JP2017098552A - 発光素子パッケージ及び照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電気的特性検査の信頼度を向上させることができる構造の発光素子パッケージ及び照明装置を提供する。
【解決手段】実施例の発光素子パッケージは、第１リードフレームと、第１リードフレームから第１方向に離隔した第２リードフレームと、第１及び第２リードフレームと結合される胴体と、第１リードフレームの上に実装される発光素子と、を含み、第１リードフレームは、第１乃至第４側部を含み、第１側部は、胴体の一側面から外側方向に突出した第１突出部と、第１突出部の端部に配置された第１接触部とを含み、第２リードフレームは、第５乃至第８側部を含み、前記第５側部は、前記胴体の一側面と対称する側面から外側方向に突出した第２突出部と、第２突出部の端部に配置された第２接触部とを含み、第１及び第２接触部のうちの少なくとも１つは、第２層及び前記第２層を覆う第１層を含むことができる。
【選択図】図１

Description

実施例は、発光素子パッケージ及び照明装置に関する。

発光素子（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ）は、電気エネルギーを光に変換する半導体素子の一種で、既存の蛍光灯、白熱灯などを代替して次世代光源として脚光を浴びている。

発光ダイオードは、半導体素子を利用して光を生成するので、タングステンを加熱して光を生成する白熱灯や、または高圧放電を介して生成された紫外線を蛍光体に衝突させて光を生成する蛍光灯に比べて非常に低い電力のみを消耗する。

また、発光ダイオードは、半導体素子の電位ギャップを利用して光を生成するので、既存の光源に比べて応答特性が早く、長寿命、環境に優しい特徴を有する。

これによって、既存の光源を発光ダイオードに代替するための多くの研究が行われており、発光ダイオードは室内外で使用される各種のランプ、液晶表示装置、電光掲示板、街灯などの照明装置の光源として使用が増加している。

実施例は、電気的特性検査の信頼度を向上させることができる構造の発光素子パッケージ及び照明装置を提供する。

実施例には、酸化による腐食を改善できるリードフレームを含む発光素子パッケージ及び照明装置を提供する。

実施例の発光素子パッケージは、第１リードフレームと、第１リードフレームから第１方向に離隔した第２リードフレームと、第１及び第２リードフレームと結合される胴体と、第１リードフレームの上に実装される発光素子と、を含み、第１リードフレームは、第１乃至第４側部を含み、第１側部は、胴体の一側面から外側方向に突出した第１突出部と、第１突出部の端部に配置された第１接触部とを含み、第２リードフレームは、第５乃至第８側部を含み、前記第５側部は、前記胴体の一側面と対称する側面から外側方向に突出した第２突出部と、第２突出部の端部に配置された第２接触部とを含み、第１及び第２接触部のうちの少なくとも１つは、第２層及び前記第２層を覆う第１層を含むことができる。

実施例の照明装置は、前記発光素子パッケージを含むことができる。

実施例の発光素子パッケージは、胴体の側面に露出し、検査工程で駆動信号が供給されるパッド機能を有する第１及び第２リードフレームの突出部が、酸化に強い酸化防止機能を含む層を含むことで、酸化による腐食を改善することができる。

実施例の発光素子パッケージは、胴体の側面に露出した第１及び第２リードフレームの突出部エッジに切断領域を有するので、酸化に強い導電性物質の突出部より検査工程の信頼度が向上する。

一実施例に係る発光素子パッケージを示した斜視図である。 一実施例に係る発光素子パッケージを示した平面図である。 一実施例に係る第１及び第２リードフレームを示した平面図である。 一実施例に係る第１及び第２リードフレームを示した斜視図である。 図３のＢ−Ｂの第１及び第２リードフレームを示した断面図である。 一実施例に係る単位発光素子パッケージの製造過程を示した図である。 一実施例に係る単位発光素子パッケージの製造過程を示した図である。 他の実施例に係る第１及び第２リードフレームを示した平面図である。 さらに他の実施例に係る第１及び第２リードフレームを示した平面図である。 他の実施例の発光素子パッケージを示した平面図である。 図１０のＤ−Ｄの発光素子パッケージを示した断面図である。 実施例の発光素子パッケージに含まれた発光チップを示した断面図である。 実施例の発光素子パッケージに含まれた他の例の発光チップを示した断面図である。 実施例の発光素子パッケージを含む表示装置を示した斜視図である。 実施例の発光素子パッケージを含む表示装置の他の例を示した断面図である。

本実施例は、他の形態に変形されるか、又は様々な実施例が互いに組み合わされてもよく、本発明の範囲が以下に説明するそれぞれの実施例に限定されるものではない。

特定実施例で説明された事項が他の実施例で説明されていなくても、他の実施例でその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の実施例に関連する説明として理解できる。

例えば、特定実施例で構成Ａに対する特徴を説明し、他の実施例で構成Ｂに対する特徴を説明した場合、構成Ａと構成Ｂが結合された実施例が明示的に記載されていなくても、反対または矛盾する説明がない限り、本発明の権利範囲に属するものとして理解されるべきである。

以下、上記の目的を具体的に実現できる本発明の実施例を、添付した図面を参照して説明する。

本発明に係る実施例の説明において、各ｅｌｅｍｅｎｔの“上（の上）または下（の下）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）”に形成されると記載される場合において、上（の上）又は下（の下）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）は、２つのｅｌｅｍｅｎｔが相互直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触するか、１つ以上の他のｅｌｅｍｅｎｔが前記２つのｅｌｅｍｅｎｔの間に配置されて(ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ)形成されるものを全て含む。また、“上（の上）または下（の下）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）”に表現される場合、１つのｅｌｅｍｅｎｔを基準に上側方向のみならず、下側方向の意味も含むこともできる。

半導体素子は、発光素子、受光素子などの各種の電子素子を含むことができ、発光素子と受光素子は両方とも第１導電型半導体層と活性層及び第２導電型半導体層を含むことができる。

本実施例に係る半導体素子は発光素子である。

発光素子は、電子と正孔が再結合することで光を放出することになり、この光の波長は物質固有のエネルギーバンドギャップによって決められる。したがって、放出される光は前記物質の組成に応じて異なることがある。

図１は、一実施例に係る発光素子パッケージを示した斜視図であり、図２は、一実施例に係る発光素子パッケージを示した平面図であり、図３は、一実施例に係る第１及び第２リードフレームを示した平面図であり、図４は、一実施例に係る第１及び第２リードフレームを示した斜視図である。

図１乃至図４に示されたように、一実施例に係る発光素子パッケージ１００は、第１リードフレーム１３０、第２リードフレーム１４０、胴体１２０、保護素子１６０、及び発光素子１５０を含むことができる。

前記発光素子１５０は、前記第１リードフレーム１３０の上に配置される。前記発光素子１５０は、前記胴体１２０から露出した前記第１リードフレーム１３０の上部面の上に配置される。実施例の前記発光素子１５０は、単一構成に限定して説明しているが、これに限定されず、２つ以上の複数個で構成されてもよく、アレイ形態で構成されてもよい。前記発光素子１５０は、ワイヤを介して連結されるが、これに限定されるものではない。前記発光素子１５０は、前記胴体１２０の中心部に配置されるが、これに限定されるものではない。

前記保護素子１６０は、前記第２リードフレーム１４０の上に配置される。前記保護素子１６０は、前記胴体１２０から露出した前記第２リードフレーム１４０の上部面の上に配置される。前記保護素子１６０は、ツェナーダイオード、サイリスタ（Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）、ＴＶＳ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ）などであるが、これに限定されるものではない。実施例の保護素子１６０は、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）から前記発光素子１５０を保護するツェナーダイオードを一例として説明する。前記保護素子１６０は、ワイヤを介して前記第１リードフレーム１３０と連結される。

前記胴体１２０は、透光性材質、反射性材質、絶縁性材質のうち少なくとも１つを含むことができる。前記胴体１２０は、前記発光素子１５０から放出された光に対して、反射率が透過率より高い物質を含むことができる。例えば、前記胴体１２０は樹脂系の絶縁物質である。例えば、前記胴体１２０はポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）、エポキシまたはシリコン材質のような樹脂材質、シリコン（Ｓｉ）、金属材質、ＰＳＧ（ｐｈｏｔｏ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｇｌａｓｓ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、印刷回路基板（ＰＣＢ）のうち少なくとも１つで形成される。前記胴体１２０は、一定な曲率を持つ外側面または角ばった面を持つ外側面を含むことができる。前記胴体１２０は、例えばトップビュー形状が円形または多角形状である。実施例の胴体１２０は、第１乃至第４外側面１２１乃至１２４を含む多角形状を一例として説明する。

前記胴体１２０は、第１及び第２リードフレーム１３０、１４０と結合される。前記胴体１２０は、前記第１及び第２リードフレーム１３０、１４０の上部面の一部を露出させるキャビティ１２５を含むことができる。

前記キャビティ１２５は、前記第１リードフレーム１３０を露出させる第１底面１２５ａ、前記第２リードフレーム１４０を露出させる第２及び第３底面１２５ｂ、１２５ｃを含むことができる。前記第１底面１２５ａは、発光素子１５０が実装される領域に前記発光素子１５０の形状に対応する。前記第１底面１２５ａは、前記保護素子１６０のワイヤが連結される領域を更に含むことができる。前記第１底面１２５ａの角は一定な曲率を持つことができる。曲率を持つ前記第１底面１２５ａの角は、発光素子１５０から前記キャビティ１２５の内側面間隔を一定に維持して光効率を向上させることができる。前記第２底面１２５ｂは、前記発光素子１５０のワイヤが前記第２リードフレーム１４０と連結される領域に前記第１リードフレーム１３０と隣接した領域に配置される。前記第３底面１２５ｃは、前記保護素子１６０が実装される領域に前記第２底面１２５ｂと一定間隔離隔するが、これに限定されるものではない。

