KR102560908B1 - 발광소자 패키지 및 광원 모듈 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티를 포함하는 몸체, 상기 캐비티, 상기 캐비티 바닥면에 배치되는 제 1 프레임 및 제 2 프레임, 상기 제 1 프레임 상에 배치되는 제 1 금속층, 상기 제 1 금속층 상에 배치되는 자외선 발광소자 및 상기 제 2 프레임 상에 배치되며, 상기 제 2 프레임과 전기적으로 연결되는 제2 금속층 을 포함하고, 상기 몸체는 상기 제 1 프레임과 상기 제 2 프레임 사이의 분리부를 포함하고, 상기 제 2 금속층은 상기 캐비티의 경사면 및 상기 몸체의 분리부 상으로 연장되고, 상기 제 2 금속층은 상기 캐비티 내에서 상기 제 1 금속층과 이격하며 상기 제 1 금속층을 둘러싼다.
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 서로 이격된 제 1 프레임 및 제 2 프레임, 상기 제 1 프레임 및 상기 제 2 프레임 사이에 배치되는 몸체, 상기 몸체 상에 배치되며 캐비티를 갖는 금속층 및 상기 캐비티 내에 배치되는 발광 소자를 포함하고, 상기 금속층은 상기 캐비티 바닥면에 배치된 관통홀을 포함하고, 상기 금속층은 상기 제 1 프레임과 전기적으로 연결되고, 상기 발광소자는 상기 관통홀 내측에 배치된 상기 제 2 프레임 및 상기 금속층과 전기적으로 연결된다.
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 서로 이격된 제 1 프레임 및 제 2 프레임, 상기 제 1 프레임 및 상기 제 2 프레임 사이에 배치되는 몸체, 상기 몸체 상에 배치되며 캐비티를 갖는 금속층 및 상기 캐비티 내에 배치되는 발광 소자를 포함하고, 상기 금속층은 상기 캐비티 바닥면에 배치된 관통홀을 포함하고, 상기 금속층은 상기 제 1 프레임과 전기적으로 연결되고, 상기 발광소자는 상기 관통홀 내측에 배치된 상기 제 2 프레임 및 상기 금속층과 전기적으로 연결된다.
Description
실시예는 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 광원 모듈에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 황색, 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 자외선(UV) 발광소자, 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 노란색(Yellow) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다.
한편, 고출력을 제공할 수 있는 발광소자가 요구됨에 따라 고전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 발광소자에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 발광소자에서 방출되는 광에 의해 패키지가 변색되는 것을 방지할 수 있는 내광성이 향상된 패키지에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 발광소자에서 방출되는 광에 의해 패키지 내부에 크랙(crack)이 발생하는 것을 방지할 수 있고 신뢰성을 향상시킬 수 있는 패키지에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 발광소자 패키지에 있어서 발광소자의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 것에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 발광소자로부터 방출되는 열을 효과적으로 배출할 수 있는 발광소자 패키지에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 구조 변경을 통하여 제조 단가 및 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
실시예는 발광소자로부터 방출되는 광에 의해 몸체가 변색되는 것을 방지할 수 있는 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 발광소자로부터 방출되는 광에 의해 몸체 상에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있는 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 발광소자로부터 방출되는 광을 상부 방향으로 유도하여 광 효율 및 광속을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 발광소자로부터 방출되는 열을 효율적으로 배출할 수 있는 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 프레임 사이의 쇼트를 방지할 수 있고, 전기적 특성이 향상된 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 몸체가 다양한 재질을 포함할 수 있는 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.
또한, 실시예는 발광소자와 금속층을 연결하는 와이어의 오픈 불량을 방지할 수 있는 발광소자 패키지 및 광원 모듈을 제공하고자 한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티를 포함하는 몸체, 상기 캐비티, 상기 캐비티 바닥면에 배치되는 제 1 프레임 및 제 2 프레임, 상기 제 1 프레임 상에 배치되는 제 1 금속층, 상기 제 1 금속층 상에 배치되는 자외선 발광소자 및 상기 제 2 프레임 상에 배치되며, 상기 제 2 프레임과 전기적으로 연결되는 제2 금속층 을 포함하고, 상기 몸체는 상기 제 1 프레임과 상기 제 2 프레임 사이의 분리부를 포함하고, 상기 제 2 금속층은 상기 캐비티의 경사면 및 상기 몸체의 분리부 상으로 연장되고, 상기 제 2 금속층은 상기 캐비티 내에서 상기 제 1 금속층과 이격하며 상기 제 1 금속층을 둘러싼다.
또한, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 서로 이격된 제 1 프레임 및 제 2 프레임, 상기 제 1 프레임 및 상기 제 2 프레임 사이에 배치되는 몸체, 상기 몸체 상에 배치되며 캐비티를 갖는 금속층 및 상기 캐비티 내에 배치되는 발광 소자를 포함하고, 상기 금속층은 상기 캐비티 바닥면에 배치된 관통홀을 포함하고, 상기 금속층은 상기 제 1 프레임과 전기적으로 연결되고, 상기 발광소자는 상기 관통홀 내측에 배치된 상기 제 2 프레임 및 상기 금속층과 전기적으로 연결된다.
실시예는 몸체 상에 배치되는 금속층을 포함하고, 상기 금속층에 의해 상기 발광소자로부터 방출되는 광이 상기 몸체에 입사되는 것을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 상기 몸체가 상기 광에 의해 변색되는 것을 방지할 수 있고, 상기 몸체에 크랙(crack)이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있고 다양한 재질의 몸체를 사용할 수 있다.
또한, 실시예는 상기 몸체 상에 금속층이 배치됨에 따라 상기 발광소자로부터 방출되는 광을 효과적으로 반사할 수 있다. 또한, 상기 몸체는 상기 몸체의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되는 격벽부를 더 포함할 수 있고, 상기 격벽부 상에 상기 금속층이 배치될 수 있다. 이에 따라, 발광소자 패키지의 광 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예는 프레임과 발광소자 사이에 금속층을 배치하여 방열 경로를 제공할 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자로부터 방출되는 열을 효과적으로 배출할 수 있어 발광소자 패키지의 방열 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예는 서로 다른 극성을 가지는 금속층 사이에 관통부가 배치될 수 있고, 상기 관통부에 의해 상기 몸체의 상면이 노출될 수 있다. 이에 따라, 서로 다른 극성을 가지는 금속층 및 프레임 사이의 전기적 쇼트를 방지할 수 있어 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예는 발광소자와 금속층를 연결하는 와이어의 양 끝단 사이의 직선 거리, 양 끝단 사이의 높이 차이를 줄일 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자와 상기 금속층을 연결하는 와이어의 오픈 불량을 방지할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 배면도이다.
도 4는 도 2의 발광소자 패키지의 A-A' 단면도이다.
도 5 내지 도 9는 도 2의 발광소자 패키지에서 관통부가 형성되는 위치가 변형된 예를 도시한 도면이다.
도 10 및 도 11은 도 2의 발광소자 패키지에서 제 1 금속층이 생략된 예를 도시한 도면이다.
도 12는 도 2의 발광소자 패키지가 돌출부를 더 포함하는 구조에 대한 평면도이다.
도 13은 도 12의 발광소자 패키지의 C-C' 단면도이다.
도 14 내지 도 20은 도 12의 발광소자 패키지에서 관통부가 형성되는 위치가 변형된 예를 도시한 도면이다.
도 21 및 도 22는 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 광원 모듈을 도시한 도면이다.
도 23은 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 측단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 배면도이다.
도 4는 도 2의 발광소자 패키지의 A-A' 단면도이다.
도 5 내지 도 9는 도 2의 발광소자 패키지에서 관통부가 형성되는 위치가 변형된 예를 도시한 도면이다.
도 10 및 도 11은 도 2의 발광소자 패키지에서 제 1 금속층이 생략된 예를 도시한 도면이다.
도 12는 도 2의 발광소자 패키지가 돌출부를 더 포함하는 구조에 대한 평면도이다.
도 13은 도 12의 발광소자 패키지의 C-C' 단면도이다.
도 14 내지 도 20은 도 12의 발광소자 패키지에서 관통부가 형성되는 위치가 변형된 예를 도시한 도면이다.
도 21 및 도 22는 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 광원 모듈을 도시한 도면이다.
도 23은 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 나타낸 측단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시 예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, "A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한 개 이상)"로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다. 그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속＇되는 경우도 포함할 수 있다.
또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)"으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 반도체 소자 패키지로 상기 소자 패키지의 반도체 소자는 자외선, 적외선 또는 가시광선의 광을 발광하는 발광소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 상기 발광소자가 적용된 패키지 또는 광원 장치에 비 발광소자 예컨대, 제너 다이오드와 같은 소자나 파장이나 열을 감시하는 센싱 소자를 포함할 수 있다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명하며, 발광소자 패키지에 대해 상세히 설명하도록 한다.
또한, 발명의 실시예에 대한 설명을 하기 앞서, 제 1 방향은 도면에 도시된 x축 방향일 수 있고, 제 2 방향은 도면에 도시된 y축 방향으로 상기 x축 방향과 직교하는 방향일 수 있다. 또한, 제 3 방향은 도면에 도시된 z축 방향으로, 상기 x축 및 y축과 직교하는 방향일 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 사시도이고, 도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다. 또한, 도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이고, 도 4는 도 2의 발광소자 패키지의 A-A' 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 몸체(100), 프레임(210, 220), 금속층(310, 320) 및 발광소자(500)를 포함할 수 있다.
상기 발광소자 패키지(1000)는 제 1 방향 및 제 2 방향의 길이를 가질 수 있다. 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 1 방향 길이는 상기 제 2 방향의 길이와 같거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 1 방향 길이는 제 2 방향의 길이보다 길거나 같을 수 있다. 일례로, 상기 발광소자 패키지(1000)를 평면에서 보았을 때 상기 발광소자 패키지(1000)는 정사각형 또는 직사각형 형태를 가질 수 있다.
