CN100468665C - 影像感测晶片封装制程 - Google Patents

影像感测晶片封装制程 Download PDF

Info

Publication number
CN100468665C
CN100468665C CNB2005101020342A CN200510102034A CN100468665C CN 100468665 C CN100468665 C CN 100468665C CN B2005101020342 A CNB2005101020342 A CN B2005101020342A CN 200510102034 A CN200510102034 A CN 200510102034A CN 100468665 C CN100468665 C CN 100468665C
Authority
CN
China
Prior art keywords
image sensing
matrix
lid
packing process
board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2005101020342A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1979789A (zh
Inventor
魏史文
吴英政
刘坤孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Original Assignee
Yangxin Technology Co ltd
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yangxin Technology Co ltd, Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd filed Critical Yangxin Technology Co ltd
Priority to CNB2005101020342A priority Critical patent/CN100468665C/zh
Priority to US11/595,331 priority patent/US7595839B2/en
Publication of CN1979789A publication Critical patent/CN1979789A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100468665C publication Critical patent/CN100468665C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48095—Kinked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Abstract

一种影像感测晶片封装制程，包括以下步骤：提供一支架；将支架放入一模具的型腔内，并于型腔内注入塑料材料，冷却后成型出多个包覆该支架的导电片的基体，导电片一端暴露于基体一表面，导电片另一端暴露于基体另一表面，每一基体包括一容室；提供多个影像感测晶片，将一影像感测晶片固定于一基体的容室内；设置多个引线，使每一引线电连接影像感测晶片的晶片焊垫与导电片；将多个基体分割；熔接该基体，使基体包覆导电片露出基体顶面的一端；提供一盖体，并将盖体套设于装载有影像感测晶片的基体外。

