JPS58161385A - オプトアイソレ−タ及びその製造方法 - Google Patents

オプトアイソレ−タ及びその製造方法

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Publication number
JPS58161385A
JPS58161385A JP57043198A JP4319882A JPS58161385A JP S58161385 A JPS58161385 A JP S58161385A JP 57043198 A JP57043198 A JP 57043198A JP 4319882 A JP4319882 A JP 4319882A JP S58161385 A JPS58161385 A JP S58161385A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
receiving element
emitting diode
lead
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57043198A
Other languages
English (en)
Inventor
Kesatoshi Takeuchi
啓佐敏 竹内
Kenichi Kondo
健一 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP57043198A priority Critical patent/JPS58161385A/ja
Publication of JPS58161385A publication Critical patent/JPS58161385A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は小型のオプトアイソレータ及びその製造方法に
関するものである。
一般にこの種のオツドアイソレータは、第9図及び第1
0図に示l−だように、両側が開口する金属ケースaの
一方の開口部に発光ダイオードbを取付け、他方の開口
部に受光素子Cを取付けた構造のものが知られている。
乙のような構造のものは、発光ダイオード側と受光素子
側とを別部品として別別に形成しなければならず、例え
ば発光ダイオードbの場合には1対の端子(IXeをペ
ースfで固定し、一方の端子dの頂部に発光ダイオード
bをグイボンディングし、該発光ダイオードと他方の端
子eとの間にリード線gをボンディングし、発光ダイオ
ードとリード線と両端子の頂部を全部包み込むように透
明樹脂りによりモールドしてベースf上に盛り一トげて
形成しである。
受光素子Cも略同じ形状に形成され、これらが1対の部
品として管理されなければならないし、又発光ダイオー
ドと受光素子とが別々に形成されるとそれだけコストア
ップになるばかりでなく部品の管理も面倒であり、これ
ら2個の部品を組合せることで全体として大型になり、
小型化に逆行し、同時に両者を両側から対面させるよう
に取付けなければならないのでそれぞれの端子が両側に
取り出されることにかり、電気回路構成時においても作
業性が悪い等の種々の欠点がある。
本発明はこれらの欠点を除去するためになされたもので
あって、その主たる目的は、全体を著しく小型化できる
オプトアイソレータを提供しようとするものである。
本発明の他の目的は製造が容易で安価に製造できるオツ
ドアイソレータの製造方法を提供しようとするものであ
る。
これらの目的を達成させるためになされた本発明は、同
一方向で且つ同一平面上に存す2本1組の4本のリード
フレームを取り出し、一方の組の1本のリードフレーム
上に発光ダイオードをグイボンディングすると共に他方
の組の1本のリードフレーム上に受光素子をグイボンデ
ィングし、これら発光ダイオードと受光素子は夫々組を
なす他のリードフレームとの間でリード線により連結さ
せ、発光ダイオードと受光素子とを光透過性材料で一緒
に包み、該材料の外側及び4本のリード線の一方の端部
を反射性材料で/、oツケージしたオプトアイソレータ
であり、発光ダイオードと受光素子とが同一平面上にあ
っても光透過性材料で連結されているので光が確実にガ
イドされて発光ダイオードの光を受光素子側で受光でき
るようになっていて、全体形状として小型になるばかり
でなく、部品点数を減らせるのである。更に4本のリー
ドフレームは打抜手段により同一平面で且つ共通の基板
」二に形成され、発光ダイオード、受光素子、リード線
等を取付け、光透過性材料と反射性材か1とをモールド
した後に基板から全部のリードフレームを切り離すもの
であって、同一方向にリードフレームが取り出されてお
り、発光ダイオード部分と受光素子部分とを別々に形成
するのではなく同一平面において同時にグイがンディン
グし、モールドするものであるから製造工程が著しく簡
略化されるのである。
次に本発明に係るオプトアイソレータ及びその製造方法
を図示の実施例により更に詳しく説明すると、まず製造
工程を順次述べれば、オプトアイソレータの端子と彦る
2本1組で4本のリードフレーム1.2.3.4を打抜
手段により基板5上に一体に形成する。これら各リード
フレームは同一平面上に位置すると共に、各組の一つの
り−ドフレーム1.3はその端部が鍵形になるように形
成し、その鍵形部1a、3a上に発光ダイオード6と受
光素子7とが夫々載置され、グイポンディン グして夫
々固定する。このようにグイデンディングされた発光ダ
イオード及び受光素子は同一平面上に位置することにな
る。
続いて、発光ダイオード6とリードフレーム2及び受光
素子7とリードフレーム4との間にリード線8.9を配
設し、それらの各端部をボンディングして通電回路を構
成させる。その後同一平面に位置する発光ダイオード6
と受光素子7とを光透過性材料10により包み込んでし
まい、発光ダイオードと受光素子とが光透過性材料10
によって連結された形になる。そして更に、光透過性材
料10の外周面と、各リードフレーム1.2.3.4の
端部を全部包み込むようにして光反射性材料11を長方
形状に且つ一体にモールドする。そして、最終的に各リ
ードフレーム1.2.3.4を基板5から仮想線Aで示
した位置で切り離すことによりオシドアイソレータが完
成するのである。
このように構成されたオプトアイソレータは、4本の端
子(リードフレーム)が同一方向に取り出されており、
回路への組込みが容易であるばかりで々く、使用時にあ
って発光ダイオード6と受光素子7とが同一平面上にあ
っても、光透過性材料10で連結されているため、発光
ダイオード6の光が光透過性材料10を介し、且つその
外周面で反射して受光素子7側で確実に受光され、光の
エネルギーが伝達される。
以上説明したように本発明に係るオシドアイソレータは
、発光ダイオードと受光素子とが同一平面上に取付けら
れ、取付は作業が容易であるため、その製造が簡単でし
かも構造も簡単になり、光透過性材料で両者が連結され
ると共に外周面の全てが反射性材料で被われる構造であ
るため、発光ダイオードからの光のエネルギーが確実に
受光素子側に伝達され、従来のように発光ダイオードと
受光素子とが対設状態になくても良く、これらを同一の
光透過性材料で包み込むものであるから使用材料も少な
く、全体として小型化できるばかりでなく、発光ダイオ
ードと受光素子とを別々にしである従来例に比較して部
品点数が少なくなり、安価に提供できると共に部品の管
理が極めて容易になると云う優れた効果を奏するもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第5図は本発明のオシドアイソレータを製造す
る工程の略示的平面図、第6図は同工程によって完成し
たオシドアイソレータの平面図、第7図は第6図の■−
■線に沿う拡大断面図、第8図は同オフ0ドアイソレー
タの回路図、第9図は従来のオプトアイソレータの略示
的断面図、第10図は同じ〈従来のオシドアイソレータ
の回路図である。 ■、2.3.4・・・・・・リードフレーム5・・・・
・・基 板 6・・・・・・発光ダイオード 7・・・・・・受光素子 8.9・・・・・・リード線 10・・・・・・光透過性材料 11・・・・・・光反射性材料