상기 몸체(100)는 수지 재질 또는 절연성 수지 재질일 수 있다. 상기 몸체(100)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 몸체(100)는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 내부에 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 재질의 필러를 포함할 수 있다. 상기 몸체(100)는 열 가소성 수지로 형성될 수 있으며, 상기 열 가소성 수지는 가열하면 물러지고 냉각하면 다시 굳어지는 물질이므로, 후술할 프레임(210, 220) 및 이와 접촉하는 물질들이 열에 의해 팽창 또는 수축할 때 상기 몸체(100)가 완충 작용을 할 수 있다. 이때 상기 몸체(100)가 상기 완충 작용을 할 경우, 솔더계 페이스트, Ag계 페이스트, SAC(Sn-Ag-Cu)계 페이스트와 같은 도전부가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 상기 패키지에서 열 팽창 및 수축에 따른 열팽창 계수(CTE: coefficient of Thermal expansion)은 상기 제 1 방향이 상기 제 2 방향보다 클 수 있다. 실시예에 따른 몸체(100)는 바람직하게 융점이 높은 열가소성 수지인 PCT 또는 PPA 재질을 포함할 수 있다.
상기 몸체(100)의 상단부 네 모서리 중 적어도 한 곳에는 전극위치 표시부(190)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 전극위치 표시부(190)는 음극 또는 양극 중 적어도 하나의 극성을 표시해주기 위해 형성될 수 있고, 상기 몸체(100)의 한 모서리를 계단 형상으로 절삭하여 형성할 수 있다.
상기 몸체(100)는 복수 개의 측면들을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 몸체(100)는 제 1 방향으로 서로 마주하는 제 1 측면(S1) 및 제 2 측면(S2)을 포함할 수 있고, 제 2 방향으로 서로 마주하는 제 3 측면(S3) 및 제 4 측면(S4)을 포함할 수 있다. 상기 제 3 측면(S3) 및 상기 제 4 측면(S4)은 상기 제 1 측면(S1)과 상기 제 2 측면(S2)을 열견하는 측면일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 측면(S3)은 상기 제 1 측면(S1)의 일 끝단에서 제 1 방향으로 연장되어 상기 제 2 측면(S2)의 일 끝단과 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 4 측면(S4)은 상기 제 1 측면(S1)의 타 끝단에서 제 1 방향으로 연장되어 상기 제 2 측면(S2)의 타 끝단과 연결될 수 있다. 상기 제 1 내지 제 4 측면들(S1, S2, S3, S4)은 상기 몸체(100)의 하면에 대해 수직한 면이거나 경사진 면일 수 있다.
상기 몸체(100)의 제 1 방향 길이는 제 2 방향의 길이와 상이하거나 같을 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 1 방향 길이가 제 2 방향 길이보다 길 경우, 상기 몸체(100)의 제 1 방향 길이는 제 2 방향의 길이보다 길 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 측면들(S1, S2)의 제 2 방향 길이는 상기 제 3 및 제 4 측면들(S3, S4)의 제 1 방향 길이보다 짧을 수 있다. 또한, 상기 발광소자 패키지(1000)의 제 1 및 제 2 방향 길이가 같을 경우, 상기 몸체(100)의 제 1 및 제 2 방향 길이는 같을 수 있다. 즉, 상기 제 1 내지 제 4 측면들(S1, S2, S3, S4)의 제 1 방향 또는 제 2 방향 길이는 서로 같을 수 있다.
상기 몸체(100)는 제 1 몸체부(110) 및 제 2 몸체부(120)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 몸체(100)는 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 1 몸체부(110) 상에 배치되는 제 2 몸체부(120)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 몸체부(120)는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제 2 몸체부(120)는 상기 제 1 몸체부(110) 상에 경사면을 제공할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 몸체부(120)는 상기 제 1 몸체부(110) 상면 상에 캐비티(170)를 제공할 수 있다. 여기서, 상기 제 2 몸체부(120)는 상부 몸체로 지칭될 수 있다. 즉, 상기 제 2 몸체부(120)는 캐비티(170)를 제공하는 측벽일 수 있다. 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120)는 일체로 형성되거나 별도로 형성될 수 있다. 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120)가 별도로 형성될 경우, 상기 제 1 몸체부(110)와 상기 제 2 몸체부(120) 사이에 접착성 물질이 도포되어 서로 결합할 수 있다. 상기 캐비티(170)에 의해 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부는 노출될 수 있다.
상기 제 2 몸체부(120)는 경사면 및 상면을 포함할 수 있다. 상기 제 2 몸체부(120)의 경사면은 상기 제 2 몸체부(120)의 내측면일 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 몸체부(120)는 상기 캐비티(170)의 둘레에 경사진 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 상기 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 연결된 상면을 포함할 수 있다. 상기 제 2 몸체부(120)의 내측면은 상기 발광소자(500)와 마주하는 면일 수 있다. 상기 제 2 몸체부(120)의 내측면은 상기 발광소자(500)를 향하는 면일 수 있다. 상기 경사진 측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)은 제 1 방향 및 제 2 방향으로 경사진 내측면일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 몸체부(120)는 제 1 방향으로 경사진 제 1 내측면(IS1) 및 제 2 내측면(IS2)을 포함할 수 있고, 제 2 방향으로 경사진 제 3 내측면(IS3) 및 제 4 내측면(IS4)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 내측면(IS1) 및 상기 제 2 내측면(IS2)은 제 1 방향으로 마주하는 면일 수 있다. 상기 제 3 내측면(IS3) 및 상기 제 4 내측면(IS4)은 제 2 방향으로 마주하는 면일 수 있다.
상기 제 1 내측면(IS1)은 후술할 제 2 프레임(220)과 인접한 면일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 내측면(IS1)은 상기 캐비티(170) 바닥면의 상기 제 2 프레임(220)과 제 1 방향으로 인접한 면일 수 있다. 상기 제 2 내측면(IS2)은 후술할 제 1 프레임(210)과 인접한 면일 수 있다. 상기 제 2 내측면(IS2)은 상기 캐비티(170) 바닥면의 상기 제 1 프레임(210)과 제 1 방향으로 인접한 면일 수 있다. 상기 제 3 내측면(IS3) 및 상기 제 4 내측면(IS4)은 상기 캐비티(170) 바닥면의 제 2 프레임(220)과 제 2 방향으로 인접한 면일 수 있다. 또한, 상기 제 3 내측면(IS3) 및 상기 제 4 내측면(IS4)은 상기 캐비티(170) 바닥면의 제 1 프레임(210)과 제 2 방향으로 인접한 면일 수 있다. 상기 캐비티(170) 바닥면에서 상기 제 1 프레임(210)과 상기 제 3 내측면(IS3) 사이의 거리는 상기 제 2 프레임(220)과 상기 제 3 내측면(IS3) 사이의 거리보다 짧을 수 있다. 또한, 상기 캐비티(170) 바닥면에서 상기 제 1 프레임(210)과 상기 제 4 내측면(IS4) 사이의 거리는 상기 제 2 프레임(220)과 상기 제 4 내측면(IS4) 사이의 거리보다 짧을 수 있다.
상기 제 1 내측면(IS1) 및 상기 제 2 내측면(IS2)의 경사각은 서로 상이할 수 있다. 상기 제 1 내측면(IS1) 및 상기 제 2 내측면(IS2)의 경사각은 상기 캐비티(170)의 바닥면에 노출되는 프레임(210, 220)의 면적에 따라 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자 패키지(1000)는 상기 제 1 내측면(IS1)과 인접한 제 2 프레임(220)을 포함할 수 있고, 상기 제 2 내측면(IS2)과 인접한 제 1 프레임(210)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 캐비티(170) 바닥면에 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 면적이 상기 제 2 프레임(220)의 면적보다 큰 경우, 상기 제 1 내측면(IS1)의 경사각은 상기 제 2 내측면(IS2)의 경사각보다 클 수 있다. 여기서, 상기 경사각은 상기 캐티비(170) 바닥면에 노출되는 제 1 몸체부(110)와 각각의 경사면 사이의 각도를 의미할 수 있다. 또한, 상기 제 3 내측면(IS3) 및 상기 제 4 내측면(IS4)의 경사각은 서로 대응될 수 있다. 즉, 상기 제 3 및 제 4 내측면들(IS3, IS4)은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에 대해 서로 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 이때, 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 몸체부(110)의 중심에 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)의 중심으로부터 상기 제 1 몸체부(110)와 상기 제 1 내측면(IS1)의 경계까지의 거리는 상기 제 1 몸체부(110)와 상기 제 2 내측면(IS2)의 경계까지의 거리와 대응될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)의 중심으로부터 상기 제 1 몸체부(110)와 상기 제 3 내측면(IS3)의 경계까지의 거리는 상기 제 1 몸체부(110)와 상기 제 4 내측면(IS4)의 경계까지의 거리와 대응될 수 있다. 즉, 노출되는 프레임의 면적에 따라 상기 제 1 내측면(IS1) 및 상기 제 2 내측면(IS2)의 경사각은 서로 상이할 수 있으며 이에 따라 광 손실을 최소화할 수 있고 광 추출 효율을 향상시켜 광속을 증가시킬 수 있다.
