JPH0653462A - 樹脂封合形固体撮像素子パッケージおよびその製造方法 - Google Patents

樹脂封合形固体撮像素子パッケージおよびその製造方法

Info

Publication number
JPH0653462A
JPH0653462A JP12603093A JP12603093A JPH0653462A JP H0653462 A JPH0653462 A JP H0653462A JP 12603093 A JP12603093 A JP 12603093A JP 12603093 A JP12603093 A JP 12603093A JP H0653462 A JPH0653462 A JP H0653462A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
resin
glass
semiconductor chip
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP12603093A
Other languages
English (en)
Inventor
Ki Rok Hur
起緑 許
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Goldstar Electron Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Goldstar Electron Co Ltd filed Critical Goldstar Electron Co Ltd
Publication of JPH0653462A publication Critical patent/JPH0653462A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/315—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the encapsulation having a cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/162—Disposition
    • H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 製造原価を低廉にし、製品の軽薄化を図り得
るようにした樹脂封合形固体撮像素子パッケージおよび
その製造方法を提供する。 【構成】 ダイシング工程およびダイボンディング工程
により半導体チップ１がリードフレームのパドル２上面
に接着され、フィルムアタッチング工程により絶縁フィ
ルム４が半導体チップ上面に接着され、該絶縁フィルム
４上面にガラスリード５が接着され、前記半導体チップ
１とリードフレームの各インナーリード３ａとがワイヤ
ー６によりボンディングされた後、前記ガラスリード５
を露出させて前記半導体チップ１とリードフレームの各
インナーリード３ａとがモールド樹脂７によりモールデ
ィングされ、樹脂封合形固体撮像素子パッケージが成型
される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カメラ＆ビデオテープ
レコーダ一体型システムに使用される固体撮像素子（Ｃ
ＣＤ：Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）
のパッケージに関するものであり、詳しくは、該パッケ
ージの製造工程を簡略化し、パッケージの製造原価を低
廉にし、さらに、軽薄化を図り得るようにした、樹脂封
合形固体撮像素子パッケージおよびその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体撮像素子パッケージにおいて
は、図４に示したように、上面に所定径および所定深さ
のキャビティ１１ａを形成したパッケージ本体１１がセ
ラミックにより造型され、該パッケージ本体１１上面の
キャビティ１１ａ両方側に複数個のメタルラインリード
フィンガー１６がそれぞれ所定間隔を置いて配置され、
それらメタルラインリードフィンガー１６の上面パッケ
ージ本体１１の両方側辺部位に所定高さおよび所定幅を
有したセラミック部位が再び積層されたのち、パッケー
ジ本体１１が焼成される。その後、複数個のアウトリー
ド１２が前記各メタルラインリードフィンガー１６の外
方側端にそれぞれ接続され、それらアウトリード１２が
パッケージ本体１１の両方側壁にそれぞれ金属ロウ１
２′により接着され、前記パッケージ本体１１上面のキ
ャビティ１１ａ内方側中央に半導体チップ１３が接着さ
れ、該半導体チップ１３上面中央部位に受光領域部１３
ａが形成された後、該半導体チップ上面両方側の各チッ
プパッドと前記各リードフィンガー１６の内方側端とが
それぞれワイヤー１５によりボンディングされていた。
かつ、前記パッケージ本体１１上面中央部位にガラスリ
ード１４が接着されて前記キャビティ１１ａが密閉さ
れ、半導体チップ１３の受光領域部１３ａに撮像が透過
されるようになっていた。
