線層形成工程と、上記配線層の形成後、
上記絶縁層形成工程によって形成された上記絶縁層のう
ち、上記固体撮像素子の受光領域に対応する部分を除去
して、該透明基板の受光領域表面を露出させる絶縁層除
去工程と、上記配線層に上記固体撮像素子を接合する接
合工程とを含むことを特徴としている。
製造方法は、上記の課題を解決するために、透明基板に
固体撮像素子が実装されてなる固体撮像装置の製造方法
において、上記透明基板上に絶縁層を形成する絶縁層形
成工程と、上記絶縁層上に所定のパターンを有する配線
層を形成する配線層形成工程と、上記配線層の形成後、
上記絶縁層形成工程によって形成された上記絶縁層のう
ち、上記固体撮像素子の受光領域に対応する部分を除去
して、該透明基板の受光領域表面を露出させる絶縁層除
去工程と、上記配線層に上記固体撮像素子を接合する接
合工程とを含むことを特徴としている。
【００１７】上記の構成によれば、最初の絶縁層形成工
程にて上記透明基板の受光面表面が絶縁層によって覆わ
れ、該絶縁層はその後の配線層形成工程におけるハンド
リングおよびオペレーションが行われている間、上記透
明基板の受光面表面を保護することとなる。そして、上
記透明基板の固体撮像素子を接合する接合工程の直前に
おける絶縁層除去工程にて、上記絶縁層のうち、上記固
体撮像素子の受光領域に対応する部分を除去して、該透
明基板の受光領域表面を露出させる。
程にて上記透明基板の受光面表面が絶縁層によって覆わ
れ、該絶縁層はその後の配線層形成工程におけるハンド
リングおよびオペレーションが行われている間、上記透
明基板の受光面表面を保護することとなる。そして、上
記透明基板の固体撮像素子を接合する接合工程の直前に
おける絶縁層除去工程にて、上記絶縁層のうち、上記固
体撮像素子の受光領域に対応する部分を除去して、該透
明基板の受光領域表面を露出させる。
【００１８】これにより、上記配線層形成工程におい
て、上記絶縁層の上記固体撮像素子の受光領域に対応す
る部分に異物が付着しても、その後の絶縁層除去工程に
おいて、その異物は上記絶縁層と共に除去される。この
ため、上記製造方法では、製造工程中の異物付着の虞が
ある作業をできるだけ排除しつつ、高生産性の製造プロ
セスが実現可能となり、今後ますます小型・薄型化する
方向にある固体撮像装置を組み込んだ製品に対して、高
品位でより安価な固体撮像装置を提供することが可能と
なる。
て、上記絶縁層の上記固体撮像素子の受光領域に対応す
る部分に異物が付着しても、その後の絶縁層除去工程に
おいて、その異物は上記絶縁層と共に除去される。この
ため、上記製造方法では、製造工程中の異物付着の虞が
ある作業をできるだけ排除しつつ、高生産性の製造プロ
セスが実現可能となり、今後ますます小型・薄型化する
方向にある固体撮像装置を組み込んだ製品に対して、高
品位でより安価な固体撮像装置を提供することが可能と
なる。
【００１９】また、上記配線層形成工程によって形成さ
れる配線層は、透明基板上に直接形成されず、上記絶縁
層形成工程によって形成される絶縁層を介して透明基板
上に形成される。このため、上記配線層の配線のパター
ニングにおいて、上記透明基板の受光面表面を荒らすこ
となく容易にパターニングが行える。さらに、上記透明
基板と配線層との良好な密着性が得られる。
れる配線層は、透明基板上に直接形成されず、上記絶縁
層形成工程によって形成される絶縁層を介して透明基板
上に形成される。このため、上記配線層の配線のパター
ニングにおいて、上記透明基板の受光面表面を荒らすこ
となく容易にパターニングが行える。さらに、上記透明
基板と配線層との良好な密着性が得られる。
【００２０】また、上記固体撮像装置の製造方法におい
ては、上記配線層形成工程にて、配線層のパターン形成
時に、配線パターンと同時に識別マークを形成し、上記
接合工程にて、上記識別マークと固体撮像素子に形成さ
れているアライメントマークとを基準としてアライメン
トを行い、固体撮像素子の電極と上記配線パターンの固
体撮像素子用接続端子とを接続することが好ましい。
ては、上記配線層形成工程にて、配線層のパターン形成
時に、配線パターンと同時に識別マークを形成し、上記
接合工程にて、上記識別マークと固体撮像素子に形成さ
れているアライメントマークとを基準としてアライメン
トを行い、固体撮像素子の電極と上記配線パターンの固
体撮像素子用接続端子とを接続することが好ましい。
【００２１】上記構成によれば、上記識別マークの形成
が配線パターンの形成と同時に行えるため効率的であ
る。
が配線パターンの形成と同時に行えるため効率的であ
る。
【００２２】また、上記固体撮像装置の製造方法におい
ては、上記配線層形成工程で形成される配線パターンは
Ａｌ系合金材料で形成されていると共に、た上記固体撮
像素子には上記配線と接続される電極が突起電極として
設けられており、上記接合工程にて、固体撮像素子の突
起電極と上記配線パターンの固体撮像素子用接続端子と
を超音波接続工法によって接続することが好ましい。
ては、上記配線層形成工程で形成される配線パターンは
Ａｌ系合金材料で形成されていると共に、た上記固体撮
像素子には上記配線と接続される電極が突起電極として
設けられており、上記接合工程にて、固体撮像素子の突
起電極と上記配線パターンの固体撮像素子用接続端子と
を超音波接続工法によって接続することが好ましい。
【００２３】上記構成によれば、上記接合工程におい
て、固体撮像素子の突起電極と上記配線パターンの固体
撮像素子用接続端子とを超音波接続工法によって接合す
ることにより、透明基板側の配線を拡散係数の高いアル
ミニウム系の合金材料で形成していることから、最大で
も100 ℃程度の低温で容易に接合でき、低温接続が可能
となる。また、超音波を印加するだけで合金が形成され
接合が完了されることから、高スループットを得ること
が可能となる。
て、固体撮像素子の突起電極と上記配線パターンの固体
撮像素子用接続端子とを超音波接続工法によって接合す
ることにより、透明基板側の配線を拡散係数の高いアル
ミニウム系の合金材料で形成していることから、最大で
も100 ℃程度の低温で容易に接合でき、低温接続が可能
となる。また、超音波を印加するだけで合金が形成され
接合が完了されることから、高スループットを得ること
が可能となる。
【００２４】さらに、上記固体撮像素子および上記透明
基板の接続に、導電性超接着剤でなく超音波接続工法を
用いることにより、実装直前の固体撮像素子においてそ
