JP2004241757A - 光結合半導体装置とその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 発光素子と受光素子間の光伝達効率が高く、耐熱性に富む光結合半導体装置を提供する。
【解決手段】 本体部と先端部をそれぞれ有する板状の第１および第２リードフレーム３，３ａと、第１および第２リードフレームの各先端部の上面に搭載された発光素子１および受光素子２と、上面に発光素子および受光素子をそれぞれ搭載した状態で第１および第２リードフレームの各先端部を間隔を有するように突き合せて本体部が同一平面になるように支持し、かつ、発光素子と受光素子とを覆う透光性樹脂部材８と、透光性樹脂部材をさらに覆って各本体部を支持する非透光性樹脂部材９とを備え、透光性および非透光性樹脂部材がエポキシ樹脂からなる。
【選択図】 図２

Description

この発明は、光結合半導体装置（フォトカプラ）とその製造方法に関する。
この発明に関連する背景技術としては、発光素子から放出される光が受光素子により受光されるようにしたフォトカプラ装置であって、第１のリードフレームのダイ・パッド部と第２のリードフレームのダイ・パッド部とを互いに傾斜させて前記発光素子と前記受光素子とを対向配置し、発光素子と受光素子を透明シリコーン樹脂からなるエンキャップ樹脂で覆うことにより、マウント面に平行な前記発光素子の主面から放出される光のうち少なくとも一部が、反射されることなく、前記受光素子に直接入射するように構成された装置や、発光および受光素子を搭載したリードフレーム上にエンキャップ樹脂をポッティングし、自重で所定の形状が得られてからキュアすることにより、エンキャップ樹脂を硬化させるようにしたフォトカプラ装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開平１１−１７７１２４号公報
近年、鉛フリー化による基板実装温度の上昇のため、光結合半導体装置においてもパッケージの耐熱性の向上が不可欠となってきている。これに対し、発光素子と受光素子を覆って光伝達路を形成するために用いられるシリコーン樹脂は、線膨張係数が大きいため、実装時の熱ストレスによりパッケージにクラックが発生するという不都合を生じる。また、樹脂をポッティングして発光および受光素子を覆い、樹脂を自重で整形した後、キュアにより硬化させるという製造方法は、硬化後の樹脂の形状が安定しないため、量産に適した方法とはいえない。
この発明は、このような事情を考慮してなされたもので、線膨張係数の小さいエポキシ樹脂による２重トランスファーモールド構造を有し、かつ、光伝達効率の高い光結合半導体装置とその量産に適した製造方法を提供するものである。
この発明は、本体部と先端部をそれぞれ有する板状の第１および第２リードフレームと、第１および第２リードフレームの各先端部の上面に搭載された発光素子および受光素子と、上面に発光素子および受光素子をそれぞれ搭載した状態で第１および第２リードフレームの各先端部を間隔を有するように突き合せて本体部が同一平面になるように支持し、かつ、発光素子と受光素子とを覆う透光性樹脂部材と、透光性樹脂部材をさらに覆って各本体部を支持する非透光性樹脂部材とを備え、透光性および非透光性樹脂部材がエポキシ樹脂からなることを特徴とする光結合半導体装置を提供するものである。
また、この発明は、第１および第２リードフレームを有する単一のフレームを用い、第１および第２リードフレームの先端部の上面に発光素子と受光素子をそれぞれ搭載し、透光性樹脂による１次トランスファーモールド成形加工により両先端部と発光および受光素子を透光性樹脂で覆い、非透光性樹脂による２次トランスファーモールド成形加工により透光性樹脂を非透性樹脂で覆う工程からなることを特徴とする光結合半導体装置の製造方法を提供するものである。
この発明によれば、発光素子と受光素子がエポキシ樹脂で覆われるので、発光および受光素子間の光伝達効率が高く、しかも耐熱性に優れた光結合半導体素子を得ることができる。