Description

影像感测晶片封装制程
【技术领域】
本发明关于一种晶片封装制程，尤其是关于一种影像感测晶片封装的制程。
【背景技术】
目前，数码相机和整合数码相机模组的行动电话越来越普及，数码相机模组不可缺少的核心组件影像感测晶片封装的需求也随之与日俱增。同时，消费者也希望数码相机模组更加朝小型化、高品质、低价格方向发展。然而，除数码相机模组本身设计对其性能的影响外，数码相机模组的制造也对数码相机模组的品质起到至关重要的作用。
请参阅图1，一种已知数码相机模组的影像感测晶片封装方法，如中国专利申请第03100661.2号所揭示，其包括以下步骤:首先提供多个个ㄈ状截面的导电片10；射出成型部份包覆在各导电片10的第一成型体11，该第一成型体11使导电片10部份露出；射出成型在第一成型体11上形成的第二成型体12，该第二成型体12与第一成型体11共同形成凹槽13；将设有多个焊垫14的影像感测晶片15设置于凹槽13内；通过多条引线16使影像感测晶片15的焊垫14与导电片10电连接；将透光板17设置在第二成型体12上，以包覆住影像感测晶片15。
上述数码相机模组的影像感测晶片封装方法缺点在于:虽该封装方法可大量生产，然而仅可单颗制造，导致生产效率降低；另外，由于上述影像感测晶片15和多个引线16都容置在凹槽13内，且为方便打线器操作，故使得凹槽13较大，由此，封装后的凹槽13存在较多粉尘，且在封装过程和影像感测晶片封装安装于镜头和镜头调焦过程中不可避免的震动均会使凹槽13周壁上的粉尘等杂质掉落在影像感测晶片15上，污染影像感测晶片15的感测区，导致品质不良。
【发明内容】
有鉴于此，提供一种生产效率较高且品质较高的影像感测晶片封装制程实为必要。
一种影像感测晶片封装制程，包括以下步骤:
提供一支架，该支架包括二相互间隔的料带、多个连接该二料带的横梁和多个形成于横梁上的导电片；
将支架放入一模具的型腔内，并在型腔内注入塑料材料，冷却后成型出多个包覆该支架的导电片的基体，导电片一端露出基体一表面，导电片另一端露出基体另一表面，每一基体包括一容室；
提供多个影像感测晶片，每一影像感测晶片包括一感测区和多个晶片焊垫，将一影像感测晶片固定在一基体的容室内；
设置多个引线，使每一引线电连接影像感测晶片的晶片焊垫与导电片；
将多个基体分割，形成单个装载有影像感测晶片的基体；
熔接该基体，使基体包覆导电片露出基体顶面的一端；
提供一盖体，该盖体具有一凸缘，该凸缘与该盖体内壁形成一台阶；
将盖体套设在装载有影像感测晶片的基体外，使盖体的凸缘固连于基体侧面，盖体的台阶固连基体顶面。
相较已知技术，所述影像感测晶片封装制程可同时生产多个影像感测晶片封装，极大地提高了生产效率，且该制程较为简单。而且，该制程采用价格较低的塑料材料制作影像感测器封装的基体，可以降低该影像感测器封装的成本。另外，所制成的影像感测晶片封装的导电片由基体包覆，可减少进入该影像感测晶片封装的湿气，提高该影像感测晶片封装的品质。
【附图说明】
图1是一已知影像感测晶片封装示意图；
图2是本发明影像感测晶片封装制程的较佳实施方式的影像感测晶片封装的剖视图；
图3是本发明影像感测晶片封装制程的较佳实施方式的影像感测晶片封装另一角度的剖视图；
图4是本发明影像感测晶片封装制程的较佳实施方式的支架的示意图；
图5是图4沿V-V线的剖视图；
图6是本发明影像感测晶片封装制程的较佳实施方式的支架与基体成型示意图；
图7是本发明影像感测晶片封装制程的较佳实施方式的影像感测晶片装载于承载体的示意图；
图8是本发明影像感测晶片封装制程的较佳实施方式的盖体未组装在装载有影像感测晶片的承载体上的示意图。
【具体实施方式】
请一并参阅图2、图3和图8，本发明的影像感测晶片封装一较佳实施例包括一承载体(图未标)、一影像感测晶片30、多个引线40和一盖体50。该承载体包括一基体21和一嵌设于基体21内的导体架23。
该基体21大致呈矩形框体，其包括一底部210和一由底部210一顶面外围向上凸起的侧壁212，该底部210的顶面与侧壁212的内壁共同围成一容室214。两相对的侧壁212的顶面设置有一长条形卡槽217。
该导体架23包括一散热片231和多个导电片233。该散热片231设置在基体21底部210的中部，且其下表面露出于底部210的底面。该散热片231用以增强该影像感测晶片封装的散热性能。该多个导电片233间隔嵌设在基体21未设置卡槽217的相对两侧壁212和底部210中。每一导电片233包括一第一板部235、一第二板部236和一连接第一板部235与第二板部236的连接部237，其中，第一板部235与第二板部236相互平行且间隔错开一定距离，连接部237相对第一板部235和第二板部236倾斜一定角度。第一板部235的上表面露出侧壁212的顶面，第二板部236的下表面露出底部210的底面。
该影像感测晶片30的顶面具有一感测区301，该感测区301与嵌设有导电片233的侧壁212对应侧的外周缘布设有多个晶片焊垫302。该影像感测晶片30位于容置部214之内，其通过粘胶固定在基体21的底部210上。
每一引线40一端固定电连接到影像感测晶片30的晶片焊垫302上，其另一端固定电连接到承载体的一导电片233的第一板部235。
