KR940006789B1 - 레이저 다이오드 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도의 (a),(b)는 종래의 레이저 다이오드를 일부 절결하여 나타낸 사시도 및 정면도.
제2도의 (a),(b)는 제1도의 개략 및 요부평면도.
제3도의 (a),(b)는 이 발명에 따른 레이저 다이오드의 개략 및 요부평면도이다.
이 발명은 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 레이저다이오드의 베이스상에 장착되는 스켐의 정면일측에 칩이 접착되는 서브마운트(Sub-Mount)를 상기 칩보다 작게 형성하고, 이 접착면에 은-에폭시(Ag-Epoxy)층을 형성하여 칩을 접착시킬수 있도록 한 것이다.
일반적으로 레이저 다이오드는 징보통신 분야가 급속히 발전하게 됨에 따라 초고속 컴퓨터, 초고주파 및 광통신분야에 대한 필요성이 더욱 증대되고 있는 실정이다.
이러한 종래의 레이저 다이오드는 제1도의 (a),(b)에 나타낸 바와 같이, 하부에 리드(1a)가 형성된 베이스(1)상에 스템(3)이 설치되고, 이 스템(3)의 정면 일측에는 칩(2)이 접착되는 서브마운트(3a)가 장착되어 히트싱크(Heat sink)의 역할을 하게되며, 상기 칩(2)과 대향되는 위치에 수광소자(4)가 장착되는 받침대(5)가 설치되어 각 리드(1a)들과 와이어(1b)에 의해 전기적으로 접속되며, 이들 부품들의 외측에는 상측에 윈도우(6a)가 형성된 캡(6)이 씌워지게 된다.
상기와 같은 레이저 다이오드는 서브마운트(3a)에 부착된 칩(2)으로 전류를 흘러 보냄으로써 칩(2)의 상, 하측 방향으로 광이 발산하게 되는데, 칩(2)의 상측에는 발산되는 광은 캡(6)의 원도우(6a)를 통하여 광원으로 사용되며, 이때 칩(2)에서 발산되는 광의 출력을 일정하게 유지시키는 것이 중요하므로 칩(2)의 대향위치에 장착된 수광소자(4)에 의해 칩(2)의 하측방항으로 발산되는 광을 수광함으로써 생긴 전류를 자동출력회로를 통해 다시 레이저 다이오드의 칩(2)을 궤환시켜 항상 같은 출력의 광이 칩(2)에서 발산되도록 조절할 수 있게 된다.
그런데, 상기한 바와 같이 레이저다이오드의 베이스(1)상에 장착되는 스템(3)의 서브마운트(3a)에 칩(2)을 접착시킴에 있어서는, 제2도의 (a),(b)에서와 같은 평편한 서브마운트(3a)의 정면부상에 은-에폭시를 도포하여 칩(2)을 접착시키게 되므로 칩의 에미션 포인트(Emision Point)를 가려버리는 문제가 발생한다.
이 발명은 상기의 문제점을 감안하여 안출한 것으로서, 이 발명의 목적은 레이저 다이오드의 베이스상에 장착되는 스템의 정면일측에 칩이 접착되는 서브마운트를 칩보다 작게 형성하고, 이 접착면에 은-에폭시층을 형성하여 칩을 접착시킬 수 있게함으로써, 칩의 에미션 포인트가 가려지는 일없이 스템의 일정위치에 칩을 접착시킬 수 있게하여 제조수율을 높힐 수 있고, 전기적 특성을 향상시킬 수 있도록 함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 이 발명의 특징은, 베이스상에 장착되는 스템의 정면일측에 칩이 접착되는 서브마운트를 형성하고, 상기 칩과 대향되는 위치에 수광소자가 설치되어 각각 전기적으로 연결되며, 상기 부품들을 보호하는 캡이 씌워진 레이저 다이오드에 있어서, 상기 칩이 접착되는 서브마운트의 면적을 칩의 면적보다 작게 형성하고, 서브마운트의 접착면에 은-에폭시층을 형성하여 상기 칩을 접착시킬 수 있게한 것에 있다.
이하, 본 발명에 따른 실시예를 첨부도면에 따라 상세히 설명한다.
먼저, 이 발명에 따른 레이저 다이오드의 구조는, 종래와 마찬가지로 하부에 접속핀(1a)이 형성된 베이스(1)상에 스템(3)이 설치되고, 이 스템(3)의 정면일측에는 칩(2)이 접착되는 서브마운트(3a)가 장착되며, 상기 칩(2)과 대향되는 위치에 수광소자(4)가 장착되는 받침대(5)가 설치되어 각 리드(1a)들과 와이어(1b)에 의해 접속되며, 이들의 외측에는 상단중앙에 윈도우(6a)가 형성된 캡(6)이 씌워지게 된다.
따라서, 일측의 리드(1a)를 통하여 칩(2)으로 일정전류를 흘러 보내게 되면 상기 칩(2)의 상, 하측으로 동시에 광이 발산하게되 이때 상측으로 발산되는 광은 캡(6)의 윈도우(6a)를 통하여 각종기기의 광원으로 이용되며, 하측으로 되는 발산되는 광은 수광소자(4)를 통하여 다시 칩(2)으로 궤환시킴으로써 항상 같은 출력의 광이 칩(2)에서 발산되도록 조절하고 있다.
한편, 상기에서 서브마운트(3a)에 칩(2)을 접착시킴에 있어서는, 제3도의 (a),(b)에서와 같이 상기 스템(3)에 장착되는 서브마운트(3a)의 면적을 칩(2)의 면적보다 작게 형성하고, 이 서브마운트(3a)의 접착면에 은-에폭시층(7)을 형성하여 상기 칩(2)이 접착되도록 하고 있다.
따라서, 상기 서브마운트(3a)의 접착면에 일정량 도포되는 은-에폭시층(8)이 넘쳐흐르는 경우에도 칩(2)에 영향을 주지않게 되며, 서브마운트(3a)의 접촉저항을 감소시킬 수 있으므로 전기적 특성을 향상시킬수 있게된다.
이상에서와 같이 이 발명은, 레이저 다이오드의 베이스상에 장착되는 스템의 정면일측에 칩이 접착되는 서브마운트를 작게 형성하고, 이 접착면에 은-에폭시층을 형성하여 칩을 접착시킬수 있도록 함으로써, 칩의 에이션포인트가 가려지는 현상을 방지할 수 있음은 물론, 칩의 접착위치를 항상 일정하게 하여 제조효율을 높힐 수 있고, 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 것이다.
Claims (1)
- 베이스상애 창착되는 스템의 정면일측에 칩이 접착되는 서브마운트를 형성하고, 상기 칩과 대향되는 위치에 수광소자가 설치되어 각각 전기적으로 연결되며, 상기 부품들을 보호하는 캡이 씌워진 레이저 다이오드에 있어서, 상기 칩이 접착되는 서브마운트의 면적을 칩의 면적보다 작게 형성하고, 이 서브마운트의 접착면에 은-애폭시층을 형성하여 상기 칩을 접착시킬 수 있게 한 레이저 다이오드.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910019281A KR940006789B1 (ko) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 레이저 다이오드 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019910019281A KR940006789B1 (ko) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 레이저 다이오드 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930009184A KR930009184A (ko) | 1993-05-22 |
KR940006789B1 true KR940006789B1 (ko) | 1994-07-27 |
Family
ID=19322072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910019281A KR940006789B1 (ko) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 레이저 다이오드 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940006789B1 (ko) |
-
1991
- 1991-10-31 KR KR1019910019281A patent/KR940006789B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR930009184A (ko) | 1993-05-22 |
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