前記胴体１２０は、第１乃至第４外側面１２１乃至１２４を含むことができ、トップビュー形状が四角形の構造である。前記第１及び第２外側面１２１、１２２は、第１方向Ｘに並んで配置される。実施例は、前記第１及び第２外側面１２１、１２２から第１及び第２リードフレーム１３０、１４０の一部が露出する。実施例は、前記第１外側面１２１から第１リードフレーム１３０の第１側部１３０ａが露出する。実施例は、前記第２外側面１２２から第２リードフレーム１４０の第５側部１４０ａが露出する。前記第３及び第４外側面１２３、１２４は、第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙに並んで配置される。実施例は、第３及び第４外側面１２３、１２４から前記第１及び第２リードフレーム１３０、１４０が露出しない。即ち、実施例の第１及び第２リードフレーム１３０、１４０は、前記第３及び第４外側面１２３、１２４の内側に配置される。

前記第１及び第２リードフレーム１３０、１４０は、一定間隔離隔して前記胴体１２０と結合される。前記第１リードフレーム１３０には前記発光素子１５０が実装され、前記第２リードフレーム１４０には前記保護素子１６０が実装される。前記第１及び第２リードフレーム１３０、１４０は、第１方向Ｘに並んで配置される。前記第１リードフレーム１３０は、前記第２リードフレーム１４０より大きな前記第１方向Ｘの幅を有することができるが、これに限定されるものではない。前記第１及び第２リードフレーム１３０、１４０は、導電性物質を含むことができる。例えば、前記第１及び第２リードフレーム１３０、１４０は、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タンタルニウム（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、リン（Ｐ）、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、アルミニウム（Ａｌ）のうち少なくとも１つを含むことができ、複数の層に形成することができる。実施例の第１及び第２リードフレーム１３０、１４０は、第２層Ｌ２と前記第２層Ｌ２を覆う第１層Ｌ１を含むことができる。前記第２層Ｌ２は、電気伝導性及び放熱が優れ、低費用の伝導性物質である。例えば、前記第２層Ｌ２は銅（Ｃｕ）を含むことができる。前記第１層Ｌ１は酸化防止機能を含むことができる。前記第１層Ｌ１は酸化に強く、反射率が高い伝導性物質である。例えば、前記第１層Ｌ１は銀（Ａｇ）を含むことができる。実施例は、銅（Ｃｕ）の表面に銀（Ａｇ）がメッキされた第１及び第２リードフレーム１３０、１４０に限定して説明しているが、これに限定されるものではない。

前記第１リードフレーム１３０は、第１乃至第４側部１３０ａ乃至１３０ｄと、前記発光素子１５０が実装される上部面１３０ｅを含むことができる。前記第１乃至第４側部１３０ａ乃至１３０ｄは、前記第１リードフレーム１３０の外側に配置される。

前記第１側部１３０ａは、前記胴体１２０の第１外側面１２１と対応する。前記第１側部１３０ａは、前記胴体１２０の第１外側面１２１から外部に露出する。前記第１側部１３０ａは、前記胴体１２０の第１外側面１２１から外側方向に突出する。

前記第１側部１３０ａは、前記胴体１２０の第１外側面１２１から外部に露出する。前記第１側部１３０ａは、外側に突出した第１突出部１３１と、前記第１突出部１３１の両側に配置された第１及び第２切断部１３３、１３５を含むことができる。

前記第１突出部１３１は第１接触部１３１ａを含むことができる。前記第１接触部１３１ａは、発光素子パッケージ１００の検査工程で駆動信号が入力されるパッド機能を含むことができる。即ち、前記第１接触部１３１ａは、検査工程で駆動信号が入力される電気接点（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）機能を含むことができる。前記第１突出部１３１は、前記第１及び第２切断部１３３、１３５より外側方向に突出する。前記第１接触部１３１ａは前記第１突出部１３１の端部に配置される。前記第１接触部１３１ａは、前記第１及び第２切断部１３３、１３５より外側に配置される。前記第１突出部１３１及び第１接触部１３１ａは酸化に強く、反射率が高い導電性物質である。例えば、前記第１突出部１３１及び第１接触部１３１ａの表面には銀（Ａｇ）のような第１層Ｌ１がメッキされるが、これに限定されるものではない。前記第１接触部１３１ａは、前記第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙの第１幅Ｗ１が３００μｍ以上である。前記第１接触部１３１ａの第１幅Ｗ１が３００μｍ未満であれば、検査工程の外部信号接触不良を引き起こす可能性がある。

一般的な発光素子パッケージは、第１及び第２リードフレームの突出領域が切断されて単位発光素子パッケージに分離される。一般の発光素子パッケージは、駆動信号が入力される第１及び第２リードフレームの外側面が切断工程により銅（Ｃｕ）のような第２層Ｌ２が露出する。銅（Ｃｕ）のような第２層Ｌ２は銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）より接触抵抗が大きいため、電気接点に適しない。

実施例は、切断工程を介して切断面が露出する第１及び第２切断部１３３、１３５が、駆動信号が入力される第１突出部１３１の第１接触部１３１ａから外れた領域に配置される。例えば、実施例の前記第１及び第２切断部１３３、１３５は、切断工程によって第１層Ｌ１より接触抵抗が大きな第２層Ｌ２が外部に露出する。前記第１及び第２切断部１３３、１３５は、電気接点の前記第１接触部１３１ａから外れた領域に配置されて電気的特性低下を改善することができる。

前記第１切断部１３３は、前記第１突出部１３１から第２方向Ｙの反対側方向に延長される。前記第２切断部１３５は、前記第１突出部１３１から第２方向Ｙに延長される。前記第１及び第２切断部１３３、１３５は、発光素子パッケージ１００が製造される金属フレームの切断工程によって形成される。前記第１及び第２切断部１３３、１３５は、前記切断工程によって前記第１リードフレーム１３０の第１側部１３０ａ上に形成される。例えば、前記第１及び第２切断部１３３、１３５は第１層Ｌ１から第２層Ｌ２が外部に露出する。前記第１及び第２切断部１３３、１３５は、前記第１接触部１３１ａから段差構造である。前記第１接触部１３１ａと前記第１及び第２切断部１３３、１３５の間の段差高さＨは１０μｍ以上である。例えば、前記第１接触部１３１ａと前記第１及び第２切断部１３３、１３５の間の段差高さＨは１０μｍ乃至３００μｍである。前記第１接触部１３１ａと前記第１及び第２切断部１３３、１３５の間の段差高さＨが１０μｍ未満であれば、第１突出部１３１の第１接触部１３１ａだけではなく、前記第１及び第２切断部１３３、１３５の一部と前記検査工程の連結部が接触し、これにより、検査工程の信頼度が低下する。前記第１接触部１３１ａと前記第１及び第２切断部１３３、１３５の間の段差高さＨが３００μｍを超過すれば、発光素子パッケージ１００の側面に露出する第１側部１３０ａの面積が大きく増加するので、生産性の低下はもちろん、製品デザインが制限される可能性がある。前記第１切断部１３３の第２方向Ｙの第２幅Ｗ２が１００μｍ〜５００μｍであるが、これに限定されるものではない。前記第２切断部１３５の第２方向Ｙの第３幅Ｗ３が１００μｍ〜５００μｍであるが、これに限定されるものではない。前記第１及び第２切断部１３３、１３５の前記第２及び第３幅Ｗ２、Ｗ３は同一であるが、これに限定されるものではない。

前記第１切断部１３３は、前記第１接触部１３１ａから延長される第１傾斜部１３３ａと、前記第１傾斜部１３３ａから延長された第１エッジ部１３３ｂとを含むことができる。前記第１エッジ部１３３ｂは、前記第１接触部１３１ａより胴体１２０の最外郭に隣接するように配置される。即ち、前記第１接触部１３１ａは前記第１エッジ部１３３ｂより外側に配置される。前記第１エッジ部１３３ｂは、前記第１接触部１３１ａと第１方向Ｘに平行に離隔する。

前記第１傾斜部１３３ａ及び第１エッジ部１３３ｂそれぞれは、第１リードフレーム１３０の厚さ以下の水平幅を含むことができる。例えば、前記第１傾斜部１３３ａ及び第１エッジ部１３３ｂそれぞれは、５０μｍ〜３００μｍの水平幅を含むことができる。前記第１傾斜部１３３ａ及び第１エッジ部１３３ｂそれぞれの水平幅が５０μｍ未満であれば、薄い水平幅のカッティング加工が困難な問題がある。前記第１傾斜部１３３ａ及び第１エッジ部１３３ｂそれぞれの水平幅が３００μｍを超過すれば、前記第１リードフレーム１３０の厚さより厚い水平幅によって、切断工程で切断面の周辺でクラックまたは撓みが発生し、前記切断面のクラックまたは撓みは外観品質が低下させる。

前記第２切断部１３５は、前記第１接触部１３１ａから延長される第２傾斜部１３５ａと、前記第２傾斜部１３５ａから延長された第２エッジ部１３５ｂとを含むことができる。前記第１接触部１３１ａは、前記第２エッジ部１３５ｂより外側に配置される。前記第２エッジ部１３５ｂは、前記第１接触部１３１ａと第１方向Ｘに平行に離隔する。

前記第２傾斜部１３５ａ及び第２エッジ部１３５ｂそれぞれは、第１リードフレーム１３０の厚さ以下の水平幅を含むことができる。例えば、前記第２傾斜部１３５ａ及び第２エッジ部１３５ｂそれぞれは５０μｍ〜３００μｍの水平幅を含むことができる。前記第２傾斜部１３５ａ及び第２エッジ部１３５ｂそれぞれの水平幅が５０μｍ未満であれば、薄い水平幅のカッティング加工が困難な問題がある。前記第２傾斜部１３５ａ及び第２エッジ部１３５ｂそれぞれの水平幅が３００μｍを超過すれば、前記第１リードフレーム１３０の厚さより厚い水平幅によって、切断工程で切断面の周辺でクラックまたは撓みが発生し、前記切断面のクラックまたは撓みは外観品質が低下させる。

前記第１及び第２切断部１３３、１３５は、第２方向Ｙに相互対称する。前記第１及び第２傾斜部１３３ａ、１３５ａは相互対称し、前記第１及び第２エッジ部１３３ｂ、１３５ｂは、前記第２方向Ｙに並んで重なる。前記第１及び第２エッジ部１３３ｂ、１３５ｂは、前記第２方向Ｙに同一平面上に配置される。