该盖体50套设在承载体上，其用于与承载体配合将影像感测晶片30封闭。该盖体50呈半封闭筒状，其包括一半封闭端与一开口端，该半封闭端端由一透明板501封闭。该盖体50罩设在设有影像感测晶片30的承载体上，该透明板501对应影像感测晶片30的感测区301，影像感测晶片30的感测区301透过该透明板501接收光信号。该盖体50开口端设有一凸缘51和一台阶52，该凸缘51由该台阶52的外侧延伸而出。该凸缘51的内壁轮廓略大于承载体的轮廓，其套设在基体21的侧壁212之外。该台阶52的内壁轮廓小于承载体的轮廓，其具有一台阶面521，该台阶面521固设在承载体侧壁212的顶面。该台阶52与侧壁212的具导电片233的顶面相对应的两台阶面521的靠近盖体50内壁处向盖体50具透明板501一端凹陷形成一凹部523，该凹部523用于容置引线40。该台阶52的另两台阶面521均凸设有一卡条524，该卡条524与侧壁212顶面的卡槽217卡合。
本发明影像感测晶片封装制程的较佳实施方式包括以下步骤:
请参阅图4和图5，提供一支架60。支架60包括二相互间隔平行设置的料带62、连接二料带62的多个横梁64、多个形成于横梁64上的导电片233和多个形成于横梁64间的散热片231。多个横梁64均匀分布于二料带62之间并垂直于料带62，每一导电片233均平行于料带62，且每一横梁64上设有均匀分布的多个导电片233，除两端的二横梁64仅一侧设有导电片233外，其余横梁64两侧均设有导电片233。导电片233包括一与横梁64相连的第一板部235、一位于导电片233端部的第二板部236和一连接第一板部235与第二板部236的连接部237，第一板部235与第二板部236相互平行且间隔错开一定距离，连接部237相对第一板部235和第二板部236倾斜一定角度。每一散热片231位于相邻两横梁64之间且其平行于料带62。该散热片231与导电片233的第二板部236位于同一平面，其通过设在其四个端角处的连接臂66与二料带62相连。制造支架60时，先选择一由铜或铁镍合金等导电性能佳的材料制成的导电板，通过冲压成型法或者蚀刻法将导电板形成所述支架60的结构。
请参阅图6，以嵌入成型法(insert-molding)一体成型方式射出成型多个所述基体21在支架60上，即将支架60放入一模具的型腔内，向型腔内注入熔融状态的塑料材料，如PPO(PolyphenyleneOxide，聚苯醚)或PPS(Polyphenylene sulfide，聚苯硫醚)等工程塑料材料，从而形成所述承载体，其结构请一并参阅图7。基体21形成于支架60的周缘和下表面，其为矩形框体。导电片233的第一板部235部份嵌卡于基体21的侧壁212内，且其上表面露出侧壁212的顶面；导电片233的第二板部236完全嵌卡在基体21的底部210内，且其下表面露出底部210的底面；导电片233的连接部237完全嵌卡在基体21的侧壁212内。未包覆导电片233的侧壁212的顶面各形成一长条形卡槽217。散热片231嵌卡在基体21的底部210内，其下表面暴露于底部210底面。支架60的料带62和横梁64均位于基体21外。
请参阅图7，提供多个影像感测晶片30。在每一基体21的底部210的散热片231上方涂布粘胶，将影像感测晶片30放置在粘胶上并固化粘胶，从而使影像感测晶片30固定在基体21的容室214内。
用打线机打出多个引线40，每一引线40的一端电连接于影像感测晶片30的晶片焊垫302，另一端电连接于导电片233的第一板部235上，以使影像感测晶片30的信号得以传递到承载体的导电片233。引线40的材料为黄金等导电性较好的金属。
将该多个基体21沿其边缘切割，使支架60的料带62被切断，同时使所述导电片233的第一板部235和散热片231的连接臂66被割断，同一横梁64两侧的导电片233分别位于两个影像感测晶片封装内，此时，导电片233的第一板部235的一端部露出基体21而暴露在空气中。通常情况下，因导电片233与基体21收缩率不同，基体21被切开后，该导电片233会缩进基体21内。
请一并参阅图8，提供一熔接技术(如超声波熔接、激光熔接、热熔接等)熔接该基体21的侧壁212外边缘，将导电片233的第一板部235的一端部包覆在基体21内，从而将其与空气隔绝。
请再次参阅图2、图3和图8，提供多个盖体50，在每一盖体50的凸缘51内壁、台阶面521和卡条524上均涂布粘胶，然后将一盖体50罩设在一设置有影像感测晶片30的承载体上，其中，透明板501对应影像感测晶片30的感测区301，盖体50的卡条524与基体21的卡槽217相卡设配合，引线40部分容置在盖体50的凹部523中，且该盖体50的凸缘51内壁与承载体侧壁212的外表面、该盖体50的台阶面521与承载体侧壁212顶面间均粘结固定。至此，该影像感测晶片封装制程完成。
该盖体50的卡条524与该承载体侧壁212顶面的卡槽217的卡合可以加强该盖体50与承载体间的结合，减小盖体50从承载体上脱落的可能性。可以理解，该盖体50的卡条524与该承载体侧壁212顶面的卡槽217可省略，此时，该盖体50与该承载体通过粘胶粘结固定。
该影像感测晶片封装制程可同时生产多个影像感测晶片封装，极大地提高了生产效率，且该制程较为简单。
该影像感测器封装的基体21是采用价格较低的塑料材料制成，可以降低该影像感测器封装的成本。
该影像感测器封装除用于与外部的印制电路板电连接用的第二板部236的下表面和散热片231下表面外，其导体架完全由塑料材料包覆，可减少进入该影像感测器封装的湿气，提高其可靠度。
该影像感测晶片封装的第一板部235位于承载体的侧壁212的顶面，其是处于一开放的空间，可供打线器自由活动，因此该影像感测晶片封装的承载体的面积可尽量缩小到与该影像感测晶片30面积几近相同，因而，其可减少容置部214内的粉尘以提高品质，且可大幅减小该影像感测晶片封装的体积。