이와 다르게, 상기 제 1 내측면(IS1) 및 상기 제 2 내측면(IS2) 경사각은 서로 대응될 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 내측면들(IS1, IS2)은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에 대해 서로 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 3 내측면(IS3) 및 상기 제 4 내측면(IS4)의 경사각은 서로 대응될 수 있다. 즉, 상기 제 3 및 제 4 내측면들(IS3, IS4)은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에 대해 서로 대응되는 경사각을 가질 수 있다. 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)의 경사각은 서로 대응될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)의 경사각은 상이할 수 있다. 예를 들어, 서로 마주보는 내측면은 서로 대응되는 경사각을 가질 수 있고, 인접한 내측면은 서로 상이한 경사각을 가질 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 및 제 2 내측면들(IS1, IS2)의 경사각은 서로 대응될 수 있고, 상기 제 3 및 제 4 내측면들(IS3, IS4)의 경사각은 서로 대응 될 수 있고, 상기 제 1 및 제 2 내측면들(IS1, IS2)의 경사각은 상기 제 3 및 제 4 내측면들(IS3, IS4)의 경사각과 상이할 수 있다.
상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 각각은 평면일 수 있다. 또한, 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 각각은 평면 및 곡면 중 적어도 하나의 면을 ?l마할 수 있다. 예를 들어, 상기 캐티비(170)의 바닥면에 노출되는 제 1 프레임(210)의 면적이 제 2 프레임(220)의 면적보다 큰 경우, 상기 제 1 내측면(IS1)은 곡면일 수 있고 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4)은 평면일 수 있다. 또한, 상기와 같은 경우에 제 1 내측면(IS1)은 평면 및 곡면을 모두 포함할 수 있고 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4)은 평면일 수 있다.
상기 제 1 몸체부(110)의 두께는 약 400㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 몸체부(110)의 두께는 약 80㎛ 내지 약 400㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 몸체부(110)의 두께는 약 100㎛ 내지 약 300㎛일 수 있다.
또한, 상기 몸체(100)의 전체 두께는 약 100㎛ 이상일 수 있다. 자세하게, 상기 몸체(100)의 두께는 약 100㎛ 내지 약 800㎛일 수 있다. 상기 몸체(100)의 두께는 상기 제 1 몸체부(110)와 상기 제 2 몸체부(120)의 두께 합을 의미할 수 있다. 상기 제 2 몸체부(120)의 두께는 상기 발광소자(500)의 두께보다 두꺼울 수 있다. 상기 제 2 몸체부(120)의 상면은 광의 지향각 분포를 위해 상기 발광소자(500)의 상면과 같거나 더 높은 위치에 배치될 수 있다. 이와 다르게, 도면에는 도시하지 않았으나 상기 제 2 몸체부(120)는 상기 제 1 몸체부(110)로부터 제거될 수 있다. 이에 따라 상기 발광소자 패키지(1000)는 130도 이상의 광 지향각 분포를 가질 수 있다.
상기 발광소자 패키지(1000)는 복수 개의 프레임을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자 패키지(1000)는 제 1 프레임(210) 및 제 2 프레임(220)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 프레임(210) 및 상기 제 2 프레임(220)은 상기 캐비티(170)의 바닥면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(210)과 상기 제 2 프레임(220)은 제 1 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 몸체(100)는 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220)을 지지할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 몸체부(110)는 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220)을 지지할 수 있다.
상기 제 1 프레임(210) 및 상기 제 2 프레임(220)은 도전성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 도전성 프레임은 금속 예컨대, 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag) 중에서 선택될 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
상기 제 1 프레임(210) 및 상기 제 2 프레임(220)은 방열 특성 및 전기 전도 특성을 고려한 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220) 각각의 두께는 약 100㎛ 내지 약 300㎛ 일 수 있다. 상기 제 1 프레임(210)의 두께는 상기 제 2 프레임(220)의 두께와 대응될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(210) 및 상기 제 2 프레임(220)은 상술한 두께 범위 내에서 서로 동일한 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(210)과 상기 제 2 프레임(220)의 두께는 상기 제 1 몸체부(110)의 두께와 대응될 수 있다. 상기 제 1 프레임(210) 및 상기 제 2 프레임(220)은 금속 프레임으로 제공됨에 따라 상기 몸체(100)의 구조적 강도를 안정적으로 제공할 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220)은 서로 다른 극성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(210)은 상기 발광소자(500)의 P형 전극과 연결될 수 있고, 상기 제 2 프레임(220)은 상기 발광소자(500)의 N형 전극과 연결될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 프레임(210)은 상기 발광소자(500)의 N형 전극과 연결될 수 연결될 수 있고, 상기 제 2 프레임(220)은 상기 발광소자(500)의 P형 전극과 연결될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220) 사이에는 상기 몸체(100)가 배치될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220) 사이에는 상기 몸체(100)의 분리부가 배치될 수 있다. 상기 분리부는 상기 제 1 몸체부(110)의 일부일 수 있다. 상기 제 1 몸체부(110)는 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220)을 지지할 수 있다. 상기 분리부는 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220)은 이격될 수 있다. 상기 분리부는 절연 부재로 지칭될 수 있다. 또한, 상기 분리부는 후술할 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)이 이격되어 노출될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 상기 몸체(100) 상에서 서로 이격되며 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에는 상기 몸체(100)의 상면을 노출하는 관통부(150)가 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 분리부 상에 위치할 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)는 상기 분리부와 수직 방향으로 중첩되는 영역 상에 위치할 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 1 및 제 2 몸체부(110, 120) 중 적어도 하나의 몸체 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)이 배치되는 위치에 따라 상기 제 1 몸체부(110) 상에만 형성될 수 있고, 상기 제 1 몸체부(110)와 제 2 몸체부(120)의 경사면 상에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220) 사이에서 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 관통부(150)는 후술할 제 1 및 제 2 금속층(320) 사이에서 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220)은 제 1 및 제 2 방향의 길이를 가질 수 있다. 자세하게, 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220)은 제 1 및 제 2 방향 길이를 가질 수 있다. 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이는 제 2 방향의 길이와 대응될 수 있다. 또한, 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 2 프레임(220)의 제 1 방향 길이는 제 2 방향의 길이와 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 2 프레임(220)의 제 1 방향 길이는 제 2 방향의 길이보다 짧을 수 있다.
또한, 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이는 상기 제 2 프레임(220)의 제 1 방향 길이와 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이는 상기 제 2 프레임(220)의 제 1 방향 길이보다 길 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(210)의 제 2 방향 길이는 상기 제 2 프레임(220)의 제 2 방향 길이와 보다 길거나 같을 수 있다.
상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 제 1 및 제 2 프레임(220)의 면적은 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 면적은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 2 프레임(220)의 면적보다 클 수 있다.
상기 제 1 프레임(210)의 상면은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 서로 다른 평면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 프레임(210)의 상면은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면보다 수직 방향으로 하부에 배치될 수 있다. 그러나 실시예는 이에 제한되지 않고 상기 제 1 프레임(210)의 상면은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 프레임(210)의 바닥면은 상기 제 1 몸체부(110)의 바닥면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
상기 제 2 프레임(220)의 상면은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 서로 다른 평면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 프레임(220)의 상면은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면보다 수직 방향으로 하부에 배치될 수 있다. 그러나 실시예는 이에 제한되지 않고 상기 제 2 프레임(220)의 상면은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 프레임(220)의 상면은 상기 제 1 프레임(210)의 상면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 프레임(220)의 바닥면은 상기 제 1 몸체부(110)의 바닥면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 프레임(220)의 바닥면은 상기 제 1 프레임(210)의 바닥면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
제 1 몸체부(110)제 1 몸체부(110)제 1 몸체부(110)제 1 몸체부(110)제 1 몸체부(110)제 1 몸체부(110)상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출될 수 있다. 예를 들어, 상기 캐비티(170)에 의해 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220) 각각의 상면 일부는 노출될 수 있다. 이때, 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 면적은 상기 제 2 프레임(220)의 면적과 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 제 1 프레임(210)의 면적은 상기 제 2 프레임(220)의 면적보다 클 수 있다.
상기 발광소자 패키지(1000)는 복수 개의 금속층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자 패키지(1000)는 상기 제 1 프레임(210)과 상기 제 2 프레임(220) 상에 각각 배치되는 제 1 금속층(310) 및 제 2 금속층(320)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 금속층(310) 및 상기 제 2 금속층(320)은 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 백금(Pt) 및 알루미늄(Al)을 포함하는 그룹 중에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제 1 금속층(310) 및 상기 제 2 금속층(320)은 상술한 그룹 중에서 서로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 금속층(310)과 상기 제 2 금속층(320)은 금(Au)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 각각은 단일층일 수 있다. 그러나 실시예는 이에 제한되지 않고 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 각각은 복수개의 층을 포함할 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)의 두께는 약 0.8㎛ 내지 약 1.2㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)의 두께는 약 0.9㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)의 두께는 약 0.95㎛ 내지 약 1.05㎛일 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)의 두께가 약 0.8㎛ 미만인 경우, 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 열을 효과적으로 배출시킬 수 있는 효과가 저하될 수 있고 전기 전도 특성이 저하될 수 있다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)의 두께가 약 1.2㎛를 초과하는 경우, 상기 캐비티(170) 내부의 공간이 좁아져 상기 발광소자(500)를 배치할 수 있는 영역 확보가 어려울 수 있고 제조 시간 및 제조 비용이 증가할 수 있다. 따라서, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)의 두께는 방열 특성 및 전기적 특성을 고려하여 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직하다. 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 각각의 두께는 상술한 범위 내에서 서로 대응될 수 있다.