の表面に未硬化状態の接着剤が存在しない。このため、
上記固体撮像素子の実装直前に洗浄等による異物除去工
程を設けることが可能となる。このため、上記固体撮像
素子の受光面に付着する異物をも極力少なくすることが
でき、受光領域への異物付着による不良の発生を減少さ
せることができる。
基板の接続に、導電性超接着剤でなく超音波接続工法を
用いることにより、実装直前の固体撮像素子においてそ
の表面に未硬化状態の接着剤が存在しない。このため、
上記固体撮像素子の実装直前に洗浄等による異物除去工
程を設けることが可能となる。このため、上記固体撮像
素子の受光面に付着する異物をも極力少なくすることが
でき、受光領域への異物付着による不良の発生を減少さ
せることができる。
【００２５】また、上記固体撮像装置の製造方法におい
ては、上記固体撮像装置は、１枚の透明基板母材上に複
数枚の固体撮像装置がマトリクス状に形成された後、ダ
イシング工程によって個々の固体撮像装置に分割されて
形成されるものであり、さらに、上記接合工程の後で上
記ダイシング工程の前に、上記透明基板母材の固体撮像
素子が実装された側から、上記固体撮像素子よりも大き
な開口部が設けられたマスクを被せ、印刷法によって上
記固体撮像素子と上記マスクの開口部との隙間に樹脂を
押し込むことによって上記固体撮像素子の周囲に封止樹
脂を形成する封止工程を含むことが好ましい。
ては、上記固体撮像装置は、１枚の透明基板母材上に複
数枚の固体撮像装置がマトリクス状に形成された後、ダ
イシング工程によって個々の固体撮像装置に分割されて
形成されるものであり、さらに、上記接合工程の後で上
記ダイシング工程の前に、上記透明基板母材の固体撮像
素子が実装された側から、上記固体撮像素子よりも大き
な開口部が設けられたマスクを被せ、印刷法によって上
記固体撮像素子と上記マスクの開口部との隙間に樹脂を
押し込むことによって上記固体撮像素子の周囲に封止樹
脂を形成する封止工程を含むことが好ましい。
【００２６】上記構成によれば、上記固体撮像素子の周
囲における封止樹脂の拡がりを抑えることができ、固体
撮像装置の小型化を図ることができる。すなわち、封止
樹脂を形成する方法として、従来からよく用いられるポ
ッティング法では、ポッティングされた封止樹脂が固体
撮像素子の周囲に拡がるため、固体撮像装置の小型化を
図る上で不利である。印刷法ではなく、上から樹脂をポ
ッティングする方法も考えられる。
囲における封止樹脂の拡がりを抑えることができ、固体
撮像装置の小型化を図ることができる。すなわち、封止
樹脂を形成する方法として、従来からよく用いられるポ
ッティング法では、ポッティングされた封止樹脂が固体
撮像素子の周囲に拡がるため、固体撮像装置の小型化を
図る上で不利である。印刷法ではなく、上から樹脂をポ
ッティングする方法も考えられる。
【００２７】これに対し、上記印刷法では、上記封止樹
脂は、上記固体撮像素子と固体撮像素子より僅かに大き
い上記マスクの開口部との隙間に押し込まれることによ
り、該封止樹脂は上記マスクによってその拡がりが抑え
られる。
脂は、上記固体撮像素子と固体撮像素子より僅かに大き
い上記マスクの開口部との隙間に押し込まれることによ
り、該封止樹脂は上記マスクによってその拡がりが抑え
られる。
【００２８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について図
１ないし図１０に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。
１ないし図１０に基づいて説明すれば、以下の通りであ
る。
【００２９】本実施の形態に係る固体撮像装置の概略構
成を図１および図２に示す。図１は上記固体撮像装置の
断面図、図２は分解斜視図である。
成を図１および図２に示す。図１は上記固体撮像装置の
断面図、図２は分解斜視図である。
【００３０】上記固体撮像装置は、ガラスまたは光学フ
ィルム等からなる透明基板１上に、固体撮像素子２を接
合してなる。上記透明基板１には、上記固体撮像素子２
の受光領域に対応する開口が設けられた絶縁膜３と、該
絶縁膜３上においてパターニングされた配線（配線層）
４とが形成されている。また、上記固体撮像素子２に
は、該固体撮像素子２を上記配線４と接続するための突
起電極５が形成されている。上記透明基板１と上記固体
撮像素子２とは、上記配線４のインナー側端子と突起電
極５とが接触するように接合されており、透明基板１と
固体撮像素子２との周囲の隙間は封止樹脂６によって封
止されている。また、上記配線４のアウター側端子に
は、外部回路との接続を容易にするための突起電極７が
形成されている。
ィルム等からなる透明基板１上に、固体撮像素子２を接
合してなる。上記透明基板１には、上記固体撮像素子２
の受光領域に対応する開口が設けられた絶縁膜３と、該
絶縁膜３上においてパターニングされた配線（配線層）
４とが形成されている。また、上記固体撮像素子２に
は、該固体撮像素子２を上記配線４と接続するための突
起電極５が形成されている。上記透明基板１と上記固体
撮像素子２とは、上記配線４のインナー側端子と突起電
極５とが接触するように接合されており、透明基板１と
固体撮像素子２との周囲の隙間は封止樹脂６によって封
止されている。また、上記配線４のアウター側端子に
は、外部回路との接続を容易にするための突起電極７が
形成されている。
【００３１】上記図１および図２に示す固体撮像装置で
は、上記固体撮像素子２において、図示しない遮光用金
属膜が形成されているものとする。しかしながら、上記
固体撮像素子２が遮光用金属膜を備えていない場合は、
図３および図４に示すように、透明基板１上に遮光用金
属膜を備えてもよい。すなわち、透明基板１の絶縁膜３
上に配線４を形成するのではなく、上記絶縁膜３上に遮
光用金属膜８を形成し、その上にさらに絶縁膜９を形成
する。そして、上記配線４は絶縁膜９の上に形成され
る。尚、上記遮光用金属膜８および絶縁膜９は、絶縁膜
３と同様、固体撮像素子２の受光領域に対応する開口が
設けられている。
は、上記固体撮像素子２において、図示しない遮光用金
属膜が形成されているものとする。しかしながら、上記
固体撮像素子２が遮光用金属膜を備えていない場合は、
図３および図４に示すように、透明基板１上に遮光用金
属膜を備えてもよい。すなわち、透明基板１の絶縁膜３
上に配線４を形成するのではなく、上記絶縁膜３上に遮
