JPS5866374A - 発光ダイオ−ド - Google Patents

発光ダイオ−ド

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JPS5866374A
JPS5866374A JP56165026A JP16502681A JPS5866374A JP S5866374 A JPS5866374 A JP S5866374A JP 56165026 A JP56165026 A JP 56165026A JP 16502681 A JP16502681 A JP 16502681A JP S5866374 A JPS5866374 A JP S5866374A
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JP
Japan
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lead
pellet
emitting diode
light emitting
end part
Prior art date
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Pending
Application number
JP56165026A
Other languages
English (en)
Inventor
Ikuo Fukuda
福田　郁郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は抵抗素子を内臓した発光ダイオードに関する
。
発光ダイオード（以下、Ｌ］ｉｌＤと称す）の実用輝度
の同上から°、ＬＩＤは一般に豆電球、豆ランプと呼ば
れるパイロットランプ分野への応用拡大が進行しつつあ
る。しかしながらＶＬｍ！Ｄはその多くが１．６〜２．
２ｖの閾の電圧で駆動するのに対し、−１１記ノ（−イ
ａットツンプのチ（は６Ｖ、１２Ｖ、２４Ｖｌ’のに圧
”ｃｍ＊する。そのため、篭球の代わりをＬｌｌ）で行
なうた６ｄ二は、ＬｌｉＤに抵抗を外付けして６Ｖ、１
２Ｖ。
２４Ｖの電圧でも駆動するようにしていた。しかし、Ｌ
ｌｉＤの高輝度化は計れなかった。
この発明は上記の点に癒みてなされたものでその目的は
′ｉ＆廊度化度化定電圧ｇ′Ｉｌｂを計りうる発光ダイ
オードを提供することにある。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第１図は発光ダイオードの断面概略図である。図ａ；お
いて、１１は外囲器である。
この外囲器ｌＪ内にはり−ドフレー４１１１〜１１ｄが
設けられている。そして、リードフレーム１１ζ、１１
ｂの先端部にはＬＩＤぺＶ−ツ）１：ｔｍ、１２ｂが各
々マクント固看されている。また、リードフレームＩｌ
ｄ、１１畠の抵抗デツプＪ−Ｊ　ａ−、ｒ　Ｊ　ｂがマ
クント固看さ−れている。そして、図に示したよ）に抵
抗テップＪＪａ−＋ＬＩＤぺシットＪＪ−Ｈ→リードＪ
’ｌｃの先端部、ＬＥＤペレットｌ２ｂ−４９−ド１１
−ａの先端部→抵−抗デツブ１３にのそれぞれの聞をボ
ンディングワイヤ１４ｍ、１４ｂ、１４ｃでボンディン
グする。このようなルＩＤの等価回路は第２図に示す如
くである。
次に、第３図を用いてリード部の詳細な構成を説明する
。図において、す・−ドフレームＩｌｂ・１１ｃの各々
の先端にはプレス加工などにより、上方に開放の反射を
目的とした皿状の凹部１５が形成されており、その凹部
１５の底面にはＧａＰ−？Ｇａ人ＪＡａ、Ｇａ、人、ｓ
Ｆなどの化合物半導体よりなるＩ、ｆｆＤペレットｌ１
ｍ、１ｌｂｋ導電性エボ゛キＶなどによりマークント固
看する。
そして、ムＵやＡｊなどよりなる２０〜５０μｍ−の金
属細−により抵抗チップＩＩ’ｓとＬＢＤペレット１２
ａ１す゛−ドＪＪＣの先端部とＬＩＤペレット１２ｂ、
リードｌｌｂの先端部と抵抗デツプｆｊｂとｋＭ纏しボ
ンディングする。これは各々の抵抗チップ、ＬｇＤペレ
ットｌ直列に結線した場合である。つまり、回路的には
゛磁流の流れとしてはり一ド１１櫨より入り、抵抗ＩＪ
ａの裏→抵抗１３ｍの表→１．ｊｉＤペレット１２ｍの
表→ＬｇＤペレット１２１の裏−リードｌｌｃ→ＬｇＤ
ペレットＪｊｂの表→Ｌｊ！ＤペレットＩｊｌｂの裏−
リードＩｌｂ→抵抗デツプＪＪｂの表→抵抗デツプ１３
ｂの裏−リード１１”ａへ出る。例えば、この場合抵抗
チップの“−圧降下が１０１１”Ａで２Ｖ、Ｉ、ＥＤｆ
ツブｏｖ、がｌ０ＩＩＡで２Ｖ（ＧａＰ（Ｄ場合）とす
ると、この抵抗チップ２個、Ｌ　Ｉ　Ｄ　（ＧｓＰ）２
個の場合全体の電圧特性は、ｉｏｎムで約８ｖ（抵抗２
（Ｖ）Ｘ２ｅｙ’Ｊ＋ＬＩＡＤ２（Ｖ）Ｘ２ｅｉ’）−
Ｂ（Ｖ））となる。つまり、８ｖのＫｍによる定電圧駆
動が可能となる。
以上詳述したようにこの発明によれば発光ダイオードペ
レットを囲むようにして設けられた反射奪を含むリード
