JPS6260829B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6260829B2 JPS6260829B2 JP22565182A JP22565182A JPS6260829B2 JP S6260829 B2 JPS6260829 B2 JP S6260829B2 JP 22565182 A JP22565182 A JP 22565182A JP 22565182 A JP22565182 A JP 22565182A JP S6260829 B2 JPS6260829 B2 JP S6260829B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor light
- semiconductor
- frame
- elements
- photocoupler
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 39
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体フオトカプラーに係り、フ
レーム上に半導体発光素子、半導体受光素子が載
置されて構成され、両素子間が電気的に絶縁さ
れ、なおかつ半導体発光素子より発せられた光信
号を半導体受光素子で受光させ、電気信号に変換
し、信号伝達を目的とした半導体装置の製造方法
に関するものである。
レーム上に半導体発光素子、半導体受光素子が載
置されて構成され、両素子間が電気的に絶縁さ
れ、なおかつ半導体発光素子より発せられた光信
号を半導体受光素子で受光させ、電気信号に変換
し、信号伝達を目的とした半導体装置の製造方法
に関するものである。
半導体フオトカプラーの装置構成として従来一
般に用いられる方法は、第１図に示すような対向
型、および第２図に示すように反射板を形成した
反射型の２種がある。
般に用いられる方法は、第１図に示すような対向
型、および第２図に示すように反射板を形成した
反射型の２種がある。
第１図に示す対向型は、フレーム１および２に
半導体発光素子３および半導体受光素子４をそれ
ぞれ対向配置し、両素子３，４部分を透明樹脂５
で覆い、さらに外周を樹脂６で封止したものであ
る。
半導体発光素子３および半導体受光素子４をそれ
ぞれ対向配置し、両素子３，４部分を透明樹脂５
で覆い、さらに外周を樹脂６で封止したものであ
る。
この対向型の半導体フオトカプラーは、両素子
３，４を同一平面上に載置した第２図に示す反射
型の半導体フオトカプラーに比してその結合効率
はよいが、第３図に示すように組立構造上、半導
体受光素子４をフレーム２に、半導体発光素子３
をフレーム１に別々に載置し、しかる後に対向さ
せて組立固定するという煩雑さがあり、また、第
２図に示す反射型の半導体フオトカプラーは、第
４図に示すように半導体受光素子４、半導体発光
素子３ともに同一フレーム７に載置し、モールド
後のタイバーカツトによつて完全に電気的絶縁が
なされるという特徴があるが、その光エネルギー
の伝達を反射板８による反射に頼つていることか
ら、その結合効率の長期にわたる信頼性に欠ける
ことが一般に知られている。
３，４を同一平面上に載置した第２図に示す反射
型の半導体フオトカプラーに比してその結合効率
はよいが、第３図に示すように組立構造上、半導
体受光素子４をフレーム２に、半導体発光素子３
をフレーム１に別々に載置し、しかる後に対向さ
せて組立固定するという煩雑さがあり、また、第
２図に示す反射型の半導体フオトカプラーは、第
４図に示すように半導体受光素子４、半導体発光
素子３ともに同一フレーム７に載置し、モールド
後のタイバーカツトによつて完全に電気的絶縁が
なされるという特徴があるが、その光エネルギー
の伝達を反射板８による反射に頼つていることか
ら、その結合効率の長期にわたる信頼性に欠ける
ことが一般に知られている。
このように、従来の半導体フオトカプラーは、
いずれの場合も満足するものは得られなかつた。
いずれの場合も満足するものは得られなかつた。
この発明は、上述の点にかんがみてなされたも
のであり、１フレーム上に半導体受光素子および
半導体発光素子を載置させ、しかも対向型の半導
体フオトカプラーを提供するものである。以下、
この発明を図面について説明する。
のであり、１フレーム上に半導体受光素子および
半導体発光素子を載置させ、しかも対向型の半導
体フオトカプラーを提供するものである。以下、
この発明を図面について説明する。
第５図はこの発明の一実施例を示すフレームの
斜視図で、１１はフレームで、１２，１３は前記
半導体発光素子３および半導体受光素子４がそれ
ぞれ載置される面で、これらの面１２，１３は対
向している。１４は曲げ部で、この曲げ部１４の
寸法を適当に定めることにより１枚のフレーム１
１での対向間隔を自由に設定できる。１５は前記
両素子３，４を載置する面１２，１３を同一平面
にしたり、図示のように対向せしめたりするため
に設けられたノツチ部（例えばＶ字形の溝）であ
る。
斜視図で、１１はフレームで、１２，１３は前記
半導体発光素子３および半導体受光素子４がそれ
ぞれ載置される面で、これらの面１２，１３は対
向している。１４は曲げ部で、この曲げ部１４の
寸法を適当に定めることにより１枚のフレーム１
１での対向間隔を自由に設定できる。１５は前記
両素子３，４を載置する面１２，１３を同一平面
にしたり、図示のように対向せしめたりするため
に設けられたノツチ部（例えばＶ字形の溝）であ
る。
次にこの発明の組立工程について第６図〜第８
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
第５図のように形成されたフレーム１１の両側
のノツチ部１５を、第６図に示すように90゜曲げ
ることにより、各素子３，４が載置される面１
２，１３を同一平面とし、各素子３，４のダイボ
ンド、ワイヤボンド等の工程を行い、この組立が
完了した後、第７図に示すようにノツチ部１５を
折り曲げて元に戻して両素子３，４を対向せしめ
た後、第８図に示すように透明樹脂５、樹脂６に
よりモールドすることにより対向型の半導体フオ