상기 금속층(310, 320)은 상기 몸체(100) 상에 형성될 수 있다. 또한, 상기 금속층(310, 320)은 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치됨에 따라 상술한 캐비티(170)를 가질 수 있다. 또한, 상기 금속층(310, 320)은 상기 캐비티(170)의 바닥면에 배치되는 관통부(150)를 포함할 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 몸체부(110)의 분리부와 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 프레임(220)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 몸체부(120)와 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 금속층(310)은 제 1 방향 및 제 2 방향 길이를 가질 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 제 2 방향 길이와 같거나 상이할 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 및 제 2 방향 길이는 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 및 제 2 방향 길이와 각각 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(310)의 면적은 상기 캐비티(170) 내의 상기 제 1 프레임(210)의 상면 면적과 대응될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 상면 전체를 덮으며 배치될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170) 하면에 배치되는 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 몸체부(100)의 분리부 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 형성된 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320)은 경사각이 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 캐비티(170) 바닥면에 노출되는 제 1 프레임(210)의 면적이 제 2 프레임(220)의 면적보다 큰 경우 상기 제 1 내측면(IS1)의 경사각은 상기 제 2 내측면(IS2)의 경사각보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 내측면(IS1) 및 상기 제 2 내측면(IS2) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320)은 상기 내측면의 경사각과 대응될 수 있다. 따라서, 상기 제 1 내측면(IS1) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320)의 경사각은 상기 제 2 내측면(IS2) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320)의 경사각보다 클 수 있다. 여기서, 상기 제 2 금속층(320)의 경사각은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320)과 내측면 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320) 사이의 경사각을 의미할 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 몸체의 상면, 예컨대 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210)과 이격되어 배치될 수 있다.
즉, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220) 상에서 상기 캐비티(170)의 내측면 및 상기 몸체(100)의 분리부 상으로 연장될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면, 상기 제 2 몸체부(120)의 내측면 및 상기 제 2 몸체부(120)의 상면으로 연장될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부, 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에서 서로 연결되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170) 내에서 상기 제 1 금속층(310)과 이격하며 상기 제 1 금속층(310)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 및 상기 제 2 몸체부(120)의 내측면 상에서 상기 제 1 금속층(310)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)을 둘러싸며 상기 제 2 프레임(220)의 상면 전체 영역, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부 영역, 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 전체 영역, 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 전체 영역을 덮으며 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(310)과 상기 제 2 금속층(320), 상기 제 1 프레임(210) 및 상기 제 2 프레임(220)은 전기적으로 분리될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 제 1 방향 및 제 2 방향 길이를 가질 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)의 제 1 방향 길이는 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 2 프레임(220)의 제 1 방향 길이보다 길 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)의 제 2 방향 길이는 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 2 프레임(220)의 제 2 방향 길이보다 길 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)의 제 1 방향 길이는 상기 몸체(100)의 제 1 방향 길이와 대응될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)의 제 2 방향 길이는 상기 몸체(100)의 제 2 방향 길이와 대응될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)의 면적은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 제 2 프레임(220)의 상면 면적보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 제 2 프레임(220)의 상면 전체 영역을 덮으며 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)의 면적은 상기 몸체(100)의 하면에 노출되는 상기 제 2 프레임(220)의 하면 면적보다 클 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)의 면적은 상기 제 1 금속층(310)의 면적보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)의 면적은 상기 제 1 금속층(310)의 면적의 110% 이상일 수 있다.
상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320) 사이의 거리는 변화할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)이 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에 대해 경사지게 배치될 경우, 상기 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320) 사이의 거리는 변화할 수 있다. 예를 들어, 서로 마주하는 내측면 상에 배치된 제 2 금속층(320) 사이의 거리는 수직 방향(제 3 방향)으로 갈수록 변화할 수 있다. 상기 제 1 내측면(IS1) 상에 배치된 제 2 금속층(320)과 상기 제 2 내측면(IS2) 상에 배치된 제 2 금속층(320) 사이의 거리는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에서 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 방향으로 갈수록 증가할 수 있다. 또한, 상기 제 3 내측면(IS3) 상에 배치된 제 2 금속층(320)과 상기 제 4 내측면(IS4) 상에 배치된 제 2 금속층(320) 사이의 거리는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에서 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 방향으로 갈수록 증가할 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)이 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에 대해 수직일 경우, 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320) 사이의 거리는 일정할 수 있다. 예를 들어, 서로 마주하는 내측면 상에 배치된 제 2 금속층(320) 사이의 거리는 일정할 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 제 1 방향(x축) 및 제 2 방향(y축)으로 이격될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 제 1 방향 간격으로 정의되는 제 1 간격(d1)을 가질 수 있고 제 2 방향 간격으로 정의되는 제 2 간격(d2)을 가질 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 서로 대응될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 일정할 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 일정한 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)이 약 10㎛ 미만인 경우, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)의 이격 거리가 충분하지 않아 전기적 쇼트가 발생할 수 있다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 금속층을 분리하여 노출 영역(150)을 형성하는 공정 시 이격거리가 충분하지 않아 공정 불량이 발생할 수 있다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)이 약 140㎛ 초과할 경우, 발광소자(500)를 배치할 영역 확보가 어려울 수 있다. 따라서, 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에는 관통부(150)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)이 서로 이격되어 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에는 관통부(150)가 형성될 수 있다. 자세하게, 상기 몸체(100) 상에 금속층을 형성한 이후 물리적 및/또는 화학적 방법으로 상기 금속층을 패터닝할 수 있다. 예를 들어, 상기 패터닝은 레이저(laser), 에칭 용액 등을 이용하여 진행할 수 있다. 상기 패터닝에 의해 상기 금속층은 서로 이격되는 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)을 포함할 수 있고, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에는 관통부(150)가 위치할 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 몸체(100)의 상면을 노출할 수 있다.
상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110) 상에 형성될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 몸체(100)의 분리부 상에 형성될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 몸체(100)의 분리부와 수직 방향으로 중첩되는 영역 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 관통부(150)는 상기 분리부를 노출할 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)의 상면 상에 형성되고, 상기 제 2 금속층(320)이 상기 제 1 몸체부(110)의 상면, 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에서 상기 제 1 금속층(310)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110) 상에 위치하며 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격될 수 있다. 즉, 상기 관통부(150)는 상기 제 2 몸체부(120)와 이격될 수 있다.
상기 관통부(150)는 상기 몸체(100) 상에 배치되어 상기 제 1 금속층(310)을 둘러쌀 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 도 2에 도시된 바와 같이 일정 너비를 가지며 상기 제 1 금속층(310)의 둘레를 둘러싸며 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정한 너비로 상기 제 1 금속층(310)의 둘레 전체 영역에 배치될 수 있다.
상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이의 간격과 대응될 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)의 제 1 방향 간격(d1)과 대응될 수 있다. 또한, 상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)의 제 2 방향 간격(d2)와 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정한 폭을 가질 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
상기 관통부(150)의 높이는 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)의 두께와 대응될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)의 높이는 약 0.8㎛ 내지 약 1.2㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)의 높이는 약 0.9㎛ 내지 약 1.1㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 관통부(150)의 높이는 약 0.95㎛ 내지 약 1.05㎛일 수 있다.
상기 발광소자 패키지(1000)는 발광소자(500)를 포함할 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 몸체(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 몸체부(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 캐비티(170) 내에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 자외선을 방출하는 자외선 발광소자일 수 있다.
상기 발광소자(500)는 발광 구조물(510), 제 1 전극(710) 및 제 2 전극(720)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 전극(710)은 상기 발광 구조물(510)의 상면 상에 배치될 수 있고, 상기 제 2 전극(720)은 상기 발광 구조물(510)의 바닥면 상에 배치될 수 있다.
상기 발광 구조물(510)은 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조물(510)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(510)은 제 1 도전형 반도체층(511), 활성층(513), 제 2 도전형 반도체층(515)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 도전형 반도체층(511) 및 상기 제 2 도전형 반도체층(515)은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 또한, 상기 활성층(513)은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층(513)은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다.
상기 발광소자(500)는 내부에 하나 또는 복수의 발광 셀을 포함할 수 있다. 상기 발광 셀은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합, p-n-p 접합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 발광 셀은 하나의 발광소자 내에서 서로 직렬로 연결될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)는 하나 또는 복수의 발광 셀을 가질 수 있으며, 하나의 발광소자에 n개의 발광 셀이 배치된 경우 n배의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 예컨대, 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 2개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 6V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 또는 하나의 발광 셀의 구동 전압이 3V이고, 3개의 발광 셀이 하나의 발광소자에 배치된 경우, 각 발광소자는 9V의 구동 전압으로 구동될 수 있다. 상기 발광소자(500)에 배치된 발광 셀의 개수는 1개 또는 2개 내지 5개일 수 있다. 상기 발광소자(500)는 후술할 도 23을 이용하여 보다 자세히 설명하기로 한다.
상기 발광 구조물(510)의 상면에는 제 1 전극(710)이 배치될 수 있고 상기 발광 구조물(510)의 바닥면에는 제 2 전극(720)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 전극(710)은 상기 제 1 도전형 반도체층(511)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 2 전극(720)은 상기 제 2 도전형 반도체층(515)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광소자(500)는 상기 제 1 프레임(210) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 금속층(310) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 금속층(310)과 수직 방향으로 중첩되게 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자(500)의 상기 제 2 전극(720)은 상기 제 1 금속층(310)과 수직 방향으로 중첩되게 배치될 수 있다. 상기 제 2 전극(720)은 상기 제 1 금속층(310)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광소자(500)는 와이어(600)를 더 포함할 수 있다. 상기 와이어(600)는 상기 제 1 전극(710) 상에 배치될 수 있다. 상기 와이어(600)는 발광소자(500)의 제 1 전극(710)과 상기 제 2 금속층(320) 사이에 배치될 수 있다. 상기 와이어(600)에 의해 상기 제 1 전극(710)은 상기 제 2 금속층(320)과 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)의 몸체(100)는 세라믹과 같은 고가의 재질을 생략할 수 있고 수지 재질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자 패키지(1000)의 제조 원가를 감소시킬 수 있고 공정 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 몸체(100) 상에 금속층(310, 320)을 배치하여 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광이 상기 몸체(100)에 입사되는 것을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 상기 몸체(100)가 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광에 의해 변형되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 몸체(100) 상에 상기 제 1 금속층(310)가 배치되고, 상기 제 1 금속층(310) 상에 상기 발광소자(500)가 배치됨에 따라 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 열을 효과적으로 배출시킬 수 있고 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에는 관통부(150)가 배치되어 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220) 사이, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 광 특성, 방열 특성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있고 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제 2 금속층(320) 상에는 보호소자가 더 배치될 수 있다. 상기 보호소자는 상기 캐비티(170)에 의해 노출된 상기 제 2 금속층(320) 상에 배치될 수 있다. 상기 보호소자는 제너 다이오드, 사이리스터(Thyristor), TVS(Transient Voltage Suppression) 등 일 수 있으나 이에 한정하지 않는다. 상기 보호소자는 상기 제 1 금속층(310) 및 상기 제 2 금속층(320)과 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 보호소자는 상기 제 2 금속층(320) 상에 배치될 수 있고, 상기 발광소자(500)의 와이어(600)와 구분되는 별도의 와이어를 통해 상기 제 1 금속층(310)과 연결될 수 있다. 상기 보호소자가 제너 다이오드인 경우 상기 보호소자는 ESD(Electro Static Discharge)로부터 상기 발광소자(500)를 보호할 수 있다.