Claims (10)

1.一种影像感测晶片封装制程，其特征在于包括以下步骤:
提供一支架，该支架包括二相互间隔的料带、多个连接该二料带的横梁和多个形成于横梁上的导电片；
将支架放入一模具的型腔内，并在型腔内注入塑料材料，冷却后成型出多个包覆该支架的导电片的基体，导电片一端露出基体一表面，导电片另一端露出基体另一表面，每一基体包括一容室；
提供多个影像感测晶片，每一影像感测晶片包括一感测区和多个晶片焊垫，将一影像感测晶片固定于一基体的容室内；
设置多个引线，使每一引线电连接影像感测晶片的晶片焊垫与导电片；
将多个基体分割，形成单个装载有影像感测晶片的基体；
熔接该基体，使基体包覆导电片露出基体顶面的一端；
提供一盖体，该盖体具有一凸缘，该凸缘与该盖体内壁形成一台阶；
将盖体套设在装载有影像感测晶片的基体外，使盖体的凸缘固连于基体侧面，盖体的台阶固连于基体顶面。
2.如权利要求1所述的影像感测晶片封装制程，其特征在于:将盖体套设在装载有影像感测晶片的基体上之前，在盖体的凸缘和台阶上涂布粘胶。
3.如权利要求1所述的影像感测晶片封装制程，其特征在于:所述二料带相互平行，多个横梁均匀分布在二料带之间，所有导电片均平行于料带，且其设于横梁的侧边。
4.如权利要求1所述的影像感测晶片封装制程，其特征在于:所述导电片包括一第一板部、一第二板部和一连接第一板部与第二板部的第三板部，该第一板部与第二板部相互平行且间隔错开一定距离。
5.如权利要求1所述的影像感测晶片封装制程，其特征在于:所述支架还包括多个散热片，每一散热片通过多个连接臂与料带相连接。
6.如权利要求5所述的影像感测晶片封装制程，其特征在于:所述散热片的底面露出基体底部的底面。
7.如权利要求1所述的影像感测晶片封装制程，其特征在于:该基体通过嵌入成型法一体成型方式形成。
8.如权利要求7所述的影像感测晶片封装制程，其特征在于:该基体形成于支架的周缘和下表面，其呈矩形，该基体包括一底部和一由底部外围凸起的侧壁，该底部与侧壁共同围成所述容室。
9.如权利要求8所述的影像感测晶片封装制程，其特征在于:所述基体的相对两侧壁的顶面各设置有一长条形卡槽，所述盖体设有与基体的卡槽相配合的卡条。
10.如权利要求1所述的影像感测晶片封装制程，其特征在于:所述盖体的台阶上凹陷形成一容置引线的凹部。
CNB2005101020342A 2005-12-02 2005-12-02 影像感测晶片封装制程 Expired - Fee Related CN100468665C (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005101020342A CN100468665C (zh) 2005-12-02 2005-12-02 影像感测晶片封装制程
US11/595,331 US7595839B2 (en) 2005-12-02 2006-11-10 Image sensor chip packaging method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005101020342A CN100468665C (zh) 2005-12-02 2005-12-02 影像感测晶片封装制程