光用金属膜８を形成し、その上にさらに絶縁膜９を形成
する。そして、上記配線４は絶縁膜９の上に形成され
る。尚、上記遮光用金属膜８および絶縁膜９は、絶縁膜
３と同様、固体撮像素子２の受光領域に対応する開口が
設けられている。
【００３２】上記遮光用金属膜８を透明基板１上に備え
た場合は、以下に示すような利点がある。
た場合は、以下に示すような利点がある。
【００３３】先ず、透明基板１側に遮光用金属膜８を設
けることで、固体撮像素子２の製造プロセスにおいて、
該固体撮像素子２に遮光用金属膜を形成するプロセスを
省くことが可能となる。このことから、固体撮像素子２
の製造コストダウン、および固体撮像素子２に遮光用金
属膜を形成するプロセス上で該固体撮像素子２の受光面
にダストが付着する虞が軽減される。
けることで、固体撮像素子２の製造プロセスにおいて、
該固体撮像素子２に遮光用金属膜を形成するプロセスを
省くことが可能となる。このことから、固体撮像素子２
の製造コストダウン、および固体撮像素子２に遮光用金
属膜を形成するプロセス上で該固体撮像素子２の受光面
にダストが付着する虞が軽減される。
【００３４】また、ＴｉＷ等の遮光用金属膜８を配線４
の下層に配置することで、上記配線４と同時に形成され
たアライメントマークのコントラストがとれ（上記アラ
イメントマークが配線４と同じＡｌで形成され、２つの
金属膜の反射率が異なるため）、透明基板１と固体撮像
素子２と接合する接合工程において、上記アライメント
マークを画像認識した場合にエッジの誤認がなく、高精
度のボンディングが可能となる。
の下層に配置することで、上記配線４と同時に形成され
たアライメントマークのコントラストがとれ（上記アラ
イメントマークが配線４と同じＡｌで形成され、２つの
金属膜の反射率が異なるため）、透明基板１と固体撮像
素子２と接合する接合工程において、上記アライメント
マークを画像認識した場合にエッジの誤認がなく、高精
度のボンディングが可能となる。
【００３５】さらに、上記遮光用金属膜８の一部を抜く
ことで、基準ピン位置のマークとすることが可能とな
る。これにより、製造プロセス上で基準ピンマークを行
う工程を省くことができる。
ことで、基準ピン位置のマークとすることが可能とな
る。これにより、製造プロセス上で基準ピンマークを行
う工程を省くことができる。
【００３６】上記固体撮像装置の製造方法を図５（ａ）
ないし（ｉ）を参照して以下に説明する。尚、以下の説
明では、透明基板１において遮光用金属膜８が形成され
ている固体撮像装置を製造する場合の工程を例示する。
ないし（ｉ）を参照して以下に説明する。尚、以下の説
明では、透明基板１において遮光用金属膜８が形成され
ている固体撮像装置を製造する場合の工程を例示する。
【００３７】第一工程としては、図５（ａ）に示すよう
に、厚さ０．５ｍｍ〜０．７ｍｍのガラス等の透明板ま
たは光学フィルタからなる透明基板１上に、ＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition ）法やＰＶＤ（Physical Vap
or Deposition ）法によってＳｉＯ2 等の酸化膜又はＳ
ｉＮ等の窒化膜を絶縁膜３’として５００ｎｍ〜１００
０ｎｍの厚みで形成する。上記絶縁膜３’は、後にエッ
チングによって受光領域が開口された絶縁膜３となる
が、この時点ではエッチングは行わずに、透明基板１の
受光領域を配線加工が完了するまで保護する。透明基板
１上に上記絶縁膜３’を形成することにより、該透明基
板１と、その上に形成される配線等の金属膜との良好な
密着性を得ることができる。
に、厚さ０．５ｍｍ〜０．７ｍｍのガラス等の透明板ま
たは光学フィルタからなる透明基板１上に、ＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition ）法やＰＶＤ（Physical Vap
or Deposition ）法によってＳｉＯ2 等の酸化膜又はＳ
ｉＮ等の窒化膜を絶縁膜３’として５００ｎｍ〜１００
０ｎｍの厚みで形成する。上記絶縁膜３’は、後にエッ
チングによって受光領域が開口された絶縁膜３となる
が、この時点ではエッチングは行わずに、透明基板１の
受光領域を配線加工が完了するまで保護する。透明基板
１上に上記絶縁膜３’を形成することにより、該透明基
板１と、その上に形成される配線等の金属膜との良好な
密着性を得ることができる。
【００３８】次に、第二工程として、図５（ｂ）に示す
ように、遮光用金属膜８となるＴｉＷやＷＳｉの金属薄
膜８’をＣＶＤ法又はＰＶＤ法により１００ｎｍ〜２０
０ｎｍの厚さに積層し。遮光領域にフォトレジスト１０
のパターンを形成する。その後、図５（ｃ）に示すよう
に、上記金属薄膜の不要部分をドライ又はウエットエッ
チングによって取り除き、遮光用金属膜８を形成する。
ように、遮光用金属膜８となるＴｉＷやＷＳｉの金属薄
膜８’をＣＶＤ法又はＰＶＤ法により１００ｎｍ〜２０
０ｎｍの厚さに積層し。遮光領域にフォトレジスト１０
のパターンを形成する。その後、図５（ｃ）に示すよう
に、上記金属薄膜の不要部分をドライ又はウエットエッ
チングによって取り除き、遮光用金属膜８を形成する。
【００３９】上記遮光用金属膜８を形成した後、第三工
程として、図５（ｄ）に示すように、上記遮光用金属膜
８上に、絶縁膜９となるＳｉＯ2 等の酸化膜又はＳｉＮ
等の窒化膜をＣＶＤ法やＰＶＤ法により５００ｎｍ〜１
０００ｎｍの厚みで絶縁膜９’として積層し、該絶縁膜
９’上に後工程で積層する配線領域にフォトレジスト１
１のパターンを形成する。その後、図５（ｅ）に示すよ
うに、上記絶縁膜９’の不要部分をドライエッチングに
より取り除き、絶縁膜９を形成する。上記絶縁膜９’の
エッチングの際には、固体撮像素子２の受光領域にあた
る部分を配線加工終了まで保護しておく目的で、第一工
程で成膜した絶縁膜３’のエッチングまでは行わないこ
ととする。
程として、図５（ｄ）に示すように、上記遮光用金属膜
８上に、絶縁膜９となるＳｉＯ2 等の酸化膜又はＳｉＮ
等の窒化膜をＣＶＤ法やＰＶＤ法により５００ｎｍ〜１
０００ｎｍの厚みで絶縁膜９’として積層し、該絶縁膜
９’上に後工程で積層する配線領域にフォトレジスト１
１のパターンを形成する。その後、図５（ｅ）に示すよ
うに、上記絶縁膜９’の不要部分をドライエッチングに
より取り除き、絶縁膜９を形成する。上記絶縁膜９’の
エッチングの際には、固体撮像素子２の受光領域にあた