前記第２側部１３０ｂは、前記第２リードフレーム１４０と隣接するように配置される。前記第２側部１３０ｂは、第２リードフレーム１４０の第６側部１４０ｂと対向する。前記第２側部１３０ｂは、前記胴体１２０によって外部に露出しない。前記第１リードフレーム１３０は、前記第２側部１３０ｂの両端に第２方向Ｙに対称する第３及び第４傾斜部１３８ａ、１３８ｂを含むことができる。前記第３及び第４傾斜部１３８ａ、１３８ｂは、前記胴体１２０と前記第１及び第２リードフレーム１３０、１４０の間の接合面積が増加することによって、前記胴体１２０との結合力が向上する。例えば、前記胴体１２０は、前記第１及び第２リードフレーム１３０、１４０と射出工程により結合される。前記第３及び第４傾斜部１３８ａ、１３８ｂは、前記胴体１２０の射出工程で前記第１及び第２リードフレーム１３０、１４０の間の射出流れを向上させることができる。前記第３傾斜部１３８ａと前記第２側部１３０ｂとがなす第１傾斜角（θ１）は９０°を超過し、かつ１８０°未満である。また、前記第３傾斜部１３８ａと第３側部１３０ｃとがなす第２傾斜角（θ２）は９０°を超過し、かつ１８０°未満である。前記第１及び第２傾斜角（θ１、θ２）は相互同一であってもよく、異なってもよい。

前記第４傾斜部１３８ｂの傾斜角は前記第３傾斜部１３８ａの特徴を採用することができる。

前記第３及び第４側部１３０ｃ、１３０ｄは相互対称し、平坦な面である。前記第３及び第４側部１３０ｃ、１３０ｄは、前記胴体１２０によって外部に露出しない。前記第３及び第４側部１３０ｃ、１３０ｄは前記胴体１２０内に配置される。前記第３側部１３０ｃは、前記第２エッジ部１３５ｂと前記第３傾斜部１３８ａとの間に配置される。前記第３側部１３０ｃは前記第２エッジ部１３５ｂから延長される。前記第３側部１３０ｃは前記第３傾斜部１３８ａから延長される。前記第４側部１３０ｄは、前記第１エッジ部１３３ｂと前記第４傾斜部１３８ｂとの間に配置される。前記第４側部１３０ｄは前記第１エッジ部１３３ｂから延長される。前記第４側部１３０ｄは前記第４傾斜部１３８ｂから延長される。

前記第１リードフレーム１３０は、下部面に第１段差部１３６を含むことができる。前記第１段差部１３６は、前記第１リードフレーム１３０の下部面エッジに沿って配置される。実施例の第１段差部１３６は、前記第２乃至第４側部１３０ｂ乃至１３０ｄの下に配置される。前記第１段差部１３６は前記第１側部１３０ａから一定間隔離隔する。前記第１側部１３０ａは、外部に露出して切断工程による外力が集中するので、剛性のために前記第１段差部１３６から離隔する。前記第１段差部１３６はリセス状であり、断面が階段構造であるが、これに限定されるものではない。前記第１段差部１３６は前記胴体１２０との接触面積を広げることにより、前記胴体１２０との結合力を向上させることができる。また、前記第１段差部１３６は、段差構造により外部の湿気浸透を改善することができる。前記第１段差部１３６は、前記第１リードフレーム１３０の下部面エッジの一部がエッチングされて形成されるが、これに限定されるものではない。前記第１段差部１３６の厚さは、前記第１リードフレーム１３０の厚さの５０％であるが、これに限定されるものではない。例えば、前記第１段差部１３６の厚さは前記第１リードフレーム１３０の厚さの５０％以上である。前記第１段差部１３６の厚さが前記第１リードフレーム１３０の厚さの５０％未満であれば、前記第１リードフレーム１３０の製造工程で前記第１段差部１３６の周辺で歪みなどの変形が発生しうる。したがって、前記第１段差部１３６の厚さは第１リードフレーム１３０の形状変形を考慮して前記第１リードフレーム１３０の厚さの５０％以上である。

前記第１リードフレーム１３０は、複数の第１貫通ホール１３７を含むことができる。前記複数の第１貫通ホール１３７は、胴体１２０との結合力を向上させる機能を含むことができる。前記複数の第１貫通ホール１３７は、前記胴体１２０と前記第１リードフレーム１３０との間の接合面積を増加させることができ、これにより前記胴体１２０と前記第１リードフレーム１３０との間の結合力が向上する。例えば、前記第１貫通ホール１３７は、前記第１リードフレーム１３０の上部面１３０ｅから下部面に貫通することができる。前記第１貫通ホール１３７は、前記第１側部１３０ａと隣接するように配置される。前記第１貫通ホール１３７は、前記第１側部１３０ａと隣接した前記第１リードフレーム１３０の角にそれぞれ配置されるが、これに限定されるものではない。前記第１貫通ホール１３７の位置及び直径はいくらでも変更可能である。前記第１貫通ホール１３７は、前記第１リードフレーム１３０の下部面と接する領域に段差部（図示せず）を含むことができるが、これに限定されるものではない。

前記第２リードフレーム１４０は、第５乃至第８側部１４０ａ乃至１４０ｄと、前記保護素子１６０が実装される上部面１４０ｅを含むことができる。前記第５乃至第８側部１４０ａ乃至１４０ｄは、前記第２リードフレーム１４０の外側に配置される。

前記第５側部１４０ａは前記胴体１２０の第２側面１２２と対応する。前記第５側部１４０ａ全体は前記胴体１２０の第２側面１２２から外部に露出する。前記第５側部１４０ａは前記胴体１２０の第２側面１２２から外側方向に突出する。

前記第５側部１４０ａは前記胴体１２０の第２側面１２２から外部に露出する。前記第５側部１４０ａは、外側に突出した第２突出部１４１と、前記第２突出部１４１の両側に配置される第３及び第４切断部１４３、１４５を含むことができる。

前記第２突出部１４１は第２接触部１４１ａを含むことができる。前記第２接触部１４１ａは、発光素子パッケージ１００の検査工程で駆動信号が入力されるパッド機能を含むことができる。即ち、前記第２接触部１４１ａは、検査工程で駆動信号が入力される電気接点（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）機能を含むことができる。前記第２突出部１４１は、前記第３及び第４切断部１４３、１４５より外側方向に突出する。前記第２接触部１４１ａは前記第２突出部１４１の端部に配置される。前記第２接触部１４１ａは、前記第３及び第４切断部１４３、１４５より外側に配置される。前記第２突出部１４１及び第２接触部１４１ａは酸化に強く、反射率が高い導電性物質である。例えば、前記第２突出部１４１及び第２接触部１４１ａの表面には銀（Ａｇ）のような第１層Ｌ１がメッキされるが、これに限定されるものではない。前記第２接触部１４１ａは、前記第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙの第４幅Ｗ４が３００μｍ以上である。前記第２接触部１４１ａの第４幅Ｗ４が３００μｍ未満であれば、検査工程の外部信号接触不良を引き起こす可能性がある。前記第１及び第２突出部１３１、１４１それぞれは、相互対称する発光素子パッケージ１００の第１及び第２外側面１２１、１２２に配置される。前記第１及び第２接触部１３１ａ、１４１ａそれぞれは、相互対称する前記発光素子パッケージ１００の第１及び第２外側面１２１、１２２に配置される。

実施例は、切断工程を介して切断面が露出する第３及び第４切断部１４３、１４５が、駆動信号が入力される第２突出部１４１の第２接触部１４１ａから外れた領域に配置される。例えば、実施例の前記第３及び第４切断部１４３、１４５は、切断工程によって第１層より接触抵抗が大きな第２層が外部に露出する。前記第３及び第４切断部１４３、１４５は、電気接点の前記第２接触部１４１ａから外れた領域に配置されて電気的特性低下を改善することができる。

前記第３切断部１４３は、前記第２突出部１４１から第２方向Ｙの反対側方向に延長される。前記第４切断部１４５は、前記第２突出部１４１から第２方向Ｙに延長される。前記第３及び第４切断部１４３、１４５は、発光素子パッケージ１００が製造される金属フレームの切断工程によって形成される。前記第３及び第４切断部１４３、１４５は、前記切断工程によって前記第２リードフレーム１４０の第５側部１４０ａ上に形成される。例えば、前記第３及び第４切断部１４３、１４５は、第１層Ｌ１から第２層Ｌ２が露出する。前記第３及び第４切断部１４３、１４５は前記第２接触部１４１ａから段差構造である。前記第２接触部１４１ａと前記第３及び第４切断部１４３、１４５の間の段差高さは１０μｍ以上である。例えば、前記第２接触部１４１ａと前記第３及び第４切断部１４３、１４５の間の段差高さは１０μｍ乃至３００μｍである。前記第２接触部１４１ａと前記第３及び第４切断部１４３、１４５の間の段差高さが１０μｍ未満であれば、前記第２接触部１４１ａだけではなく、前記第３及び第４切断部１４３、１４５と前記検査工程の連結部が接触して、検査工程の信頼度が低下する。前記第２接触部１４１ａと前記第３及び第４切断部１４３、１４５の間の段差高さが３００μｍを超過すれば、発光素子パッケージ１００の側面に露出する第５側部１４０ａの面積が大きく増加するので、生産性の低下はもちろん、製品デザインが制限される可能性がある。前記第３切断部１４３の第２方向Ｙの第５幅Ｗ５が１００μｍ〜５００μｍであるが、これに限定されるものではない。前記第４切断部１４５の第２方向Ｙの第６幅が１００μｍ〜５００μｍであるが、これに限定されるものではない。前記第３及び第４切断部１４３、１４５の第５及び第６幅Ｗ５、Ｗ６は相互同一であるが、これに限定されるものではない。

前記第３切断部１４３は、前記第２接触部１４１ａから延長される第５傾斜部１４３ａと、前記第５傾斜部１４３ａから延長された第３エッジ部１４３ｂを含むことができる。前記第３エッジ部１４３ｂは、前記第２接触部１４１ａより胴体１２０に隣接するように配置される。即ち、前記第２接触部１４１ａは前記第３エッジ部１４３ｂより外側に配置される。前記第３エッジ部１４３ｂは、前記第２接触部１４１ａと第１方向Ｘに平行に離隔する。

