JPS62128590A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体発光装置の構造に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図、第３図は本発明の基となる従来の半導体発光装
置で、光学式ディスク装置の元ピンクアップ用の光源と
して用いられレーデ−元七二タ用の７オトセンサ金同パ
ツケージ内に咀込んだンーデダイオード装置？示し念も
のである。

両図において＋１１は熱伝４性の艮好な金属からするフ
ランジ、′２１はこのフランジＩＩ＋の土面（上Ｈｆ９
　）中央部にろう付した熱伝導性の良好な金属からなる
ブロック、（３）はこのブロック（２１０側面にサブマ
ウント１４１　ｋ介して固定されているレーザダイオー
ドチップ（チップ〕である。

このチップ＋３１は上端および下端からレーデ光（５）
を出射する。下方に向かうレーザ光は＋５１はフランジ
ｉｌ＋に固定されたフォトセンサ（６１で検出され、光
強度がモニターされる。

一方７う／ジＩＩ＋の工面側には金属製のキャップ（７
）がグロジエクション溶接で溶接されており、キャップ
（７）の上部は開口され、この開口部は６明なガラス板
（８）で塞がれてチップ（３）は気密封止されている。

筐たフランジＩｌｌには３〜４本のリード（９）が必要
に応じて絶縁されて貫通固定されて分り、ここでは図示
しないワイヤでそのＩＪ−ド趨が７オトセンサ１６）、
チップ（３）の４極部とぞばｎて４気的な動作ｒ可能な
らしめている。

ここで嘉２図と第３図の従来装置の玲はフランジ＋１１
の形状だわって第２図の表首ではキャップ（７）ｔガイ
ドするための段が７クンジ（１）に設けられている。第
３図の装置にはこの段がなくフランジｔｌｌの形状が単
純化されている。この第３図の装置ではキャップ（７）
を溶接する殺貨にキャップをガイドするための磯肴上の
工大が必要となるが第２図の装置に比べて単純なフラン
ジ形状により安価に製作できる利点がある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、この従来の第３図の装置（１ブロツク（
２）ヲろう行部分とキャップ（７）を溶接する部分とが
同一面上であるため、ブロック１２）のろう行用ろう材
の濡れ性が良好であるとろう材が拡が９過ぎてキャップ
（７）の溶接部分まで達してキャップ（７）のだ接がで
きなくなるか又は、浴接都の気密性が（Ｕなわれる欠点
がめった。特にフランジ（１）やキャップ１力の直径を
小さくして妄置全小形化する場合に重大な問題となって
おり、ｂ５１図のｍ　ｉｉｌでさえもろう材の股下への
拡がり、流り落ちが生じ易く、小形化？制限してい念。

この発明は従来装置の上記のよう′ｆｘ問題点を解消す
るためになされたもので、比ｆ２的単純な形状にて、フ
ランジ上にブロックをろう付するｈ′なのろう材の拡が
りがキャップの溶接部に達しないように制限でき、小形
化が容易で安価な半導体発光（レーザダイオード）装置
を得ること？目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る半導体発光装置は、フランジの主面上に
ブロックをろう付する箇所を囲んでキャップのリング状
の溶接部の内側に溝？設けたものである。

〔作用〕

この発明におけるフランジ王面上のブロックをろう付す
る箇所を囲んで設けられた溝は、ブロックをろう付する
除の余分なろう材ｋ　？Ｍの中に溜めて、溝を越えてろ
う材が６ｍれ拡がったり、流れ出したりすることをふせ
いて、キャップヅ）溶接部にろう材が付着するの全防止
する。

〔実施列〕

以下、この発明の一実施例金回（′！一ついて説明下る
。？Ｊ１．ＸＩにおいて、（Ｉ）は熱伝２４事性の良好
な金属からなるフランジ、（２）はこのフランジＩｌｌ
。

王ｆｉ’［ｊ　（上面）中央部にろう付した熱伝導性の
良好な合寓からなるブロック、（３１はこのブロックｔ
ｅｌの測面にサプマウンＭ４１’ｉ介して固定されてレ
ーデダイオードチップ（チップ）である。このチップ（
３）は上端および下端からレーザ光（５）全出射する。

下方に向かうレーザ光は（５）はフランジｔｌ＋に固定
されたフォトセンサ（６）で検出され、光強度がモニタ
ーされる。一方フランジ（１１の主面１１１１１　Ｋ　
ｉｄ金属製のキャップ（７）がグロジエクション溶接で
溶接されており、キャップ（７）の上部は開口され、こ
の開口部はｄ明なガラス板（８）で塞かれてチップ＋３
１は気密封止されている。またフランジＩＩ＋には３〜
４木のリード（９）が必要に応じて絶縁されて貫通固定
されており、ここでは図示しないワイヤでそのリード端
がフォトセンサ（６１、チップ（３１の電極部と結ばれ
て電気的な動作を可能としていることは第２図、第３図
に示した従来の装置と同様である。しかしながら第１図
の装置においてはフランジ（１１の主面（上ｆｆ１ｊ　
）に、中央部Ｏてろう付されたブロック＋２１　ｉ　囲
んで、かつ、キャップ（））の円形の溶接部の内側に位
置する溝（ｌＯ）が設けられている。このｆ１ｔｔｏ＋
はフランジ１１）の中央部にブロック１２）をろう付す
る際に発生する余分なろう材のキャップ（７）の溶接部
へ向けての拡がり流れ出しを吸収して溶接部にろう材が
付着してキャップ（７）の溶接を不可能にしたり、又可
能であってもリークを発生させたりすることｔ有効に防
止することができる。又この溝はろう付の拡が９を防止
する充分な効果があれば良く、ろう材の量を適当に選択
すれば浅いもので充分でフランジＩＩ＋に容易かつ安価
に形成することが可能である。

一方この溝はろう材の拡がりを有効に防止するためフラ
ンジ１１）キャップ（７）の直径を小さくして装置ｔを
小形化すること全コ１１限していたブロック付用ろう材
の拡がりによる困雌を解消してより小形な装置が得られ
る効果がある。

なお、上記実施例ではレーザダイオード装置のｉにｉＪ
台について説明したが、他の牛導体発光装置であっても
同様の構成金もつものならば、上記実施例と同様の効果
全町することは明らかである。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、フランジの主面にブ
ロックを取付ける箇所を囲んで溝を目しているように構
成したので、ブロックろう付時の余分なろう材のキャッ
プ溶接部への拡がりを防止でき、より小形の装置を安価
ＶＣ得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

Ｍ　１図は本発明の一実施例によるレーデダイオード装
置を示す断面図、ｍ１２、第３図は従来のレーデダイオ
ード装置金示す断面図である。 （１）はフランジ、（２）はブロック、（３）はレーザ
ダイオードチップ、！４１はサブマウント、＋５ｉ１”
ｉレーザ光、１６）はフォトセンサ、（７）はキャップ
、’８１：まガラス板、（９）はリード１．１０１ばフ
ランジ主面上に設けられた溝である。 図中、１６１−符号は同一またげ相当部分と示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. フランジの主面にブロックを介して間接的に固定された
   主面の上方に光を発する発光素子と、前記発光素子を被
   うようにフランジに溶接されたキャップとを何し、かつ
   前記キャップの中央は開口され、この開口部はキャップ
   に接合された透明なガラス板で塞がれていることを特徴
   とする半導体発光装置であつて、前記フランジはその主
   面にブロックを取付ける箇所を囲んで溝を有しているこ
   とを特徴とする半導体発光装置。