JP3388824B2 - ガラスリード載置型固体撮像素子のパッケージ - Google Patents

ガラスリード載置型固体撮像素子のパッケージ

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JP3388824B2 JP20067193A JP20067193A JP3388824B2 JP 3388824 B2 JP3388824 B2 JP 3388824B2 JP 20067193 A JP20067193 A JP 20067193A JP 20067193 A JP20067193 A JP 20067193A JP 3388824 B2 JP3388824 B2 JP 3388824B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、カメラ&ビデオカセッ
ト一体型システム等に用いられる固体撮像素子(CC
D:Charge Coupled Device )のパッケージ(Package
)に関するものであり、詳しくは、該パッケージの製
造工程を簡略化して製品を小型軽量化した、ガラスリー
ド載置型固体撮像素子のパッケージに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】一般に、固体撮像素子は、映像光を受け
て電気的信号に変換させる作用を行なう。そして、該固
体撮像素子の上部にガラスリードを載置した形態の従来
のガラスリード載置型固体撮像素子パッケージにおいて
は、図5に示したように、セラミックを用いて上面中央
部位に所定幅および深さのキャビティ4aを有したパッ
ケージ本体4の下方部分を造形し、該パッケージ本体4
下方部分の上面前記キャビティ4aの両方側所定部位に
それぞれ複数個のメタルラインリードフィンガ5を配列
し、それらリードフィンガ5の上面パッケージ本体4下
方部分の両方側辺部位にセラミックを用いて所定幅およ
び高さを有したパッケージ本体4の上方部分を再び積層
した後、該セラミックパッケージ本体4を焼成する。
【0003】次いで、前記各リードフィンガ5の外方側
端にそれぞれアウトリード6の一方側端を接続し、それ
らアウトリード6を前記パッケージ本体4の両方側壁に
それぞれブレージング金属6′により接着する。その
後、上面中央部位に受光領域部1aが形成され、それら
受光領域部1aの両方側にそれぞれ複数個のボンディン
グパッド2が形成された固体撮像素子1を前記パッケー
ジ本体4のキャビティ4a上面中央部位に接着剤9によ
り接着し、該固体撮像素子1の各ボンディングパッド2
と前記リードフィンガ5の内方側端とをそれぞれ金属ワ
イヤ3によりボンディングする。
【0004】次いで、前記パッケージ本体4の上面にガ
ラスリード7を密封接着剤8により接着して該パッケー
ジ本体4をガラスリード7により密閉し、撮像がガラス
リード7を通って固体撮像素子1の受光領域部1aに透
過されるように構成していた。
【0005】そして、このように構成された従来のガラ
スリード載置型固体撮像素子パッケージにおいては、前
記各アウトリード6が信号処理回路(図示されず)にそ
れぞれ連結して基板(図示されず)に装着され、カメラ
&ビデオカセットレコーダ一体型システムの光学素子と
して使用されるが、この場合、該カメラのレンズを通っ
て入射する光学的映像光が前記ガラスリード7を通って
前記固体撮像素子1に受光され、該固体撮像素子1内で
映像光が電気信号に変換され、前記各ボンディングパッ
ド2、各金属ワイヤ3、各リードフィンガ5および各ア
ウトリード6をそれぞれ通って前記信号処理回路に出力
されるようになっていた。
【0006】また、図6に示したように、このような従
来の固体撮像素子パッケージの製造工程においては、セ
ラミックを用いて上面にキャビティ4aを形成しながら
パッケージ本体4下方部分を造形した後該パッケージ本
体4下方部分の上面両方側に複数個のリードフィンガ5
をそれぞれ配列し、それらリードフィンガ5の上面パッ
ケージ本体4下方部分の上面両方側辺部位にセラミック
を再び積層してパッケージ本体4の上方部分を形成しパ
ッケージ本体4の造形を完成する工程と、ダイシング過
程にて1個づつ切断された各固体撮像素子1を前記パッ
ケージ本体4のキャビティ4a上面中央部位に接着する
ダイアタッチング工程と、該固体撮像素子1の各ボンデ
ィングパッド2と前記リードフィンガ5の内方側端とを
それぞれ金属ワイヤ3により連結するワイヤボンディン
グ工程と、前記パッケージ本体4の上面にガラスリード
7を接着し前記キャビティ4aを密封する工程とを行な
い、その後、トリム工程およびマーキング工程を施して
パッケージの製造を完了するようになっていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のガラスリード載置型固体撮像素子のパッケー
ジにおいては、複数個のメタルラインリードフィンガを
それぞれ所定位置に埋蔵しながらセラミックを用いてパ
ッケージ本体を造形し、該パッケージ本体を焼成した後
前記リードフィンガの外方側端にそれぞれアウトリード
の一方側端を接続し、それらアウトリードの他方側端を
それぞれパッケージ本体の両方側壁にそれぞれ接着する
ようになっているため、製造工程が複雑になって原価が
上昇し、多量生産に不適であるという不都合な点があっ
た。
【0008】かつ、セラミックのパッケージ本体の容積
が大きくなって製品の小型化および軽量化を図り得ず、
アウトリードのリードピッチの制限によりファインピッ
チ化を図り得ないという不都合な点があった。
【0009】本発明の目的は、パッケージの製造工程を
単純化し、多量生産を行ない得るようにしたガラスリー
ド載置型固体撮像素子のパッケージを提供することにあ
る。
【0010】また、本発明の他の目的は、パッケージの
