JP2008091864A - 発光装置 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 105
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 52
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 52
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 235000019646 color tone Nutrition 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000010125 resin casting Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】第1の金属部材と、該第1の金属部材の一端に載置される発光素子と、少なくとも前記発光素子を被覆する透光性被覆材とを有する発光装置であって、前記第1の金属部材の表面に、前記透光性被覆材の形成領域を決定する窪みを有し、前記窪みの内壁は連続している発光装置。
【選択図】図1
Description
また、平面視において、第1の金属部材の一端の形状は、隣接する凹部の形状と類似しており、窪みは、隣接する凹部に沿って配置されているか、複数配置されていてもよい。
また、第1の金属部材は、窪みを挟んで発光素子と対向する位置に保護素子が載置されていることが好ましい。
(発光素子)
発光素子は、半導体発光素子であればよく、いわゆる発光ダイオードと呼ばれる素子であればどのようなものでもよい。例えば、基板上に、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体、III−V族化合物半導体、II−VI族化合物半導体等、種々の半導体によって、活性層を含む積層構造が形成されたものが挙げられる。
半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合、PN接合などのホモ構造、ヘテロ結合あるいはダブルヘテロ結合のものが挙げられる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成した単一量子井戸構造、多重量子井戸構造としてもよい。
発光素子の発光波長は、半導体の材料、混晶比、活性層のInGaNのIn含有量、活性層にドープする不純物の種類を変化させるなどによって、紫外領域から赤色まで変化させることができる。
本発明の発光装置では、発光素子は1つのみ搭載されていてもよいが、2つ以上搭載されていてもよい。
第1の金属部材は、通常、発光素子、任意に保護素子等と電気的に接続され、一般にリード電極としての機能、及び/又は発光素子、任意に保護素子等を載置する機能を果たす。金属部材は、通常、その一部がパッケージ内に埋設されているため、パッケージ内で、発光素子等の載置台及び/又はリード電極として機能する部分を内部端子、パッケージ外にまで延設され、外部との電気的な接続をとる機能を有する部分を外部端子ともいう。従って、これらの機能を果たすことができるものであれば、その材料は特に限定されないが、熱伝導率の比較的大きな材料で形成することが好ましい。このような材料で形成することにより、発光素子で発生する熱を効率的に逃がすことができる。例えば、200W/(m・K)程度以上の熱伝導率を有しているもの、比較的大きい機械的強度を有するもの、あるいは打ち抜きプレス加工又はエッチング加工等が容易な材料が好ましい。例えば、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又は鉄−ニッケル合金、燐青銅、鉄入り銅等あるいはこれらの表面に銀、アルミニウム、銅、金等の金属メッキ膜が施こされたもの等が挙げられる。金属部材の表面は反射率を向上させるために平滑であることが好ましい。金属部材は、通常、均一な膜厚で形成されているが、部分的に厚膜又は薄膜であってもよい。
平面は、通常、凹部の底面とは異なる高さに配置されており、凹部の側面から平面の上面にかけて、その表面が丸みを帯びていることが好ましい。このように丸みをつけることにより、凹部の開口部縁上の透光性被覆材及びパッケージにクラックが入りにくくなり、透光性被覆材及びパッケージの剥がれを防止することができる。
透光性被覆材は、発光素子が第1の金属部材の凹部に載置され、上述したように、ワイヤ等によって発光素子と第1及び第2金属部材との電気的な接続を得た後、第1の金属部材の凹部内に埋め込まれる。通常、透光性被覆材は、第1の金属部材の凹部内から第1の金属部材の平面よりも高く盛られている。透光性被覆材は、外力、水分等から発光素子を保護することができるとともに、ワイヤを保護することもできる。また、第1の金属部材の凹部内に透光性被覆材が埋め込まれることにより、パッケージの光及び熱による劣化を防止することができるとともに、透光性被覆材を利用することにより、高輝度かつ種々の色調の光の取り出しを実現することができる。
なお、本発明においては、透光性とは、発光素子から出射された光を70%程度以上、80%程度以上、90%程度以上、95%程度以上透過させる性質を意味する。
パッケージは、上述した金属部材の一部を埋め込み、好ましくは一体的に又は塊状に封止し、発光素子及び金属部材、任意に保護素子に対して、絶縁性を確保することができるものであれば、どのような材料によって形成されていてもよい。例えば、ポリフタルアミド(PPA)、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、液晶ポリマー(LCP)、ABS樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、PBT樹脂等の樹脂、セラミック等が挙げられる。なかでも、透光性の樹脂であることが好ましい。これらの材料には、着色剤又は拡散剤として、種々の染料又は顔料等を混合して用いてもよい。例えば、着色剤として、Cr2O3、MnO2、Fe2O3、カーボンブラック等、拡散剤として炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、酸化チタン等が挙げられる。
本発明の発光装置は、通常、まず、第1の金属部材に発光素子及び保護素子を搭載した後、第1及び第2の金属部材を、パッケージの材料が充填された樹脂製のキャスティングケースに挿入し、硬化させることにより、それ自体を一体的に形成することができる。
保護素子は、特に限定されるものではなく、発光装置に搭載される公知のもののいずれでもよい。例えば、発光素子に印加される逆方向の電圧を短絡したり、発光素子の動作電圧より高い所定の電圧以上の順方向電圧を短絡したりさせることができる素子、つまり、過熱、過電圧、過電流、保護回路、静電保護素子等が挙げられる。具体的には、ツェナーダイオード、トランジスタのダイオード等が利用できる。
本発明の発光装置では、保護素子は、第1の金属部材上であって、窪みを挟んで発光素子と対向する位置に載置されていることが好ましい。これにより、保護素子の接合部材が凹部方向へ流れ出すことを防止できる。保護素子は、通常、1つのみが搭載されていているが、2つ以上搭載されていてもよい。また、保護素子は、第1の金属部材(発光素子が載置されている金属部材)に載置されることが好ましいが、第2の金属部材に載置されていてもよい。
本発明の発光装置は、パッケージ内の一部として又はパッケージ表面に付属するように、例えば、発光素子の光の出射部(例えば、発光素子の上方のパッケージ部分)に、プラスチック又は硝子からなるレンズ等が備えられていてもよい。レンズの形状は、配光の形状によって適宜調整することができる。また、発光素子からの光の取り出しを効率的に行うために、反射部材、反射防止部材、光拡散部材等、種々の部品が備えられていてもよい。
