JPS5911457Y2 - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
- Publication number
- JPS5911457Y2 JPS5911457Y2 JP1979069063U JP6906379U JPS5911457Y2 JP S5911457 Y2 JPS5911457 Y2 JP S5911457Y2 JP 1979069063 U JP1979069063 U JP 1979069063U JP 6906379 U JP6906379 U JP 6906379U JP S5911457 Y2 JPS5911457 Y2 JP S5911457Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- lead
- light emitting
- semiconductor device
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は発光素子と受光素子とを組み合わせてなる光
結合半導体装置に関する。
結合半導体装置に関する。
従来のこの種光結合半導体装置は、第１図に示すように
、発光ダイオード１を固着した平板状の第１のり一ド２
と、光感応サイリスタ３を固着した平板状の第２のリー
ド４とを、前記発光ダイオード１と光感応サイリスタ３
が対向するように配置し、発光ダイオード１と光感応サ
イリスタ３との間に透明樹脂５を充填するとともに、そ
の上を不透明樹脂６で囲繞封止した構造を有している。
、発光ダイオード１を固着した平板状の第１のり一ド２
と、光感応サイリスタ３を固着した平板状の第２のリー
ド４とを、前記発光ダイオード１と光感応サイリスタ３
が対向するように配置し、発光ダイオード１と光感応サ
イリスタ３との間に透明樹脂５を充填するとともに、そ
の上を不透明樹脂６で囲繞封止した構造を有している。
このような光結合半導体装置は、例えば第２図に示すよ
うにして構造されている。
うにして構造されている。
すなわち、まず発光ダイオード１のアノードを固着した
第１のリード２と、この発光ダイオード１のカソード電
極からの接続細線７を固着したカソードリード８とを基
幹部９から多数組突出形威せしめた第１のリードフレー
ムＡを用意する。
第１のリード２と、この発光ダイオード１のカソード電
極からの接続細線７を固着したカソードリード８とを基
幹部９から多数組突出形威せしめた第１のリードフレー
ムＡを用意する。
また光感応サイリスタ３のアノードを固着した第２のリ
ード４と、サイリスタ３のカソード電極からの接続細線
１０を固着したカソードリード１１と、同じくサイリス
タ３のゲート電極からの接続細線１２を固着したゲート
リード１３とを基幹部１４から多数組突出形威した第２
のリードフレームＢを用意する。
ード４と、サイリスタ３のカソード電極からの接続細線
１０を固着したカソードリード１１と、同じくサイリス
タ３のゲート電極からの接続細線１２を固着したゲート
リード１３とを基幹部１４から多数組突出形威した第２
のリードフレームＢを用意する。
そして、前記第１のリードフレームＡと第２のリードフ
レームＢとを、前記発光ダイオード１と光感応サイリス
タ３とが所定の間隔寸法を保って対向するように配置し
、発光ダイオード１と光感応サイリスタ３との間に透明
樹脂５を充填し、さらに不透明樹脂６で囲繞封止したの
ち、各リードを基幹部９，１４から切り離して製造して
いる。
レームＢとを、前記発光ダイオード１と光感応サイリス
タ３とが所定の間隔寸法を保って対向するように配置し
、発光ダイオード１と光感応サイリスタ３との間に透明
樹脂５を充填し、さらに不透明樹脂６で囲繞封止したの
ち、各リードを基幹部９，１４から切り離して製造して
いる。
しかしながら、第１のり一ド２と第２のり一ド４との間
隔寸法は極く僅かであるため、発光ダイオード１と光感
応サイリスタ３との間に透明樹脂５を充填する作業が極
めて困難で作業性が悪いのみならず、発光ダイオード１
と光感応サイリスタ３との間隔寸法がばらつきやすいた
め、発光ダイオード１から光感応サイリスタ３への光伝
達効率がばらついて、ゲート感度特性にばらつきを生じ
やすいという問題点があった。
隔寸法は極く僅かであるため、発光ダイオード１と光感
応サイリスタ３との間に透明樹脂５を充填する作業が極
めて困難で作業性が悪いのみならず、発光ダイオード１
と光感応サイリスタ３との間隔寸法がばらつきやすいた
め、発光ダイオード１から光感応サイリスタ３への光伝
達効率がばらついて、ゲート感度特性にばらつきを生じ
やすいという問題点があった。
この考案はこのような問題点を解決するために提案され
たもので、一方のリードの素子固着部分をリードの引き
出し方向に対して所定角度折り曲げたことを特徴とする
。
たもので、一方のリードの素子固着部分をリードの引き