る部分を配線加工終了まで保護しておく目的で、第一工
程で成膜した絶縁膜３’のエッチングまでは行わないこ
ととする。
【００４０】尚、上記第二および第三工程は、遮光用金
属膜８を形成する場合に必要な工程であり、図１および
図２に示すような遮光用金属膜８を設けない固体撮像装
置の製造工程においては省略される。
属膜８を形成する場合に必要な工程であり、図１および
図２に示すような遮光用金属膜８を設けない固体撮像装
置の製造工程においては省略される。
【００４１】続く第四工程として、図５（ｆ）に示すよ
うに、半導体素子等の配線材料として一般的に用いられ
るアルミニウムを主材料としたＡｌ−ＳｉやＡｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ等の合金金属材料をＰＶＤ法の一つであるスパッ
タリング法により配線用金属膜４’として１０００ｎｍ
〜１００００ｎｍの厚さに積層した後、該配線用金属膜
４’上に希望する配線形状にフォトレジスト１２のパタ
ーンを形成する。その後、図５（ｇ）に示すように、上
記配線用金属膜４’の不要な部分をドライエッチングに
より取り除き、配線４を形成する。尚、上記配線用金属
膜４’の成膜にスパッタリング法を用いるのは、スパッ
タリング法は蒸着法等とは異なり、ターゲット材を溶融
温度まで加熱する必要がなく低温で成膜できるため、残
留ストレスが少ない金属膜を得るうえで好適なためであ
る。
うに、半導体素子等の配線材料として一般的に用いられ
るアルミニウムを主材料としたＡｌ−ＳｉやＡｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ等の合金金属材料をＰＶＤ法の一つであるスパッ
タリング法により配線用金属膜４’として１０００ｎｍ
〜１００００ｎｍの厚さに積層した後、該配線用金属膜
４’上に希望する配線形状にフォトレジスト１２のパタ
ーンを形成する。その後、図５（ｇ）に示すように、上
記配線用金属膜４’の不要な部分をドライエッチングに
より取り除き、配線４を形成する。尚、上記配線用金属
膜４’の成膜にスパッタリング法を用いるのは、スパッ
タリング法は蒸着法等とは異なり、ターゲット材を溶融
温度まで加熱する必要がなく低温で成膜できるため、残
留ストレスが少ない金属膜を得るうえで好適なためであ
る。
【００４２】最後に、第五工程として、図５（ｈ）に示
すように、上記絶縁膜３’をパターニングするため、固
体撮像素子２の受光領域にあたる部分以外にフォトレジ
スト１３のパターンを形成する。その後、受光領域の透
明基板１界面を傷つけることなく絶縁膜３’の不要部分
を除去するため、ウエットエッチングによって受光領域
を開口し、絶縁膜３を形成する。
すように、上記絶縁膜３’をパターニングするため、固
体撮像素子２の受光領域にあたる部分以外にフォトレジ
スト１３のパターンを形成する。その後、受光領域の透
明基板１界面を傷つけることなく絶縁膜３’の不要部分
を除去するため、ウエットエッチングによって受光領域
を開口し、絶縁膜３を形成する。
【００４３】これにより、配線４等の製造工程中に絶縁
膜３’上に異物が付着しても、該透明基板１に固体撮像
素子２を実装する直前に該固体撮像素子２の受光領域と
なる絶縁膜３’の不要部分を除去するため、絶縁膜３’
上に付着した異物もこの時に同時に除去される。上記絶
縁膜３’のエッチング工程の後は、透明基板１の受光面
上でのハンドリングおよびオペレーションを必要とする
工程が存在しないため、該透明基板１の受光領域に異物
が付着する虞を最小限にすることができ、受光面への異
物付着による不良が少ない製造プロセスとすることがで
きる。
膜３’上に異物が付着しても、該透明基板１に固体撮像
素子２を実装する直前に該固体撮像素子２の受光領域と
なる絶縁膜３’の不要部分を除去するため、絶縁膜３’
上に付着した異物もこの時に同時に除去される。上記絶
縁膜３’のエッチング工程の後は、透明基板１の受光面
上でのハンドリングおよびオペレーションを必要とする
工程が存在しないため、該透明基板１の受光領域に異物
が付着する虞を最小限にすることができ、受光面への異
物付着による不良が少ない製造プロセスとすることがで
きる。
【００４４】尚、上記説明における各工程において、図
５（ａ）に示す第一工程が特許請求の範囲に記載の絶縁
層形成工程、図５（ｆ）、（ｇ）に示す第四工程が配線
層形成工程、図５（ｈ）、（ｉ）に示す第五工程が絶縁
層除去工程に相当する。
５（ａ）に示す第一工程が特許請求の範囲に記載の絶縁
層形成工程、図５（ｆ）、（ｇ）に示す第四工程が配線
層形成工程、図５（ｈ）、（ｉ）に示す第五工程が絶縁
層除去工程に相当する。
【００４５】透明基板１に対する上記図５（ａ）ないし
（ｉ）の工程は、複数枚の透明基板１に対応する四角形
（図６参照）や円形（図７参照）等の透明基板母材に対
して行われる。図６、７より明らかなように、個々の透
明基板１は上記透明基板母材に対してマトリクス状に形
成されている。
（ｉ）の工程は、複数枚の透明基板１に対応する四角形
（図６参照）や円形（図７参照）等の透明基板母材に対
して行われる。図６、７より明らかなように、個々の透
明基板１は上記透明基板母材に対してマトリクス状に形
成されている。
【００４６】続いて、上記透明基板１への固体撮像素子
２の実装工程を図８（ａ）ないし（ｃ）、図９（ａ）お
よび（ｂ）を参照して説明する。
２の実装工程を図８（ａ）ないし（ｃ）、図９（ａ）お
よび（ｂ）を参照して説明する。
【００４７】先ず、上記固体撮像素子２に対し、図８
（ａ）に示すように、受光面側にある電極端子にボール
ボンディング法にて突起電極５が形成される。また、上
記突起電極５は、固体撮像素子２を製造するウエハプロ
セス上でメッキ法にて形成することも可能である。
（ａ）に示すように、受光面側にある電極端子にボール
ボンディング法にて突起電極５が形成される。また、上
記突起電極５は、固体撮像素子２を製造するウエハプロ
セス上でメッキ法にて形成することも可能である。
【００４８】次に、図６または図７に示す透明基板母材
上において、透明基板１のそれぞれに固体撮像素子２の
実装を行う。各固体撮像素子２は、各透明基板１に形成
された配線４に対して突起電極５が接続されるように、
それぞれ実装される。ここで、上記配線４のパターン例
を図１０に示す。上記配線４では、固体撮像素子接続用
の内部電極端子４ａ群と外部電極端子４ｂ群とを備えて
おり、さらに、外部電極端子４ｂ群の列の中に認識マー
