JP2018139237A - レーザモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】信頼性が高く小型で安価なレーザモジュールを提供する。【解決手段】レーザモジュール12は、レーザ光を出射するレーザ素子1と、レーザ素子1が搭載されたブロック3と、はんだを介してブロック3が主面7aに固定された基体7と、を備え、主面7aのブロック3の外側にはんだの広がりを制限するレーザマーク7Gが設けられている。【選択図】図1
Description
本発明は、半導体レーザ素子が搭載されたレーザモジュールに関する。
従来のレーザモジュールの構成およびその組み立て方法の例としては、特許文献1に示される技術が提案されている。
特許文献1においては、複数のレーザがそれぞれサブマウントを介してブロックにAu−Snはんだにより固定されている。ブロックは、CuにAu/Niめっきが施されたものであり、Au−Snはんだの融点は280℃である。また、各々のブロックは位置が調整され、Au/Niめっきが施された1つの基体であるステムに融点が183℃のPb−Snはんだにより固定されている。電気的接続をした後、最後に窓がついたキャップをN2雰囲気中で基体に溶接することにより、レーザ、サブマウントおよびブロックといった中心部分が気密封止されたレーザモジュールが完成する。
しかしながら、特許文献1の構成においては、はんだの濡れ性を高めるためにブロックと基体にはAu/Niめっきが施されているため、ブロックと基体とをはんだ付けする際、はんだが溶融し、ブロック下面のみならず基体の表面まで濡れ広がって両者が固定される。このとき、部品の面粗さのばらつきといった原因により、接合時のはんだ部の温度または接合の時間がばらつくと、はんだの濡れ広がり量もばらつく。その結果、ブロックと基体との間にはんだ未接合部が発生し、レーザの発熱を基体から正常に放熱することができなくなり、特性不良または寿命が短くなるという問題があった。
さらに、接合時の荷重またはブロックの調整量がばらつくと未接合部が発生しやすくなる。また、未接合部の発生を防ぐために、はんだの量を多く設定すると、ブロック下面以外にはんだが濡れ広がる範囲が増大してキャップの溶接範囲まで広がり、キャップによる気密封止が不完全になるという問題があった。この問題を回避するためには、はんだの濡れ広がりばらつきを考慮して、ブロック位置に対してキャップの溶接位置を大きく設計する必要があり、レーザモジュールの大型化およびコストアップという課題が生ずる。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、信頼性が高く小型で安価なレーザモジュールを得ることを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、レーザ光を出射するレーザ素子と、レーザ素子が搭載されたブロックと、はんだを介してブロックが主面に固定された基体と、を備え、主面のブロックの外側にはんだの広がりを制限するレーザマークが設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、信頼性が高く小型で安価なレーザモジュールを得るという効果を奏する。
以下に、本発明の実施の形態にかかるレーザモジュールを図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1にかかるレーザモジュール12の分解図である。図2は、実施の形態1にかかるブロック−ASSY(assembly)6がステム7に固定された状態を示す斜視図である。図3は、実施の形態1にかかるコリメータレンズアレイ9が固定された状態を示す斜視図である。図4は、実施の形態1にかかるキャップ11が取り付けられたレーザモジュール12の斜視図である。図5は、図4における一点鎖線A−Aにおける断面図である。図6は、実施の形態1にかかるレーザモジュール12の組み立てフロー図である。
図1は、本発明の実施の形態1にかかるレーザモジュール12の分解図である。図2は、実施の形態1にかかるブロック−ASSY(assembly)6がステム7に固定された状態を示す斜視図である。図3は、実施の形態1にかかるコリメータレンズアレイ9が固定された状態を示す斜視図である。図4は、実施の形態1にかかるキャップ11が取り付けられたレーザモジュール12の斜視図である。図5は、図4における一点鎖線A−Aにおける断面図である。図6は、実施の形態1にかかるレーザモジュール12の組み立てフロー図である。
図1において、レーザ光を出射するレーザ素子である半導体レーザアレイ1は、絶縁性に優れた材料であるSiCを基材として両面に溶融温度が278℃のAuSnはんだが蒸着されたサブマウント基板2を介し、熱伝導性に優れた銅にニッケルめっきと金めっきを施したブロック3に一体的にはんだ接合されている。即ち、図6に示すように半導体レーザアレイ1とサブマウント基板2とがAuSnはんだ固定され、さらにそれらがブロック3にAuSnはんだ固定される。半導体レーザアレイ1は、レーザ光を出射するエミッタを複数有するマルチエミッタのレーザダイオードである。