도 5 내지 도 9는 도 2의 발광소자 패키지에서 관통부가 형성되는 위치가 변형된 예를 도시한 도면들이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 금속층(310)과 인접한 상기 캐비티(170)의 내측면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 내측면(IS1)을 제외한 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 중 적어도 하나의 내측면 상에 배치될 수 있다. 일례로, 도 5를 참조하면 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 내측면(IS2) 상에 배치될 수 있고, 상기 제 1 내측면(IS1), 상기 제 3 내측면(IS3) 및 상기 제 4 내측면(IS4)과 이격되어 배치될 수 있다. 다른 예로, 도 6을 참조하면 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 수 있고 상기 제 1 내측면(IS1)과 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 금속층(310)은 제 1 방향 및 제 2 방향 길이를 가질 수 있다. 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 제 2 방향 길이와 같거나 상이할 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 및 제 2 방향 중 적어도 한 방향의 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 및 제 2 방향 중 적어도 한 방향의 길이보다 길 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(310)의 면적은 상기 캐비티(170) 내의 상기 제 1 프레임(210)의 상면 면적보다 클 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 상면 전체와 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부를 덮으며 배치될 수 있고, 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 중 적어도 하나의 내측면 상에 배치될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 몸체부(110)의 분리부 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 중첩되지 않는 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 형성된 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 직접 접촉할 수 있다. 일례로, 도 5를 참조하면 상기 제 1 금속층(310)이 상기 제 2 내측면(IS2) 일부 영역 상에 배치될 경우 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부 영역, 상기 제 1 내측면(IS1) 전체 영역, 상기 제 3 내측면(IS3) 전체 영역 및 제 4 내측면(IS4) 전체 영역 상에 배치될 수 있고, 상기 제 1 금속층(310)이 배치되지 않은 상기 제 2 내측면(IS2) 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 다른 예로, 도 6을 참조하면 상기 제 1 금속층(310)이 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 일부 영역 상에 배치될 경우 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부 영역, 상기 제 1 내측면(IS1) 전체 영역과 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 각각의 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 상에 배치되는 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 중첩되지 않는 영역 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 내측면(IS1) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320)의 면적은 상기 제 2 내측면(IS2) 상에 배치된 제 2 금속층(320)의 면적보다 클 수 있다. 또한, 상기 제 1 내측면(IS1) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320)의 면적은 상기 제 3 및 제 4 내측면들(IS3, IS4) 상에 배치된 제 2 금속층(320)의 면적보다 클 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 몸체의 상면, 예컨대 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210)과 이격되어 배치될 수 있다.
즉, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220) 상에서 상기 제 1 몸체부(110)의 상면, 상기 제 2 몸체부(120)의 내측면 및 상기 제 2 몸체부(120)의 상면으로 연장될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)을 둘러싸며 상기 제 2 프레임(220)의 상면, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부, 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에서 서로 연결되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 제 1 방향 간격으로 정의되는 제 1 간격(d1)을 가질 수 있고 제 2 방향 간격으로 정의되는 제 2 간격(d2)을 가질 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 서로 대응될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 일정할 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 일정한 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)이 약 10㎛ 미만인 경우, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)의 이격 거리가 충분하지 않아 전기적 쇼트가 발생할 수 있다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 금속층을 분리하여 노출 영역(150)을 형성하는 공정 시 이격거리가 충분하지 않아 공정 불량이 발생할 수 있다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)이 약 140㎛ 초과할 경우, 발광소자(500)를 배치할 영역 확보가 어려울 수 있다. 따라서, 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에는 상술한 관통부(150)가 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 몸체(100)의 분리부 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 분리부와 수직 방향으로 중첩되는 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 분리부를 노출시킬 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)의 상면, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 및 적어도 하나의 내측면(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 수 있고, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치됨에 따라 상기 관통부(150)는 상기 제 1 및 제 2 몸체부(110, 120) 상에 위치할 수 있다. 즉, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 캐비티(170)의 경사면 상에 배치될 수 있다. 일례로, 도 5를 참조하면 상기 제 1 금속층(310)이 제 1 내측면(IS1), 제 3 내측면(IS3) 및 제 4 내측면(IS4)과 이격되어 상기 제 2 내측면(IS2) 일부 영역 상에 배치될 경우, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 내측면(IS2) 상에 위치할 수 있다. 다른 예로, 도 6을 참조하면 상기 제 1 금속층(310)이 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 상에 배치되고 제 1 내측면(IS1)과 이격될 경우, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 상에 위치할 수 있다.
상기 관통부(150)는 상기 제 1 금속층(310)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 1 금속층(310)의 전체 둘레를 둘러싸며 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정 너비를 가지며 상기 제 1 금속층(310)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 1 금속층(310)의 전체 둘레를 감싸며 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 몸체(100)의 상면을 노출할 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 및 상기 제 2 몸체부(120)의 상면을 노출할 수 있다.
상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이의 간격과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정한 폭을 가질 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
또한, 도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 몸체부(110)의 분리부와 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 프레임(220)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 몸체부(120)와 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 금속층(310)은 제 1 방향 및 제 2 방향 길이를 가질 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 제 2 방향 길이와 같거나 상이할 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 및 제 2 방향 길이는 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 및 제 2 방향 길이와 상이할 수 있다. 예를 들어, 도 8과 같이 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이보다 짧을 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)의 제 2 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 2 방향 길이보다 짧을 수 있다. 또한 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이보다 짧을 수 있고, 상기 제 1 금속층(310)의 제 2 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 2 방향 길이와 대응될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이와 대응될 수 있고, 상기 제 1 금속층(310)의 제 2 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 2 방향 길이보다 짧을 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(310)의 면적은 상기 캐비티(170) 내의 상기 제 1 프레임(210)의 상면 면적보다 작을 수 있다. 또한, 제 1 프레임(210)의 상면 일부는 상기 캐비티(170) 내에서 노출될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 몸체부(110)의 분리부 상에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 형성된 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 전체 영역 상에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 몸체(100)의 상면, 예컨대 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210)과 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부, 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에서 서로 연결되어 배치될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 이격될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170) 하면에 노출된 상기 제 1 프레임(210)과 이격될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 노출된 상기 제 1 프레임(210)과 제 1 방향 간격으로 정의되는 제 3 간격(d3)을 가질 수 있다. 상기 제 3 간격(d3)은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 3 간격(d3)은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 제 3 간격(d3)은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다. 상기 제 3 간격(d3)이 약 10㎛ 미만인 경우, 상기 제 2 금속층(320)과 상기 제 1 프레임(210)의 이격 거리가 충분하지 않아 전기적 쇼트가 발생할 수 있다. 또한, 상기 제 3 간격(d3)이 약 140㎛ 초과할 경우, 발광소자(500)를 배치할 영역 확보가 어려울 수 있다. 따라서, 상기 제 3 간격(d3)은은 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직하다. 또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210)과 제 2 방향 간격으로 정의되는 제 5 간격(미도시)을 가질 수 있다. 이때, 상기 제 5 간격은 상기 제 3 간격과 대응될 수 있다. 즉, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210)과 일정한 간격으로 이격될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 제 1 방향 간격으로 정의되는 제 4 간격(d4)을 가질 수 있다. 상기 제 4 간격(d4)은 상기 제 3 간격(d3)보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 프레임(210)의 상면 일부는 노출될 수 있다. 상기 제 4 간격(d4)은 상기 제 3 간격(d3)의 약 1.1배 내지 2배일 수 있다. 자세하게, 상기 제 4 간격(d4)은 상기 제 3 간격(d4)의 약 1.1배 내지 1.6배일 수 있다. 상기 제 4 간격(d4)이 상술한 범위를 만족하지 못할 경우, 상기 캐비티(170) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 상면 면적이 증가하여 상기 몸체(100)에 입사되는 광의 양이 증가할 수 있다. 따라서, 상기 제 4 간격(d4)은 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직할 수 있다. 또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)과 제 2 방향 간격으로 정의되는 제 6 간격(미도시)을 가질 수 있다. 이때, 상기 제 6 간격은 상기 제 4 간격과 대응될 수 있다. 즉, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 일정한 간격으로 이격될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에는 상술한 관통부(150)가 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 1 프레임(210) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 상기 몸체(100)의 분리부 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 금속층(310)에 의해 노출되는 상기 제 1 프레임(210) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 관통부(150)는 상기 제 2 몸체부(120)와 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 몸체(100)의 상면 및 상기 제 1 프레임(210)의 상면을 노출할 수 있다.
상기 관통부(150)는 상기 제 1 금속층(310)의 둘레에 위치할 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 금속층(310) 및 상기 제 1 금속층(310)에 의해 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 일정한 너비를 가지며 상기 제 1 금속층(310) 및 상기 제 1 프레임(210) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정한 너비로 상기 제 1 금속층(310) 및 상기 제 1 프레임(210) 둘레 전체 영역에 배치될 수 있다.