ク４ｃが形成されている。また、各内部電極端子４ａと
外部電極端子４ｂとは、それぞれ１対１に対応して接続
されており、上記固体撮像素子２に入出力される電気信
号は、内部電極端子４ａおよび外部電極端子４ｂを介し
て行われる。
上において、透明基板１のそれぞれに固体撮像素子２の
実装を行う。各固体撮像素子２は、各透明基板１に形成
された配線４に対して突起電極５が接続されるように、
それぞれ実装される。ここで、上記配線４のパターン例
を図１０に示す。上記配線４では、固体撮像素子接続用
の内部電極端子４ａ群と外部電極端子４ｂ群とを備えて
おり、さらに、外部電極端子４ｂ群の列の中に認識マー
ク４ｃが形成されている。また、各内部電極端子４ａと
外部電極端子４ｂとは、それぞれ１対１に対応して接続
されており、上記固体撮像素子２に入出力される電気信
号は、内部電極端子４ａおよび外部電極端子４ｂを介し
て行われる。
【００４９】上記固体撮像素子２を透明基板１に実装す
る時は、図８（ｂ）に示すように、固体撮像素子２を透
明基板１に対して向かい合わせになるように置き（フェ
ースダウン）超音波接続工法によって固体撮像素子２と
透明基板１とを合金接合する。ここで、図８（ｂ）に示
す上記工程は、特許請求の範囲に記載の接合工程に相当
する。
る時は、図８（ｂ）に示すように、固体撮像素子２を透
明基板１に対して向かい合わせになるように置き（フェ
ースダウン）超音波接続工法によって固体撮像素子２と
透明基板１とを合金接合する。ここで、図８（ｂ）に示
す上記工程は、特許請求の範囲に記載の接合工程に相当
する。
【００５０】尚、上記接合時の固体撮像素子２と透明基
板１との位置合わせは、上記認識マーク４ｃを基準にし
て行われる。すなわち、上記認識マーク４ｃは、配線４
に対して固体撮像素子２をアライメントする際のアライ
メントマークであり、さらに、上記固体撮像素子２にお
いてもアライメントマークが形成されている。上記固体
撮像素子２と配線４との間にカメラを挿入して配線４の
認識マーク４ｃと固体撮像素子２のアライメントマーク
とのアライメントを行った後、カメラを抜き取って固体
撮像素子２と配線４とを接合する。これにより、上記固
体撮像素子２の突起電極５を、上記配線４の内部電極端
子４ａと確実に接続することができる。
板１との位置合わせは、上記認識マーク４ｃを基準にし
て行われる。すなわち、上記認識マーク４ｃは、配線４
に対して固体撮像素子２をアライメントする際のアライ
メントマークであり、さらに、上記固体撮像素子２にお
いてもアライメントマークが形成されている。上記固体
撮像素子２と配線４との間にカメラを挿入して配線４の
認識マーク４ｃと固体撮像素子２のアライメントマーク
とのアライメントを行った後、カメラを抜き取って固体
撮像素子２と配線４とを接合する。これにより、上記固
体撮像素子２の突起電極５を、上記配線４の内部電極端
子４ａと確実に接続することができる。
【００５１】また、上記認識マーク４ｃは、本実施の形
態に係る固体撮像装置を周辺装置を組み込む際にも利用
できる。すなわち、上記認識マーク４ｃは、後工程であ
る封止樹脂を塗布後でも該封止樹脂で隠れることがない
位置に配置されているため、本固体撮像装置を他の周辺
装置に組み込む際にも、認識マークとして使用できる。
態に係る固体撮像装置を周辺装置を組み込む際にも利用
できる。すなわち、上記認識マーク４ｃは、後工程であ
る封止樹脂を塗布後でも該封止樹脂で隠れることがない
位置に配置されているため、本固体撮像装置を他の周辺
装置に組み込む際にも、認識マークとして使用できる。
【００５２】また、上記固体撮像素子２と上記透明基板
１との接続には、導電性接着剤や加熱・加圧による方法
等を用いることも可能であるが、超音波接続工法を用い
る場合には、低温接続及び高スループットを得ることで
きる。低温接続としては、透明基板１側の配線４を拡散
係数の高いアルミニウム系の合金材料で形成しているこ
とから、最大でも100 ℃程度の低温で容易に接合が可能
である。また、スループットとしては、超音波を印加す
るだけで合金が形成され接合が完了されることから、高
スループットを得ることが可能である。
１との接続には、導電性接着剤や加熱・加圧による方法
等を用いることも可能であるが、超音波接続工法を用い
る場合には、低温接続及び高スループットを得ることで
きる。低温接続としては、透明基板１側の配線４を拡散
係数の高いアルミニウム系の合金材料で形成しているこ
とから、最大でも100 ℃程度の低温で容易に接合が可能
である。また、スループットとしては、超音波を印加す
るだけで合金が形成され接合が完了されることから、高
スループットを得ることが可能である。
【００５３】さらに、上記固体撮像素子２および上記透
明基板１の接続に、導電性超接着剤でなく超音波接続工
法を用いることにより、実装直前の固体撮像素子２にお
いてその表面に未硬化状態の接着剤が存在しない。この
ため、上記固体撮像素子２の実装直前に洗浄等による異
物除去工程を設けることが可能となる。このため、上記
固体撮像素子２の受光面に付着する異物をも極力少なく
することができ、受光領域への異物付着による不良の発
生を減少させることができる。
明基板１の接続に、導電性超接着剤でなく超音波接続工
法を用いることにより、実装直前の固体撮像素子２にお
いてその表面に未硬化状態の接着剤が存在しない。この
ため、上記固体撮像素子２の実装直前に洗浄等による異
物除去工程を設けることが可能となる。このため、上記
固体撮像素子２の受光面に付着する異物をも極力少なく
することができ、受光領域への異物付着による不良の発
生を減少させることができる。
【００５４】次に、図８（ｃ）に示すように、各透明基
板１上に固体撮像素子２が実装された後の透明基板母材
に対し、各固体撮像素子２よりも僅かに大きい領域が抜
かれたマスク１４を該透明基板母材にあて、その上から
熱硬化性の封止樹脂６を印刷法にて固体撮像素子２の外
周に塗布する。上記封止樹脂６を固体撮像素子２の外周
全てに塗布する目的は、透明基板１と固体撮像素子２と
の間に形成される空間（受光エリア）の高気密性を確保
し、固体撮像素子２の受光感度を上げるために該固体撮
像素子２の表面に設けられた透明樹脂性のマイクロレン
ズの機能および耐湿信頼性を確保するためである。ここ
で、図８（ｃ）に示す上記工程は、特許請求の範囲に記
載の封止工程に相当する。
板１上に固体撮像素子２が実装された後の透明基板母材