実施例1
この実施例の発光装置10は、図1、図2A及びBに示したように、スナップ実装タイプの発光装置であって、発光素子11と、保護素子12と、第1の金属部材13及び第2の金属部材14の一部とが、エポキシ樹脂からなるパッケージ15に一体的に封止されて構成されている。
発光素子11のダイボンディングは、例えば、銀ペースト又はエポキシ樹脂を用いて行われている。また、直径30μmの金線からなるワイヤによって、発光素子11に形成された電極(図示せず)と第1の金属部材13との接続が行われている。
第1の金属部材13は、凹部13aの側方の平面13bに、保護素子12としてツェナーダイオードを搭載している。
また、パッケージ15上面の中央部であって、凹部13aの上方に、発光素子11からの光を集光するためのレンズ18が設けられている。
これらの実施例の発光装置を、図3A〜図3Gに示す。この発光装置は、透光性被覆材の形成領域を決定する窪みの形状が異なる以外、実質的に実施例1の発光装置と同様の構成である。
図3Bに示した発光装置は、窪み36が、凹部の形状に対応するように、破線状に配置されている。
図3Dに示した発光装置は、3つの直線状の窪み56が、凹部の形状に対応するように、凹部の周辺に配置されている。
さらに、図3Fに示した発光装置は、二重破線状に、複数の窪み76が凹部の形状に対応するように配置されている。
図3Gに示した発光装置は、複数の窪み86が、凹部の形状に沿うように、凹部と同様の円弧状に配置されている。
この実施例の発光装置を、図3Hに示す。この発光装置は、第1の金属部材23の形状が若干異なるとともに、透光性被覆材の形成領域を決定する窪みの位置及び形状が異なる以外、実質的に実施例1の発光装置と同様の構成である。
つまり、図3Hに示した発光装置では、第1の金属部材23は、発光素子を載置する凹部23aと、凹部23aを取り囲む平面23bとを有し、平面23bは、第2の金属部材24に対向する側において第2の金属部材24に近づくにつれて徐々に幅広となっている。凹部23aには、透光性被覆材(図示せず)が埋め込まれており、平面23bには、凹部23aに対向するように、若干はなれて窪み96が形成されている。
11 発光素子
12 保護素子
13、23 第1の金属部材
13a、23a 凹部
13b、23b 平面
13c 幅広領域
14、24 第2の金属部材
14c 幅広領域
15 パッケージ
16、26、36、46、56、66、76、86、96 窪み
17 ワイヤ
18 レンズ
19 透光性被覆材
Claims (6)
- 第1の金属部材と、該第1の金属部材の一端に載置される発光素子と、少なくとも前記発光素子を被覆する透光性被覆材とを有する発光装置であって、
前記第1の金属部材の表面に、前記透光性被覆材の形成領域を決定する窪みを有し、
前記窪みの内壁は連続していることを特徴とする発光装置。 - 第1の金属部材は、一端に凹部を有しており、発光素子は前記凹部内に収容され、透光性被覆材は、第1の金属部材の凹部内から表面にわたって配置されている請求項1に記載の発光装置。
- 平面視において、第1の金属部材の一端の形状は、隣接する凹部の形状と類似しており、窪みは、隣接する凹部に沿って配置されてなる請求項1又は2に記載の発光装置。
- 窪みが、隣接する凹部に沿って複数配置されてなる請求項3に記載の発光装置。
- 透光性被覆材は、蛍光物質を含む請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光装置。
- 第1の金属部材は、窪みを挟んで発光素子と対向する位置に保護素子が載置されている請求項1〜5のいずれか1つに記載の発光装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007158163A JP5326229B2 (ja) | 2006-09-08 | 2007-06-15 | 発光装置 |
TW096127222A TWI427833B (zh) | 2006-09-08 | 2007-07-26 | 發光裝置 |
US11/834,146 US7771093B2 (en) | 2006-09-08 | 2007-08-06 | Light emitting device |
CN2007101409646A CN101140975B (zh) | 2006-09-08 | 2007-08-15 | 发光装置 |
EP07114929.8A EP1898474B1 (en) | 2006-09-08 | 2007-08-24 | Semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006244839 | 2006-09-08 | ||
JP2006244839 | 2006-09-08 | ||
JP2007158163A JP5326229B2 (ja) | 2006-09-08 | 2007-06-15 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008091864A true JP2008091864A (ja) | 2008-04-17 |
JP5326229B2 JP5326229B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=38776214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007158163A Active JP5326229B2 (ja) | 2006-09-08 | 2007-06-15 | 発光装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7771093B2 (ja) |
EP (1) | EP1898474B1 (ja) |
JP (1) | JP5326229B2 (ja) |
CN (1) | CN101140975B (ja) |
TW (1) | TWI427833B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011071265A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 発光装置 |
JP2012084810A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Toppan Printing Co Ltd | Led素子用リードフレーム基板及び発光素子 |
US8399902B2 (en) | 2009-08-05 | 2013-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
US8431952B2 (en) | 2010-08-27 | 2013-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
US8710525B2 (en) | 2010-03-15 | 2014-04-29 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2017098552A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及び照明装置 |
JP2020010053A (ja) * | 2013-04-12 | 2020-01-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012090576A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