상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 2 금속층(320)과 상기 제 1 프레임(210) 사이의 간격과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 3 간격(d3)과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정한 폭을 가질 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
도 10 및 도 11은 도 2의 발광소자 패키지에서 제 1 금속층이 생략된 예를 도시한 도면이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 몸체(100)는 상기 제 1 프레임(210) 및 상기 제 2 프레임(220)을 지지할 수 있다. 상기 몸체(100)는 상기 제 1 및 제 2 프레임 사이에 배치되는 분리부를 포함할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220)은 상기 분리부에 의해 물리적으로 이격될 수 있다.
상기 몸체(100) 상에는 금속층(320)이 배치될 수 있다. 상기 금속층(320)은 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속층(320)은 상기 몸체(100)의 분리부 상에 배치될 수 있고, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 형성되는 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 수 있고 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 금속층(320)은 캐비티(170)를 가질 수 있다. 상기 금속층(320)은 상기 몸체(100)와 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220) 상에 배치될 수 있다. 상기 금속층(320)은 상기 캐비티(170) 하면에 노출되는 상기 제 2 프레임(220) 상면 전체를 덮으며 배치될 수 있다. 상기 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 금속층(320)은 관통홀(TH)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)은 상기 캐비티(170)의 바닥면 상에 배치될 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 상기 제 1 프레임(210)과 수직 방향으로 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 상기 캐비티(170) 바닥면 상에 노출되는 상기 제 1 프레임(210)보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 관통홀(TH)의 제 1 및 제 2 방향 길이 중 적어도 한 방향의 길이는 상기 캐비티(170) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 및 제 2 방향 길이 중 적어도 한 방향의 길이보다 길 수 있다. 일례로 상기 관통홀(TH)의 제 1 및 제 2 방향 각각의 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 및 제 2 방향 각각의 길이보다 길 수 있다. 이에 따라, 상기 관통홀(TH)은 상기 제 1 프레임(210)의 상면 전체를 노출시킬 수 있다. 또한, 상기 관통홀(TH)은 상기 캐비티(170) 하면을 노출할 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면을 노출할 수 있다. 상기 관통홀(TH)은 분리부를 노출할 수 있다.
상기 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210)과 이격되어 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 금속층(320)은 상기 관통홀(TH)에 의해 상기 제 1 프레임(210)과 이격될 수 있다. 상기 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 금속층(320)은 상기 제 1 프레임 전체 둘레를 감싸며 배치될 수 있다. 상기 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210)과 제 1 방향 간격으로 정의되는 제 1 간격(d1)을 가질 수 있고 제 2 방향 간격으로 정의되는 제 2 간격(d2)을 가질 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 서로 대응될 수 있다. 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
상기 발광소자(500)는 상기 캐비티(170) 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자(500)는 상기 관통홀(TH) 내에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 발광소자(500)는 상기 관통홀(TH)에 의해 노출되는 상기 제 1 프레임(210) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 프레임(210)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 발광소자(500)는 상기 관통홀(TH) 내측에 배치된 상기 제 1 프레임(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자(500)는 상술한 제 1 금속층(310) 없이 도전부 등에 의해 상기 제 1 프레임(210)과 전기적으로 연결될 수 있고, 와이어(600) 등에 의해 상기 금속층(320)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 12는 도 2의 발광소자 패키지가 돌출부를 더 포함하는 구조에 대한 평면도이고, 도 13은 도 12의 발광소자 패키지의 C-C'단면도이다. 또한, 도 14 내지 도 20은 도 12의 발광소자 패키지에서 관통부가 형성되는 위치가 변형된 예를 도시한 도면들이다. 도 12 내지 도 20을 이용한 설명에서는 앞서 설명한 실시예에 따른 발광소자 패키지와 동일 유사한 구성에 대해서는 설명을 생략하며, 동일 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여한다.
도 12 내지 도 20을 참조하면, 상기 몸체(100)는 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220)을 지지하며 상기 몸체(100)는 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220) 사이에 배치되는 분리부를 포함할 수 있다.
상기 몸체(100) 상에는 격벽부(130)가 더 배치될 수 있다. 상기 격벽부(130)는 상기 분리부 상에 배치될 수 있다. 상기 격벽부(130)는 상기 캐비티(170) 하면에 노출되는 몸체(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 격벽부(130)는 상기 제 1 몸체부(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 격벽부(130)는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면으로부터 상부 방향으로 돌출되는 형상을 가질 수 있다. 상기 격벽부(130)는 상기 몸체(100)와 일체로 형성될 수 있다.
상기 격벽부(130)는 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220) 사이에 배치될 수 있다. 상기 격벽부(130)는 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220)의 상면 사이에 배치될 수 있다.
상기 격벽부(130)는 제 1 방향 및 제 2 방향 길이를 가질 수 있다. 상기 격벽부(130)의 제 1 방향 길이는 제 2 방향 길이보다 짧을 수 있다. 상기 격벽부(130)의 제 1 방향 길이는 상기 캐비티(170) 하면에 노출되는 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220)의 상면 사이의 거리보다 짧을 수 있다.
상기 격벽부(130)는 상기 캐비티(170) 내에서 제 2 방향으로 연장할 수 있다. 상기 격벽부(130)의 제 2 방향 길이는 상기 캐비티(170) 하면에 배치되는 상기 제 1 몸체부(110)의 제 2 방향 길이와 같거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 격벽부(130)의 제 2 방향 길이는 상기 캐비티(170) 하면에 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 길이보다 길 수 있다. 이에 따라, 상기 격벽부(130)는 제 2 방향으로 서로 마주하는 상기 제 3 내측면(IS3) 및 상기 제 4 내측면(IS4)과 접할 수 있다. 이에 따라, 상기 몸체(100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 자세하게, 상기 격벽부(130)가 제 1 몸체부(110)의 상면 및 상기 제 2 몸체부(120)의 내측면과 연결됨에 따라 외부 충격, 열 팽창 등에 의한 응력을 효과적으로 분산시킬 수 있어 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이와 다르게, 상기 격벽부(130)의 제 2 방향 길이는 상기 제 1 몸체부(110)의 제 2 방향 길이보다 짧을 수 있다. 자세하게, 상기 격벽부(130)의 제 2 방향 길이는 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220) 각각의 제 2 방향의 길이보다 길수 있고, 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 제 2 방향 길이보다 짧을 수 있다. 이에 따라, 상기 격벽부(130)는 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격되어 배치될 수 있다.
상기 격벽부(130)는 복수 개의 면을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 격벽부(130)는 상기 제 1 내측면(IS1)과 마주하는 제 1 면(131) 및 상기 제 2 내측면(IS2)과 마주하는 제 2 면(132)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 면(131)은 상기 제 2 프레임(220)과 인접하는 면일 수 있고, 상기 제 2 면(132)은 상기 제 1 프레임(210)과 인접하며 상기 발광소자(500)와 대면하는 면일 수 있다. 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132)은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에 대해 경사질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 면(131)은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에 대해 제 1 경사각을 가질 수 있고, 상기 제 2 면은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면에 대해 제 2 경사각을 가질 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 경사각은 엇각일 수 있다. 상기 제 1 면(131)의 제 1 경사각은 상기 제 2 면(132)의 제 2 경사각과 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 경사각은 상기 제 2 경사각보다 작을 수 있다.
상기 제 1 면(131) 및 상기 제 2 면(132)은 평면 및 곡면 중 적어도 하나의 면을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 제 1 면(131)은 곡면일 수 있고 상기 제 2 면(132)은 평면일 수 있다. 다른 예로, 상기 제 1 면(131)은 평면과 곡면을 모두 포함할 수 있고, 상기 제 2 면(132)은 평면일 수 있다.
상기 격벽부(130)는 너비를 가질 수 있다. 상기 너비는 상기 격벽부(130)의 제 1 방향 길이일 수 있다. 상기 격벽부(130)의 너비는 상부로 갈수록 작아질 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 면(131)과 상기 제 2 면(132) 사이의 간격은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에서 멀어질수록 감소할 수 있다.
상기 격벽부(130)의 너비는 약 320㎛ 내지 약 360㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 격벽부(130)의 너비는 약 330㎛ 내지 약 350㎛일 수 있다. 여기서, 상술한 범위는 상기 격벽부(130)의 최대 너비를 의미할 수 있다. 또한, 상기 격벽부(130)의 수직 방향 높이는 상기 캐비티(170)의 높이보다 낮을 수 있다. 상기 캐비티(170) 내에서 상기 격벽부(130)의 최상부는 상기 발광소자(500)의 최상면보다 상부에 위치할 수 있다. 상기 격벽부(130)의 수직 방향(제 3 방향) 높이는 약 100㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 격벽부(130)의 높이는 약 100㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다. 여기서 상기 격벽부(130)의 높이는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에서 상기 격벽부(130)의 최상부까지의 높이를 의미할 수 있다. 또한, 상기 격벽부(130)의 높이는 상기 발광소자(500)의 수직 방향 두께보다 높을 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500) 및 상기 제 2 금속층(320) 사이에 배치되는 와이어(600)의 오픈 불량을 방지할 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220) 상에는 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)이 각각 배치될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 제 1 프레임(210) 상에는 제 1 금속층(310)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다.