また、図1に示されるサブマウント基板2には複数の電極パターンが形成され、半導体レーザアレイ1の正負いずれか一方の電極が一つの電極パターンに接続されるとともに、他方の電極は複数のワイヤ4でサブマウント基板2の別の電極パターンに接続されている。即ち、図6に示すようにワイヤ4によるワイヤ接合が行われる。
また、図1に示されるサブマウント基板2の各電極パターンには2対の金リボン5Aおよび5Bが接合され、引き出されている。即ち、図6に示すように金リボン5Aおよび5Bによるリボン接合が行われる。
以上の組み立てフローにより、半導体レーザアレイ1、サブマウント基板2、ブロック3、ワイヤ4および金リボン5Aおよび5Bを含んだ複数の部品が組み合わされたブロック−ASSY6が構成される。なお、図1に示すように、実施の形態1にかかるレーザモジュール12は、ブロック−ASSY6を2個備える。
板状の基体であるステム7は、表面にニッケルめっきと金めっきとが順に施されたFe−Cu−Feのクラッド材からなり、4本1組の給電用リードピン7Aおよび7Bが中心を挟んで2組計8本、ガラス封止により固定されている。ステム7の主面7aは金めっきで覆われている。基準の穴7Cおよび長穴7Dは、ステム7の寸法を規定し、レーザモジュール12を装置に組み込むときの基準となる。組み立て前のステム7の主面7aには、図1および図6に示すように、レーザマーキングにより、トレーサビリティ管理および個体識別のためのシリアル番号7Eと、その情報を含んだ2次元バーコード7Fと、1対の略コの字形状のライン7Gと、がレーザマークとして書き込まれている。シリアル番号7Eまたは2次元バーコード7Fによって、基体であるステム7の識別が可能である。
その後、図2に示すように、2個のブロック−ASSY6が、それぞれの半導体レーザアレイ1同士が対向するよう対称にステム7の主面7aにはんだ固定され搭載される。2個のブロック−ASSY6は、それぞれのブロック3の半導体レーザアレイ1が固定された面とは垂直な底面に荷重が加えられた状態で、2個同時にSnAgCu製のリボンはんだ8によりステム7の主面7aの中心にはんだ固定される。即ち、図6に示すようにブロック−ASSY6とステム7とがリボンはんだ8によりSnAgCuはんだ固定される。具体的には、2個のブロック−ASSY6それぞれのブロック3の底面とステム7の主面7aとがリボンはんだ8を介して接合される。リボンはんだ8は、SnAgCu製であるのでAuSnはんだより融点が低く、溶融温度は219℃である。リボンはんだ8は、ブロック3の接合面となる底面のサイズと、接合前はほぼ同じサイズになっている。
この後、図2および図6に示されるように、ブロック−ASSY6から引き出された金リボン5Aおよび5Bの端は、給電用リードピン7Aおよび7Bにそれぞれリボン接合される。そして、給電用リードピン7Aおよび7Bの金リボン5Aおよび5Bが接続された端とは逆の端の側から給電されることにより、半導体レーザアレイ1が発光するようになっている。
図3に示すコリメータレンズアレイ9は、ガラス製であり、半導体レーザアレイ1の複数のエミッタから出射されたレーザ光の光束である発散光をそれぞれコリメート化、即ち平行光となるようにする。図3および図6に示されるように、コリメータレンズアレイ9は、コリメータレンズアレイ9を保持するガラス製のタブ10によりそれぞれ接着固定されている。
図3および図6に示すように、リードピン7Aと7Bとの間に所要の電流を通電し、半導体レーザアレイ1を発光させた状態で、コリメータレンズアレイ9とタブ10が接着された部品は、それぞれステム面に垂直でコリメート化するように6軸の位置調整が行われ、ブロック3のサブマウント基板2および半導体レーザアレイ1が実装されている面と垂直な上面がタブ10と接着固定される。
最後に、図4および図6に示すように、半導体レーザアレイ1が出射するレーザ光を透過する窓であるガラス窓11Aを有したFe−Ni合金からなる円筒形或いはほぼ円筒形のキャップ11が、その中心をステム7の中心に合わせて乾燥空気中で抵抗溶接により主面7aに接合される。これにより、2つのブロック−ASSY6はキャップ11の内部に気密封止される。
以上のような、図1から図4に示した構成および図6の組み立てフロー図に従った工程によりレーザモジュール12が組み立てられ、図5の断面図に示すように1つのパッケージから2つのコリメート光13を出射するレーザモジュール12が完成する。
図7は、実施の形態1にかかるレーザマークを詳細に説明するステム7の上視図である。図7において、二点鎖線で示した仮想線7Hは実際には描かれていないが、キャップ11の溶接位置を示している。ステム7は、給電用リードピン7Aおよび7Bのガラス封止性とキャップ11の溶接性を考慮して、表面は鉄(Fe)で、熱伝導性を考慮して間に銅(Cu)を挟んだFe−Cu−Feのクラッド材を採用し、ニッケルめっきを施した後に、はんだの濡れ性を良くするため全面に金めっきが施されている。従って、図7の以下に述べるレーザマークが描いて設けられた場所以外のステム7の主面7aは、金めっきが施されている。