EP2768037B1 (en) | 2011-10-11 | 2015-07-29 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emission device, and illumination device using same |
MX338930B (es) * | 2012-03-05 | 2016-05-06 | Nanoprec Products Inc | Dispositivo de acoplamiento que tiene una superficie reflectora estructurada para acoplar entrada/salida de una fibra optica. |
US20160274318A1 (en) | 2012-03-05 | 2016-09-22 | Nanoprecision Products, Inc. | Optical bench subassembly having integrated photonic device |
FI20125932A (fi) * | 2012-09-08 | 2014-03-09 | Lighttherm Oy | Menetelmä LED valaisinlaitteiden valmistamiseksi ja LED valaisinlaitteet |
US9983414B2 (en) * | 2012-10-23 | 2018-05-29 | Nanoprecision Products, Inc. | Optoelectronic module having a stamped metal optic |
CN103219449B (zh) * | 2013-04-18 | 2016-12-28 | 东莞帝光电子科技实业有限公司 | Led封装结构及led封装方法 |
CN104124318A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5066170A (ja) * | 1973-10-12 | 1975-06-04 | ||
JPS62128590A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
JPH0799345A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
JPH07231120A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Rohm Co Ltd | 発光装置とその製造方法およびledヘッドの製造方法 |
JPH08293626A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Omron Corp | 半導体装置 |
JPH096259A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Led表示器 |
JPH10256610A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-09-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH10295059A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | モータ |
JPH1131846A (ja) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 光素子 |
JPH11177120A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
JP2000315823A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Runaraito Kk | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2001196641A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面実装型の半導体装置 |
JP2002329892A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光表示装置およびその製造方法 |
JP2003331635A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-21 | Ichikoh Ind Ltd | 発光ダイオードの固定構造 |
JP2004179343A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体基板とその製造方法 |
JP2005005740A (ja) * | 1999-03-15 | 2005-01-06 | Gentex Corp | 半導体発光エミッタパッケージ |
JP2006005303A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2006032885A (ja) * | 2003-11-18 | 2006-02-02 | Sharp Corp | 光源装置およびそれを用いた光通信装置 |
JP2006114900A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Agilent Technol Inc | 量子ドットと非量子蛍光材料を使って出力光を放射するためのデバイス及び方法 |
JP2006156968A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-06-15 | Doshisha Co Ltd | 発光素子 |
JP2006190813A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Fujikura Ltd | 発光デバイス、発光デバイスの色度調節方法及び照明装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10150127A (ja) | 1996-11-19 | 1998-06-02 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3808627B2 (ja) | 1998-05-29 | 2006-08-16 | ローム株式会社 | 面実装型半導体装置 |
JP4009097B2 (ja) | 2001-12-07 | 2007-11-14 | 日立電線株式会社 | 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム |
JP4254214B2 (ja) | 2002-11-27 | 2009-04-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4437014B2 (ja) * | 2003-04-25 | 2010-03-24 | パナソニック株式会社 | 電子回路装置 |
JP2005223112A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード |
JP2006093672A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
EP1865564B1 (en) * | 2005-03-18 | 2014-11-19 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display |
-