前記第４切断部１４５は、前記第２接触部１４１ａから延長される第６傾斜部１４５ａと、前記第６傾斜部１４５ａから延長された第４エッジ部１４５ｂとを含むことができる。即ち、前記第２接触部１４１ａは前記第４エッジ部１４５ｂより外側に配置される。前記第４エッジ部１４５ｂは、前記第２接触部１４１ａと第１方向Ｘに平行に離隔する。

前記第５及び第６傾斜部１４３ａ、１４５ａと、前記第３及び第４エッジ部１４３ｂ、１４５ｂの水平幅は、第１及び第２傾斜部１３３ａ、１３５ａと、第１及び第３エッジ部１３３ｂ、１３５ｂの技術的特徴を採用することができる。

前記第３及び第４切断部１４３、１４５は第２方向Ｙに相互対称する。前記第５及び第６傾斜部１４３ａ、１４５ａは相互対称し、前記第３及び第４エッジ部１４３ｂ、１４５ｂは前記第２方向Ｙに並んで重なる。前記第３及び第４エッジ部１４３ｂ、１４５ｂは前記第２方向Ｙに同一平面上に配置される。

前記第６側部１４０ｂは、前記第１リードフレーム１３０と隣接するように配置される。前記第６側部１４０ｂは、第１リードフレーム１３０の第２側部１３０ｂと対向する。前記第６側部１４０ｂは、前記胴体１２０によって外部に露出しない。前記第２リードフレーム１４０は、前記第６側部１４０ｂの両端に第２方向Ｙに対称する第７及び第８傾斜部１４８ａ、１４８ｂを含むことができる。前記第７及び第８傾斜部１４８ａ、１４８ｂは、前記胴体１２０と前記第２リードフレーム１４０との間の接合面積を広げることにより、前記胴体１２０と前記第２リードフレーム１４０との結合力を向上させることができる。例えば、前記胴体１２０は、前記第１及び第２リードフレーム１３０、１４０と射出工程により結合される。前記第７及び第８傾斜部１４８ａ、１４８ｂは、前記胴体１２０の射出工程で前記第１及び第２リードフレーム１３０、１４０の間の射出流れを向上させることができる。前記第７傾斜部１４８ａと前記第６側部１４０ｂとがなす傾斜角は９０°を超過し、かつ１８０°未満である。また、前記第７傾斜部１４８ａと第７側部１４０ｃとがなす傾斜角は９０°を超過し、かつ１８０°未満である。前記傾斜角は相互同一であってもよく、異なってもよい。前記第８傾斜部１４８ｂの傾斜角は前記第７傾斜部１４８ａの特徴を採用することができる。

前記第７及び第８側部１４０ｃ、１４０ｄは相互対称し、平坦な面である。前記第７及び第８側部１４０ｃ、１４０ｄは、前記胴体１２０によって外部に露出しない。前記第７及び第８側部１４０ｃ、１４０ｄは前記胴体１２０内に配置される。前記第７側部１４０ｃは、前記第４エッジ部１４５ｂと前記第７傾斜部１４８ａとの間に配置される。前記第７側部１４０ｃは前記第４エッジ部１４５ｂから延長される。前記第７側部１４０ｃは前記第７傾斜部１４８ａから延長される。前記第８側部１４０ｄは、前記第３エッジ部１４３ｂと前記第８傾斜部１４８ｂとの間に配置される。前記第８側部１４０ｄは前記第３エッジ部１４３ｂから延長される。前記第８側部１４０ｄは前記第８傾斜部１４８ｂから延長される。

前記第２リードフレーム１４０は、下部面に第２段差部１４６を含むことができる。前記第２段差部１４６は、前記第２リードフレーム１４０の下部面エッジに沿って配置される。実施例の第２段差部１４６は、前記第６乃至第８側部１４０ｂ乃至１４０ｄの下に配置される。前記第２段差部１４６は、前記第５側部１４０ａから一定間隔離隔する。前記第５側部１４０ａは、外部に露出して切断工程による外力が集中するので、剛性のために前記第２段差部１４６は前記第５側部１４０ａと離隔する。前記第２段差部１４６はリセス状であり、断面が階段構造であるが、これに限定されるものではない。前記第２段差部１４６は前記胴体１２０との接触面積を広げることにより、前記胴体１２０との結合力を向上させることができる。また、前記第２段差部１４６は、段差構造によって外部の湿気浸透を改善することができる。前記第２段差部１４６は、前記第２リードフレーム１４０の下部面エッジの一部がエッチングされて形成されるが、これに限定されるものではない。前記第２段差部１４６の厚さは、前記第２リードフレーム１４０の厚さの５０％であるが、これに限定されるものではない。例えば、前記第２段差部１４６の厚さは前記第２リードフレーム１４０の厚さの５０％以上である。前記第２段差部１４６の厚さが前記第２リードフレーム１４０の厚さの５０％未満であれば、前記第２リードフレーム１４０の製造工程で前記第２段差部１４６の周辺で歪みなどの変形が発生しうる。したがって、前記第２段差部１４６の厚さは、第２リードフレーム１４０の形状変形を考慮して前記第２リードフレーム１４０の厚さの５０％以上である。

前記第２リードフレーム１４０は、第２貫通ホール１４７を含むことができる。前記第２貫通ホール１４７は、胴体１２０との結合力を向上させる機能を含むことができる。前記第２貫通ホール１４７は、前記胴体１２０と前記第２リードフレーム１４０との間の接合面積を増加させることができ、これにより前記胴体１２０と前記第２リードフレーム１４０との間の結合力が向上する。前記第２貫通ホール１４７は、前記第２リードフレーム１４０の上部面１４０ｅから下部面を貫通することができる。前記第２貫通ホール１４７は前記第５側部１４０ａと隣接するように配置される。前記第２貫通ホール１４７は前記第５側部１４０ａと隣接し、前記第２リードフレーム１４０の中心部に隣接するように配置されるが、これに限定されるものではない。前記第２貫通ホール１４７の位置及び直径はいくらでも変更可能である。前記第２貫通ホール１４７は、前記第２リードフレーム１４０の下部面と接する領域に段差部（図示せず）を含むことができるが、これに限定されるものではない。

実施例は、前記第１リードフレーム１３０の第１突出部１３１の端部に面型の第１接触部１３１ａが配置され、前記第２リードフレーム１４０の第２突出部１４１それぞれの端部には面型の第２接触部１４１ａが配置され、前記第１及び第２接触部１３１ａ、１４１ａは切断ラインから離隔して、表面に銀（Ａｇ）のような第１層Ｌ１が配置されるので、酸化による腐食を改善することができる。

実施例は、前記第１及び第２リードフレーム１３０、１４０の第１及び第２接触部１３１ａ、１４１ａは切断ラインから離隔して、表面に銀（Ａｇ）のような第１層Ｌ１を含むので、検査工程の信頼性が向上する。

図６及び図７は、一実施例に係る単位発光素子パッケージの製造過程を示した図である。

図６及び図７は、一実施例の金属フレーム１１０は複数のリードフレーム（Ａ）を含むことができる。前記金属フレーム１１０は、例えばプレス加工によって第１スリット１１１、第２スリット１１３、分離ホール１１５、第１貫通ホール１３７、第２貫通ホール１４７、複数の第１及び第２連結部１１２、１１４を含むことができる。

前記金属フレーム１１０は、前記分離ホール１１５を介して第１方向Ｘに第１及び第２リードフレーム１３０、１４０を分離することができる。

前記第１連結部１１２は、前記第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙに前記第１スリット１１１と分離ホール１１５との間に配置される。前記第１連結部１１２は切断ラインＣ上に配置される。

前記第２連結部１１４は、第２方向Ｙに前記第２スリット１１３と分離ホール１１５との間に配置される。前記第２連結部１１４は前記切断ラインＣ上に配置される。

実施例は、金属フレーム１１０の上に胴体１２０の射出工程が完了すると、前記切断ラインＣに沿って金属フレーム１１０を切断し、単位発光素子パッケージに分離する。

前記切断ラインＣは、前記胴体１２０から一定間隔離隔する。前記切断ラインＣは、前記第１連結部１１２及び第１スリット１１１上に位置し、前記第２連結部１１４及び第２スリット１１３上に位置する。

ここで、前記第１スリット１１１は、第１乃至第４内側面１１１ａ乃至１１１ｄを含み、前記第２スリット１１３は、第５乃至第８内側面１１３ａ乃至１１３ｄを含むことができる

前記切断ラインＣは、前記第１スリット１１１の第１内側面１１１ａと第３及び第４内側面１１１ｃ、１１１ｄの間を横切って、前記第２スリット１１３の第５内側面１１３ａと第７及び第８内側面１１３ｃ、１１３ｄの間を横切ることができる。

図１乃至図７を参照すれば、実施例は第１スリット１１１、第２スリット１１３、分離ホール１１５、第１貫通ホール１３７、第２貫通ホール１４７、複数の第１及び第２連結部１１２、１１４を含む金属フレーム１１０の構造によって、第１及び第２リードフレーム１３０、１４０の第１及び第２接触部１３１ａ、１４１ａが切断ラインＣから離隔する。例えば、第１及び第５側部１３０ａ、１４０ａそれぞれは、第１及び第２突出部１３１、１４１を含み、前記第１及び第２リードフレーム１３０、１４０の第１及び第２突出部１３１、１４１それぞれの端部には、面型の第１及び第２接触部１３１ａ、１４１ａが配置される。したがって、前記第１及び第２接触部１３１ａ、１４１ａは前記切断ラインＣから離隔して、表面に銀（Ａｇ）のような第１層Ｌ１がメッキされるので、酸化による腐食を改善でき、電気接点として第１層Ｌ１が配置される。

実施例は、前記第１及び第２リードフレーム１３０、１４０の第１及び第２接触部１３１ａ、１４１ａは切断ラインから離隔して、表面に銀（Ａｇ）のような第１層Ｌ１を含むので、検査工程の信頼性が向上する。