また、この発明の製造方法は、第１および第２トランスファーモールド成形加工により、透光性樹脂と非透光性樹脂を成形するので、光結合半導体素子を安定して量産することができる。
この発明の光結合半導体装置は、本体部と先端部をそれぞれ有する板状の第１および第２リードフレームと、第１および第２リードフレームの各先端部の上面に搭載された発光素子および受光素子と、上面に発光素子および受光素子をそれぞれ搭載した状態で第１および第２リードフレームの各先端部を間隔を有するように突き合せて本体部が同一平面になるように支持し、かつ、発光素子と受光素子とを覆う透光性樹脂部材と、透光性樹脂部材をさらに覆って各本体部を支持する非透光性樹脂部材とを備え、透光性および非透光性樹脂部材がエポキシ樹脂からなることを特徴とする。
透光性樹脂部材は、発光素子と受光素子の上方で、ほぼ半球状に形成されてもよい。
また、透光性樹脂部材は発光素子と受光素子の上方で、ほぼ四角錐台形状に形成されてもよい。
第１および第２リードフレームには、それらが同一平面状に配置された単一のフレームを好適に用いることができる。
発光素子と受光素子には、それぞれ発光ダイオードとフォトダイオードを用いることができる。
透光性樹脂部材に用いるエポキシ樹脂としては、透明エポキシ樹脂や半透明エポキシ樹脂などが挙げられる。
非透過性樹脂部材に用いるエポキシ樹脂としては、白色エポキシ樹脂や遮光性エポキシ樹脂などが挙げられる。
発光素子と受光素子を上面に搭載した各先端部は、上面から下面の方向へ鈍角に屈曲してなることが好ましい。この屈曲角を適正に設定することにより、受光素子は発光素子からの直接光と反射光を最も効率よく受光することができる。
その場合、発光素子を搭載した先端部は、受光素子を搭載した先端部より屈曲角度が小さく設定されてもよい。
発光素子を搭載した先端部は角度ａで上面から下面方向に屈曲し、受光素子を搭載した先端部は角度ｂで上面から下面方向に屈曲し、角度ａ，ｂが
５°≦ａ≦２５°，５°≦ｂ≦２５°
であることが好ましい。
透光性樹脂部材は、発光素子からの光を受光素子に導く上部領域と、第１および第２リードフレームの先端部を支持する下部領域からなり、上部領域は下部領域よりも体積が小さくてもよい。
各先端部は、先端部上面とその上面に隣接する透光性樹脂部材の外壁面とのなす角度が４５〜９０度の範囲であることが好ましい。
第１リードフレームは先端部に、発光素子が本体部の上面よりも低くなるような段差を有してもよい。
発光素子は透光性シリコーン樹脂で局部的に覆われていてもよい。
この発明の製造方法は、上記光結合半導体装置を製造するために、第１および第２リードフレームを有する単一のフレームを用い、第１および第２リードフレームの先端部の上面に発光素子と受光素子をそれぞれ搭載し、透光性樹脂による１次トランスファーモールド成形加工により両先端部と発光および受光素子を透光性樹脂で覆い、非透光性樹脂による２次トランスファーモールド成形加工により透光性樹脂を非透性樹脂で覆う工程を備えたことを特徴とする。
この方法によれば、第１および第２リードフレームを有する単一フレームを用いて樹脂成形加工を行うことができるので、加工工数が低減できる。
発光素子と受光素子を上面に搭載した各先端部を上面から下面の方向へ加圧して屈曲させる屈曲加工を行う工程をさらに備え、屈曲加工と一次トランスファーモールド成形加工を同じ金型を用いて行い、金型のクランプ時に屈曲加工を行うことが好ましい。
これによれば、屈曲加工と成形加工を同じ金型を用いて行うことができるので、加工設備の簡略化と加工工数の低減化をはかることができる。
金型が上金型と下金型からなり、上金型が屈曲加工用の突起を備えてもよい。
下金型が屈曲した各先端部の裏面を支持する支持部を備えてもよい。
第１および第２リードフレームは、素子を搭載する素子搭載用フレームと、素子に対し電気信号を授受するための信号用フレームとをそれぞれ並列に備え、屈曲加工時に第１および第２リードフレームの素子搭載用フレームと信号用フレームとが同時に屈曲されることが好ましい。
突起が屈曲方向に移動可能なピンから構成されてもよい。
突起が、第１リードフレームを屈曲させる第１突起と、第２リードフレームを屈曲させる第２突起から構成されてもよい。
第１および第２突起が屈曲方向に移動可能なピンからなることが好ましい。
突起が、第１および第２リードフレームを同時に屈曲させるために屈曲方向に移動可能なピンから構成されてもよい。
また、この発明は、上記光結合半導体装置を備えた、例えばテレビジョン用電源，携帯電話用充電器などの電子機器を提供するものである。
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する。これによってこの発明が限定されるものではない。
第１実施例
図１はこの発明の光結合半導体装置（以下、フォトカプラという）の第１実施例を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図である。これら図に示すように、フォトカプラ１００において、発光素子１と受光素子２は、板状の第１リードフレーム３と板状の第２リードフレーム３ａの各先端部１３、１３ａの上面に銀ペースト４と４ａによりそれぞれ接合され、金線５と５ａによりそれぞれ第１および第２リードフレーム３、３ａに電気的に接続（ワイヤボンディング）されている。
図３と図４は第１および第２リードフレーム３と３ａを示す平面図であり、第１リードフレーム３は、図３に示すように、先端部１３と本体部１７を有し、かつ、互いに並行な素子搭載用フレーム２０と信号用フレーム１９に分割されている。
発光素子１は２つの入力端子（電極）を有し、一方の入力端子は、素子搭載用フレーム２０の先端部１３に結合され、発光素子１の他方の入力端子は、信号用フレーム１９の先端部１３に金線５で接続される。
また、第２リードフレーム３ａは、図４に示すように先端部１３ａと本体部１７ａを有し、かつ、互いに並行な素子搭載用フレーム２０ａと信号用フレーム１９ａに分割されている。
受光素子２は２つの出力端子（電極）を有し、一方の出力端子は素子搭載用フレーム２０ａの先端部１３ａに結合され、受光素子の他方の出力端子は信号用フレーム１９ａの先端部１３ａに金線５ａで接続されている。
図１，図２に示すように、第１リードフレーム３と第２フレーム３ａは、それぞれが上面に発光素子１と受光素子２を搭載した状態で先端部１３、１３ａが間隔を有して互いに突き合されている。そして、先端部１３、１３ａおよび発光・受光素子１、２が、透明エキポシ樹脂からなる透過性樹脂部材８によって覆われ、本体部１７と１７ａが同一平面上にあるように固定されている。さらに、透過性樹脂部材８を白色エキポシ樹脂からなる非透過性樹脂部材９が覆って、本体部１７，１７ａを支持している。
なお、発光素子１は先端部１３上でシリコーン樹脂からなる透光性樹脂部材６で局部的に覆われて保護されている。また、透光性樹脂部材８は、発光素子１と受光素子２の上方でほぼ半球状に形成されている。
なお、図２に示すように、透光性樹脂部材８は、発光素子１からの光を受光素子２に導く上部領域と、第１および第２リードフレーム３，３ａの先端部１３，１３ａを支持する下部領域を形成するが、上部領域は下部領域よりも体積が小さい。これによって、光の散乱領域が小さくなり、発光素子から受光素子への光の伝達効率が向上する。
発光素子１と受光素子２とをそれぞれ上面に搭載した先端部１３、１３ａは、上面から下面の方向へそれぞれ角度ａ、ｂだけ屈曲している。
このような構成において、発光素子１から出射した光はその一部が直接光として直接受光素子２へ入射し、残りは透光性樹脂部材８の半球面８ａで反射され、反射光として受光素子２へ入射する。ここで半球面８ａの形状寸法および屈曲角ａ、ｂは、受光素子２へ入射する直接光と反射光の合計の光量が最大になるように設定される。その場合、ａ＜ｂで、ａは５〜３０度、ｂは５〜４０度の範囲となる。
図５は図１と図２に示すフォトカプラ１００の変形例１００ａを示す図２対応図である。
フォトカプラ１００ａにおいては、第１リードフレーム３は先端部１３に発光素子１が本体部１７の上面よりも低くなるような段差を有している。その他の構成はフォトカプラ１００と同等である。
なお、この段差の形状寸法も受光素子２へ入射する直接光と反射光の合計の光量が最大になるように設定される。
次に、図１と図２に示すフォトカプラ１００の製造方法について説明する。
図６はこの製造方法に用いる１次トランスファーモールド成形金型の要部断面図である。同図に示すように金型２００は上金型２０と下金型２１から構成され、上金型２０はほぼ半球状のキャビティ３０を有し、下金型２１はほぼ直方体状のキャビティ３１を有する。
なお、キャビティ３０の内壁面には鏡面仕上げが施されている。
そして、上金型２０はキャビティ３０の縁にリードフレーム屈曲用突起１５、１５ａを有する。また、下金型２１はキャビティ２１ａの縁に斜めに切り欠いて形成され突起１５、１５ａにより屈曲されたリードフレームをそれぞれ支持するための支持部１６、１６ａを有する。支持部１６、１６ａの斜めの切り欠き角度は、図２の角度ａとｂにそれぞれ対応する。
そこで、まず、図９に示すように複数対の第１および第２リードフレーム３，３ａを備えた一枚のフレーム３００の各対の第１リードフレーム３と第２リードフレーム３ａについて、その各先端部に図１０に示すように発光素子１と受光素子２を銀ペーストによって接合し、金線５，５ａによる配線を施し、発光素子１を図２に示すようにシリコーン樹脂６を用いて封止する。
次に、図７に示すように、開いている金型２００の上金型２０と下金型２１との間に第１リードフレーム３と第２リードフレーム３ａを設置する。
次に、図８に示すように、上金型２０を下降させて金型２００を閉じる（クランプする）。リードフレーム３と３ａの各先端部は、突起１５と１５ａにより押し下げられ、支持部１６、１６ａに受け止められて、それぞれ所定角度で同時に屈曲する。つまり、リードフレーム３と３ａにおいて、図３，図４に示す素子搭載用フレーム２０，２０ａと信号用フレーム１９，１９ａが同時に屈曲する。
次に、キャビティ２０ａ、２１ａに透明エキポシ樹脂が充填され、１次トランスファーモールド成形が行われる。成型物が固化した時点で金型２００が開かれて１次トランスファーモールド成形物が取り出される。
次に１次トランスファーモールド成形物が図示しない２次トランスファーモールド成形金型にセットされて白色エキポシ樹脂が充填され、図１と図２に示す非透光性樹脂部材９がトランスファーモールド成型される。成型物が固化した時点で２次トランスファーモールド成型金型から取り出されると、図１と図２に示すフォトカプラ１００が完成する。
第２実施例
図１１はこの発明によるフォトカプラの第２実施例を示す図２対応図である。
フォトカプラ１００ｂにおいては、透光性樹脂部材８が、発光素子１と受光素子２の上方でほぼ四角錐台形状に形成されている。
そして、第１および第２リードフレーム３，３ａの先端部１３，１３ａの上面は、隣接する透光性樹脂部材８の外壁面とのなす角度α，βは４５〜９０度に設定される。その他の構成は図２に示すフォトカプラ１００と同等である。
これによって、透光性樹脂部材８を半球状に成形する金型に必要とされる鏡面仕上げ等の特殊加工が不要となり、安価に１次トランスファーモールド金型を作製することができる。従って、設備投資費用を低減でき、安価な２重トランスファー構造の平面搭載型光結合素子を製造することができる。
また、図５に示すフォトカプラ１００ａの透光性樹脂部材８を、図１１と同様に発光素子１と受光素子の上方でほぼ四角錐台形状に形成してもよい。これによって、図１１に示すフォトカプラ１００ｂと同等の効果を奏する。
次に、図１１に示すフォトカプラ１００ｂの製造方法について説明する。
図１２はこの製造方法に用いる１次トランスファーモールド成形金型の要部断面図である。同図に示すように金型２００ａは上金型２０ａと下金型２１から構成され、上金型２０ａはほぼ四角錐台形状のキャビティ３０ａを有し、下金型２１はほぼ直方体状のキャビティ２１ａを有する。なお、下金型２１は図６に示すものと同等である。
また、キャビティ３０ａの表面はキャビティ３０（図６）の表面とは異なり、鏡面仕上げを施す必要はない。
そして、上金型２０ａはキャビティ３０ａの縁に図６に示すものと同様にリードフレーム屈曲用突起１５、１５ａを有する。
そこで、まず、図９に示す複数対の第１および第２リードフレーム３，３ａを備えた一枚のフレーム３００の各対の第１リードフレーム３と第２リードフレーム３ａについて、それらの各先端部に図１０に示すように発光素子１と受光素子２を銀ペーストによって接合し、金線５，５ａによる配線を施し、発光素子１を図１１に示すようにシリコーン樹脂６を用いて封止する。
次に、図１３に示すように、開いている金型２００ａの上金型２０ａと下金型２１との間に第１リードフレーム３と第２リードフレーム３ａを設置する。
次に、図１４に示すように、上金型２０ａを下降させて金型２００ａを閉じる（クランプする）。リードフレーム３と３ａの各先端部は、突起１５と１５ａにより押し下げられ、支持部１６、１６ａに受け止められて、それぞれ所定角度で同時に屈曲する。
次に、キャビティ３０ａ、３１に透明エキポシ樹脂が充填され、１次トランスファーモールド成形が行われる。成型物が固化した時点で金型２００ａが開かれて１次トランスファーモールド成形物が取り出される。
次に１次トランスファーモールド成形物が図示しない２次トランスファーモールド成形金型にセットされて白色エキポシ樹脂が充填され、図１１に示す非透光性樹脂部材９がトランスファーモールド成型される。成型物が固化した時点で２次トランスファーモールド成型金型から取り出されると、図１１に示すフォトカプラ１００ｂが完成する。
図１５は金型２００ａ（図１２）の変形例としての金型２００ｂを示す要部断面図である。金型２００ｂは上金型２０ｂと下金型２１（図１２と同じ）から構成され、上金型２０ｂは、キャビティ３０ａの中央に下向きに突出するピン４０を備える。その他の構成は金型２００ａと同等である。
そこで、図１５に示すように、金型２００ｂに第１および第２リードフレーム３，３ａを設置して、図１６に示すように金型２００ｂをクランプすると、リードフレーム３，３ａの先端部１３，１３ａは、ピン４０および突起１５，１５ａにより円滑に押し下げられて、所定角度で屈曲する。その後、前述と同等の工程が実施されて、図１１に示すフォトカプラ１００ｂが完成する。
図１７は金型２００ａ（図１２）の他の変形例としての金型２００ｃを示す要部断面図である。金型２００ｃは上金型２０ｃと下金型２１（図１２と同じ）から構成され、上金型２０ｃは、キャビティ３０ａの中央に下向きに突出可能な可動ピン４１を備える。その他の構成は金型２００ａと同等である。
そこで、図１７に示すように、金型２００ｃに第１および第２リードフレーム３，３ａを設置して、図１８，１９に示すように可動ピン４１を下降させながら金型２００ｂをクランプする。それによって、リードフレーム３，３ａの先端部１３，１３ａは、可動ピン４１および突起１５，１５ａにより円滑に押し下げられて、所定角度で屈曲する。そして、可動ピン４１は上金型２０ｃの内部へ引き込まれる。その後、前述と同等の工程が実施されて、図１１に示すフォトカプラ１００ｂが完成する。なお、可動ピン４１は油圧によって駆動される。
図２０は金型２００ａ（図１２）のさらに他の変形例としての金型２００ｄを示す要部断面図である。金型２００ｄは上金型２０ｄと下金型２１（図１２と同じ）から構成され、上金型２０ｄは、図１２に示す突起１５，１５ａの代わりに下向きに突出可能な可動ピン４２，４２ａを備える。その他の構成は金型２００ａ（図１３）と同等である。
そこで、図２０に示すように、金型２００ｄに第１および第２リードフレーム３，３ａを設置して、図２１に示すように金型２００ｂをクランプした後、図２２のように可動ピン４２，４２ａを下降させると、リードフレーム３，３ａの先端部１３，１３ａは、可動ピン４２，４２ａにより円滑に押し下げられて、所定角度で屈曲する。そして、可動ピン４２，４２ａは上金型２０ｄへ図２０に示すように引き込まれる。その後、前述と同等の工程が実施されて、図１１に示すフォトカプラ１００ｂが完成する。なお、可動ピン４２，４２ａは油圧によって駆動される。
図２３は金型２００ａ（図１２）のさらに他の変形例としての金型２００ｅを示す要部断面図である。金型２００ｅは上金型２０ｅと下金型３１（図１２と同じ）から構成され、上金型２０ｅは、図１２に示す突起１５，１５ａの代わりに下向きに突出する可動ピン４３，４３ａを備える。なお、可動ピン４３，４３ａは先端が屈曲角度に対応してテーパー状に形成されている。その他の構成は金型２００ａと同等である。
そこで、図２３に示すように、金型２００ｅに第１および第２リードフレーム３，３ａを設置して、図２４に示すように金型２００ｂをクランプした後、図２５のように可動ピン４３，４３ａを下降させると、リードフレーム３，３ａの先端部１３，１３ａは、可動ピン４３，４３ａにより円滑に押し下げられて、所定角度で屈曲する。そして、可動ピン４３，４３ａは図２３に示す位置まで上金型２０ｅへ引き込まれる。その後、前述と同等の工程が実施されて、図１１に示すフォトカプラ１００ｂが完成する。なお、可動ピン４３，４３ａは油圧によって駆動される。
図２６は、第２実施例における第１リードフレーム３の先端部１３の屈曲角度ａと、第２リードフレーム３ａの先端部１３ａの屈曲角度ｂと、フォトカプラ１００ｂの感度特性との関係の実測結果を示すグラフである。発光素子１に定格電流を流した時の受光素子２の出力電流を測定し、出力電流が標準値であると４角印でプロットし、標準値より大きいと丸印でプロットし、標準値より小さいと３角印でプロットしている。
図２６から分かるように、受光素子２の出力電流が標準値以上となるには、角度ａ，ｂが５°≦ａ≦２５°，５°≦ｂ≦２５°の範囲であることが好ましく、１０°≦ａ≦２０°，１０°≦ｂ≦２２°であれば、さらに好ましい。
上記の各種フォトカプラ（光結合半導体装置）は、テレビジョン用電源や携帯電話用充電器などに好適に用いることができる。
この発明のフォトカプラの第１実施例を示す平面図である。 図１のＡ−Ａ矢視断面図である。 この発明に係る第１リードフレームの平面図である。 この発明に係る第２リードフレームの平面図である。 この発明の第１実施例の変形例を示す図２対応図である。 図１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 この発明のフォトカプラの製造に用いるフレームの平面図である。 図９の要部詳細図である。 この発明のフォトカプラの第２実施例を示す図２の対応図である。 図１１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１１に示すフォトカプラの製造方法を示す金型の断面図である。 図１１に示すフォトカプラの感度特性を示すグラフである。
符号の説明
１ 発光素子
２ 受光素子
３ 第１リードフレーム
３ａ 第２リードフレーム
４ 銀ペースト
４ａ 銀ペースト
５ 金線
５ａ 金線
６ シリコーン樹脂
８ 透光性樹脂部材
９ 非透光性樹脂部材
１３ 先端部
１３ａ 先端部
１７ 本体部
１７ａ 本体部
１９ 信号用フレーム
１９ａ 信号用フレーム
２０ 素子搭載用フレーム
２０ａ 素子搭載用フレーム
１００ フォトカプラ

Claims (20)

  1. 本体部と先端部をそれぞれ有する板状の第１および第２リードフレームと、第１および第２リードフレームの各先端部の上面に搭載された発光素子および受光素子と、上面に発光素子および受光素子をそれぞれ搭載した状態で第１および第２リードフレームの各先端部を間隔を有するように突き合せて本体部が同一平面になるように支持し、かつ、発光素子と受光素子とを覆う透光性樹脂部材と、透光性樹脂部材をさらに覆って各本体部を支持する非透光性樹脂部材とを備え、透光性および非透光性樹脂部材がエポキシ樹脂からなることを特徴とする光結合半導体装置。