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1979789A CN1979789A (zh) 2007-06-13
CN100468665C true CN100468665C (zh) 2009-03-11

Family

ID=38118342

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101020342A Expired - Fee Related CN100468665C (zh) 2005-12-02 2005-12-02 影像感测晶片封装制程

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7595839B2 (zh)
CN (1) CN100468665C (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102313959B (zh) * 2007-11-21 2014-11-12 Lg伊诺特有限公司 摄像模块
US8048708B2 (en) * 2008-06-25 2011-11-01 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing an imager module with a permanent carrier
US7868430B2 (en) * 2008-09-26 2011-01-11 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
CN102231382B (zh) * 2011-06-17 2013-01-23 瑞声声学科技(深圳)有限公司 图像传感器的陶瓷封装及其封装方法
CN103247650B (zh) * 2013-05-09 2016-09-07 格科微电子（上海）有限公司 一种板载芯片模组及其制造方法
US9859193B2 (en) * 2014-06-24 2018-01-02 Ibis Innotech Inc. Package structure
CN105721754B (zh) * 2016-04-01 2020-04-28 宁波舜宇光电信息有限公司 基于一体封装工艺的摄像模组
CN107978596B (zh) * 2016-10-24 2020-05-12 光宝光电(常州)有限公司 光感测器模组及其穿戴装置
CN206364243U (zh) * 2017-01-09 2017-07-28 番禺得意精密电子工业有限公司 电连接器
CN112804412A (zh) * 2019-10-28 2021-05-14 晋城三赢精密电子有限公司 摄像头模组及电子装置
US11671686B1 (en) * 2020-09-18 2023-06-06 Apple Inc. Camera module subcomponents attached via vertically-spread adhesive
CN113629086A (zh) * 2021-08-03 2021-11-09 深圳市群晖智能科技股份有限公司 Fcm封装片机制作方法及封装片机及摄像头模组产品

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5622873A (en) * 1994-01-24 1997-04-22 Goldstar Electron Co., Ltd. Process for manufacturing a resin molded image pick-up semiconductor chip having a window
US20010024848A1 (en) * 2000-03-22 2001-09-27 Masao Nakamura Solid-state imaging device and manufacturing method thereof
CN1518079A (zh) * 2003-01-17 2004-08-04 胜开科技股份有限公司 射出成型影像感测器封装方法
CN1553509A (zh) * 2003-06-03 2004-12-08 胜开科技股份有限公司 影像感测器及其封装方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5122861A (en) * 1988-11-25 1992-06-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid state image pickup device having particular package structure
DE69632228T2 (de) * 1995-07-13 2005-04-14 Eastman Kodak Co. Bildsensor mit einem Trägergehäuse
KR100421774B1 (ko) * 1999-12-16 2004-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조 방법
US6649834B1 (en) * 2002-12-16 2003-11-18 Kingpak Technology Inc. Injection molded image sensor and a method for manufacturing the same
US6747261B1 (en) * 2003-01-09 2004-06-08 Kingpak Technology Inc. Image sensor having shortened wires
JP2004319530A (ja) * 2003-02-28 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
US20040179243A1 (en) * 2003-03-10 2004-09-16 Jackson Hsieh Simplified image sensor module
US6870208B1 (en) * 2003-09-24 2005-03-22 Kingpak Technology Inc. Image sensor module
JP4446773B2 (ja) * 2004-03-26 2010-04-07 富士フイルム株式会社 撮影装置
KR100652375B1 (ko) * 2004-06-29 2006-12-01 삼성전자주식회사 와이어 본딩 패키지를 포함하는 이미지 센서 모듈 구조물및 그 제조방법
US20060103953A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Nsmc Holdings International Corp. Ltd. Electrical micro-optic module with improved joint structures
US7408244B2 (en) * 2005-03-16 2008-08-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and stack arrangement thereof
US20070040932A1 (en) * 2005-08-19 2007-02-22 Wen-Ching Chen Image sensor module