【０００３】さらに、前記ガラスリード１４は、通常、
屈折率１．５、透過率９０％以上のガラスが使用され、
前記パッケージ本体１１上面に低融点の密封接着剤１７
により接着されていた。
【０００４】このように構成された従来の固体撮像素子
パッケージにおいては、該パッケージの各アウトリード
１２がそれぞれ信号処理回路（図示されず）に連結され
て、カメラ＆ビデオテープレコーダ一体型システムの光
学素子として使用される場合、カメラのレンズを通って
入射する光学的撮像光が前記ガラスリード１４を通って
半導体チップ１３の受光領域部１３ａに受光され、該半
導体チップ内方側で適切な電気的信号に変換される。次
いで、該電気的信号は、半導体チップ１３の各チップパ
ッド、各ワイヤー１５、各リードフィンガー１６および
各アウトリード１２をそれぞれ通って、信号処理回路に
出力されるようになっていた。
【０００５】また、このような従来の固体撮像素子パッ
ケージの製造工程においては、セラミックを利用して上
面にキャビティ１１ａを形成しながらパッケージ本体１
１を造型した後、該パッケージ本体１１上面両方側に複
数個のリードフィンガー１６を配置し、さらに、それら
リードフィンガー１６上面パッケージ本体１１両方側辺
部位に所定高さおよび幅のセラミック部位を積層しパッ
ケージ本体の造型を完了する工程と、ダイシング過程に
より１個ずつ切断した各半導体チップ１３を前記パッケ
ージ本体１１上面キャビティ１１ａ内中央部位にそれぞ
れ接着するダイアタッチング工程と、該半導体チップ１
３の各チップパッドと前記各リードフィンガー１６の内
方側端とをそれぞれワイヤー１５により連結させるワイ
ヤーボンディング工程と、前記パッケージ本体１１上面
にガラスリード１４を接着し前記キャビティ１１ａを密
封させる工程と、を順次行なうようになっていた。さら
に、前記リードフィンガー１６においては、アルミナ材
を利用し、グリーンテープフォーミングおよびスクリー
ンプリンティングを施して、前記パッケージ本体に配置
させるようになっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の固体撮像素子パッケージにおいては、複数個
のメタルラインリードフィンガーをそれぞれ所定位置に
埋蔵させながら、セラミックを用いてパッケージ本体を
所定形状に造型し、該パッケージ本体を焼成した後、該
パッケージ本体外方側壁に各アウトリードを接着し、そ
れらアウトリードを各リードフィンガーの外方側端にそ
れぞれ接続させるようになっているため、その製造工程
が煩雑であり、原価が上昇するという不都合な点があっ
た。また、パッケージ自体の容積が大きくなり、パッケ
ージの軽薄化を図り得ないという不都合な点があった。
【０００７】本発明の目的は、上述の問題点を解決し、
製造原価を低廉にし、かつ、製品の軽薄化を図り得るよ
うにした、樹脂封合形固体撮像素子パッケージおよびそ
の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明による樹脂封合
形固体撮像素子パッケージは、上面中央部位に受光領域
部と該受光領域部両方側に複数個のボンドパッドとがそ
れぞれ形成された撮像素子用半導体チップと、半導体チ
ップの接着されるパドルと複数個のインナーリードおよ
びアウトリードを有したリードとが一体に形成されたリ
ードフレームと、半導体チップ上の受光領域部両方側と
各ボンドパッド間にそれぞれ接着されたフィルム壁部
と、フィルム壁部上面に密封して接着され外部の光を受
光領域部に透過させるガラスリードと、半導体チップの
各ボンドパッドとリードフレームの各インナーリードと
をそれぞれ電気的に接続させる金属ワイヤーと、ガラス
リード上面を露出させ半導体チップとリードフレームの
各インナーリードとを包含したパッケージ本体がモール
ディングされたモールド樹脂と、を備えている。
【０００９】好ましくは、フィルム壁部は、所定幅と所
定高さとを有し、接着性を有した熱硬化性ポリマー系の
絶縁フィルムであるとよい。
【００１０】また、好ましくは、ガラスリードは、光の
屈折率１．５、透光率９０％以上の透明ガラスであると
よい。
【００１１】この発明による樹脂封合形固体撮像素子パ
ッケージの製造方法は、半導体チップをリードフレーム
のパドル上面に接着するダイボンディング工程と、半導
体チップ上の受光領域両方側に絶縁フィルムを接着しフ
ィルム壁部を形成するフィルムアタッチング工程と、そ
れらフィルム壁部上面にガラスリードを接着するガラス
アタッチング工程と、該フィルム壁部を硬化させガラス
リードを密封するキュア工程と、半導体チップの各ボン
ドパッドとリードフレームの各インナーリードとをそれ
ぞれ金属ワイヤーにより電気的に接続させるワイヤーボ
ンディング工程と、ガラスリードの表面を露出させなが
ら半導体チップとリードフレームのインナーリードとを
包含した部位をモールディング樹脂によりモールディン
グしパッケージ本体を形成するモールディング工程と、
モールディングされたパッケージのリードフレームのダ
ンバーを切断し該リードフレームの各アウトリードを所
定形状に折曲するトリムおよびフォーミング工程と、を
備えている。
【００１２】好ましくは、キュア工程は、１５０℃程度
で１時間の間硬化させるとよい。また、好ましくは、モ
ールディング工程は、該モールディングされる樹脂の表
面がガラスリードの上面と一致するように成型するとよ
い。
【００１３】
【作用】この発明によれば、樹脂封合形固体撮像素子パ
ッケージの各アウトリードが、信号処理回路に連結され
てカメラ＆ビデオテープレコーダ一体型システムの光学
素子として使用される場合、該カメラのレンズを通って
入射する光学的撮像光は、ガラスリードを通って半導体
チップの受光領域部に受光され、該半導体チップ内方側
で適切な電気的信号に変換され、半導体チップの各ボン
ドパッド、各金属ワイヤー、各インナーリードおよび各
アウトリードをそれぞれ通って、信号処理回路に出力さ
れる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例に対し、図面を用いて
詳細に説明する。
【００１５】図１および図２に示したように、本発明に
よる樹脂封合形固体撮像素子パッケージにおいては、上
面中央部位に受光領域部１ｂが形成され、該受光領域部
１ｂ両方側に複数個のボンドパッド１ａがそれぞれ形成
された半導体チップ１と、該半導体チップ１の底面が接
着されたパドル２と、内外両方側に複数個のインナーリ
ード３ａおよびアウトリード３ｂを有したリード３と、
が一体に形成されたリードフレームと、前記半導体チッ
プ１上の受光領域部１ｂ両方側と前記各ボンドパッド１
ａ間にそれぞれ接着されたフィルム壁部４と、それらフ
ィルム壁部４上面に接着され前記受光領域部１ｂを密封
し光を透過させるガラスリード５と、前記半導体チップ
１の各ボンドパッドとリードフレームの各インナーリー
ド３ａとがそれぞれ電気的にボンディングされた複数個
の金属ワイヤー６と、それらワイヤーボンディングされ
た半導体チップとリードフレームのインナーリード３ａ
とを包含し、前記ガラスリード５の上面を露出させてモ
ールディングされたモールド樹脂部７と、を具備してい
る。
【００１６】前記半導体チップ１は、エポキシ系または
ポリイミド系の接着剤８により前記リードフレームのパ
ドル２上面に接着され、該リードフレームには通常のプ
ラスチックパッケージに用いる金属リードフレームが使
用される。また、前記フィルム壁部４には、接着性を有
した熱硬化性ポリマー系の絶縁フィルムが使用され、前
記半導体チップ１の受光領域部１ｂと前記ガラスリード
５間に所定大きさの空間が形成されるように、そのフィ
ルム壁部４が所定高さを有して角柱状に形成されてい
る。さらに、前記ガラスリード５は、前記フィルム壁部
４の上面に接着されて前記半導体チップ１の受光領域部
１ｂが密封され、屈折率１．５程度、透過率９０％以上
を有するように形成されて、その受光領域部１ｂに光を
透過させるようになっている。また、前記モールド樹脂
部７は、前記ガラスリード５の表面が露出されるよう
に、通常のモールドプレスを利用したトランスファーモ
ールディング方法により成型されている。
【００１７】つぎに、このような本発明による樹脂封合
形固体撮像素子パッケージの製造方法を説明する。
【００１８】図３に示したように、まず、ウェーハにダ
イシング工程が施こされて該ウェーハから各半導体チッ
プ１が１個ずつ切断され、該半導体チップ１をリードフ
レームのパドル２上面に接着剤８により接着させるダイ
ボンディング工程が施こされる。次いで、半導体チップ
１上面の受光領域部１ｂ両方側に熱硬化性ポリマー系の
絶縁フィルムにより、所定幅および所定高さのフィルム
壁部４を接着させるフィルムアタッチング工程が施こさ
れる。その後、該フィルム壁部４上面にガラスリード５
を接着させるガラスアタッチング工程が施こされ、１５
０℃程度で約１時間の間硬化させて該ガラスリード５を
完全に密着させた後、前記半導体チップ１のボンドパッ
ド１ａとリードフレームの各インナーリード３ａとを、
それぞれ金属ワイヤー６により電気的に接続させるワイ
ヤーボンディング工程が施こされる。次いで、通常のプ
ラスチックパッケージの製造法と同様に、モールドプレ
スを利用し、前記ガラスリード５を露出させて前記半導
体チップ１とリードフレームのインナーリード３ａとを
包含したパッケージ本体を、モールド樹脂７によりトラ
ンスファーモールディングさせるモールディング工程が
施こされ、その後、リードフレームの支持された各ダン
バーを切断して、それぞれ独立のパッケージに分離する
トリミング工程が施こされ、外部に突出された各アウト
リード３ｂを所定形状に折曲形成するフォーミング工程
が施こされて、樹脂封合形固体撮像素子パッケージが製
造される。
【００１９】したがって、本発明による樹脂封合形固体
撮像素子パッケージにおいては、通常のプラスチックパ
ッケージ製造工程を利用し、フィルムアタッチング工程
とガラスアタッチング工程とを施こした比較的簡単な製
造方法により、製造原価が低廉され、製品の軽薄化が可
能な樹脂封合形固体撮像素子パッケージを成型すること
ができる。