に対し、各固体撮像素子２よりも僅かに大きい領域が抜
かれたマスク１４を該透明基板母材にあて、その上から
熱硬化性の封止樹脂６を印刷法にて固体撮像素子２の外
周に塗布する。上記封止樹脂６を固体撮像素子２の外周
全てに塗布する目的は、透明基板１と固体撮像素子２と
の間に形成される空間（受光エリア）の高気密性を確保
し、固体撮像素子２の受光感度を上げるために該固体撮
像素子２の表面に設けられた透明樹脂性のマイクロレン
ズの機能および耐湿信頼性を確保するためである。ここ
で、図８（ｃ）に示す上記工程は、特許請求の範囲に記
載の封止工程に相当する。
【００５５】上記封止樹脂６として用いられる熱硬化性
の樹脂としては、１５０Ｐａ・ｓ以上２５０Ｐａ・ｓ以
下の高粘度でチキソ性の性質を持ったものを適用するこ
とで、固体撮像素子２と透明基板１との隙間へ回り込む
樹脂量を印刷時に用いるローラ１５の押圧荷重により制
御することが可能である。
の樹脂としては、１５０Ｐａ・ｓ以上２５０Ｐａ・ｓ以
下の高粘度でチキソ性の性質を持ったものを適用するこ
とで、固体撮像素子２と透明基板１との隙間へ回り込む
樹脂量を印刷時に用いるローラ１５の押圧荷重により制
御することが可能である。
【００５６】尚、上記封止樹脂６を形成する方法とし
て、印刷法ではなく、上から樹脂をポッティングする方
法も考えられる。しかしながら、樹脂をポッティングす
る方法では、ポッティングされた樹脂が固体撮像素子２
の周囲に拡がるため、固体撮像装置の小型化を図る上で
不利である。これに対し、上記印刷法では、マスク１４
によって樹脂の拡がりを抑えることができ、固体撮像装
置の小型化が可能となる。但し、上記封止樹脂６の粘度
が１５０Ｐａ・ｓ未満の場合、封止樹脂６の粘度が低す
ぎて、透明基板１と固体撮像素子２との接合部の隙間か
ら固体撮像素子２の受光面表面にまで拡がり、封止樹脂
６の粘度が２５０Ｐａ・ｓを超える場合、封止樹脂６の
粘度が高すぎて印刷法を用いることが困難となる。
て、印刷法ではなく、上から樹脂をポッティングする方
法も考えられる。しかしながら、樹脂をポッティングす
る方法では、ポッティングされた樹脂が固体撮像素子２
の周囲に拡がるため、固体撮像装置の小型化を図る上で
不利である。これに対し、上記印刷法では、マスク１４
によって樹脂の拡がりを抑えることができ、固体撮像装
置の小型化が可能となる。但し、上記封止樹脂６の粘度
が１５０Ｐａ・ｓ未満の場合、封止樹脂６の粘度が低す
ぎて、透明基板１と固体撮像素子２との接合部の隙間か
ら固体撮像素子２の受光面表面にまで拡がり、封止樹脂
６の粘度が２５０Ｐａ・ｓを超える場合、封止樹脂６の
粘度が高すぎて印刷法を用いることが困難となる。
【００５７】次に、図９（ａ）に示すように、透明基板
１に設けられた外部電極端子４ｂに対してボールボンデ
ィング法にて突起電極７を形成する。この突起電極７
は、固体撮像装置を他の周辺装置に組み込む際に、周辺
機器との配線を容易に接続できるようにするためのもの
である。最後に、図９（ｂ）に示すように、透明基板母
材においてマトリクス状に配置された固体撮像装置をダ
イシングによって個片に切り分け、個々の固体撮像装置
を得る。ここで、図９（ｂ）に示す上記工程は、特許請
求の範囲に記載のダイシング工程に相当する。
１に設けられた外部電極端子４ｂに対してボールボンデ
ィング法にて突起電極７を形成する。この突起電極７
は、固体撮像装置を他の周辺装置に組み込む際に、周辺
機器との配線を容易に接続できるようにするためのもの
である。最後に、図９（ｂ）に示すように、透明基板母
材においてマトリクス状に配置された固体撮像装置をダ
イシングによって個片に切り分け、個々の固体撮像装置
を得る。ここで、図９（ｂ）に示す上記工程は、特許請
求の範囲に記載のダイシング工程に相当する。
【００５８】以上が本実施の形態に係る固体撮像装置の
基本的な製造方法であるが、図９（ａ）に示す工程で透
明基板１に対して突起電極７を形成した後、図９（ｂ）
に示す工程で固体撮像装置のダイシングを行う前に、固
体撮像装置がマトリクス状に形成された透明基板基板に
対して電気試験や撮像試験を行えば、更に高い生産性を
得ることができる。
基本的な製造方法であるが、図９（ａ）に示す工程で透
明基板１に対して突起電極７を形成した後、図９（ｂ）
に示す工程で固体撮像装置のダイシングを行う前に、固
体撮像装置がマトリクス状に形成された透明基板基板に
対して電気試験や撮像試験を行えば、更に高い生産性を
得ることができる。
【００５９】以上に説明した固体撮像装置の製造方法で
は、透明基板１と固体撮像素子２とを接合する工程（図
８（ｂ）の工程）以前の工程で、透明基板１または固体
撮像素子２の受光面上でのハンドリング及びオペレーシ
ョンは固体撮像素子２への突起電極５の形成工程以外に
はない。固体撮像素子２と透明基板１との接合が終わっ
た後の工程では、互いの受光面が向き合って配置されて
いるため、該受光面への異物付着は生じない。このた
め、上記製造方法により、受光面に異物の付着する虞の
あるプロセスを極力少なくし、受光面への異物付着を最
小限に抑えることができる。
は、透明基板１と固体撮像素子２とを接合する工程（図
８（ｂ）の工程）以前の工程で、透明基板１または固体
撮像素子２の受光面上でのハンドリング及びオペレーシ
ョンは固体撮像素子２への突起電極５の形成工程以外に
はない。固体撮像素子２と透明基板１との接合が終わっ
た後の工程では、互いの受光面が向き合って配置されて
いるため、該受光面への異物付着は生じない。このた
め、上記製造方法により、受光面に異物の付着する虞の
あるプロセスを極力少なくし、受光面への異物付着を最
小限に抑えることができる。
【００６０】
【発明の効果】本発明の固体撮像装置の製造方法は、以
上のように、上記透明基板上に絶縁層を形成する絶縁層
形成工程と、上記絶縁層上に所定のパターンを有する配
線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層の形成
後、上記絶縁層形成工程によって形成された上記絶縁層
のうち、上記固体撮像素子の受光領域に対応する部分を
除去して、該透明基板の受光領域表面を露出させる絶縁
層除去工程と、上記配線層に上記固体撮像素子を接合す
る接合工程とを含む構成である。
上のように、上記透明基板上に絶縁層を形成する絶縁層
形成工程と、上記絶縁層上に所定のパターンを有する配