図８は、他の実施例に係る第１及び第２リードフレームを示した平面図である。

図８に示されたように、他の実施例に係る発光素子パッケージは、第１リードフレーム２３０の第１側部２３０ａ及び第２リードフレーム２４０の第５側部２４０ａを除いて、図１乃至図５の実施例に係る発光素子パッケージ１００の技術的特徴を採用することができる。

前記第１リードフレーム２３０の第１側部２３０ａは、外側に突出した第１突出部２３１と、前記第１突出部２３１の両側に配置された第１及び第２切断部２３３、２３５を含むことができる。前記第１突出部２３１は、前記第１及び第２切断部２３３、２３５より外側方向に突出する。前記第１突出部２３１は第１接触部２３１ａを含むことができる。前記第１突出部２３１及び第１接触部２３１ａは、図１乃至図４の発光素子パッケージの技術的特徴を採用することができる。

前記第１切断部２３３は、前記第１突出部２３１から第２方向Ｙの反対側方向に延長される。前記第２切断部２３５は、前記第１突出部２３１から第２方向Ｙに延長される。前記第１及び第２切断部２３３、２３５は、発光素子パッケージが製造される金属フレームの切断工程によって形成される。前記第１及び第２切断部２３３、２３５は、前記切断工程によって前記第１リードフレーム２３０の第１側部２３０ａ上に形成される。例えば、前記第１及び第２切断部２３３、２３５の断面は、銀（Ａｇ）のような第１層Ｌ１から銅（Ｃｕ）のような第２層Ｌ２が露出する。前記第１及び第２切断部２３３、２３５は、前記第１接触部２３１ａから段差構造である。前記第１接触部２３１ａと前記第１及び第２切断部２３３、２３５の間の段差高さＨは１０μｍ以上である。例えば、前記第１接触部２３１ａと前記第１及び第２切断部２３３、２３５の間の段差高さＨは１０μｍ乃至３００μｍである。前記第１接触部２３１ａと前記第１及び第２切断部２３３、２３５の間の段差高さＨが１０μｍ未満であれば、酸化によって腐食する銅（Ｃｕ）のような第２層Ｌ２が外部に露出した前記第１及び第２切断部２３３、２３５と前記検査工程の連結部が接触して、検査工程の信頼度が低下する。前記第１接触部２３１ａと前記第１及び第２切断部２３３、２３５の間の段差高さＨが３００μｍを超過すれば、発光素子パッケージ１００の側面に露出する第１側部２３０ａの面積が大きく増加するので、生産性の低下はもちろん、製品デザインが制限される可能性がある。前記第１切断部２３３の第２方向Ｙの幅は１００μｍ〜５００μｍであるが、これに限定されるものではない。前記第２切断部２３５の第２方向Ｙの幅は１００μｍ〜５００μｍであるが、これに限定されるものではない。前記第１及び第２切断部２３３、２３５の幅は同一であるが、これに限定されるものではない。

前記第１切断部２３３は、前記第１接触部２３１ａから延長される第１ベンディング部２３３ａと、前記第１ベンディング部２３３ａから延長された第１エッジ部２３３ｂとを含むことができる。前記第１エッジ部２３３ｂは、前記第１接触部２３１ａより胴体に隣接するように配置される。即ち、前記第１接触部２３１ａは前記第１エッジ部２３３ｂより外側に配置される。前記第１エッジ部２３３ｂは、前記第１接触部２３１ａと第１方向Ｘに平行に離隔する。

前記第２切断部２３５は、前記第１接触部２３１ａから延長される第２ベンディング部２３５ａと、前記第２ベンディング部２３５ａから延長された第２エッジ部２３５ｂとを含むことができる。前記第２エッジ部２３５ｂは前記第１接触部２３１ａより内側に配置される。即ち、前記第１接触部２３１ａは前記第２エッジ部２３５ｂより外側に配置される。前記第２エッジ部２３５ｂは、前記第１接触部２３１ａと第１方向Ｘに平行に離隔する。

前記第１及び第２切断部２３３、２３５は第２方向Ｙに相互対称する。前記第１及び第２ベンディング部２３３ａ、２３５ａは相互対称し、前記第１及び第２エッジ部２３３ｂ、２３５ｂは前記第２方向Ｙに並んで重なる。前記第１及び第２エッジ部２３３ｂ、２３５ｂは前記第２方向Ｙに同一平面上に配置される。

前記第２リードフレーム２４０の第５側部２４０ａは、外側に突出した第２突出部２４１と、前記第２突出部２４１の両側に配置された第３及び第４切断部２４３、２４５を含むことができる。前記第２突出部２４１は、前記第３及び第４切断部２４３、２４５より外側方向に突出する。前記第２突出部２４１は第２接触部２４１ａを含むことができる。前記第２接触部２４１ａは前記第２突出部２４１の端部に配置される。前記第２突出部２４１及び第２接触部２４１ａは、図１乃至図４の発光素子パッケージの技術的特徴を採用することができる。

前記第３切断部２４３は、前記第２突出部２４１から第２方向Ｙの反対側方向に延長する。前記第４切断部２４５は、前記第２突出部２４１から第２方向Ｙに延長する。前記第３及び第４切断部２４３、２４５は、発光素子パッケージが製造される金属フレームの切断工程によって形成される。前記第３及び第４切断部２４３、２４５は、前記切断工程によって前記第２リードフレーム２４０の第５側部２４０ａ上に形成される。例えば、前記第３及び第４切断部２４３、２４５は第１層Ｌ１から第２層Ｌ２が露出する。前記第３及び第４切断部２４３、２４５は前記第２接触部２４１ａから段差構造である。前記第２接触部２４１ａと前記第３及び第４切断部２４３、２４５の間の段差高さは１０μｍ以上である。例えば、前記第２接触部２４１ａと前記第３及び第４切断部２４３、２４５の間の段差高さは１０μｍ乃至３００μｍである。前記第２接触部２４１ａと前記第３及び第４切断部２４３、２４５の間の段差高さが１０μｍ未満であれば、酸化によって腐食する銅（Ｃｕ）のような第２層Ｌ２が外部に露出した前記第３及び第４切断部２４３、２４５と前記検査工程の連結部が接触して、検査工程の信頼度が低下する。前記接触部２４１ａと前記第３及び第４切断部２４３、２４５の間の段差高さが３００μｍを超過すれば、発光素子パッケージの側面に露出する第５側部２４０ａの面積が大きく増加するので、生産性の低下はもちろん、製品デザインが制限される可能性がある。前記第３切断部２４３の第２方向Ｙの幅が１００μｍ〜５００μｍであるが、これに限定されるものではない。前記第４切断部２４５の第２方向Ｙの幅が１００μｍ〜５００μｍであるが、これに限定されるものではない。前記第３及び第４切断部２４３、２４５の幅は相互同一であるが、これに限定されるものではない。

前記第３切断部２４３は、前記第２接触部２４１ａから延長される第３ベンディング部２４３ａと、前記第３ベンディング部２４３ａから延長された第３エッジ部２４３ｂとを含むことができる。前記第３エッジ部２４３ｂは、前記第２接触部２４１ａより胴体に隣接するように配置される。即ち、前記第２接触部２４１ａは前記第３エッジ部２４３ｂより外側に配置される。前記第３エッジ部２４３ｂは、前記第２接触部２４１ａと第１方向Ｘに平行に離隔する。

前記第４切断部２４５は、前記第２接触部２４１ａから延長される第４ベンディング部２４５ａと、前記第４ベンディング部２４５ａから延長された第４エッジ部２４５ｂとを含むことができる。前記第４エッジ部２４５ｂは、前記第２接触部２４１ａより内側に配置される。即ち、前記第２接触部２４１ａは、前記第４エッジ部２４５ｂより外側に配置される。前記第４エッジ部２４５ｂは、前記第２接触部２４１ａと第１方向Ｘに平行に離隔する。

前記第３及び第４切断部２４３、２４５は、第２方向Ｙに相互対称する。前記第３及び第４ベンディング部２４３ａ、２４５ａは相互対称し、前記第３及び第４エッジ部２４３ｂ、２４５ｂは、前記第２方向Ｙに並んで重なる。前記第３及び第４エッジ部２４３ｂ、２４５ｂは、前記第２方向Ｙに同一平面上に配置される。

他の実施例の発光素子パッケージの製造方法は、図１乃至図７の実施例の技術的特徴を採用することができる。

他の実施例は、第１接触部２３１ａの両側に第１ベンディング部２３３ａ及び第１直線部２３３ｂを含む第１切断部２３３と、第２ベンディング部２３５ａ及び第２直線部２３５ｂを含む第２切断部２３５が配置され、第２接触部２４１ａの両側に第３ベンディング部２４３ａ及び第３エッジ部２４３ｂを含む第３切断部２４３と、第４ベンディング部２４５ａ及び第４エッジ部２４５ｂを含む第４切断部２４５とが配置される。前記第１及び第２接触部２３１ａ、２４１ａは、第１乃至第４切断部２３３、２３５、２４３、２４５によって切断ラインから離隔して、表面に銀（Ａｇ）のような第１層Ｌ１が存在するので、酸化による腐食を改善することができる。

他の実施例は、前記第１及び第２リードフレーム２３０、２４０の第１及び第２接触部２３１ａ、２４１ａは、切断ラインから離隔して、表面に銀（Ａｇ）のような第１層Ｌ１を含むので、検査工程の信頼性が向上する。

図９は、さらに他の実施例に係る第１及び第２リードフレームを示した平面図である。

図９に示されたように、さらに他の実施例に係る発光素子パッケージは、第１リードフレーム３３０の第１側部３３０ａ及び第２リードフレーム３４０の第５側部３４０ａを除いて、図１乃至図５の実施例に係る発光素子パッケージ１００の技術的特徴を採用することができる。

前記第１リードフレーム３３０の第１側部３３０ａは、外側に突出した第１突出部３３１と、前記第１突出部３３１の両側に配置された第１及び第２切断部３３３、３３５を含むことができる。前記第１突出部３３１は、前記第１及び第２切断部３３３、３３５より外側方向に突出する。前記第１突出部３３１は第１接触部３３１ａを含むことができる。前記第１突出部３３１及び第１接触部３３１ａは、図１乃至図５の発光素子パッケージの技術的特徴を採用することができる。