【００２０】また、従来の固体撮像素子パッケージにお
いては、各アウトリードがパッケージの外周壁に接着さ
れているため、リード挿合型のみに形成されるが、本発
明による樹脂封合形固体撮像素子パッケージにおいて
は、通常の半導体パッケージと同様に、アウトリードの
フォーミングを所望の形態にそれぞれ変更し得るので、
リード挿入型および表面実装型の多様な形態に形成する
ことができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による樹脂
封合形固体撮像素子パッケージおよびその製造方法にお
いては、通常のプラスチックパッケージ製造工程を利用
し、フィルムアタッチング工程とガラスアタッチング工
程とを施した比較的簡単な製造方法により、樹脂封合形
固体撮像素子パッケージを成型し得るようになってい
る。そのため、従来よりも製造工程が簡略化され、製造
原価が低廉で、しかも、軽薄化の可能な樹脂封合形固体
撮像素子パッケージを製造し得るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による樹脂封合形固体撮像素子パッケー
ジの一例を示す縦断面図である。
【図２】本発明による樹脂封合形固体撮像素子パッケー
ジの一例を示す横断面図である。
【図３】本発明による樹脂封合形固体撮像素子パッケー
ジの製造工程図である。
【図４】従来の固体撮像素子パッケージの構成を示す縦
断面図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ １ａ ボンドパッド １ｂ 受光領域部 ２ パドル ３ リード ３ａ インナーリード ３ｂ アウトリード ４ フィルム壁部 ５ ガラスリード ６ 金属ワイヤー ７ モールド樹脂 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 樹脂封合形固体撮像素子パッケージであ
    って、 上面中央部位に受光領域部（１ｂ）と、該受光領域部
    （１ｂ）両方側に複数個のボンドパッド（１ａ）とがそ
    れぞれ形成された撮像素子用半導体チップ（１）と、 該半導体チップ（１）の接着されるパドル（２）と、複
    数個のインナーリード（３ａ）およびアウトリード（３
    ｂ）を有したリード（３）とが一体に形成されたリード
    フレームと、 前記半導体チップ（１）上の受光領域部（１ｂ）両方側
    と前記各ボンドパッド（１ａ）間にそれぞれ接着された
    フィルム壁部（４）と、 該フィルム壁部（４）上面に密封して接着され、外部の
    光を前記受光領域部（１ｂ）に透過させるガラスリード
    （５）と、 前記半導体チップ（１）の各ボンドパッド（１ａ）と前
    記リードフレームの各インナーリード（３ａ）とをそれ
    ぞれ電気的に接続させる金属ワイヤー（６）と、 前記ガラスリード（５）上面を露出させ、前記半導体チ
    ップ（１）とリードフレームの各インナーリード（３
    ａ）とを包含したパッケージ本体がモールディングされ
    たモールド樹脂（７）と、 を備えた樹脂封合形固体撮像素子パッケージ。
  2. 【請求項２】 前記フィルム壁部（４）は、所定幅と所
    定高さとを有し、接着性を有した熱硬化性ポリマー系の
    絶縁フィルムである、請求項１記載の樹脂封合形固体撮
    像素子パッケージ。
  3. 【請求項３】 前記ガラスリード（５）は、光の屈折率
    １．５、透光率９０％以上の透明ガラスである、請求項
    １記載の樹脂封合形固体撮像素子パッケージ。
  4. 【請求項４】 樹脂封合形固体撮像素子パッケージの製
    造方法であって、 半導体チップをリードフレームのパドル上面に接着する
    ダイボンディング工程と、 該半導体チップ上の受光領域両方側に絶縁フィルムを接
    着し、フィルム壁部を形成するフィルムアタッチング工
    程と、 それらフィルム壁部上面にガラスリードを接着するガラ
    スアタッチング工程と、 該フィルム壁部を硬化させ前記ガラスリードを密封する
    キュア工程と、 前記半導体チップの各ボンドパッドとリードフレームの
    各インナーリードとを、それぞれ金属ワイヤーにより電
    気的に接続させるワイヤーボンディング工程と、 前記ガラスリードの表面を露出させながら、前記半導体
    チップとリードフレームのインナーリードとを包含した
    部位をモールディング樹脂によりモールディングし、パ
    ッケージ本体を形成するモールディング工程と、 モールディングされたパッケージのリードフレームのダ
    ンバーを切断し、該リードフレームの各アウトリードを
    所定形状に折曲するトリムおよびフォーミング工程と、 を備える、樹脂封合形固体撮像素子パッケージの製造方
    法。
  5. 【請求項５】 前記キュア工程は、１５０℃程度で１時
    間の間硬化させる、請求項４記載の樹脂封合形固体撮像
    素子パッケージの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記モールディング工程は、該モールデ