상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 프레임(220)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 금속층(320)과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격되어 배치될 수 있고, 상기 격벽부(130)와 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 금속층(310)의 제 1 및 제 2 방향의 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 및 제 2 방향 길이와 각각 대응될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(310)의 면적은 상기 캐비티(170) 하면의 상기 제 1 프레임(210) 면적과 대응될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 상면 전체를 덮으며 배치될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 몸체부(110)의 분리부 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 형성된 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 전체 영역 상에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 몸체(100)의 상면, 예컨대 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210)과 이격되어 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 전체 영역 및 상기 제 2 면(132)의 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132)과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부, 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131), 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132), 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에서 서로 연결되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 제 1 방향 간격으로 정의되는 제 1 간격(d1)을 가질 수 있고 제 2 방향 간격으로 정의되는 제 2 간격(d2)을 가질 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 서로 대응될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 일정할 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 일정한 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)이 약 10㎛ 미만인 경우, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)의 이격 거리가 충분하지 않아 전기적 쇼트가 발생할 수 있다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 금속층을 분리하여 노출 영역(150)을 형성하는 공정 시 이격거리가 충분하지 않아 공정 불량이 발생할 수 있다. 또한, 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)이 약 140㎛ 초과할 경우, 발광소자(500)를 배치할 영역 확보가 어려울 수 있다. 따라서, 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 상술한 범위를 만족하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에는 관통부(150)가 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 분리부 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격될 수 있다. 즉, 상기 관통부(150)는 상기 제 2 몸체부(120)와 이격될 수 있다. 또한, 상기 관통부(150)는 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 2 면(132) 상에 배치될 수 있다.
상기 관통부(150)는 상기 제 1 금속층(310)의 둘레에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 도 12에 도시된 바와 같이 일정 너비를 가지며 상기 제 1 금속층(310)의 둘레를 둘러싸며 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정 너비로 상기 제 1 금속층(310)의 둘레 전체 영역에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 몸체(100)의 상면을 노출할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 및 상기 격벽부(130)의 상면을 노출할 수 있다.
상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이의 간격과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정한 폭을 가질 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
즉, 실시예는 상기 격벽부(130)에 의해 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 반사할 수 있다. 예를 들어, 상기 격벽부(130) 상에 금속층이 배치됨에 따라 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광은 효과적으로 상부로 반사될 수 있다. 이에 따라 실시예에 따른 발광소자 패키지(1100)의 광 추출 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 금속층(310) 상에 배치되어 상기 제 1 프레임(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)와 상기 제 2 금속층(320) 사이에는 와이어(600)가 배치되어 상기 발광소자(500)는 상기 제 2 프레임(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 와이어(600)는 상기 발광소자(500)로부터 연장되어 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320)와 연결될 수 있다. 이때, 상기 격벽부(130)가 상기 제 1 몸체부(110)의 상면으로부터 돌출됨으로써 상기 와이어(600)의 양 끝단 사이의 직선 거리는 더 짧아질 수 있다. 또한, 상기 와이어(600)의 양 끝단 사이의 높이 차이는 줄어들 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)와 상기 제 2 금속층(320) 사이를 연결하는 와이어(600)의 오픈 불량을 방지할 수 있다.
도 14를 참조하면, 제 1 프레임(210) 상에는 제 1 금속층(310)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다.
상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 프레임(220)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 금속층(320)과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132) 상에 배치될 수 있고, 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131)과 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132) 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132)과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 1 금속층(310)의 제 2 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이와 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이보다 길 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(310)의 면적은 상기 캐비티(170) 하면의 상기 제 1 프레임(210) 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 상면 전체를 덮으며 배치될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 형성된 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 전체 영역 상에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 몸체(100)의 상면, 예컨대 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210)과 이격되어 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 면(131) 전체 영역 및 상기 제 2 면(132)의 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 면(132) 상에 배치되는 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 면(132) 상에 배치된 상기 제 1 금속층(310)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132)과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부, 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131), 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132), 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에서 서로 연결되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 제 1 방향 간격으로 정의되는 제 1 간격(d1)을 가질 수 있고 제 2 방향 간격으로 정의되는 제 2 간격(d2)을 가질 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 서로 대응될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 일정할 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 일정한 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에는 관통부(150)가 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 분리부 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격될 수 있다. 즉, 상기 관통부(150)는 상기 제 2 몸체부(120)와 이격될 수 있다. 또한, 상기 관통부(150)는 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 2 면(132) 상에 배치될 수 있다.
상기 관통부(150)는 상기 제 1 금속층(310)의 둘레에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 도 12에 도시된 바와 같이 일정 너비를 가지며 상기 제 1 금속층(310)의 둘레를 둘러싸며 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정 너비로 상기 제 1 금속층(310)의 둘레 전체 영역에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 몸체(100)의 상면을 노출할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 및 상기 격벽부(130)의 상면을 노출할 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 및 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132)을 노출할 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이의 간격과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정한 폭을 가질 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
즉, 실시예는 상기 격벽부(130)에 의해 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 반사할 수 있다. 예를 들어, 상기 격벽부(130) 상에 금속층이 배치됨에 따라 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광은 효과적으로 상부로 반사될 수 있다. 이에 따라 실시예에 따른 발광소자 패키지(1100)의 광 추출 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 금속층(310) 상에 배치되어 상기 제 1 프레임(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)와 상기 제 2 금속층(320) 사이에는 와이어(600)가 배치되어 상기 발광소자(500)는 상기 제 2 프레임(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 와이어(600)는 상기 발광소자(500)로부터 연장되어 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320)와 연결될 수 있다. 이때, 상기 격벽부(130)가 상기 제 1 몸체부(110)의 상면으로부터 돌출됨으로써 상기 와이어(600)의 양 끝단 사이의 직선 거리는 더 짧아질 수 있다. 또한, 상기 와이어(600)의 양 끝단 사이의 높이 차이는 줄어들 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)와 상기 제 2 금속층(320) 사이를 연결하는 와이어(600)의 오픈 불량을 방지할 수 있다.
도 15를 참조하면, 상기 제 1 프레임(210) 상에는 제 1 금속층(310)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다.
상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 프레임(220)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 금속층(320)과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132) 상에 배치될 수 있고, 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131)과 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132) 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132)과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 1 금속층(310)의 제 2 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이와 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이보다 길 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(310)의 면적은 상기 캐비티(170) 하면의 상기 제 1 프레임(210) 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 상면 전체를 덮으며 배치될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 형성된 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 전체 영역 상에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 몸체(100)의 상면, 예컨대 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210)과 이격되어 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 상에 배치될 수 있고, 상기 제 2 면(132)과 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 면(131)의 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131)과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부, 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131), 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에서 서로 연결되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 제 1 방향 간격으로 정의되는 제 1 간격(d1)을 가질 수 있고 제 2 방향 간격으로 정의되는 제 2 간격(d2)을 가질 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 서로 대응될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 일정할 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 일정한 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에는 관통부(150)가 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 분리부 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격될 수 있다. 즉, 상기 관통부(150)는 상기 제 2 몸체부(120)와 이격될 수 있다. 또한, 상기 관통부(150)는 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 1 면(131) 및 상기 제 2 면(132) 상에 배치될 수 있다.
상기 관통부(150)는 상기 제 1 금속층(310)의 둘레에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 도 12에 도시된 바와 같이 일정 너비를 가지며 상기 제 1 금속층(310)의 둘레를 둘러싸며 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정 너비로 상기 제 1 금속층(310)의 둘레 전체 영역에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 몸체(100)의 상면을 노출할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면, 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132)을 노출할 수 있다.
상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이의 간격과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정한 폭을 가질 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
즉, 실시예는 상기 격벽부(130)에 의해 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 반사할 수 있다. 예를 들어, 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132) 상에 제 1 금속층(310)이 배치됨에 따라 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광은 효과적으로 상부로 반사될 수 있다. 이에 따라 실시예에 따른 발광소자 패키지(1100)의 광 추출 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 금속층(310) 상에 배치되어 상기 제 1 프레임(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)와 상기 제 2 금속층(320) 사이에는 와이어(600)가 배치되어 상기 발광소자(500)는 상기 제 2 프레임(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 와이어(600)는 상기 발광소자(500)로부터 연장되어 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320)와 연결될 수 있다. 이때, 상기 격벽부(130)가 상기 제 1 몸체부(110)의 상면으로부터 돌출됨으로써 상기 와이어(600)의 양 끝단 사이의 직선 거리는 더 짧아질 수 있다. 또한, 상기 와이어(600)의 양 끝단 사이의 높이 차이는 줄어들 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)와 상기 제 2 금속층(320) 사이를 연결하는 와이어(600)의 오픈 불량을 방지할 수 있다.
도 16을 참조하면, 상기 제 1 프레임(210) 상에는 제 1 금속층(310)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다.
상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 프레임(220)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 금속층(320)과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 일부 영역과 제 2 면(132) 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132)과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 1 금속층(310)의 제 2 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이와 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이보다 길 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(310)의 면적은 상기 캐비티(170) 하면의 상기 제 1 프레임(210) 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 상면 전체를 덮으며 배치될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 형성된 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 전체 영역 상에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 몸체(100)의 상면, 예컨대 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210)과 이격되어 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130)와 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132)과 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부, 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에서 서로 연결되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 제 1 방향 간격으로 정의되는 제 1 간격(d1)을 가질 수 있고 제 2 방향 간격으로 정의되는 제 2 간격(d2)을 가질 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 서로 대응될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 일정할 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 일정한 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에는 관통부(150)가 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 분리부 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격될 수 있다. 즉, 상기 관통부(150)는 상기 제 2 몸체부(120)와 이격될 수 있다. 또한, 상기 관통부(150)는 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 상에 배치될 수 있고, 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132)과 이격될 수 있다.
상기 관통부(150)는 상기 제 1 금속층(310)의 둘레에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 도 12에 도시된 바와 같이 일정 너비를 가지며 상기 제 1 금속층(310)의 둘레를 둘러싸며 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정 너비로 상기 제 1 금속층(310)의 둘레 전체 영역에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 몸체(100)의 상면을 노출할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 및 상기 격벽부(130)의 상면을 노출할 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 및 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131)을 노출할 수 있다.