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5622873A (en) * 1994-01-24 1997-04-22 Goldstar Electron Co., Ltd. Process for manufacturing a resin molded image pick-up semiconductor chip having a window
US20010024848A1 (en) * 2000-03-22 2001-09-27 Masao Nakamura Solid-state imaging device and manufacturing method thereof
CN1518079A (zh) * 2003-01-17 2004-08-04 胜开科技股份有限公司 射出成型影像感测器封装方法
CN1553509A (zh) * 2003-06-03 2004-12-08 胜开科技股份有限公司 影像感测器及其封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1979789A (zh) 2007-06-13
US20070126916A1 (en) 2007-06-07
US7595839B2 (en) 2009-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100468665C (zh) 影像感测晶片封装制程
CN100562068C (zh) 数码相机模组制作方法
CN100544007C (zh) 影像感测器封装结构
US6897428B2 (en) Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
JP3205235B2 (ja) リードフレーム、樹脂封止型半導体装置、その製造方法及び該製造方法で用いる半導体装置製造用金型
US7719585B2 (en) Solid-state imaging device
US7273765B2 (en) Solid-state imaging device and method for producing the same
US20060244113A1 (en) Leadless leadframe electronic package and sensor module incorporating same
US20050001219A1 (en) Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
CN1980325A (zh) 数码相机模组
JP3838572B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
CN100483655C (zh) 数码相机模组的制程
CN101359645B (zh) 半导体装置、预模制封装结构及其制造方法
CN100485893C (zh) 影像感测芯片封装的制程和结构
JP2004241757A (ja) 光結合半導体装置とその製造方法
JP2002334975A (ja) 半導体装置の支持構造、ｃｃｄ半導体装置、その製造方法、及び、ｃｃｄ半導体装置用パッケージ
KR0185790B1 (ko) 반도체 장치의 제조방법
CN1595641B (zh) 半导体装置及其制造方法
JP2006332685A (ja) 固体撮像装置
CN112737272B (zh) 一种焊接有电子元件的基座及其生产工艺和音圈马达
JP3730469B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP3756249B2 (ja) 表面実装型光学装置
US6396132B1 (en) Semiconductor device with improved interconnections between the chip and the terminals, and process for its manufacture
JPH0332048A (ja) 半導体装置
JP2005129703A (ja) プリモールドパッケージ及びこれを用いた半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: HONGFUJIN PRECISE INDUSTRY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: YANGXIN TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20130208

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20130208

Address after: 518109 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Longhua Town Industrial Zone tabulaeformis tenth East Ring Road No. 2 two

Patentee after: Hongfujin Precise Industry (Shenzhen) Co., Ltd.

Patentee after: Hon Hai Precision Industry Co., Ltd.

Address before: 518109 Guangdong city of Shenzhen province Baoan District Longhua Town Industrial Zone tabulaeformis tenth East Ring Road No. 2 two

Patentee before: Hongfujin Precise Industry (Shenzhen) Co., Ltd.

Patentee before: Yangxin Technology Co., Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090311

Termination date: 20161202

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee