JPS61276273A - スイツチング素子 - Google Patents
スイツチング素子Info
- Publication number
- JPS61276273A JPS61276273A JP60119107A JP11910785A JPS61276273A JP S61276273 A JPS61276273 A JP S61276273A JP 60119107 A JP60119107 A JP 60119107A JP 11910785 A JP11910785 A JP 11910785A JP S61276273 A JPS61276273 A JP S61276273A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- enclosure
- photo
- light
- coupler section
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、受発光チップより形成されるホトカプラー部
とパワーチップを一体化し之スイッチング素子に関する
ものである。
とパワーチップを一体化し之スイッチング素子に関する
ものである。
〈発明の概要〉
本発明は、受発光チップより構成されるホトカプラー部
とパワーチップとから成るスイッチング素子に於いて、
ホトカプラー部の耐湿性全向上させる為に、ホトカブラ
一部外層に囲いを設けたものである。
とパワーチップとから成るスイッチング素子に於いて、
ホトカプラー部の耐湿性全向上させる為に、ホトカブラ
一部外層に囲いを設けたものである。
〈従来の技術〉
第２図に示すように、パワーチップとホトカプラー部全
一体化したソリッドステートリレー等のスイッチング素
子では、通常、放熱板ｌ上に受光チップ２、発光チップ
８、及びパワーチップ４が配置されている。受光チップ
２は絶縁ペースト７によって放熱板１上にダイボンドさ
れ、受光チップ２の上に（ウニ八段階で形成された透光
性高絶縁耐厚膜９上に）、発光チップ３が透明樹脂（図
示せず）によりダイボンドされている。又、パワーチッ
プ４は半田５付により放熱板ｌにダイボンドされている
。このスイッチング素子の等何回路は第３図のようであ
り、結線は、発光チップ３のアノード、カソード、及び
受光チップ２・パワーチップ４間がそれぞれ２５μφの
金線８．８′で結ばれ、パワーチップ４の出力は２５０
μφのアルミ線６で結ばれる。そして、受光テップ２の
表面は、発光チップ３の光全閉じ込めること及び発光チ
ップ２のバッフ７−コーｉ目的として、透明シリコーン
樹脂１０でプリコートし、その上で全体全光反射性のエ
ポキシ樹脂１１等でトランスファモールドしてパッケー
ジしている。
一体化したソリッドステートリレー等のスイッチング素
子では、通常、放熱板ｌ上に受光チップ２、発光チップ
８、及びパワーチップ４が配置されている。受光チップ
２は絶縁ペースト７によって放熱板１上にダイボンドさ
れ、受光チップ２の上に（ウニ八段階で形成された透光
性高絶縁耐厚膜９上に）、発光チップ３が透明樹脂（図
示せず）によりダイボンドされている。又、パワーチッ
プ４は半田５付により放熱板ｌにダイボンドされている
。このスイッチング素子の等何回路は第３図のようであ
り、結線は、発光チップ３のアノード、カソード、及び
受光チップ２・パワーチップ４間がそれぞれ２５μφの
金線８．８′で結ばれ、パワーチップ４の出力は２５０
μφのアルミ線６で結ばれる。そして、受光テップ２の
表面は、発光チップ３の光全閉じ込めること及び発光チ
ップ２のバッフ７−コーｉ目的として、透明シリコーン
樹脂１０でプリコートし、その上で全体全光反射性のエ
ポキシ樹脂１１等でトランスファモールドしてパッケー
ジしている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、上記構成によるスイッチング素子では、パワ一
部に於いて熱放散性が要求され、ホトカプラー部に於い
ては高耐圧、高光収集効率性能が要求される。パワ一部
の熱放散性を主眼とした場合、高熱伝導率全有する銅系
放熱板上にパワーチップを半田ダイボンドするが、その
際、放熱板厚及び面積全拡大し、放熱板に外部放熱フィ
ンを取り付けられる様にし念力が制御電力？大きくでき
るとともに熱抵抗的に有利である。一方、ホトカプラー
部に於いては、受光チップ側と発光チップ側全電気的に
絶縁する必要があり、ホトカプラー部への水分の浸透等
が発生し定場合、受発光間の絶縁耐圧を保持することが
困難になる。
部に於いて熱放散性が要求され、ホトカプラー部に於い
ては高耐圧、高光収集効率性能が要求される。パワ一部
の熱放散性を主眼とした場合、高熱伝導率全有する銅系
放熱板上にパワーチップを半田ダイボンドするが、その
際、放熱板厚及び面積全拡大し、放熱板に外部放熱フィ
ンを取り付けられる様にし念力が制御電力？大きくでき
るとともに熱抵抗的に有利である。一方、ホトカプラー
部に於いては、受光チップ側と発光チップ側全電気的に
絶縁する必要があり、ホトカプラー部への水分の浸透等
が発生し定場合、受発光間の絶縁耐圧を保持することが
困難になる。
従って、熱放散性を考慮したパッケージでは、放熱板と
しての金属材料とモールドされる成形樹脂材料（エポキ
シ樹脂等）との界面が長く、また熱膨張係数のミスマツ
チより界面から水分の侵入全許し易く、上記ホトカプラ
ー部の高絶縁耐圧特性を阻害するという問題点があった
。
しての金属材料とモールドされる成形樹脂材料（エポキ
シ樹脂等）との界面が長く、また熱膨張係数のミスマツ
チより界面から水分の侵入全許し易く、上記ホトカプラ
ー部の高絶縁耐圧特性を阻害するという問題点があった
。
く問題点全解決するための手段〉
本発明は上記問題点に鑑みて創案されたもので、１つの
放熱板上にホトカプラー部とパワーチップ全配置したス
イッチング素子のホトカプラー部外周に囲いを設け、ホ
トカプラー部における絶縁耐圧を高める構成としたもの
である。
放熱板上にホトカプラー部とパワーチップ全配置したス
イッチング素子のホトカプラー部外周に囲いを設け、ホ
トカプラー部における絶縁耐圧を高める構成としたもの
である。
く作用〉
本発明は上記構成により、ホトカプラー部の絶縁耐圧が
強化できる０又、発光チップから放射される赤外光を、
ホトカプラバζ周の囲いの内に充填する樹脂の選択によ
り効率よく封じ込めることが可能となる。
強化できる０又、発光チップから放射される赤外光を、
ホトカプラバζ周の囲いの内に充填する樹脂の選択によ
り効率よく封じ込めることが可能となる。
〈実施例〉
以下本発明に係るスイッチング素子の一実施例につき詳
細に説明を行なう。
細に説明を行なう。
第１図は本発明に係るスイッチング素子の一実施例の構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