線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層の形成
後、上記絶縁層形成工程によって形成された上記絶縁層
のうち、上記固体撮像素子の受光領域に対応する部分を
除去して、該透明基板の受光領域表面を露出させる絶縁
層除去工程と、上記配線層に上記固体撮像素子を接合す
る接合工程とを含む構成である。
【００６１】それゆえ、上記配線層形成工程において、
上記絶縁層の上記固体撮像素子の受光領域に対応する部
分に異物が付着しても、その後の絶縁層除去工程におい
て、その異物は上記絶縁層と共に除去される。このた
め、上記製造方法では、製造工程中の異物付着の虞があ
る作業をできるだけ排除しつつ、高生産性の製造プロセ
スが実現可能となり、今後ますます小型・薄型化する方
向にある固体撮像装置を組み込んだ製品に対して、高品
位でより安価な固体撮像装置を提供することが可能とな
るという効果を奏する。
上記絶縁層の上記固体撮像素子の受光領域に対応する部
分に異物が付着しても、その後の絶縁層除去工程におい
て、その異物は上記絶縁層と共に除去される。このた
め、上記製造方法では、製造工程中の異物付着の虞があ
る作業をできるだけ排除しつつ、高生産性の製造プロセ
スが実現可能となり、今後ますます小型・薄型化する方
向にある固体撮像装置を組み込んだ製品に対して、高品
位でより安価な固体撮像装置を提供することが可能とな
るという効果を奏する。
【００６２】また、上記配線層形成工程によって形成さ
れる配線層は、上記絶縁層形成工程によって形成される
絶縁層を介して透明基板上に形成されため、上記配線層
の配線のパターニングにおいて、上記透明基板の受光面
表面を荒らすことなく容易にパターニングが行え、さら
に、上記透明基板と配線層との良好な密着性が得られる
という効果を併せて奏する。
れる配線層は、上記絶縁層形成工程によって形成される
絶縁層を介して透明基板上に形成されため、上記配線層
の配線のパターニングにおいて、上記透明基板の受光面
表面を荒らすことなく容易にパターニングが行え、さら
に、上記透明基板と配線層との良好な密着性が得られる
という効果を併せて奏する。
【００６３】また、上記固体撮像装置の製造方法におい
ては、上記配線層形成工程にて、配線層のパターン形成
時に、配線パターンと同時に識別マークを形成し、上記
接合工程にて、上記識別マークと固体撮像素子に形成さ
れているアライメントマークとを基準としてアライメン
トを行い、固体撮像素子の電極と上記配線パターンの固
体撮像素子用接続端子とを接続する構成とすることがで
きる。
ては、上記配線層形成工程にて、配線層のパターン形成
時に、配線パターンと同時に識別マークを形成し、上記
接合工程にて、上記識別マークと固体撮像素子に形成さ
れているアライメントマークとを基準としてアライメン
トを行い、固体撮像素子の電極と上記配線パターンの固
体撮像素子用接続端子とを接続する構成とすることがで
きる。
【００６４】これにより、上記識別マークの形成が配線
パターンの形成と同時に効率的に行えるという効果を奏
する。
パターンの形成と同時に効率的に行えるという効果を奏
する。
【００６５】また、上記固体撮像装置の製造方法におい
ては、上記配線層形成工程で形成される配線パターンは
Ａｌ系合金材料で形成されていると共に、た上記固体撮
像素子には上記配線と接続される電極が突起電極として
設けられており、上記接合工程にて、固体撮像素子の突
起電極と上記配線パターンの固体撮像素子用接続端子と
を超音波接続工法によって接続する構成とすることがで
きる。
ては、上記配線層形成工程で形成される配線パターンは
Ａｌ系合金材料で形成されていると共に、た上記固体撮
像素子には上記配線と接続される電極が突起電極として
設けられており、上記接合工程にて、固体撮像素子の突
起電極と上記配線パターンの固体撮像素子用接続端子と
を超音波接続工法によって接続する構成とすることがで
きる。
【００６６】これにより、上記接合工程において、透明
基板側の配線を拡散係数の高いアルミニウム系の合金材
料で形成していることから、最大でも100 ℃程度の低温
で容易に接合でき、低温接続が可能となると共に、超音
波を印加するだけで合金が形成され接合が完了されるこ
とから、高スループットを得ることが可能となるという
効果を奏する。
基板側の配線を拡散係数の高いアルミニウム系の合金材
料で形成していることから、最大でも100 ℃程度の低温
で容易に接合でき、低温接続が可能となると共に、超音
波を印加するだけで合金が形成され接合が完了されるこ
とから、高スループットを得ることが可能となるという
効果を奏する。
【００６７】さらに、実装直前の固体撮像素子において
その表面に未硬化状態の接着剤が存在せず、上記固体撮
像素子の実装直前に洗浄等による異物除去工程を設ける
ことが可能となる。このため、上記固体撮像素子の受光
面に付着する異物をも極力少なくすることができ、受光
領域への異物付着による不良の発生をより減少させるこ
とができるといった効果を併せて奏する。
その表面に未硬化状態の接着剤が存在せず、上記固体撮
像素子の実装直前に洗浄等による異物除去工程を設ける
ことが可能となる。このため、上記固体撮像素子の受光
面に付着する異物をも極力少なくすることができ、受光
領域への異物付着による不良の発生をより減少させるこ
とができるといった効果を併せて奏する。
【００６８】また、上記固体撮像装置の製造方法におい
ては、上記固体撮像装置は、１枚の透明基板母材上に複
数枚の固体撮像装置がマトリクス状に形成された後、ダ
イシング工程によって個々の固体撮像装置に分割されて
形成されるものであり、さらに、上記接合工程の後で上
記ダイシング工程の前に、上記透明基板母材の固体撮像
素子が実装された側から、上記固体撮像素子よりも大き
な開口部が設けられたマスクを被せ、印刷法によって上
記固体撮像素子と上記マスクの開口部との隙間に樹脂を
押し込むことによって上記固体撮像素子の周囲に封止樹
脂を形成する封止工程を含む構成とすることができる。
ては、上記固体撮像装置は、１枚の透明基板母材上に複
数枚の固体撮像装置がマトリクス状に形成された後、ダ
イシング工程によって個々の固体撮像装置に分割されて
形成されるものであり、さらに、上記接合工程の後で上
記ダイシング工程の前に、上記透明基板母材の固体撮像
素子が実装された側から、上記固体撮像素子よりも大き
な開口部が設けられたマスクを被せ、印刷法によって上
記固体撮像素子と上記マスクの開口部との隙間に樹脂を