    ィングされる樹脂の表面が前記ガラスリードの上面と一
    致するように成型する、請求項４記載の樹脂封合形固体
    撮像素子パッケージの製造方法。
JP12603093A 1992-06-16 1993-05-27 樹脂封合形固体撮像素子パッケージおよびその製造方法 Withdrawn JPH0653462A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920010430A KR940001333A (ko) 1992-06-16 1992-06-16 수지봉합형 고체촬상소자 패키지 및 그 제조방법
KR92P10430 1992-06-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0653462A true JPH0653462A (ja) 1994-02-25

Family

ID=19334753

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12603093A Withdrawn JPH0653462A (ja) 1992-06-16 1993-05-27 樹脂封合形固体撮像素子パッケージおよびその製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPH0653462A (ja)
KR (1) KR940001333A (ja)
DE (1) DE4319786A1 (ja)
TW (1) TW222713B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100396702B1 (ko) * 2001-01-15 2003-09-03 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19816309B4 (de) * 1997-04-14 2008-04-03 CiS Institut für Mikrosensorik gGmbH Verfahren zur Direktmontage von Silizium-Sensoren und danach hergestellte Sensoren
DE19724026A1 (de) * 1997-06-06 1998-12-10 Siemens Ag Drucksensor-Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US6274927B1 (en) 1999-06-03 2001-08-14 Amkor Technology, Inc. Plastic package for an optical integrated circuit device and method of making
US6861720B1 (en) 2001-08-29 2005-03-01 Amkor Technology, Inc. Placement template and method for placing optical dies
US6784534B1 (en) 2002-02-06 2004-08-31 Amkor Technology, Inc. Thin integrated circuit package having an optically transparent window
DE10322751B3 (de) * 2003-05-19 2004-09-30 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Verfahren zur Herstellung eines in Kunststoff verschlossenen optoelektronischen Bauelementes
US20060124915A1 (en) * 2003-05-19 2006-06-15 Siegfried Buettner Production of an optoelectronic component that is enclosed in plastic, and corresponding methods
GB0412436D0 (en) * 2004-06-04 2004-07-07 Melexis Nv Semiconductor package with transparent lid
WO2008082565A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-10 Tessera, Inc. Microelectronic devices and methods of manufacturing such devices
KR100806774B1 (ko) * 2007-05-16 2008-02-22 주식회사 펠릭스정보통신 Ａｃ/ｄｃ 변환기 및 이를 이용한 ａｃ/ｄｃ 변환 방법