前記第１及び第２切断部３３３、３３５は、前記第１突出部３３１から第２方向Ｙに延長される。前記第１及び第２切断部３３３、３３５は、前記第１突出部３３１の両端から第２方向Ｙに延長される。前記第１及び第２切断部３３３、３３５は、発光素子パッケージが製造される金属フレームの切断工程によって形成される。前記第１及び第２切断部３３３、３３５は、前記切断工程によって前記第１リードフレーム３３０の第１側部３３０ａ上に形成される。例えば、前記第１及び第２切断部３３３、３３５の断面は、銀（Ａｇ）のような第１層Ｌ１から銅（Ｃｕ）のような第２層Ｌ２が露出する。前記第１及び第２切断部３３３、３３５は前記第１接触部３３１ａから傾斜した構造である。前記第１及び第２切断部３３３、３３５は、前記第１接触部３３１ａから遠ざかるほど前記第１リードフレーム３３０の第２側部１３０ｂに隣接するように配置される。前記第１切断部３３３は、第１突出部３３１と第４側部１３０ｄとの間に配置される。前記第２切断部３３５は、第１突出部３３１と第３側部１３０ｃとの間に配置される。前記第１及び第２切断部３３３、３３５の第１方向Ｘの高さは１０μｍ以上である。例えば、前記第１及び第２切断部３３３、３３５の第１方向Ｘの高さは１０μｍ乃至３００μｍである。前記第１及び第２切断部３３３、３３５の第１方向Ｘの高さが１０μｍ未満であれば、酸化によって腐食する銅（Ｃｕ）のような第２層Ｌ２が外部に露出した前記第１及び第２切断部３３３、３３５と前記検査工程の連結部が接触して、検査工程の信頼度が低下する。前記第１及び第２切断部３３３、３３５の第１方向Ｘの高さが３００μｍを超過すれば、発光素子パッケージの側面に露出する第１側部３３０ａの面積が大きく増加するので、生産性の低下はもちろん、製品デザインが制限される可能性がある。前記第１切断部３３３の第２方向Ｙの幅は１００μｍ〜５００μｍであるが、これに限定されるものではない。前記第２切断部３３５の第２方向Ｙの幅は１００μｍ〜５００μｍであるが、これに限定されるものではない。前記第１及び第２切断部３３３、３３５の幅は同一であるが、これに限定されるものではない。前記第１及び第２切断部３３３、３３５は第２方向Ｙに相互対称する。前記第１及び第２切断部３３３、３３５は面型である。前記第１切断部３３３と前記第１突出部３３１と第４側部１３０ｄとがなす傾斜角は鈍角である。前記第２切断部３３５と前記第１突出部３３１と第３側部１３０ｃとがなす傾斜角は鈍角である。

前記第２リードフレーム３４０の第５側部３４０ａは、外側に突出した第２突出部３４１と、前記第２突出部３４１の両側に配置された第３及び第４切断部３４３、３４５を含むことができる。前記第１突出部３３１は、前記第３及び第４切断部３４３、３４５より外側方向に突出する。前記第２突出部３４１は第２接触部３４１ａを含むことができる。前記第２突出部３４１及び第２接触部３４１ａは、図１乃至図５の発光素子パッケージの技術的特徴を採用することができる。

前記第３切断部３４３は、前記第２突出部３４１から第２方向Ｙの反対側方向に延長される。第４切断部３４５は、前記第２突出部３４１から第２方向Ｙに延長される。前記第３及び第４切断部３４３、３４５は、発光素子パッケージが製造される金属フレームの切断工程によって形成される。前記第３及び第４切断部３４３、３４５は、前記切断工程によって前記第２リードフレーム３４０の第５側部３４０ａ上に形成される。例えば、前記第３及び第４切断部３４３、３４５は第１層Ｌ１から第２層Ｌ２が露出する。前記第３及び第４切断部３４３、３４５は、前記第２接触部３４１ａから傾斜した構造である。前記第３及び第４切断部３４３、３４５は、前記第２接触部３４１ａから遠ざかるほど前記第２リードフレーム３４０の第６側部１４０ｂに隣接するように配置される。前記第３切断部３４３は、第２突出部３４１と第８側部１４０ｄとの間に配置される。前記第４切断部３４５は、第２突出部３４１と第７側部１４０ｃとの間に配置される。前記第３及び第４切断部３４３、３４５の第１方向Ｘの高さは１０μｍ以上である。例えば、前記第３及び第４切断部３４３、３４５の第１方向Ｘの高さは１０μｍ乃至３００μｍである。前記第３及び第４切断部３４３、３４５の第１方向Ｘの高さが１０μｍ未満であれば、酸化によって腐食する銅（Ｃｕ）のような第２層Ｌ２が外部に露出した前記第３及び第４切断部３４３、３４５と前記検査工程の連結部が接触して、検査工程の信頼度が低下する。前記第３及び第４切断部３４３、３４５の第１方向Ｘの高さが３００μｍを超過すれば、発光素子パッケージの側面に露出する第５側部３４０ａの面積が大きく増加するので、生産性の低下はもちろん、製品デザインが制限される可能性がある。前記第３切断部３４３の第２方向Ｙの幅は１００μｍ〜５００μｍであるが、これに限定されるものではない。前記第４切断部３４５の第２方向Ｙの幅は１００μｍ〜５００μｍであるが、これに限定されるものではない。前記第３及び第４切断部３４３、３４５の幅は同一であるが、これに限定されるものではない。前記第３及び第４切断部３４３、３４５は第２方向Ｙに相互対称する。前記第３及び第４切断部３４３、３４５は面型である。前記第３切断部３４３と前記第２突出部３４１と第８側部１４０ｄとがなす傾斜角は鈍角である。前記第４切断部３４５と前記第２突出部３４１と第７側部１４０ｃとがなす傾斜角は鈍角である。

さらに他の実施例の発光素子パッケージの製造方法は、図５及び図６の実施例の技術的特徴を採用することができる。

さらに他の実施例は、第１接触部３３１ａの両側に傾斜した第１及び第２切断部３３３、３３５が配置され、第２接触部３４１ａの両側に傾斜した第３及び第４切断部３４３、３４５が配置される。前記第１及び第２接触部３３１ａ、３４１ａは切断ラインから離隔して、表面に銀（Ａｇ）のような酸化防止機能を有する第１層Ｌ１が存在するので、酸化による腐食を改善することができる。

さらに他の実施例は、前記第１及び第２リードフレーム３３０、３４０の第１及び第２接触部３３１ａ、３４１ａは切断ラインから離隔して、表面に銀（Ａｇ）のような酸化防止機能を有する第１層Ｌ１を含むので、検査工程の信頼性が向上する。

図１０は、他の実施例の発光素子パッケージを示した平面図であり、図１１は、図１１のＤ−Ｄの発光素子パッケージを示した断面図である。

図１０及び図１１に示されたように、他の実施例の発光素子パッケージ２００は、発光素子１５０及び保護素子１６０を除いて、図１乃至図６の一実施例の発光素子パッケージ１００の技術的特徴を採用することができる。

前記発光素子１５０及び保護素子１６０は水平型である。例えば、前記発光素子１５０及び保護素子１６０は、第１及び第２リードフレーム１３０、１４０と連結されるワイヤを含むことができる。

例えば、前記発光素子１５０は、第１及び第２電極（図示せず）を含み、第１電極と第１リードフレーム１３０を電気的に連結させる第１ワイヤ１５０ｗ−１と、前記第２電極と第２リードフレーム１４０を電気的に連結させる第２ワイヤ１５０ｗ−２とを含むことができる。

前記保護素子１６０は、第３及び第４電極（図示せず）を含み、第３電極と第１リードフレーム１３０を電気的に連結させる第３ワイヤ１６０ｗ−１と、前記第４電極と第２リードフレーム１４０を電気的に連結させる第４ワイヤ１６０ｗ−２とを含むことができる。

＜発光チップ＞

図１２は、実施例の発光素子パッケージに含まれた発光チップを示した断面図である。

図１２に示されたように、発光チップは基板５１１とバッファ層５１２、発光構造物５１０、第１電極５１６及び第２電極５１７を含む。前記基板５１１は透光性または非透光性材質であり、伝導性または絶縁性基板を含むことができる。

前記バッファ層５１２は、基板５１１と前記発光構造物５１０の物質との格子定数の差を減少させ、窒化物半導体で形成される。前記バッファ層５１２と前記発光構造物との間にはドーパントがドーピングされない窒化物半導体層を更に形成して、結晶品質を改善することができる。

前記発光構造物５１０は、第１導電型半導体層５１３、活性層５１４及び第２導電型半導体層５１５を含む。

例えば、ＩＩ族−ＩＶ族及びＩＩＩ族−Ｖ族などの化合物半導体で具現される。前記第１導電型半導体層５１３は、単層又は多層に形成される。前記第１導電型半導体層５１３は第１導電型ドーパントがドーピングされる。例えば、前記第１導電型半導体層５１３がｎ型半導体層である場合、ｎ型ドーパントを含むことができる。例えば、前記ｎ型ドーパントはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅを含むことができるが、これに限定されるものではない。前記第１導電型半導体層５１３はＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１)の組成式を含むことができる。前記第１導電型半導体層５１３は、例えばＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのような化合物半導体のうちの少なくとも１つを含む層の積層構造を含むことができる。

前記第１導電型半導体層５１３と前記活性層５１４との間には第１クラッド層を形成することができる。前記第１クラッド層はＧａＮ系半導体で形成され、そのバンドギャップは前記活性層５１４のバンドギャップ以上に形成される。このような第１クラッド層は第１導電型で形成され、キャリアを拘束させる機能を含むことができる。