押し込むことによって上記固体撮像素子の周囲に封止樹
脂を形成する封止工程を含む構成とすることができる。
【００６９】これにより、封止樹脂を形成する方法とし
て、従来からよく用いられるポッティング法に比べ、封
止樹脂が上記固体撮像素子と固体撮像素子より僅かに大
きい上記マスクの開口部との隙間に押し込まれることに
より、封止樹脂は上記マスクによってその拡がりが抑え
られ、固体撮像装置の小型化を図ることができるという
効果を奏する。
て、従来からよく用いられるポッティング法に比べ、封
止樹脂が上記固体撮像素子と固体撮像素子より僅かに大
きい上記マスクの開口部との隙間に押し込まれることに
より、封止樹脂は上記マスクによってその拡がりが抑え
られ、固体撮像装置の小型化を図ることができるという
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示すものであり、固体撮
像装置の構成を示す断面図である。
像装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１に示す上記固体撮像装置の分解斜視図であ
る。
る。
【図３】本発明に係る固体撮像装置の図１とは別の例を
示すものであり、固体撮像装置の構成を示す断面図であ
る。
示すものであり、固体撮像装置の構成を示す断面図であ
る。
【図４】図３に示す上記固体撮像装置の分解斜視図であ
る。
る。
【図５】図５（ａ）〜（ｉ）は、図３に示す上記固体撮
像装置の透明基板上において行われる工程を示す説明図
である。
像装置の透明基板上において行われる工程を示す説明図
である。
【図６】上記固体撮像装置がマトリクス状に形成された
四角形状の透明基板母材を示す斜視図である。
四角形状の透明基板母材を示す斜視図である。
【図７】上記固体撮像装置がマトリクス状に形成された
円形状の透明基板母材を示す斜視図である。
円形状の透明基板母材を示す斜視図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は、固体撮像素子を透明基
板に実装する工程以降の工程の一部を示す説明図であ
る。
板に実装する工程以降の工程の一部を示す説明図であ
る。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は、固体撮像素子を透明基
板に実装する工程以降の工程の一部を示す説明図であ
る。
板に実装する工程以降の工程の一部を示す説明図であ
る。
【図１０】上記透明基板上に形成される配線パターンの
一例を示す平面図である。
一例を示す平面図である。
【図１１】従来の固体撮像装置の構成を示す断面図であ
る。
る。
【図１２】上記従来の固体撮像装置の製造工程におい
て、固体撮像素子に導電性接着剤を塗布した工程を示す
説明図である。
て、固体撮像素子に導電性接着剤を塗布した工程を示す
説明図である。
【図１３】図１３（ａ）、（ｂ）は、上記従来の固体撮
像装置の製造工程において、透明基板上に突起枠を形成
した工程を示す説明図である。
像装置の製造工程において、透明基板上に突起枠を形成
した工程を示す説明図である。
【図１４】上記従来の固体撮像装置の製造工程におい
て、透明基板と固体撮像素子とを接合した工程を示す説
明図である。
て、透明基板と固体撮像素子とを接合した工程を示す説
明図である。
【図１５】上記従来の固体撮像装置の製造工程におい
て、固体撮像素子の周囲に封止樹脂を形成した工程を示
す説明図である。
て、固体撮像素子の周囲に封止樹脂を形成した工程を示
す説明図である。
１ 透明基板
２ 固体撮像素子
３ 絶縁層
４ 配線（配線層）
４ｃ 認識マーク
５ 突起電極
１４ マスク
Claims (5)
- 【請求項１】透明基板に固体撮像素子が実装されてなる
固体撮像装置の製造方法において、 上記透明基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、 上記絶縁層上に所定のパターンを有する配線層を形成す
る配線層形成工程と、 上記配線層の形成後、上記絶縁層形成工程によって形成
された上記絶縁層のうち、上記固体撮像素子の受光領域
に対応する部分を除去して、該透明基板の受光領域表面
を露出させる絶縁層除去工程と、 上記配線層に上記固体撮像素子を接合する接合工程とを
含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項２】上記配線層形成工程では、配線層のパター
ン形成時に、配線パターンと同時に識別マークを形成
し、 上記接合工程では、上記識別マークと固体撮像素子に形
成されているアライメントマークとを基準としてアライ
メントを行い、固体撮像素子の電極と上記配線パターン
の固体撮像素子用接続端子とを接続することを特徴とす
る請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項３】上記配線層形成工程で形成される配線パタ
ーンはＡｌ系合金材料で形成されていると共に、上記固
体撮像素子には上記配線と接続される電極が突起電極と
して設けられており、 上記接合工程では、固体撮像素子の突起電極と上記配線
パターンの固体撮像素子用接続端子とを超音波接続工法
によって接続することを特徴とする請求項１または２記
載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項４】上記固体撮像装置は、１枚の透明基板母材
上に複数枚の固体撮像装置がマトリクス状に形成された
後、ダイシング工程によって個々の固体撮像装置に分割
されて形成されるものであり、 さらに、上記接合工程の後で上記ダイシング工程の前
に、上記透明基板母材の固体撮像素子が実装された側か
ら、上記固体撮像素子よりも大きな開口部が設けられた
マスクを被せ、印刷法によって上記固体撮像素子と上記
マスクの開口部との隙間に樹脂を押し込むことによって
上記固体撮像素子の周囲に封止樹脂を形成する封止工程
を含むことを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記
載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項５】上記請求項１ないし４の何れかに記載の製
造方法によって製造された固体撮像装置。
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