JPS6254974A - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
- Publication number
- JPS6254974A JPS6254974A JP60195090A JP19509085A JPS6254974A JP S6254974 A JPS6254974 A JP S6254974A JP 60195090 A JP60195090 A JP 60195090A JP 19509085 A JP19509085 A JP 19509085A JP S6254974 A JPS6254974 A JP S6254974A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting element
- photoreceptor
- light emitting
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光結合半導体装置に関し、詩に光結合半導体
装置に用いる材料に関するものである。
装置に用いる材料に関するものである。
第３図は従来例による二重成型構造の光結合半導体装置
（以下フォトカプラと称する）の構成を示す断面図であ
り、このように二重成型構造のものでは、入出力間の内
部界面に沿う絶縁距離が十分長くとれるために、入力側
である１次側のカソードリード１の先端部表面に発光ダ
イオード等の発光素子２をグイボンドし、さらにこの発
光素子２表面に設けられている電極と図示しない１次側
のアノードリードの先端部とをボンディングワイヤ３に
よって接続するとともに、出力側である２次側のカソー
ドリード４の先端部表面にフォトサイリスク等の受光素
子５をダイボンドして上記発光素子と対向させ、さらに
、この受光素子５表面に設けられている電極と図示しな
い２次側のアノードリードの先端部とをボンディングワ
イヤ６によって接続する。上記発光素子チップをコーテ
イング材のゲル状のシリコンワニス９例えばＪＣＲ６１
０９等でコーディングし、さらに上記リード１．４をシ
リコン等の光透過性樹脂７でモールディングすることに
よって光伝達経路を形成し、またさらにこの光透過性樹
脂７を覆うように光不遇過性樹脂８でモールディングし
、内部及び外部モールドを同時にモールドキュアする様
にしたものである。
（以下フォトカプラと称する）の構成を示す断面図であ
り、このように二重成型構造のものでは、入出力間の内
部界面に沿う絶縁距離が十分長くとれるために、入力側
である１次側のカソードリード１の先端部表面に発光ダ
イオード等の発光素子２をグイボンドし、さらにこの発
光素子２表面に設けられている電極と図示しない１次側
のアノードリードの先端部とをボンディングワイヤ３に
よって接続するとともに、出力側である２次側のカソー
ドリード４の先端部表面にフォトサイリスク等の受光素
子５をダイボンドして上記発光素子と対向させ、さらに
、この受光素子５表面に設けられている電極と図示しな
い２次側のアノードリードの先端部とをボンディングワ
イヤ６によって接続する。上記発光素子チップをコーテ
イング材のゲル状のシリコンワニス９例えばＪＣＲ６１
０９等でコーディングし、さらに上記リード１．４をシ
リコン等の光透過性樹脂７でモールディングすることに
よって光伝達経路を形成し、またさらにこの光透過性樹
脂７を覆うように光不遇過性樹脂８でモールディングし
、内部及び外部モールドを同時にモールドキュアする様
にしたものである。
従来の装置は以上のように構成されているので、二重成
型構造のフォトカプラでは内側の成型に用いられる光透
過性樹脂とコーディング材であるゲル状のシリコンワニ
スは熱膨張係数が異なるため、内部モールド（光透過性
樹脂）とフェスとの密着性が悪くなると共に、クリアラ
ンスが生じるため、発光素子２から受光素子５への光伝
達効率は著しく低下するばかりではなく、第４図の通電
連続試験結果に示すように時間とともに光トリガ電流は
変化し光伝達の信頼性に欠けるという重大な欠点を有す
るものであった。
型構造のフォトカプラでは内側の成型に用いられる光透
過性樹脂とコーディング材であるゲル状のシリコンワニ
スは熱膨張係数が異なるため、内部モールド（光透過性
樹脂）とフェスとの密着性が悪くなると共に、クリアラ
ンスが生じるため、発光素子２から受光素子５への光伝
達効率は著しく低下するばかりではなく、第４図の通電
連続試験結果に示すように時間とともに光トリガ電流は
変化し光伝達の信頼性に欠けるという重大な欠点を有す
るものであった。
この発明は上記のような欠点に鑑みてなされたものであ
り、内側の光透過性樹脂と被覆樹脂との密着性が良く、
さらにクリアランスが全くなく、光伝達効率及びその信
頼性の高い光結合半導体装置を提供することを目的とす
る。
り、内側の光透過性樹脂と被覆樹脂との密着性が良く、
さらにクリアランスが全くなく、光伝達効率及びその信
頼性の高い光結合半導体装置を提供することを目的とす
る。
この発明に係る光結合半導体装置は、発光素子と受光素
子のいずれか一方あるいは両方を、硬化後の硬度が２０
（ＪＩＳ−Ａ）以上の被覆樹脂で被覆したものである。
子のいずれか一方あるいは両方を、硬化後の硬度が２０