ここで、ステム7は、穴7Cと長穴7Dを基準に治工具に取り付けられ、その主面7aのキャップ11の溶接位置を示す仮想線7Hの外側には、レーザマーキングによりシリアル番号7Eとその情報を含んだ2次元バーコード7Fがレーザマークとして描かれている。従って、シリアル番号7Eおよび2次元バーコード7Fは、キャップ11の溶接後においては、主面7a上のキャップ11の外側に位置することになる。
また、1対の略コの字形状のライン7Gは、主面7aの仮想線7Hの内側にレーザマークとして描かれている。さらに、ライン7Gは、ブロック3を搭載する主面7aの搭載面と仮想線7Hとが最も近づいている部分においても、上記搭載面の外周すなわちリボンはんだ8の外周より縦横とも少なくとも0.5mmほど大きい寸法を有する1対の略コの字形状のレーザマークとして設けられている。
レーザマーキングにおいては、レーザ照射によりステム7の主面7aの金めっきを簡単に除去することで、レーザマークを描くことができる。ステム7の主面7aの金めっきの金はレーザ照射による熱で除去され、加熱が大きい場合は、さらに金の下層にあるニッケルおよび鉄が酸化されて変色する。ライン7Gの部分は、金めっきが除去されているのではんだの濡れ性は金めっきが存在する領域に比べて低下している。従って、溶融して上記搭載面の外周から外に広がろうとするはんだをライン7Gにより確実に堰き止めて、はんだの広がりを制限することが可能となる。
上述したシリアル番号7E、その情報を含んだ2次元バーコード7Fおよび1対の略コの字形状のライン7Gは、ステム7の同一の主面7aに同一の作業工程でレーザマークとして描かれている。また、ステム7は、基準となる穴7Cおよび長穴7Dを基準にして治工具に取り付けられているため、1対の略コの字形状のライン7Gは高精度に描くことが可能である。このように、レーザマーキングにより、目視でのシリアル番号7Eの確認、バーコードリーダによる2次元バーコード7Fの読み取りおよびライン7Gによるはんだの濡れ性の阻害が同一の工程で実現可能となる。
次に、図2で示したブロック−ASSY6とステム7との接合方法について詳細に説明する。接合手順は、ステム7の予め定めた位置にAuSnはんだより融点の低いSnAgCu製のリボンはんだ8を治工具といった手段により位置決めして置き、その上から2個のブロック−ASSY6をロボットで把持して、ステム7に対して精密に位置決めを行い、予め定めた荷重をかけた状態で約250℃になるように予め定めた時間加熱する。これにより、AuSnはんだでブロック3に固定された半導体レーザアレイ1およびサブマウント基板2は溶けることなく、SnAgCu製のリボンはんだ8のみが溶融する。その結果、リボンはんだ8はブロック3とステム7間およびステム7の表面に濡れ広がり、ブロック3とステム7とが固定される。
図8は、実施の形態1におけるライン7Gがなかった場合のはんだの広がりを説明する斜視図である。図9は、実施の形態1におけるライン7Gがなかった場合のはんだの広がりを説明する上視図である。即ち、図8は、レーザマーキングによる1対の略コの字形状のライン7Gがなかった場合の接合後のリボンはんだ8の広がりを示しており、図9はその上視図である。
ブロック3およびステム7には、表面状態または形状の微小なばらつきがあり、これらを起因とする接触状態のばらつきによりステム7上の温度プロファイルは大きく変化する。さらに、ブロック−ASSY6にかかる荷重のばらつきおよび位置調整といった要因により、はんだ濡れ性が良いステム7の上でのはんだの濡れ広がり方は大きく変化する。
図8および図9に示したように、ステム7上のリボンはんだ8の広がりが大きくなると、ブロック3とステム7との間のはんだ量が少なくなり、ブロック3とステム7との間にボイドといった接合不良または未接合部が発生し、レーザモジュール12の熱引きを阻害することになる。また、キャップ11が溶接される位置を示す仮想線7Hを超えてはんだが濡れ広がると、キャップ11を抵抗溶接する際、キャップ11とステム7との間に隙間が空き、接合不良が発生したり、気密封止に失敗するおそれがある。図8および図9に示した例の場合、ブロック3の周囲から3mm程はんだが濡れ広がることもある。
上述したように、図2は、実施の形態1にかかるブロック−ASSY6がステム7に固定された状態を示す斜視図であり、レーザマーキングによるレーザマークである1対の略コの字形状のライン7Gがステム7に設けられている場合における接合後のリボンはんだ8の広がりを説明している。図10は、実施の形態1にかかるブロック−ASSY6がステム7に固定された状態を示す上視図である。従って、図10は、図2の上視図である。
図2および図10に示すように、ステム7には1対の略コの字形状のライン7Gが設けられているため、温度条件または荷重がばらついても、金めっきが除去されている1対の略コの字形状のライン7Gを超えてリボンはんだ8が濡れ広がること簡単に阻止することができる。このためブロック3とステム7との間のはんだにボイドといった接合不良が発生せず、ブロック3とステム7との間に確実にはんだを充填することができ、熱引きのよい信頼性の高いレーザモジュール12を提供することができる。また、金めっきが除去されているライン7Gを超えてその外側にリボンはんだ8が濡れ広がることがないので、キャップ11による確実な気密封止が可能になる。