前記活性層５１４は、前記第１導電型半導体層５１３の上に配置され、単一量子井戸、多重量子井戸（ＭＱＷ）、量子線（ｑｕａｎｔｕｍ ｗｉｒｅ）構造、または量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ）構造を選択的に含む。前記活性層５１４は井戸層と障壁層の周期を含む。前記井戸層はＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{1−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１)の組成式を含み、前記障壁層はＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を含むことができる。前記井戸層／障壁層の周期は例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＩｎＡｌＧａＮの積層構造を利用して１周期以上に形成される。前記障壁層は、前記井戸層のバンドギャップより高いバンドギャップを有する半導体物質で形成される。

前記活性層５１４の上には、第２導電型半導体層５１５が形成される。前記第２導電型半導体層５１５は半導体化合物、例えばＩＩ族−ＩＶ族及びＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体で具現される。前記第２導電型半導体層５１５は単層又は多層に形成される。前記第２導電型半導体層５１５がｐ型半導体層である場合、前記第２導電型ドーパントはｐ型ドーパントとして、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどを含むことができる。前記第２導電型半導体層５１５は第２導電型ドーパントがドーピングされる。前記第２導電型半導体層５１５はＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を含むことができる。前記第２導電型半導体層５１５は、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのいずれか１つからなることができる。

前記第２導電型半導体層５１５は超格子構造を含むことができ、前記超格子構造はＩｎＧａＮ／ＧａＮ超格子構造又はＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子構造を含むことができる。前記第２導電型半導体層５１５の超格子構造は、非正常的に電圧に含まれた電流を拡散させることで、活性層５１４を保護することができる。

前記第１導電型半導体層５１３はｎ型半導体層、前記第２導電型半導体層５１５はｐ型半導体層として説明しているが、前記第１導電型半導体層５１３をｐ型半導体層、前記第２導電型半導体層５１５をｎ型半導体層として形成することもでき、これに限定されるものではない。前記第２導電型半導体層５１５の上には前記第２導電型と反対の極性を持つ半導体、例えばｎ型半導体層（図示せず）を形成することができる。これにより発光構造物５１０は、ｎ−ｐ接合構造、ｐ−ｎ接合構造、ｎ−ｐ−ｎ接合構造、ｐ−ｎ−ｐ接合構造のいずれか１つの構造で具現することができる。

前記第１導電型半導体層５１３の上には第１電極５１６が配置され、前記第２導電型半導体層５１５の上には電流拡散層を有する第２電極５１７が配置される。

＜発光チップ＞

図１３は、実施例の発光素子パッケージに含まれた他の例の発光チップを示した断面図である。

図１３に示されたように、他の例の発光チップは図９を参照して同一な構成の説明は省略する。他の例の発光チップは、発光構造物５１０の下に接触層５２１が配置され、前記接触層５２１の下に反射層５２４が配置され、前記反射層５２４の下に支持部材５２５が配置され、前記反射層５２４と前記発光構造物の周りに保護層５２３が配置される。

前記発光チップは、第２導電型半導体層５１５の下に接触層５２１及び保護層５２３、反射層５２４、及び支持部材５２５が配置される。

前記接触層５２１は、発光構造物５１０の下部面、例えば第２導電型半導体層５１５とオーミック接触する。前記接触層５２１は、金属窒化物、絶縁物質、伝導性物質から選択され、例えばＩＴＯ(ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ)、ＩＺＯ(ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ)、ＩＺＴＯ(ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ)、ＩＡＺＯ(ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ)、ＩＧＺＯ(ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ)、ＩＧＴＯ(ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ)、ＡＺＯ(ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ)、ＡＴＯ(ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ)、ＧＺＯ(ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ)、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ及びこれらの選択的な組み合わせで構成された物質のうちから形成される。また、前記金属物質とＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯなどの透光性伝導性物質を用いて多層に形成することができ、例えばＩＺＯ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ、ＩＺＯ／Ａｇ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ／Ｎｉなどで積層することができる。前記接触層５２１の内部には、電極５１６と対応するように、電流をブロッキングする電流ブロッキング層が更に形成されてもよい。

前記保護層５２３は、金属酸化物または絶縁物質から選択され、例えば、ＩＴＯ(ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ)、ＩＺＯ(ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ)、ＩＺＴＯ(ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ)、ＩＡＺＯ(ｉｎｄｉｕｍ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ)、ＩＧＺＯ(ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ)、ＩＧＴＯ(ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ)、ＡＺＯ(ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ)、ＡＴＯ(ａｎｔｉｍｏｎｙ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ)、ＧＺＯ(ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ)、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２から選択的に形成される。前記保護層５２３は、スパッタリング法または蒸着法などを利用して形成することができ、反射層５２４のような金属が発光構造物５１０の層をショートさせることを防止することができる。

前記反射層５２４は金属を含むことができる。例えば、前記反射層５２４はＡｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ及びこれらの選択的な組み合わせで構成された物質で形成される。前記反射層５２４は、前記発光構造物５１０の幅より大きく形成され、光反射効率を改善することができる。前記反射層５２４と前記支持部材５２５との間に接合のための金属層、熱拡散のための金属層などが更に配置されてもよいが、これに限定されるものではない。

前記支持部材５２５はベース基板として、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）のような金属、またはキャリアウェハ（例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ）で具現される。前記支持部材５２５と前記反射層５２４との間には接合層が更に形成されてもよい。

＜照明システム＞

図１４は、実施例の発光素子パッケージを含む表示装置を示した斜視図である。

図１４に示されたように、実施例の表示装置１０００は、導光板１０４１と、前記導光板１０４１に光を提供する光源モジュール１０３１と、前記導光板１０４１の下に反射部材１０２２と、前記導光板１０４１の上に光学シート１０５１と、前記光学シート１０５１の上に表示パネル１０６１と、前記導光板１０４１、光源モジュール１０３１及び反射部材１０２２を収納するボトムカバー１０１１とを含むことができるが、これに限定されるものではない。

前記ボトムカバー１０１１、反射部材１０２２、導光板１０４１、光学シート１０５１は、ライトユニット１０５０として定義することができる。

前記導光板１０４１は、光を拡散させて面光源化する役割を行う。前記導光板１０４１は、透明な材質からなり、例えば、ＰＭＭＡ(ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔａａｃｒｙｌａｔｅ)のようなアクリル樹脂系、ＰＥＴ(ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈｌａｔｅ)、ＰＣ(ｐｏｌｙ ｃａｒｂｏｎａｔｅ)、ＣＯＣ(ｃｙｃｌｏｏｌｅｆｉｎ ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ)、及びＰＥＮ(ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ)樹脂のうち１つを含むことができる。

前記光源モジュール１０３１は、前記導光板１０４１の少なくとも一側面に光を提供し、究極的には表示装置の光源として作用することになる。

前記光源モジュール１０３１は少なくとも１つを含み、前記導光板１０４１の一側面で直接又は間接的に光を提供することができる。前記光源モジュール１０３１は、基板１０３３と、実施例に係る発光素子パッケージ１００または２００とを含み、前記発光素子パッケージ１００または２００は、前記基板１０３３の上に一定間隔離隔して複数個に配置される。

前記基板１０３３は、回路パターン（図示せず）を含む印刷回路基板（ＰＣＢ；Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）である。但し、前記基板１０３３は一般ＰＣＢだけではなく、メタルコアＰＣＢ（ＭＣＰＣＢ；Ｍｅｔａｌ Ｃｏｒｅ ＰＣＢ）、軟性ＰＣＢ（ＦＰＣＢ；Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ＰＣＢ）などを含むこともできるが、これに限定されるものではない。前記発光素子パッケージ１００または２００は、前記ボトムカバー１０１１の側面または放熱プレートの上に直接配置される。

前記導光板１０４１の下には、前記反射部材１０２２が配置される。前記反射部材１０２２は、前記導光板１０４１に下面に入射した光を反射させることで、前記ライトユニット１０５０の輝度を向上させることができる。前記反射部材１０２２は、例えばＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどで形成されるが、これに限定されるものではない。

前記ボトムカバー１０１１は、前記導光板１０４１、光源モジュール１０３１及び反射部材１０２２などを収納することができる。前記ボトムカバー１０１１は、上面が開口したボックス（ｂｏｘ）形状を有する収納部１０２１が具備されるが、これに限定されるものではない。前記ボトムカバー１０１１はトップカバーと結合されるが、これに限定されるものではない。

前記ボトムカバー１０１１は、金属材質または樹脂材質で形成され、プレス成形または圧出成形などの工程を利用して製造される。また、前記ボトムカバー１０１１は、熱伝導性が良好な金属または非金属材料を含むことができるが、これに限定されるものではない。

前記表示パネル１０６１は、例えばＬＣＤパネルとして、相互対向する透明な第１及び第２基板と、前記第１及び第２基板の間に介在された液晶層とを含むことができる。前記表示パネル１０６１の少なくとも一面には偏光板を含むことができる。前記表示パネル１０６１は、光学シート１０５１を通過した光によって情報を表示することになる。前記表示装置１０００は、各種の携帯端末、ノートパソコンのモニタ、ラップトップコンピュータのモニタ、テレビなどに適用可能である。

前記光学シート１０５１は、前記表示パネル１０６１と前記導光板１０４１との間に配置される。前記光学シート１０５１は、少なくとも１つ以上の透光性シートを含むことができる。前記光学シート１０５１は、例えば拡散シート、少なくとも１つ以上のプリズムシート、及び保護シートのうち少なくとも１つを含むことができる。前記拡散シートは、入射する光を拡散させる機能を含むことができる。前記プリズムシートは、入射する光を表示領域に集光させる機能を含むことができる。前記保護シートは、前記プリズムシートを保護する機能を含むことができる。

＜照明装置＞

図１５は、実施例の発光素子パッケージを含む表示装置の他の例を示した断面図である。

図１５に示されたように、他の例の表示装置１１００は、ボトムカバー１１５２、発光素子パッケージ１００または２００が実装された基板１１２０、光学部材１１５４、及び表示パネル１１５５を含むことができる。

前記基板１１２０と前記発光素子パッケージ１００または２００は光源モジュール１１６０として定義することができる。前記ボトムカバー１１５２、少なくとも１つの光源モジュール１１６０、光学部材１１５４はライトユニット１１５０として定義することができる。前記ボトムカバー１１５２には収納部１１５３を具備することができ、これに限定されるものではない。前記光源モジュール１１６０は、基板１１２０及び前記基板１１２０の上に配列された複数の発光素子パッケージ１００または２００を含むことができる。