（ＪＩＳ−Ａ）以上の被覆樹脂で被覆したものである。
この発明においては、硬化後の硬度が２０（ＪＩｓ−Ａ
）以上である被覆樹脂により、発光素子あるいは受光素
子を被覆するようにしたから、光〔実施例〕 以下この発明の一実施例を図について説明する。
）以上である被覆樹脂により、発光素子あるいは受光素
子を被覆するようにしたから、光〔実施例〕 以下この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例による光結合半導体装置
であり、図において１〜８は第３図と同一のものであり
、１０は硬化後の硬度が２０（ＪＩｓ−Ａ）以上のゴム
状シリコンワニスである。
であり、図において１〜８は第３図と同一のものであり
、１０は硬化後の硬度が２０（ＪＩｓ−Ａ）以上のゴム
状シリコンワニスである。
入力側のカソードリード１と先端部表面に発光素子２を
ダイポンドし、さらにこの発光素子２の表面に設けられ
ている電極と図示しない入力側のアノードリードの先端
部とをボンディングワイヤ３によって接続し、次に硬化
後の硬度が２０（ＪＩＳ−Ａ）以上のゴム状シリコンワ
ニス１０例えばＳＨ６１０３によって上記発光素子２を
半球状に覆う。そして次にカソードリード４の先端部表
面に受光素子５をグイボンドし、この受光素子５の表面
に設けられている電極と図示しない出力側のアノードリ
ードの先端部とをボンディングワイヤ６によって接続し
、該発光素子２と受光素子５とが対向する様に配置する
。さらに溶融シリカ等の充填材が添加されている光透過
性樹脂７によって内側のモールディングを行う。この内
部モールディング後に光不透過性樹脂８によって外側の
モールディングを行う。その後外部、内部モールドをモ
ールドキュアする。
ダイポンドし、さらにこの発光素子２の表面に設けられ
ている電極と図示しない入力側のアノードリードの先端
部とをボンディングワイヤ３によって接続し、次に硬化
後の硬度が２０（ＪＩＳ−Ａ）以上のゴム状シリコンワ
ニス１０例えばＳＨ６１０３によって上記発光素子２を
半球状に覆う。そして次にカソードリード４の先端部表
面に受光素子５をグイボンドし、この受光素子５の表面
に設けられている電極と図示しない出力側のアノードリ
ードの先端部とをボンディングワイヤ６によって接続し
、該発光素子２と受光素子５とが対向する様に配置する
。さらに溶融シリカ等の充填材が添加されている光透過
性樹脂７によって内側のモールディングを行う。この内
部モールディング後に光不透過性樹脂８によって外側の
モールディングを行う。その後外部、内部モールドをモ
ールドキュアする。
このように本実施例では硬化後の硬度が２０（ＪＩＳ−
Ａ）以上のシリコンワニスで発光素子を被覆するように
したので、内部モールド樹脂とシリコンワニスとの界面
に隙間を生ずることはなく、もって第４図に示すように
、通電連続試験での光トリガ電流の時間Ｔに対する変化
は全くなくなり信頼性の高いものが得られる。
Ａ）以上のシリコンワニスで発光素子を被覆するように
したので、内部モールド樹脂とシリコンワニスとの界面
に隙間を生ずることはなく、もって第４図に示すように
、通電連続試験での光トリガ電流の時間Ｔに対する変化
は全くなくなり信頼性の高いものが得られる。
なお、上記第１の実施例においては発光素子のみを硬化
後の硬度が２０ （Ｊ Ｉ ５−Ａ）以上のシリコンワ
ニスで被覆したが、これは受光素子のみあるいは発光素
子、受光素子の両方を被覆してもよく、第２図に上記画
素子を上記シリコンワニスで被覆したものの断面図を示
す。図中１〜１０は第１図と全く同一のものであり、１
１は受光素子を覆っている硬化後の硬度が２０ （Ｊ
ｌ５−Ａ）以上のゴム状シリコンワニスであり、このよ
うな第２の実施例おいても上記第１の実施例と同様なリ
スクを用いたフォトカプラについて述べたが、これはフ
ォトトランジスタ、フォトトライア７クを用いたもので
あってもよい。
後の硬度が２０ （Ｊ Ｉ ５−Ａ）以上のシリコンワ
ニスで被覆したが、これは受光素子のみあるいは発光素
子、受光素子の両方を被覆してもよく、第２図に上記画
素子を上記シリコンワニスで被覆したものの断面図を示
す。図中１〜１０は第１図と全く同一のものであり、１
１は受光素子を覆っている硬化後の硬度が２０ （Ｊ
ｌ５−Ａ）以上のゴム状シリコンワニスであり、このよ
うな第２の実施例おいても上記第１の実施例と同様なリ
スクを用いたフォトカプラについて述べたが、これはフ
ォトトランジスタ、フォトトライア７クを用いたもので
あってもよい。
以上のように、この発明にかかる光結合半導体装置によ
れば、発光素子、受光素子を硬化後の硬度が２０（ＪＩ
Ｓ−Ａ）以上の被覆樹脂により被覆するようにしたので
、光透過性樹脂と上記被覆樹脂との密着性が向上し、ク
リアランスがなくなり、光伝達効率及びその信頼性を向
上できる効果が得られる。
れば、発光素子、受光素子を硬化後の硬度が２０（ＪＩ
Ｓ−Ａ）以上の被覆樹脂により被覆するようにしたので
、光透過性樹脂と上記被覆樹脂との密着性が向上し、ク
リアランスがなくなり、光伝達効率及びその信頼性を向
上できる効果が得られる。
第１図は本発明の第１の実施例によるフォトカプラの構
成を示す断面図、第２図は第２の実施例の構成を示す断