第２図で説明し友ものと同様に、一つの放熱板ｌ上に発
光チップ３、受光チップ２、及びパワーテップ４を配置
しｔ後、プラスチックま几はセラミック等で作製された
囲い１３を接着する。この場合の接着法としては、予め
、接着剤１４をＢ−ステージ状に囲い１３の底面に形成
させておき加熱圧着させる方法による。結線は第２図の
説明と同様に行ない、ホトカプラー部を透明シリコーン
樹脂１０でプリコートする。さらに、選択された光反射
性の樹脂１１’に囲い１３の内側に充填し、最後にエポ
キシ樹脂１２等でモールドして一体成形する。以上のプ
ロセス？経て、ホトカプラー部とパワーチップ４が１つ
のパッケージ内に組み込まれ、光絶縁型のスイッチ素子
が形成される。
光チップ３、受光チップ２、及びパワーテップ４を配置
しｔ後、プラスチックま几はセラミック等で作製された
囲い１３を接着する。この場合の接着法としては、予め
、接着剤１４をＢ−ステージ状に囲い１３の底面に形成
させておき加熱圧着させる方法による。結線は第２図の
説明と同様に行ない、ホトカプラー部を透明シリコーン
樹脂１０でプリコートする。さらに、選択された光反射
性の樹脂１１’に囲い１３の内側に充填し、最後にエポ
キシ樹脂１２等でモールドして一体成形する。以上のプ
ロセス？経て、ホトカプラー部とパワーチップ４が１つ
のパッケージ内に組み込まれ、光絶縁型のスイッチ素子
が形成される。
なお、本実施例では、囲い１３の内側に充填する樹脂１
１と全体を覆う樹脂１２’（ｊ区別し九が、これらの樹
脂１１．１２は同一材料金用いてもよい。
１と全体を覆う樹脂１２’（ｊ区別し九が、これらの樹
脂１１．１２は同一材料金用いてもよい。
〈発明の効果〉
本発明によれば、極めて簡易な構造によりホトカプラ部
の絶縁耐圧が強化できる。又、発光チップから放射され
る赤外光を、ホトカプラー部外周の囲いの内に充填する
樹脂の選択により効率よく封じ込めることが可能であり
、ホトカプラー部の感度アップ化が果せるものである。
の絶縁耐圧が強化できる。又、発光チップから放射され
る赤外光を、ホトカプラー部外周の囲いの内に充填する
樹脂の選択により効率よく封じ込めることが可能であり
、ホトカプラー部の感度アップ化が果せるものである。
第１図は本発明のスイッチング素子の一実施例の構造を
示す断面図、第２図は従来のスイッチング素子の構造を
示す断面図、第３図はスイッチング素子の等価回路図で
ある。 図中、］：放熱板、２：受光チップ、３：発光チップ、
４：パワーチップ、ｌＯ透明シリコーン樹脂、ｌｌ：光
反射性の樹脂、１２：樹脂、１３：囲い。
示す断面図、第２図は従来のスイッチング素子の構造を
示す断面図、第３図はスイッチング素子の等価回路図で
ある。 図中、］：放熱板、２：受光チップ、３：発光チップ、
４：パワーチップ、ｌＯ透明シリコーン樹脂、ｌｌ：光
反射性の樹脂、１２：樹脂、１３：囲い。
Claims (1)
- １、１つの放熱板上に、受発光チップから成るホトカプ
ラー部とパワーチップを配置し、全体を成形樹脂材料に
よりモールドしてパッケージするものにおいて、ホトカ
プラー部外周に囲いを設けて上記成形樹脂材料をモール
ドしてなることを特徴とするスイッチング素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60119107A JPS61276273A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | スイツチング素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60119107A JPS61276273A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | スイツチング素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61276273A true JPS61276273A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=14753082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60119107A Pending JPS61276273A (ja) | 1985-05-30 | 1985-05-30 | スイツチング素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61276273A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233978A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Matsushita Electron Corp | 光半導体装置 |
| EP1420444A2 (de) * | 2002-11-13 | 2004-05-19 | Robert Bosch Gmbh | Thermischer und mechanischer Schutz von diskreten Bauelementen in einem Schaltungsmodul |
| JP2016086098A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光結合装置 |
-
1985
- 1985-05-30 JP JP60119107A patent/JPS61276273A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0233978A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Matsushita Electron Corp | 光半導体装置 |
| EP1420444A2 (de) * | 2002-11-13 | 2004-05-19 | Robert Bosch Gmbh | Thermischer und mechanischer Schutz von diskreten Bauelementen in einem Schaltungsmodul |
| EP1420444A3 (de) * | 2002-11-13 | 2005-08-03 | Robert Bosch Gmbh | Thermischer und mechanischer Schutz von diskreten Bauelementen in einem Schaltungsmodul |
| JP2016086098A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 光結合装置 |
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