さらに、実施の形態1のレーザモジュール12においては、円筒形或いはほぼ円筒形のキャップ11の中心に対して対称に2個のブロック−ASSY6がステム7の主面7aに搭載されている。このように複数のブロック−ASSY6が対称に配置されると、キャップ11の外周とブロック3との距離は、必然的に近づいてくる。しかし、ライン7Gを超えてリボンはんだ8が濡れ広がることがないので、はんだのはみ出し位置のばらつきを考慮してキャップ11の溶接位置を設計する必要がなくなる。その結果、キャップ11の溶接位置、ひいてはキャップ11の径を小径に構成することができるので、小型で高出力なレーザモジュール12を安価に提供することができる。
図11は、実施の形態1にかかるレーザモジュール12を複数用いて集光する場合の断面図である。この断面図は、図5の断面と同様な面での断面図になっている。図11は、複数のレーザモジュール12それぞれのコリメータレンズアレイ9によって平行光にされたコリメート光束13をまとめて集光する場合の構成の一例を示している。
複数のレーザモジュール12の上に設けられた集光レンズ14により集光された光はロッド15に取り込まれる。図11において、1つのレーザモジュール12は複数のコリメータ光束13を出射するように構成されており、レーザモジュール12がより小型になるほど、より小さな集光レンズ14を採用することができる。したがって、実施の形態1にかかるレーザモジュール12をプロジェクタ光源といった装置に適用することにより、より小型で安価な装置を提供することが可能になる。
また、本実施の形態1では、レーザマーカにより書き込まれたライン7Gの形状を1対の略コの字形状として説明したが、ライン7Gの形状はこれに限定されない。ライン7Gが全体で1つの閉じた形状であって、2つのブロック3をまとめて全周取り囲むような長方形形状であってもよい。また、ライン7Gが、2つのブロック3をそれぞれ取り囲む2つの別個の閉じた形状にしてもよい。さらに、ライン7Gの形状は曲線であってもかまわない。このように、ライン7Gの形状は、リボンはんだ8の濡れ広がりを堰き止めることが出来るのであれば、キャップ11の溶接位置を示す仮想線7Hの内側であって各ブロック3を囲んでいるという条件を満たす範囲で、各ブロック3の形状に合わせた自由な形状が選択できることは言うまでもない。
以上のように、実施の形態1にかかるレーザモジュール12によれば、レーザマーカによってはんだの濡れ広がる範囲を単に制限するのみならず、2つの部品の面同士に未接合部がないように信頼性の高い接合ができる効果がある。また、確実な気密封止が可能になる効果も奏する。その結果、レーザ素子を搭載するブロック3と基体であるステム7とを確実にはんだ付けして、熱引きの良い信頼性の高いレーザモジュールが得られる。さらに部品、組立の製造工程を増やすことなく、キャップ11内に高密度に部品を実装することが可能で、小型で高出力なレーザモジュール12を安価に提供することができる。
以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
1 半導体レーザアレイ、2 サブマウント基板、3 ブロック、4 ワイヤ、5A,5B 金リボン、6 ブロック−ASSY、7 ステム、7a 主面、7A,7B リードピン、7C 穴、7D 長穴、7E シリアル番号、7F 2次元バーコード、7G ライン、7H キャップ溶接位置を示す仮想線、8 リボンはんだ、9 コリメータレンズアレイ、10 タブ、11 キャップ、11A ガラス窓、12 レーザモジュール、13 コリメート光、14 集光レンズ、15 ロッド。
Claims (7)
- レーザ光を出射するレーザ素子と、
前記レーザ素子が搭載されたブロックと、
はんだを介して前記ブロックが主面に固定された基体と、
を備え、
前記主面の前記ブロックの外側に前記はんだの広がりを制限するレーザマークが設けられている
ことを特徴とするレーザモジュール。 - 前記主面には金めっきが施され、前記レーザマークの部分は前記金めっきが除去されている
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザモジュール。 - 前記金めっきが除去されている領域は酸化されている
ことを特徴とする請求項2に記載のレーザモジュール。 - 前記基体には、前記レーザ素子が出射するレーザ光を透過する窓を有して前記レーザ素子および前記ブロックを内部に封止するキャップが溶接されており、
前記レーザマークは前記キャップの溶接位置の内側に設けられている
ことを特徴とする請求項1、2または3に記載のレーザモジュール。 - 前記キャップは円筒形で、前記キャップの中心に対して対称に前記ブロックおよび前記レーザ素子がそれぞれ複数搭載されている
ことを特徴とする請求項4に記載のレーザモジュール。 - 前記レーザ素子はエミッタを複数有し、
前記エミッタから出射されるレーザ光を平行光にするコリメータレンズアレイを備える