2007
- 2007-06-15 JP JP2007158163A patent/JP5326229B2/ja active Active
- 2007-07-26 TW TW096127222A patent/TWI427833B/zh active
- 2007-08-06 US US11/834,146 patent/US7771093B2/en active Active
- 2007-08-15 CN CN2007101409646A patent/CN101140975B/zh active Active
- 2007-08-24 EP EP07114929.8A patent/EP1898474B1/en active Active
Patent Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5066170A (ja) * | 1973-10-12 | 1975-06-04 | ||
JPS62128590A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
JPH0799345A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
JPH07231120A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Rohm Co Ltd | 発光装置とその製造方法およびledヘッドの製造方法 |
JPH08293626A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Omron Corp | 半導体装置 |
JPH096259A (ja) * | 1995-06-19 | 1997-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Led表示器 |
JPH10256610A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-09-25 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH10295059A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | モータ |
JPH1131846A (ja) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 光素子 |
JPH11177120A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
JP2005005740A (ja) * | 1999-03-15 | 2005-01-06 | Gentex Corp | 半導体発光エミッタパッケージ |
JP2000315823A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Runaraito Kk | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2001196641A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面実装型の半導体装置 |
JP2002329892A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光表示装置およびその製造方法 |
JP2003331635A (ja) * | 2002-05-08 | 2003-11-21 | Ichikoh Ind Ltd | 発光ダイオードの固定構造 |
JP2004179343A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体基板とその製造方法 |
JP2006032885A (ja) * | 2003-11-18 | 2006-02-02 | Sharp Corp | 光源装置およびそれを用いた光通信装置 |
JP2006005303A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2006114900A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Agilent Technol Inc | 量子ドットと非量子蛍光材料を使って出力光を放射するためのデバイス及び方法 |
JP2006156968A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-06-15 | Doshisha Co Ltd | 発光素子 |
JP2006190813A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Fujikura Ltd | 発光デバイス、発光デバイスの色度調節方法及び照明装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8399902B2 (en) | 2009-08-05 | 2013-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device |
JP2011071265A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 発光装置 |
US8710525B2 (en) | 2010-03-15 | 2014-04-29 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US8431952B2 (en) | 2010-08-27 | 2013-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
JP2012084810A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Toppan Printing Co Ltd | Led素子用リードフレーム基板及び発光素子 |
JP2020010053A (ja) * | 2013-04-12 | 2020-01-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017098552A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及び照明装置 |
JP6994745B2 (ja) | 2015-11-27 | 2022-02-04 | スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及び照明装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI427833B (zh) | 2014-02-21 |
JP5326229B2 (ja) | 2013-10-30 |
EP1898474A2 (en) | 2008-03-12 |
EP1898474B1 (en) | 2016-11-09 |
US7771093B2 (en) | 2010-08-10 |
CN101140975B (zh) | 2011-02-16 |
TW200818552A (en) | 2008-04-16 |
US20080180959A1 (en) | 2008-07-31 |
CN101140975A (zh) | 2008-03-12 |
EP1898474A3 (en) | 2013-08-28 |
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