トカプラーが得られる。
のノツチ部１５を、第６図に示すように90゜曲げ
ることにより、各素子３，４が載置される面１
２，１３を同一平面とし、各素子３，４のダイボ
ンド、ワイヤボンド等の工程を行い、この組立が
完了した後、第７図に示すようにノツチ部１５を
折り曲げて元に戻して両素子３，４を対向せしめ
た後、第８図に示すように透明樹脂５、樹脂６に
よりモールドすることにより対向型の半導体フオ
トカプラーが得られる。
以上説明したように、この発明の製造方法によ
れば、組立時に１フレーム使用で半導体発光素
子、半導体受光素子の組立工程を同時に行うこと
ができ、しかも、各素子組立後ノツチ部を折り曲
げることにより両素子を対向させることができる
ので、簡単な作業工程により対向型の半導体フオ
トカプラーが得られる利点がある。
れば、組立時に１フレーム使用で半導体発光素
子、半導体受光素子の組立工程を同時に行うこと
ができ、しかも、各素子組立後ノツチ部を折り曲
げることにより両素子を対向させることができる
ので、簡単な作業工程により対向型の半導体フオ
トカプラーが得られる利点がある。
第１図は一般的な対向型の半導体フオトカプラ
ーを示す断面図、第２図は一般的な反射型の半導
体フオトカプラーを示す断面図、第３図、第４図
は第１図、第２図に示した対向型の半導体フオト
カプラーおよび反射型の半導体フオトカプラーに
使用するフレームをそれぞれ示す斜視図、第５図
はこの発明の半導体フオトカプラーに使用するフ
レームを示す斜視図、第６図、第７図はこの発明
の組立工程を説明するためのフレームの斜視図、
第８図はこの発明により得られた対向型の半導体
フオトカプラーを示す断面図である。 図中、３は半導体発光素子、４は半導体受光素
子、５は透明樹脂、６は樹脂、１１はフレーム、
１２，１３は半導体発光素子および半導体受光素
子が載置される面、１４は曲げ部、１５はノツチ
部である。なお、図中の同一符号は同一または相
当部分を示す。
ーを示す断面図、第２図は一般的な反射型の半導
体フオトカプラーを示す断面図、第３図、第４図
は第１図、第２図に示した対向型の半導体フオト
カプラーおよび反射型の半導体フオトカプラーに
使用するフレームをそれぞれ示す斜視図、第５図
はこの発明の半導体フオトカプラーに使用するフ
レームを示す斜視図、第６図、第７図はこの発明
の組立工程を説明するためのフレームの斜視図、
第８図はこの発明により得られた対向型の半導体
フオトカプラーを示す断面図である。 図中、３は半導体発光素子、４は半導体受光素
子、５は透明樹脂、６は樹脂、１１はフレーム、
１２，１３は半導体発光素子および半導体受光素
子が載置される面、１４は曲げ部、１５はノツチ
部である。なお、図中の同一符号は同一または相
当部分を示す。
Claims (1)
- １ フレーム上に半導体発光素子と半導体受光素
子とが載置された半導体フオトカプラーにおい
て、前記フレームの前記両素子が載置される面の
対向間隔を決定する曲げ部および前記両素子の載
置された面が同一平面および対向面となるように
折り曲げるノツチ部を設けておき、組立時にはま
ず前記ノツチ部を折り曲げて前記両素子が載置さ
れる面を同一平面にした後、この平面上に前記各
素子を載置固着せしめ、その後前記ノツチ部を折
り曲げて元に戻すことによつて前記両素子を対向
せしめた後、樹脂封止を施すことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57225651A JPS59113672A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57225651A JPS59113672A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59113672A JPS59113672A (ja) | 1984-06-30 |
| JPS6260829B2 true JPS6260829B2 (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=16832631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57225651A Granted JPS59113672A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59113672A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144857U (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-25 | 新日本無線株式会社 | 光結合半導体装置 |
| US5049527A (en) * | 1985-06-25 | 1991-09-17 | Hewlett-Packard Company | Optical isolator |
| US4863806A (en) * | 1985-06-25 | 1989-09-05 | Hewlett-Packard Company | Optical isolator |
| US5148243A (en) * | 1985-06-25 | 1992-09-15 | Hewlett-Packard Company | Optical isolator with encapsulation |
| JPH02186680A (ja) * | 1989-11-30 | 1990-07-20 | New Japan Radio Co Ltd | 光結合半導体装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-12-20 JP JP57225651A patent/JPS59113672A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59113672A (ja) | 1984-06-30 |
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