面図、第３図は従来装置の構成を示す断面図、第４図は
通電連続試験による光トリガ電流の変化図である。 １・・・入力側のカソードリード、２・・・発光素子、
３．６・・・ボンディングワイヤ、４・・・出力側のカ
ソードリード、５・・・受光素子、７・・・光透過性樹
脂、８・・・光不透過性樹脂、１０．１１・・・シリジ
ンワニス。
成を示す断面図、第２図は第２の実施例の構成を示す断
面図、第３図は従来装置の構成を示す断面図、第４図は
通電連続試験による光トリガ電流の変化図である。 １・・・入力側のカソードリード、２・・・発光素子、
３．６・・・ボンディングワイヤ、４・・・出力側のカ
ソードリード、５・・・受光素子、７・・・光透過性樹
脂、８・・・光不透過性樹脂、１０．１１・・・シリジ
ンワニス。
Claims (1)
- （１）発光素子及びこれに対向して設けられた受光素子
と、 硬化後の硬度が２０（ＪＩＳ−Ａ）以上であり上記発光
素子及び受光素子のいずれか一方あるいは両方を覆う被
覆樹脂と、 上記両素子間の光伝達経路を形成する光透過性樹脂と、 上記光透過性樹脂を覆うように設けられた光不透過性樹
脂とを具備したことを特徴とする光結合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60195090A JPS6254974A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60195090A JPS6254974A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 光結合半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254974A true JPS6254974A (ja) | 1987-03-10 |
Family
ID=16335367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60195090A Pending JPS6254974A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6254974A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232378A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-28 | Nec Corp | 光結合型半導体装置 |
| US6710377B2 (en) * | 2001-04-09 | 2004-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device having a silicone resin |
| US6747293B2 (en) | 2001-04-09 | 2004-06-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US7176623B2 (en) | 2001-04-09 | 2007-02-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| JP2021150534A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | 株式会社東芝 | 光結合装置 |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP60195090A patent/JPS6254974A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232378A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-28 | Nec Corp | 光結合型半導体装置 |
| US6710377B2 (en) * | 2001-04-09 | 2004-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device having a silicone resin |
| US6747293B2 (en) | 2001-04-09 | 2004-06-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US7176623B2 (en) | 2001-04-09 | 2007-02-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| US7569989B2 (en) | 2001-04-09 | 2009-08-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device |
| JP2021150534A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | 株式会社東芝 | 光結合装置 |
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