容積を縮小させ、パッケージの各リードのファインピッ
チ化を可能にし、製品の小型化および軽量化を図り得る
ようにしたガラスリード載置型固体撮像素子のパッケー
ジを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明によるガラスリー
ド載置型固体撮像素子のパッケージは、ガラスリードが
載置された固体撮像素子のパッケージであって、固体撮
像素子の上面両方側辺部位に複数個のボンディングパッ
ドが所定間隔をおいてそれぞれ形成されてそれらボンデ
ィングパッド上に導電バンプがそれぞれ突成され、該固
体撮像素子の上面中央部位に受光領域部が形成されて該
受光領域部と導電バンプ間に両面接着絶縁テープが接着
され、該固体撮像素子の広さよりも大きい広さを有した
ガラスリードが形成されて該ガラスリードの底面両方側
辺部位に各導電バンプに対応する複数個のメタルライン
がそれぞれ所定長さに配列形成され、該ガラスリードが
絶縁テープに接着されて固体撮像素子と結合され、該固
体撮像素子とガラスリードとの結合部の周囲を密封樹脂
により封止し、メタルラインの内方側端がそれぞれ導電
バンプにボンディングされて該絶縁テープにより該ガラ
スリードと固体撮像素子とが互いに密封され、ガラスリ
ードの各メタルラインの他方側端がそれぞれ基板上の信
号処理端子に直接連結されるように構成されている。
【0012】
【0013】また、好ましくは、ガラスリードは、ガラ
スリードの上面に光の反射を防止するコーティングまた
はテープが付着されるとよい。
【0014】本発明の他の局面に従うガラスリード載置
型固体撮像素子のパッケージは、ガラスリードが載置さ
れた固体撮像素子のパッケージであって、固体撮像素子
の上面両方側辺部位に複数個のボンディングパッドが所
定間隔をおいてそれぞれ形成されてそれらボンディング
パッド上に導電バンプがそれぞれ突成され、該固体撮像
素子の上面中央部位に受光領域部が形成されて該受光領
域部と導電バンプ間に両面接着絶縁テープが接着され、
該固体撮像素子の広さよりも大きい広さを有したガラス
リードが形成されて該ガラスリードの底面両方側辺部位
に各導電バンプに対応する複数個のメタルラインがそれ
ぞれ所定長さに配列形成され、該ガラスリードが絶縁テ
ープに接着されて固体撮像素子と結合され、該固体撮像
素子とガラスリードとの結合部の周囲を密封樹脂により
封止し、メタルラインの内方側端がそれぞれ前記導電バ
ンプにボンディングされて該絶縁テープにより該ガラス
リードと固体撮像素子とが互いに密封され、ガラスリー
ドの各メタルラインの他方側端にアウトリードがそれぞ
れ接続され、それらアウトリードが基板上の信号処理端
子にそれぞれ連結されるように構成されている。
【0015】
【作用】本発明によれば、撮影により受光される映像光
がガラスリードを通って固体撮像素子の受光領域部に受
光され、該固体撮像素子で電気的信号に変換された後、
各導電バンプおよび各メタルラインをそれぞれ通って基
板上の各信号端子に出力される。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例に対し、図面を用いて
詳細に説明する。
【0017】図1は、本発明によるガラスリード載置型
固体撮像素子パッケージを示した概略構成図であり、
(A)は分解斜視図、(B)は組立て縦断面図である。
【0018】また、図2は、本発明によるガラスリード
載置型固体撮像素子パッケージを基板に装着した状態表
示図である。
【0019】図1および図2に示したように、本発明に
よるガラスリード載置型固体撮像素子のパッケージにお
いては、固体撮像素子12の上面両方側辺部位に複数個
のボンディングパッドがそれぞれ所定間隔をおいて直線
状に形成されてそれらボンディングパッド上に導電バン
プ11がそれぞれ突成され、該固体撮像素子12の上面
中央部位に受光領域部12aが形成されて該受光領域部
12aと前記導電バンプ11間の固体撮像素子12上面
に両面接着絶縁テープ15が接着され、該固体撮像素子
12の幅W1よりもやや太い幅Wを有したガラスリード
14が形成されて該ガラスリード14の底面両方側辺部
位に前記導電バンプ11に対応する複数個のメタルライ
ン13がそれぞれ所定長さに配列形成され、該ガラスリ
ード14の上面には光の反射を防止するコーティングま
たはテープが付着され、該ガラスリード14が前記両面
接着絶縁テープ15に接着され、前記メタルライン13
の内方側端がそれぞれ前記導電バンプ11にボンディン
グされて該接着絶縁テープ15により該ガラスリード1
4と前記固体撮像素子12とが互いに密封され、それら
ガラスリード14の底面および固体撮像素子12の上面
周囲部位に配された密封樹脂17により封止され、前記
ガラスリード14の各メタルライン13の他方側端がそ
れぞれ基板16上の信号処理端子に直接連結されてパッ
ケージが基板16に装着されるように構成されている。
【0020】かつ、前記ボンディングパッド11はゴー
ルド(Gold)またはソルダ(Solder)を用いて形成さ
れ、前記接着絶縁テープ15は所定厚さを有し四角形帯
状に形成されて、前記受光領域部と前記各導電バンプ1
1および各メタルライン13とにそれぞれ接しないよう
に前記固体撮像素子12上面に接着される。
【0021】図中、未説明符号16aは、固体撮像素子
パッケージを基板に装着するため、該基板に穿孔形成さ
れた挿入孔を示したものである。
【0022】このような本発明によるガラスリード載置
型固体撮像素子パッケージの製造工程を説明すると、次
のようである。
【0023】図3は、本発明によるガラスリード載置型
固体撮像素子パッケージの概略製造工程図である。
【0024】図3に示したように、まず、ウェーハの状
態において固体撮像素子12の各ボンディングパッド上
にそれぞれ導電バンプ11を突成し、ダイシングをして
固体撮像素子12をウェーハから切断分離する。次い
で、固体撮像素子12上面の受光領域部12aと前記各
導電バンプ11間に接着絶縁テープ15を接着し、ガラ
スリード14の底面両方側辺部位に前記導電バンプ11
に対応する複数個のメタルライン13をそれぞれ配列形
成する。その後、前記ガラスリード14を前記絶縁テー
プ15上に接着し、それらメタルライン13の内方側端
と導電バンプ11とをそれぞれホットエア(Hot air )
によるローカルヒーティング(Local Heating )および
リフロー(Reflow)を施してボンディングさせる。次い
で、前記メタルライン13の外方側を露出させて前記ガ
ラスリード14の底面および前記固体撮像素子12の上
面周囲部位密封樹脂17を配して封止し、図1(B)
に示したようなガラスリード載置型固体撮像素子のパッ
ケージを製造する。
【0025】その後、該パッケージの下方側を基板16
の挿入孔16aに挿合して該パッケージのガラスリード
14を基板16上面に掛合させ、該ガラスリード14底
面の各メタルライン13の他方側端を基板16上の各信
号連結端子(図示されず)にそれぞれボンディングさせ
て該パッケージを基板16上に装着する。
【0026】このような本発明によるガラスリード載置
型固体撮像素子のパッケージにおいては、撮影により受
光される映像光が前記ガラスリード14を通って固体撮
像素子12の受光領域部に受光され、該固体撮像素子1
2で電気的信号に変換された後前記各導電バンプ11お
よび各メタルライン13をそれぞれ通って基板16上の
各信号処理端子に出力される。
【0027】そして、本発明の他の実施例として、次の
ように構成して使用することもできる。
【0028】図4は、本発明によるガラスリード載置型
固体撮像素子パッケージの他の実施例を示した外観図で
ある。
【0029】図4に示したように、Cu(銅)またはF
e−Ni合金系のアウトリード19をJ型またはカモメ
の羽型等の多様な形態に折曲形成し、このようなアウト
リード19を前記ガラスリード14の各メタルライン1
3の他方側端および基板16上に接続して使用する。こ
の場合は挿入孔16aを穿孔形成せずに、パッケージを
基板16に装着するようになっている。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるガラ
スリード載置型固体撮像素子のパッケージにおいては、
従来のセラミック製造工程が排除され、製造工程が極め
て簡単になるので、生産性が向上され原価が減少される
という効果がある。また、パッケージの重量および容積
が減少され、製品の小型化および軽薄化が可能になると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるガラスリード載置型固体撮像素子
パッケージを示した概略構成図である。
【図2】本発明によるガラスリード載置型固体撮像素子
パッケージを基板に装着した状態表示図である。
【図3】本発明によるガラスリード載置型固体撮像素子
パッケージの概略製造工程図である。
【図4】本発明によるガラスリード載置型固体撮像素子
パッケージの他の実施例を示した外観図である。
【図5】従来のガラスリード載置型固体撮像素子パッケ
ージの構成を示した概略縦断面図である。
【図6】従来のガラスリード載置型固体撮像素子パッケ
ージの概略製造工程図である。
【符号の説明】
11 導電バンプ 12 固体撮像素子 12a 受光領域部 13 メタルライン 14 ガラスリード 15 絶縁テープ 16 基板 17 密封樹脂 18 ソルダ 19 アウトリード なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 27/14 H01L 23/02 H01L 23/04

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガラスリードが載置された固体撮像素子
    のパッケージであって、 固体撮像素子(12)の上面両方側辺部位に複数個のボ
    ンディングパッドが所定間隔をおいてそれぞれ形成され
    てそれらボンディングパッド上に導電バンプ(11)が
    それぞれ突成され、 該固体撮像素子(12)の上面中央部位に受光領域部
    (12a)が形成されて該受光領域部(12a)と前記
    導電バンプ(11)間に両面接着絶縁テープ(15)が
    接着され、 該固体撮像素子(12)の広さよりも大きい広さを有し
    たガラスリード(14)が形成されて該ガラスリード
    (14)の底面両方側辺部位に前記各導電バンプ(1
    1)に対応する複数個のメタルライン(13)がそれぞ
    れ所定長さに配列形成され、 該ガラスリード(14)が前記絶縁テープ(15)に接
    着されて前記固体撮像素子(12)と結合され、 該固体撮像素子(12)とガラスリード(14)との結
    合部の周囲を密封樹脂(17)により封止し、 前記メタルライン(13)の内方側端がそれぞれ前記導
    電バンプ(11)にボンディングされて該絶縁テープ
    (15)により該ガラスリード(14)と前記固体撮像
    素子(12)とが互いに密封され、 前記ガラスリード(14)の各メタルライン(13)の
    他方側端がそれぞれ基板(16)上の信号処理端子に直
    接連結されるように構成された、ガラスリード載置型固
    体撮像素子のパッケージ。
  2. 【請求項2】 前記ガラスリード(14)は、該ガラス
    リード(14)の上面に光の反射を防止するコーティン
    グまたはテープが付着された、請求項1記載のガラスリ
    ード載置型固体撮像素子のパッケージ。
  3. 【請求項3】 ガラスリードが載置された固体撮像素子
    のパッケージであって、 固体撮像素子(12)の上面両方側辺部位に複数個のボ
    ンディングパッドが所 定間隔をおいてそれぞれ形成され
    てそれらボンディングパッド上に導電バンプ(11)が
    それぞれ突成され、 該固体撮像素子(12)の上面中央部位に受光領域部
    (12a)が形成されて該受光領域部(12a)と前記
    導電バンプ(11)間に両面接着絶縁テープ(15)が
    接着され、 該固体撮像素子(12)の広さよりも大きい広さを有し
    たガラスリード(14)が形成されて該ガラスリード
    (14)の底面両方側辺部位に前記各導電バンプ(1
    1)に対応する複数個のメタルライン(13)がそれぞ
    れ所定長さに配列形成され、 該ガラスリード(14)が前記絶縁テープ(15)に接
    着されて前記固体撮像素子(12)と結合され、 該固体撮像素子(12)とガラスリード(14)との結
    合部の周囲を密封樹脂(17)により封止し、 前記メタルライン(13)の内方側端がそれぞれ前記導
    電バンプ(11)にボンディングされて該絶縁テープ
    (15)により該ガラスリード(14)と前記固体撮像
    素子(12)とが互いに密封され、 前記ガラスリード(14)の 各メタルライン(13)の
    他方側端にアウトリード(19)がそれぞれ接続され、
    それらアウトリード(19)が前記基板(16)上の信
    号処理端子にそれぞれ連結されるように構成された、ガ
    ラスリード載置型固体撮像素子のパッケージ。
JP20067193A 1992-08-28 1993-08-12 ガラスリード載置型固体撮像素子のパッケージ Expired - Fee Related JP3388824B2 (ja)

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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2856647B2 (ja) * 1993-09-20 1999-02-10 株式会社東芝 半導体チップバーンイン用ソケット
JP3318811B2 (ja) * 1994-12-29 2002-08-26 ソニー株式会社 半導体発光素子のパッケージ及びその製造方法
US5949655A (en) * 1997-09-09 1999-09-07 Amkor Technology, Inc. Mounting having an aperture cover with adhesive locking feature for flip chip optical integrated circuit device
US5929497A (en) * 1998-06-11 1999-07-27 Delco Electronics Corporation Batch processed multi-lead vacuum packaging for integrated sensors and circuits
US6109113A (en) * 1998-06-11 2000-08-29 Delco Electronics Corp. Silicon micromachined capacitive pressure sensor and method of manufacture
JP3785820B2 (ja) * 1998-08-03 2006-06-14 豊田合成株式会社 発光装置
SG91808A1 (en) * 1999-02-09 2002-10-15 Inst Of Microelectronics Lead frame for an integrated circuit chip (small window)
US6448635B1 (en) 1999-08-30 2002-09-10 Amkor Technology, Inc. Surface acoustical wave flip chip
US6351027B1 (en) * 2000-02-29 2002-02-26 Agilent Technologies, Inc. Chip-mounted enclosure
US6476471B1 (en) * 2000-03-14 2002-11-05 Analog Devices, Inc. Microelectronic-device assemblies and methods that exclude extraneous elements from sensitive areas
US6531341B1 (en) 2000-05-16 2003-03-11 Sandia Corporation Method of fabricating a microelectronic device package with an integral window
US6661084B1 (en) 2000-05-16 2003-12-09 Sandia Corporation Single level microelectronic device package with an integral window
US6384473B1 (en) 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
WO2001091193A2 (en) 2000-05-23 2001-11-29 Atmel Corporation Integrated ic chip package for electronic image sensor die
US6528857B1 (en) 2000-11-13 2003-03-04 Amkor Technology, Inc. Chip size image sensor bumped package
US6620646B1 (en) * 2000-11-13 2003-09-16 Amkor Technology, Inc. Chip size image sensor wirebond package fabrication method
US6629633B1 (en) 2000-11-13 2003-10-07 Amkor Technology, Inc. Chip size image sensor bumped package fabrication method
US20080296572A1 (en) * 2000-12-29 2008-12-04 Stmicroelectronics Sa Optical semiconductor device with sealing spacer
FR2819104B1 (fr) * 2000-12-29 2003-11-07 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur optique a support transparent
FR2819940B1 (fr) * 2001-01-22 2003-10-17 St Microelectronics Sa Procede de fabrication d'un boitier semi-conducteur optique et boitier semi-conducteur optique
US6974517B2 (en) * 2001-06-13 2005-12-13 Raytheon Company Lid with window hermetically sealed to frame, and a method of making it
US6885107B2 (en) * 2002-08-29 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Flip-chip image sensor packages and methods of fabrication
US6988338B1 (en) 2002-10-10 2006-01-24 Raytheon Company Lid with a thermally protected window
US6864116B1 (en) * 2003-10-01 2005-03-08 Optopac, Inc. Electronic package of photo-sensing semiconductor devices, and the fabrication and assembly thereof
US7141782B2 (en) * 2004-05-24 2006-11-28 Exquisite Optical Technology, Ltd. Image sensor with protective package structure for sensing area
CN100565887C (zh) * 2004-09-08 2009-12-02 奇景光电股份有限公司 感测器封装构造及其制造方法
JP2006339448A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Canon Inc 受光ユニットを有する露光装置
US20080064201A1 (en) * 2006-09-07 2008-03-13 Wen Ching Chen Flip chip packaging method that protects the sensing area of an image sensor from contamination
US7911018B2 (en) * 2007-10-30 2011-03-22 Panasonic Corporation Optical device and method of manufacturing the same
TWI399974B (zh) * 2010-03-12 2013-06-21 Primax Electronics Ltd 攝像模組之組裝方法
TWI562312B (en) * 2014-03-24 2016-12-11 Chipmos Technologies Inc Chip-on-film package structure

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4760440A (en) * 1983-10-31 1988-07-26 General Electric Company Package for solid state image sensors
US4855808A (en) * 1987-03-25 1989-08-08 Tower Steven A Hermetic glass chip carrier
JPS6454979A (en) * 1987-08-26 1989-03-02 Seiko Epson Corp Transparent plastic mold image sensor

Also Published As

Publication number Publication date
TW281797B (ja) 1996-07-21
DE4328916A1 (de) 1994-03-03
JPH06188403A (ja) 1994-07-08
KR960001345B1 (ko) 1996-01-26
US5352852A (en) 1994-10-04
KR940004864A (ko) 1994-03-16

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