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  同一方向で且つ同一平面上に存す2本1組の
    4本のリードフレームを取り出し、一方の組の1本のリ
    ードフレーム上に発光ダイオードをグイボンディングす
    ると共に他方の組の1本のリードフレーム上に受光素子
    をグイデンディングし、これら発光ダイオードと受光素
    子は夫々組をなす他のリードフレームとの間でリード線
    により連結させ、発光ダイオードと受光素子とを光透過
    性材料で一緒に包み、該材料の外側及び4本のリード線
    の一方の端部を反射性材料で/eツケージしたことを特
    徴とするオプトアイソレータ。
  2. (2)2本が1組となる4本のリードフレームを打抜手
    段により同一平面で且つ共通の基板上に形成し、一方の
    組の1本のリードフレーム上に発光ダイオードをグイが
    ンデイングにより取付け、他方の組の1本のリードフレ
    ーム上にも受光素子をグイボンディングにより取付け、
    発光ダイオード及び受光素子は組をなす他のリードフレ
    ームとの間にリード線を夫夫ボンディングして連結させ
    、発光ダイオードと受光素子とを光透過性材料で連結さ
    せた後に光透過性材料の外周面と、4本のリード線の一
    方の端部とを反射性材料で・母ツケージングし、前記基
    板から各リードフレームを切り離すことを特徴とするオ
    プトアイソレータの製造方法。
JP57043198A 1982-03-18 1982-03-18 オプトアイソレ−タ及びその製造方法 Pending JPS58161385A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02247990A (ja) * 1989-03-20 1990-10-03 Fujitsu Ltd ユニット間ケーブルの接続状態検出方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5468186A (en) * 1977-11-10 1979-06-01 Sharp Corp Photo coupling device and its production
JPS5491341A (en) * 1977-12-02 1979-07-19 Gen Electric Optical binding instrument and production

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