先端部に発光ダイオードペレットの′植極引出し用のポ
ンディングパッドを同一リード先端部に設（するように
して、−外曲器内り二２ヶ以上の発光ダイオードペレッ
トを設りするようにして発光ダイオードのａＳ度化を針
ることができる。また、外囲器内に抵抗デツプを設ける
ことにより定電圧駆動さ、せることかできる。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明の一実施例を示すもので、第１図は発光
ダイオードの断面、概略図、第２図は第１図に示した発
光素子の等価回路、第３Ｆｇは第１図に示した発光ダイ
オードの詳細な斜視図である。 １１暑〜ｌｉｄ・・・リードフレーム、１２１゜Ｊｊｂ
・・・ＬＩＤペレット、Ｉｌａ、Ｉｌｂ・・・抵抗デツ
プ、１４ａ〜１４Ｃ・・・ボンディングワイヤ、。 出−人代珊人　　升壇士　瞳−圧式　−第１図 第２図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 リード先端部に発光ダイオ°−ドベレットを具備し、そ
    の発光ダイオードペレットを囲むようにし【設けられた
    反射壁を含む上記リード先端部に上記発光ダイオードベ
    レットの電極引出し用のポンディングパッドを同一リー
    ド先端部に設けたことを特徴とする発光ダイオード。
JP56165026A 1981-10-16 1981-10-16 発光ダイオ−ド Pending JPS5866374A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56165026A JPS5866374A (ja) 1981-10-16 1981-10-16 発光ダイオ−ド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56165026A JPS5866374A (ja) 1981-10-16 1981-10-16 発光ダイオ−ド

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Publication Number Publication Date
JPS5866374A true JPS5866374A (ja) 1983-04-20

Family

ID=15804427

Family Applications (1)

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JP56165026A Pending JPS5866374A (ja) 1981-10-16 1981-10-16 発光ダイオ−ド

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5218233A (en) * 1990-07-24 1993-06-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Led lamp having particular lead arrangement
KR20030049211A (ko) * 2001-12-14 2003-06-25 서오텔레콤(주) 발광다이오드소자
WO2009067996A2 (de) * 2007-11-28 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Chipanordnung, anschlussanordnung, led sowie verfahren zur herstellung einer chipanordnung

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20030049211A (ko) * 2001-12-14 2003-06-25 서오텔레콤(주) 발광다이오드소자
WO2009067996A2 (de) * 2007-11-28 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Chipanordnung, anschlussanordnung, led sowie verfahren zur herstellung einer chipanordnung
WO2009067996A3 (de) * 2007-11-28 2009-10-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Chipanordnung, anschlussanordnung, led sowie verfahren zur herstellung einer chipanordnung

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