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載のレーザモジュール。 - 前記主面の前記キャップの外側には前記基体の識別が可能なレーザマークが設けられている
ことを特徴とする請求項4または5に記載のレーザモジュール。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015142478A JP2018139237A (ja) | 2015-07-16 | 2015-07-16 | レーザモジュール |
PCT/JP2015/084673 WO2017010025A1 (ja) | 2015-07-16 | 2015-12-10 | レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015142478A JP2018139237A (ja) | 2015-07-16 | 2015-07-16 | レーザモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018139237A true JP2018139237A (ja) | 2018-09-06 |
Family
ID=57757234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015142478A Pending JP2018139237A (ja) | 2015-07-16 | 2015-07-16 | レーザモジュール |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018139237A (ja) |
WO (1) | WO2017010025A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7417029B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022187270A (ja) * | 2021-06-07 | 2022-12-19 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01241504A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Hitachi Ltd | 複合光デバイスの組立方法 |
JPH02235384A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
JPH0312459U (ja) * | 1989-06-20 | 1991-02-07 | ||
KR100958771B1 (ko) * | 2005-08-23 | 2010-05-18 | 다이이치 덴시 고교 가부시키가이샤 | 초소형 콘택트 및 그 제조 방법 및 전자 부품 |
JP4945221B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-06-06 | オーエム産業株式会社 | 電子部品の製造方法 |
WO2007099612A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Fujikura Ltd. | 一芯双方向光モジュール |
JP2011155194A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置および光ファイバ |
US9595813B2 (en) * | 2011-01-24 | 2017-03-14 | Soraa Laser Diode, Inc. | Laser package having multiple emitters configured on a substrate member |
JP5799727B2 (ja) * | 2011-10-06 | 2015-10-28 | 三菱電機株式会社 | 多波長半導体レーザ装置及び多波長半導体レーザ装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-07-16 JP JP2015142478A patent/JP2018139237A/ja active Pending
- 2015-12-10 WO PCT/JP2015/084673 patent/WO2017010025A1/ja active Application Filing
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7417029B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-01-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017010025A1 (ja) | 2017-01-19 |
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