  2. 透光性樹脂部材は、発光素子と受光素子の上方で、ほぼ半球状に形成されてなる請求項１記載の光結合半導体装置。
  3. 透光性樹脂部材は発光素子と受光素子の上方で、ほぼ四角錐台形状に形成されてなる請求項１記載の光結合半導体装置。
  4. 発光素子と受光素子を上面に搭載した各先端部は、上面から下面の方向へ鈍角に屈曲してなる請求項1〜３のいずれか１つに記載の光結合半導体装置。
  5. 発光素子を搭載した先端部は受光素子を搭載した先端部より屈曲角度が小さい請求項４記載の光結合半導体装置。
  6. 発光素子を搭載した先端部は角度ａで上面から下面方向に屈曲し、受光素子を搭載した先端部は角度ｂで上面から下面方向に屈曲し、角度ａ，ｂが
    ５°≦ａ≦２５°，５°≦ｂ≦２５°
    である請求項４記載の光結合半導体装置。
  7. 透光性樹脂部材は、発光素子からの光を受光素子に導く上部領域と、第１および第２リードフレームの先端部を支持する下部領域からなり、上部領域は下部領域よりも体積が小さいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の光結合半導体装置。
  8. 各先端部は、先端部上面とその上面に隣接する透光性樹脂部材の外壁面とのなす角度が４５〜９０度の範囲にある請求項３記載の光結合半導体装置。
  9. 第1リードフレームは、先端部の近傍に、発光素子が本体部の上面よりも低くなるような段差を有する請求項1又は２記載の光結合半導体装置。
  10. 発光素子は透光性シリコーン樹脂で局部的に覆われてなる請求項１〜３のいずれか1つに記載の光結合半導体装置。
  11. 第１および第２リードフレームを有する単一のフレームを用い、第１および第２リードフレームの先端部の上面に発光素子と受光素子をそれぞれ搭載し、透光性樹脂による１次トランスファーモールド成形加工により両先端部と発光および受光素子を透光性樹脂で覆い、非透光性樹脂による２次トランスファーモールド成形加工により透光性樹脂を非透性樹脂で覆う工程からなることを特徴とする光結合半導体装置の製造方法。
  12. 発光素子と受光素子を上面に搭載した各先端部を上面から下面の方向へ加圧して屈曲させる屈曲加工を行う工程をさらに備え、屈曲加工と１次トランスファーモールド成形加工を同じ金型を用いて行い、金型のクランプ時に屈曲加工を行う請求項１１記載の光結合半導体装置の製造方法。
  13. 金型が上金型と下金型からなり、上金型が屈曲加工用の突起を備える請求項１２記載の光結合半導体装置の製造方法。
  14. 下金型が屈曲した各先端部の下面を支持する支持部を備える請求項１３記載の光結合半導体装置の製造方法。
  15. 第１および第２リードフレームは、素子を搭載する素子搭載用フレームと、素子に対し電気信号を授受するための信号用フレームとをそれぞれ並列に備え、屈曲加工時に第１および第２リードフレームの素子搭載用フレームと信号用フレームとが同時に屈曲される請求項１２〜１４のいずれか１つに記載の光結合半導体装置の製造方法。
  16. 突起が加圧方向に移動可能なピンからなる請求項１３記載の光結合半導体装置の製造方法。
  17. 突起が、第１リードフレームを屈曲させる第１突起と、第２リードフレームを屈曲させる第２突起からなる請求項１３記載の光結合半導体装置の製造方法。
  18. 第１および第２突起が屈曲方向に移動可能なピンからなる請求項１７記載の光結合半導体装置の製造方法。
  19. 突起が、第１および第２リードフレームを同時に屈曲させるために屈曲方向に移動可能なピンからなる請求項１３記載の光結合半導体装置の製造方法。
  20. 請求項１〜１０のいずれか１つに記載の光結合半導体装置を備えた電子機器。
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