出し方向に対して所定角度折り曲げたことを特徴とする
。
以下、この考案の実施例を図面により説明すると、第３
図はその縦断面図を示し、第１図と同一部分には同一参
照符号を付したのでその説明を省略するが、第１図との
相違点は、第１図のリード２の素子固着部２ａが第１の
り一ド２の引き出し方向に対して略９０゜折り曲げられ
ており、このため、発光素子の一例としての発光ダイオ
ード１と受光素子の一例としての光感応サイリスタ３と
が略９０゜の角度になっていることで゛ある。
図はその縦断面図を示し、第１図と同一部分には同一参
照符号を付したのでその説明を省略するが、第１図との
相違点は、第１図のリード２の素子固着部２ａが第１の
り一ド２の引き出し方向に対して略９０゜折り曲げられ
ており、このため、発光素子の一例としての発光ダイオ
ード１と受光素子の一例としての光感応サイリスタ３と
が略９０゜の角度になっていることで゛ある。
このような構造であれば、その製造に際して、第４図に
示すように、発光ダイオード１と光感応サイリスタ３と
の間隔が広く、シかも略９０゜の角度になっているので
、発光ダイオード１と光感応サイノスタ３との間に斜め
方向から簡単に透光性絶縁物質の一例としての透明樹脂
５を充填することができ、樹脂充填作業が著しく迅速が
っ能率的に行なえるのみならず、発光ダイオード１と光
感応サイリスタ３との間隔を正確に規制できるので、ゲ
ート感度のばらつきも少なくなり、さらにはり一ド２，
８の引き抜き強度が著しく増大する。
示すように、発光ダイオード１と光感応サイリスタ３と
の間隔が広く、シかも略９０゜の角度になっているので
、発光ダイオード１と光感応サイノスタ３との間に斜め
方向から簡単に透光性絶縁物質の一例としての透明樹脂
５を充填することができ、樹脂充填作業が著しく迅速が
っ能率的に行なえるのみならず、発光ダイオード１と光
感応サイリスタ３との間隔を正確に規制できるので、ゲ
ート感度のばらつきも少なくなり、さらにはり一ド２，
８の引き抜き強度が著しく増大する。
なお、実際には第１のリード２の素子固着部２ａのみな
らず、第４図に示すように、第１のリードフレームＡの
カソードリード８の先端部８ａ、すなわち接続細線７の
固着部も９０゜折り曲げておくことが望ましい。
らず、第４図に示すように、第１のリードフレームＡの
カソードリード８の先端部８ａ、すなわち接続細線７の
固着部も９０゜折り曲げておくことが望ましい。
このようにすれは゛、第１のリード２の素子固着部２ａ
およびカソードリード８の先端部８ａを折り曲げた後に
、発光ダイオード１を固着し、接続細線７を固着するこ
とが容易に行なえる。
およびカソードリード８の先端部８ａを折り曲げた後に
、発光ダイオード１を固着し、接続細線７を固着するこ
とが容易に行なえる。
第５図はこの考案の他の実施例の縦断面図を示す。
図において、第３図と同一部分または対応部分には同一
参照符号を付したので、その説明を省略するのが、第３
図との相違点は、第１のり一ド２および第２のりード４
の下面をセラミック等の絶縁板１５を介して銅等の放熱
板１６に固着していることである。
参照符号を付したので、その説明を省略するのが、第３
図との相違点は、第１のり一ド２および第２のりード４
の下面をセラミック等の絶縁板１５を介して銅等の放熱
板１６に固着していることである。
この実施例によれば、第３図の実施例と同様の効果が得
られる他、さらに発光ダイオード１と光感応サイリスタ
３との間隔をより一層正確にできて、ゲート感度のばら
つきをより少なくできるのみならず、発光ダイオード１
および光感応サイリスタ３が発生する熱を効率良く放散
できるという利点か′ある。
られる他、さらに発光ダイオード１と光感応サイリスタ
３との間隔をより一層正確にできて、ゲート感度のばら
つきをより少なくできるのみならず、発光ダイオード１
および光感応サイリスタ３が発生する熱を効率良く放散
できるという利点か′ある。
なお、上記実施例では発光ダイオード１および光感応サ
イリスタ３を一対だけ用いた光サイリスクについて説明
したが、発光ダイオードおよび光感応サイリスタを二対
用いた光トライアックにも同様に実施できるものであり
、このように複雑な構造の場合には、この考案の効果が
より一層顕著となる。
イリスタ３を一対だけ用いた光サイリスクについて説明
したが、発光ダイオードおよび光感応サイリスタを二対
用いた光トライアックにも同様に実施できるものであり
、このように複雑な構造の場合には、この考案の効果が
より一層顕著となる。
また、受光素子としては光感応サイリスタ等の能動素子
の他、ＣｄＳ等の受動素子も用いることができる。
の他、ＣｄＳ等の受動素子も用いることができる。
さらに、透光性絶縁物質および不透光性絶縁物質は樹脂
の他にガラスや、樹脂中にセラミック粉を混入したもの
等も利用することができる。
の他にガラスや、樹脂中にセラミック粉を混入したもの
等も利用することができる。