ここで、前記光学部材１１５４は、レンズ、拡散板、拡散シート、プリズムシート、及び保護シートのうち少なくとも１つを含むことができる。前記拡散板は、ＰＣ材質またはＰＭＭＡ(ｐｏｌｙ ｍｅｔｈｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ)材質からなることができ、このような拡散板は除去可能である。前記拡散シートは入射する光を拡散させ、前記プリズムシートは入射する光を表示領域に集光させ、前記保護シートは前記プリズムシートを保護することができる。

前記光学部材１１５４は、前記光源モジュール１１６０の上に配置され、前記光源モジュール１１６０から放出された光を面光源化するか、拡散、集光などを行う。

上述した発光素子は、発光素子パッケージで構成され、照明システムの光源として使用することができ、例えば、映像表示装置の光源や照明装置などの光源として使用することができる。

映像表示装置のバックライトユニットとして使用されるとき、エッジ型のバックライトユニットとして使用されるか、または直下型のバックライトユニットとして使用されてもよく、照明装置の光源として使用されるとき、灯器具やバルブ型として使用されてもよく、また移動端末の光源として使用されてもよい。

発光素子は、上述した発光ダイオードのほかにレーザダイオードがある。

レーザダイオードは、発光素子と同様に、上述した構造の第１導電型半導体層と活性層及び第２導電型半導体層を含むことができる。そして、ｐ−型の第１導電型半導体とｎ−型の第２導電型半導体とを接合させた後、電流を流したとき光が放出されるｅｌｅｃｔｒｏ−ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（電界発光）現象を利用するが、放出される光の方向性と位相において差がある。即ち、レーザダイオードは誘導放出（ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）という現象と補強干渉（ｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｖｅ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）現象などを利用して、１つの特定の波長（単色ビーム、ｍｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｉｃ ｂｅａｍ）を有する光が同一な位相を有して同一な方向に放出され、このような特性によって、光通信や医療用装備及び半導体工程装備などに使用される。

受光素子としては、光を検出しその強度を電気信号に変換する一種のトランスデューサである光検出器（ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ）を例に挙げることができる。このような光検出器として、光電池（シリコン、セレン）、光導電素子（硫化カドミウム、セレン化カドミウム）、フォトダイオード（例えば、ｖｉｓｉｂｌｅ ｂｌｉｎｄ ｓｐｅｃｔｒａｌ ｒｅｇｉｏｎやｔｒｕｅ ｂｌｉｎｄ ｓｐｅｃｔｒａｌ ｒｅｇｉｏｎでピーク波長を有するＰＤ）、フォトトランジスタ、光電子増倍管、光電管（真空、ガス封入）、ＩＲ（Ｉｎｆｒａ−Ｒｅｄ）検出器などがあるが、実施例はこれらに局限されない。

また、光検出器のような半導体素子は、一般に光変換効率が優れた直接遷移半導体（ｄｉｒｅｃｔ ｂａｎｄｇａｐ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いて製作される。または、光検出器は構造が多様であるので、最も一般的な構造としてはｐ−ｎ接合を利用するｐｉｎ型光検出器と、ショットキー接合（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を利用するショットキー型光検出器と、ＭＳＭ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）型光検出器がある。

フォトダイオード（Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）は発光素子と同様に、上述した構造の第１導電型半導体層と活性層及び第２導電型半導体層を含むことができ、ｐｎ接合またはｐｉｎ構造からなる。フォトダイオードは、逆バイアスあるいはゼロバイアスを加えて動作することになり、光がフォトダイオードに入射すると、電子と正孔が生成され、電流が流れる。このとき、電流の大きさは、フォトダイオードに入射する光の強度にほぼ比例する。

光電池または太陽電池（ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）は、フォトダイオードの一種で、光を電流に変換することができる。太陽電池は、発光素子と同様に、上述した構造の第１導電型半導体層と活性層及び第２導電型半導体層を含むことができる。

また、ｐ−ｎ接合を利用した一般的なダイオードの整流特性を介して電子回路の整流器として利用することもでき、超高周波回路に適用されて発振回路などに適用することができる。

また、上述した半導体素子は、必ずしも半導体のみで具現されるものではなく、場合に応じて金属物質を更に含むこともできる。例えば、受光素子のような半導体素子はＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｎ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ｐ、またはＡｓのうち少なくとも１つを利用して具現されてもよく、ｐ型やｎ型ドーパントによってドーピングされた半導体物質や真性半導体物質を利用して具現されてもよい。以上、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲内で以上に例示されていない多様な変形と応用が可能であることが分かる。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形と応用に係る差異点は添付した特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解析されるべきである。

Claims (17)

1. 第１リードフレーム１３０と、
   前記第１リードフレームから第１方向Ｘに離隔した第２リードフレーム１４０と、
   前記第１及び第２リードフレームと結合される胴体１２０と、
   前記第１リードフレームの上に実装される発光素子１５０と、
   を含み、
   前記第１リードフレームは、第１乃至第４側部１３０ａ乃至１３０ｄを含み、前記第１側部１３０ａは、前記胴体の一側面から外側方向に突出した第１突出部１３１と、前記第１突出部の端部に配置された第１接触部とを含み、
   前記第２リードフレームは、第５乃至第８側部１４０ａ乃至１４０ｄを含み、前記第５側部１４０ａは、前記胴体の一側面と対称する側面から外側方向に突出した第２突出部１４１と、前記第２突出部の端部に配置された第２接触部とを含み、
   前記第１及び第２接触部１３１ａ、１４１ａのうちの少なくとも１つは、第２層及び前記第２層を覆う第１層を含むことを特徴とする、発光素子パッケージ。
2. 前記第１層は酸化防止機能を含み、
   前記第１及び第２接触部は、前記第１方向と直交する第２方向Ｙに３００μｍ以上の幅を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
3. 前記第１側部は、前記第１突出部から延長される第１及び第２切断部１３３、１３５を含み、前記第１突出部は、前記第１及び第２切断部より外側に配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
4. 前記第１切断部は、前記第１接触部から延長される第１傾斜部１３３ａと、前記第１傾斜部から延長された第１エッジ部１３３ｂとを含み、
   前記第２切断部は、前記第１接触部から延長される第２傾斜部１３５ａと、前記第２傾斜部から延長された第２エッジ部１３５ｂとを含むことを特徴とする、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
5. 前記第１接触部と第１及び第２切断部１３３、１３５の間の段差高さＨは１０μｍ乃至３００μｍであることを特徴とする、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
6. 前記第１及び第２切断部１３３、１３５は前記第２層Ｌ２が露出したことを特徴とする、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
7. 前記第１切断部２３３は、前記第１接触部２３１ａから延長される第１ベンディング部２３３ａと、前記第１ベンディング部から延長された第１エッジ部２３３ｂとを含み、
   前記第２切断部２３５は、前記第１接触部２３１ａから延長される第２ベンディング部２３５ａと、前記第２ベンディング部から延長された第２エッジ部２３５ｂとを含むことを特徴とする、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
8. 前記第１及び第２切断部３３３、３３５は面型であり、
   前記第１切断部３３３は、前記第１突出部３３１と第８側部１３０ｄとの間に配置され、
   前記第２切断部３３５は、前記第１突出部３３１と第７側部１３０ｃとの間に配置され、
   前記第１切断部３３３と前記第１突出部３３１と第８側部１３０ｄとがなす傾斜角は鈍角であり、
   前記第２切断部３３５と前記第１突出部３３１と第７側部１３０ｃとがなす傾斜角は鈍角であることを特徴とする、第請求項３に記載の発光素子パッケージ。
9. 前記第１リードフレームは、前記第２側部の両端に第３及び第４傾斜部１３８ａ、１３８ｂを含み、
   前記第３傾斜部１３８ａと前記第２側部と第３側部とがなす傾斜角は鈍角であり、
   前記第４傾斜部１３８ｂと前記第２側部と第４側部とがなす傾斜角は鈍角であることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
10. 前記第２側部は、前記第２突出部から延長される第３及び第４切断部１４３、１４５を含み、前記第２突出部は、前記第３及び第４切断部より外側に配置されたことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
11. 前記第３切断部は、前記第２接触部から延長される第５傾斜部１４３ａと、前記第５傾斜部から延長された第３エッジ部１４３ｂとを含み、
    前記第４切断部は、前記第３接触部から延長される第６傾斜部１４５ａと、前記第６傾斜部から延長された第４エッジ部１４５ｂとを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
12. 前記第２接触部と第３及び第４切断部１４３、１４５の間の段差高さＨは１０μｍ乃至３００μｍであることを特徴とする、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
13. 前記第３及び第４切断部１４３、１４５は前記第２層Ｌ２が露出したことを特徴とする、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
14. 前記第３切断部２４３は、前記第２接触部２４１ａから延長される第３ベンディング部２４３ａと、前記第３ベンディング部から延長された第４エッジ部２４３ｂとを含み、
    前記第４切断部２４５は、前記第２接触部２４１ａから延長される第４ベンディング部２４５ａと、前記第２ベンディング部から延長された第４エッジ部２４５ｂとを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
15. 前記第３及び第４切断部３４３、３４５は面型であり、
    前記第３切断部３４３は、前記第２突出部３４１と第８側部１３０ｄとの間に配置され、
    前記第４切断部３４５は、前記第２突出部３４１と第７側部１３０ｃとの間に配置され、
    前記第３切断部３４３と前記第２突出部３４１と第８側部１４０ｄとがなす傾斜角は鈍角であり、
    前記第４切断部３４５と前記第２突出部３４１と第７側部１４０ｃとがなす傾斜角は鈍角であることを特徴とする、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
16. 前記第２リードフレームは、前記第６側部の両端に第７及び第８傾斜部１４８ａ、１４８ｂを含み、
    前記第７傾斜部１４８ａは、前記第６側部及び第７側部となす傾斜角が鈍角であり、
    前記第８傾斜部１４８ｂは、前記第６側部及び第８側部となす傾斜角が鈍角であることを特徴とする、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
17. 請求項１乃至請求項１６のいずれか一項に記載の発光素子パッケージを含むことを特徴とする、照明装置。

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