US11699647B2 (en) 2021-04-15 2023-07-11 Infineon Technologies Ag Pre-molded lead frames for semiconductor packages

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4812420A (en) * 1986-09-30 1989-03-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of producing a semiconductor device having a light transparent window
DE8808815U1 (de) * 1988-06-23 1988-09-15 Heimann Optoelectronics Gmbh, 65199 Wiesbaden Infrarotdetektor
JPH02143466A (ja) * 1988-11-25 1990-06-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
KR930010072B1 (ko) * 1990-10-13 1993-10-14 금성일렉트론 주식회사 Ccd패키지 및 그 제조방법
KR940002444B1 (ko) * 1990-11-13 1994-03-24 금성일렉트론 주식회사 반도체 소자의 패키지 어셈블리 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100396702B1 (ko) * 2001-01-15 2003-09-03 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE4319786A1 (de) 1993-12-23
KR940001333A (ko) 1994-01-11
TW222713B (ja) 1994-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5534725A (en) Resin molded charge coupled device package and method for preparation thereof
KR970005706B1 (ko) 고체촬상소자 및 그 제조방법
US6384472B1 (en) Leadless image sensor package structure and method for making the same
US7494292B2 (en) Image sensor module structure comprising wire bonding package and method of manufacturing the image sensor module structure
JP3388824B2 (ja) ガラスリード載置型固体撮像素子のパッケージ
JPH06318613A (ja) 半導体パッケージの成形用金型を利用した半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ
US7646429B2 (en) Digital camera module packaging method
JPH0653462A (ja) 樹脂封合形固体撮像素子パッケージおよびその製造方法
US20050077451A1 (en) Optical device and production method thereof
JP2009521798A (ja) 半導体パッケージ、その製造方法及びイメージセンサー用の半導体パッケージモジュール
KR20040033193A (ko) 이미지 센서용 반도체 칩 패키지 및 제조 방법
JPH0728014B2 (ja) 固体撮像装置
JP3127584B2 (ja) 樹脂製中空パッケージを用いた半導体装置
JPS63127556A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3674777B2 (ja) 固体撮像装置
JP2620685B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPH0754974B2 (ja) 固体撮像素子
KR100692779B1 (ko) 회로기판 일체형 이미지 센서 패키지
KR100206860B1 (ko) 플라스틱 타입 고체 촬상소자 패키지 및 그 제조방법
JPS63226033A (ja) 光透過用窓を有する半導体装置の製造方法
KR100489115B1 (ko) 반도체패키지 및 그 제조 방법
JPH01238046A (ja) 固体撮像装置
JPH0410445A (ja) 固体撮像素子の製造方法
TW202437528A (zh) 感測器的封裝結構及其封裝方法
JPS59225579A (ja) 光電式通話路スイツチ

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20000801