また、リードの素子固着部分は９０゜以外の角度による
こともできる。
こともできる。
この考案は以上のように、発光素子を固着した第１のリ
ードと受光素子を固着した第２のリードのうち一方の素
子固着部分をリードの引き出し方向に対して所定角度折
り曲げたがら、発光素子と受光素子との間への透光性絶
縁物質の充填作業が著しく迅速かつ能率的に行なえるの
みならず、発光素子と受光素子との間隔寸法を正確に規
制できるので、感度のばらつきも少なくなり、さらには
リードの引き抜き強度も増大するといった各種の効果を
奏する。
ードと受光素子を固着した第２のリードのうち一方の素
子固着部分をリードの引き出し方向に対して所定角度折
り曲げたがら、発光素子と受光素子との間への透光性絶
縁物質の充填作業が著しく迅速かつ能率的に行なえるの
みならず、発光素子と受光素子との間隔寸法を正確に規
制できるので、感度のばらつきも少なくなり、さらには
リードの引き抜き強度も増大するといった各種の効果を
奏する。
第１図は従来の光結合半導体装置の縦断面図、第２図は
第１図の光結合半導体装置を製造する場合の透明樹脂充
填前の要部平面図、第３図はこの考案の一実施例の光結
合半導体装置の縦断面図、第４図は第３図の光結合半導
体装置を製造する場合の透明樹脂充填前の要部平面図、
第５図はこの考案の他の実施例の光結合半導体装置の縦
断面図である。 １・・・・・・発光素子（発光ダイオード）、２・・・
・・・第１のノード、２ａ・・・・・・素子固着部分、
３・・・・・・受光素子（光感応サイリスタ）、４・・
・・・・第２のリード、５・・・・・・透光性絶縁物質
（透明樹脂）、６・・・・・・不透光性絶縁物質（不透
明樹脂）、１５・・・・・・絶縁板、１６・・・・・・
放熱板。
第１図の光結合半導体装置を製造する場合の透明樹脂充
填前の要部平面図、第３図はこの考案の一実施例の光結
合半導体装置の縦断面図、第４図は第３図の光結合半導
体装置を製造する場合の透明樹脂充填前の要部平面図、
第５図はこの考案の他の実施例の光結合半導体装置の縦
断面図である。 １・・・・・・発光素子（発光ダイオード）、２・・・
・・・第１のノード、２ａ・・・・・・素子固着部分、
３・・・・・・受光素子（光感応サイリスタ）、４・・
・・・・第２のリード、５・・・・・・透光性絶縁物質
（透明樹脂）、６・・・・・・不透光性絶縁物質（不透
明樹脂）、１５・・・・・・絶縁板、１６・・・・・・
放熱板。
Claims (1)
- 発光素子を固着した第１のリードと、受光素子を固着し
た第２のリードとを、前記発光素子と受光素子が近接す
るように配置し、前記発光素子と受光素子間に透光性絶
縁物質を充填するとともに、その上を不透光性絶縁物質
で被覆してなる光結合半導体装置において、前記第１，
第２のリードの一方の素子固着部分をリードの引き出し
方向に対して所定角度折り曲げたことを特徴とする光結
合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979069063U JPS5911457Y2 (ja) | 1979-05-23 | 1979-05-23 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979069063U JPS5911457Y2 (ja) | 1979-05-23 | 1979-05-23 | 光結合半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55169875U JPS55169875U (ja) | 1980-12-05 |
| JPS5911457Y2 true JPS5911457Y2 (ja) | 1984-04-09 |
Family
ID=29302896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979069063U Expired JPS5911457Y2 (ja) | 1979-05-23 | 1979-05-23 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911457Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW202341516A (zh) * | 2022-04-01 | 2023-10-16 | 日商松下知識產權經營股份有限公司 | 半導體繼電器及包括該半導體繼電器的半導體繼電器模組 |
-
1979
- 1979-05-23 JP JP1979069063U patent/JPS5911457Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55169875U (ja) | 1980-12-05 |
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