상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이의 간격과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정한 폭을 가질 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
즉, 실시예는 상기 격벽부(130)에 의해 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 반사할 수 있다. 자세하게, 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132) 상에 제 1 금속층(310)이 배치됨에 따라 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광은 효과적으로 상부로 반사될 수 있다. 이에 따라 실시예에 따른 발광소자 패키지(1100)의 광 추출 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예는 상기 발광소자(500)가 배치되는 상기 제 1 금속층(310)이 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132) 상에 배치됨에 따라 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 및 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 상에 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광이 상기 몸체(100)에 입사되는 것을 최소화할 수 있어 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 17을 참조하면, 제 1 프레임(210) 상에는 제 1 금속층(310)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 내측면(IS1)을 제외한 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 중 적어도 하나의 내측면 상에 배치될 수 있다. 일례로, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 내측면(IS2) 상에 배치될 수 있고, 상기 제 1 내측면(IS1), 상기 제 3 내측면(IS3) 및 상기 제 4 내측면(IS4)과 이격되어 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 내측면(IS2)과 직접 접촉할 수 있다. 다른 예로, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 수 있고 상기 제 1 내측면(IS1)과 이격되어 배치될 수 있다. 이 경우, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4)과 직접 접촉할 수 있다.
또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)와 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132)과 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 금속층(310)의 제 2 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이와 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이보다 길 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(310)의 면적은 상기 캐비티(170) 하면의 상기 제 1 프레임(210) 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 상면 전체를 덮으며 배치될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 중첩되지 않는 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 형성된 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 직접 접촉할 수 있다. 일례로, 상기 제 1 금속층(310)이 상기 제 2 내측면(IS2) 일부 영역 상에 배치될 경우 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내측면(IS1) 전체 영역, 상기 제 3 내측면(IS3) 전체 영역 및 제 4 내측면(IS4) 전체 영역 상에 배치될 수 있고, 상기 제 1 금속층(310)이 배치되지 않은 상기 제 2 내측면(IS2) 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 다른 예로, 상기 제 1 금속층(310)이 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 일부 영역 상에 배치될 경우 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내측면(IS1) 전체 영역과 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 각각의 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 상에 배치되는 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 중첩되지 않는 영역 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 내측면(IS1) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320)의 면적은 상기 제 2 내측면(IS2) 상에 배치된 제 2 금속층(320)의 면적보다 클 수 있다. 또한, 상기 제 1 내측면(IS1) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320)의 면적은 상기 제 3 및 제 4 내측면들(IS3, IS4) 상에 배치된 제 2 금속층(320)의 면적보다 클 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 몸체(100)의 상면, 예컨대 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 전체 영역 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210)과 이격되어 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130)제 1 면(131) 및 제 2 면(132) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 전체 영역 및 제 2 면(132)의 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132)과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부, 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131), 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132), 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에서 서로 연결되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 제 1 방향 간격으로 정의되는 제 1 간격(d1)을 가질 수 있고 제 2 방향 간격으로 정의되는 제 2 간격(d2)을 가질 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 서로 대응될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 일정할 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 일정한 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에는 관통부(150)가 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 분리부 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 관통부(150)는 상기 제 2 몸체부(120) 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)는 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 중 적어도 하나의 내측면 상에 배치될 수 있다. 일례로, 상기 제 1 금속층(310)이 상기 제 2 내측면(IS2) 상에 배치될 경우, 상기 관통부(150)는 상기 제 2 내측면(IS2) 상에 배치될 수 있다. 다른 예로, 상기 제 1 금속층(310)이 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 경우, 상기 관통부(150)는 상기 제 2 내지 제 4 내측면들(IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 관통부(150)는 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 2 면(132) 상에 배치될 수 있다.
상기 관통부(150)는 상기 제 1 금속층(310)의 둘레에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 일정 너비를 가지며 상기 제 1 금속층(310)의 둘레를 둘러싸며 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정 너비로 상기 제 1 금속층(310)의 둘레 전체 영역에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 몸체(100)의 상면을 노출할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면, 상기 제 2 몸체부(120)의 내측면 및 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132)을 노출할 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이의 간격과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정한 폭을 가질 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
또한, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 관통부(150)는 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131)과 수직 방향으로 중첩되는 영역 상에 배치될 수 있고 상기 제 2 면(132)과 이격될 수 있다. 또한, 상기 관통부(150)는 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132)과 수직 방향으로 중첩되는 영역 상에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 상에 배치되어 상기 관통부(150)는 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131)과 수직 방향으로 중첩되는 영역에 위치할 수 있다.
즉, 실시예는 상기 격벽부(130)에 의해 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 반사할 수 있다. 자세하게, 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132) 상에 금속층이 배치됨에 따라 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광은 효과적으로 상부로 반사될 수 있다. 이에 따라 실시예에 따른 발광소자 패키지(1100)의 광 추출 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예는 상기 발광소자(500)가 배치되는 상기 제 1 금속층(310)이 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132) 상에 배치됨에 따라 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 및 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 상에 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광이 상기 몸체(100)에 입사되는 것을 최소화할 수 있어 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 발광소자(500)는 상기 제 1 금속층(310) 상에 배치되어 상기 제 1 프레임(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(500)와 상기 제 2 금속층(320) 사이에는 와이어(600)가 배치되어 상기 발광소자(500)는 상기 제 2 프레임(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 와이어(600)는 상기 발광소자(500)로부터 연장되어 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320)와 연결될 수 있다. 이때, 상기 격벽부(130)가 상기 제 1 몸체부(110)의 상면으로부터 돌출됨으로써 상기 와이어(600)의 양 끝단 사이의 직선 거리는 더 짧아질 수 있다. 또한, 상기 와이어(600)의 양 끝단 사이의 높이 차이는 줄어들 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)와 상기 제 2 금속층(320) 사이를 연결하는 와이어(600)의 오픈 불량을 방지할 수 있다.
도 18을 참조하면, 상기 격벽부(130)는 복수 개의 면을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 격벽부(130)는 상기 제 1 내측면(IS1)과 마주하는 제 1 면(131), 상기 제 2 내측면(IS2)과 마주하는 제 2 면(132) 및 상기 제 1 면(131) 및 상기 제 2 면(132)을 연결하는 상면을 포함할 수 있다. 상기 격벽부(130)의 상면은 상기 몸체(100)의 상면과 평행할 수 있다. 자세하게, 상기 격벽부(130)의 상면은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면과 평행할 수 있다. 상기 격벽부(130)의 상면은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면과 평행할 수 있다. 또한, 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132)은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에 대해 경사질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 면(131)은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에 대해 제 1 경사각을 가질 수 있고, 상기 제 2 면은 상기 제 2 몸체부(120)의 상면에 대해 제 2 경사각을 가질 수 있다. 상기 제 1 면(131)의 제 1 경사각은 상기 제 2 면(132)의 제 2 경사각과 상이할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 경사각 각각은 엇각이며 상기 제 1 경사각은 상기 제 2 경사각보다 작을 수 있다.
상기 제 1 면(131) 및 상기 제 2 면(132)은 평면 및 곡면 중 적어도 하나의 면을 포함할 수 있다. 일례로, 상기 제 1 면(131)은 곡면일 수 있고 상기 제 2 면(132)은 평면일 수 있다. 다른 예로, 상기 제 1 면(131)은 평면과 곡면을 모두 포함할 수 있고, 상기 제 2 면(132)은 평면일 수 있다. 상기 제 1 면(131)과 상기 제 2 면(132) 사이의 간격은 상기 제 1 몸체부(110)의 상면에서 상부 방향으로 갈수록 감소할 수 있다.
상기 제 1 프레임(210) 상에는 제 1 금속층(310)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다.
상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 프레임(220)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 금속층(320)과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132) 상에 배치될 수 있고, 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132)과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 1 금속층(310)의 제 2 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이와 상이할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이보다 길 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(310)의 면적은 상기 캐비티(170) 하면의 상기 제 1 프레임(210) 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 캐비티(170) 하면에 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 상면 전체를 덮으며 배치될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 몸체(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 형성된 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 상에 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 전체 영역 상에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 상에 배치될 수 있고, 상기 제 2 면(132)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131)과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부, 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131), 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에서 서로 연결되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 제 1 방향 간격으로 정의되는 제 1 간격(d1)을 가질 수 있고 제 2 방향 간격으로 정의되는 제 2 간격(d2)을 가질 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 서로 대응될 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 간격(d1, d2)은 일정할 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 일정한 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에는 관통부(150)가 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 분리부 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격될 수 있다. 즉, 상기 관통부(150)는 상기 제 2 몸체부(120)와 이격될 수 있다. 또한, 상기 관통부(150)는 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 격벽부(130)의 상면 상에 배치될 수 있다.
상기 관통부(150) 상기 제 1 금속층(310)의 둘레에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 도 12에 도시된 바와 같이 일정 너비를 가지며 상기 제 1 금속층(310)의 둘레를 둘러싸며 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정 너비로 상기 제 1 금속층(310)의 둘레 전체 영역에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 몸체(100)의 상면을 노출할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 및 상기 격벽부(130)의 상면을 노출할 수 있다.
상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이의 간격과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 상기 제 1 간격(d1) 및 상기 제 2 간격(d2)과 대응될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정한 폭을 가질 수 있다. 상기 관통부(150)의 폭은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 관통부(150)의 폭은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
즉, 실시예는 상기 격벽부(130)에 의해 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 반사할 수 있다. 자세하게, 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 상에 제 2 금속층(320)이 배치되고 제 2 면(132) 상에 제 1 금속층(310)이 배치되어 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광은 효과적으로 상부로 반사될 수 있다. 이에 따라 실시예에 따른 발광소자 패키지(1100)의 광 추출 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예는 상기 관통부(150)가 상기 격벽부(130)의 상면 상에 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광이 상기 몸체(100)에 입사되는 것을 최소화할 수 있어 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 와이어(600)는 상기 발광소자(500)로부터 연장되어 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 상에 배치된 상기 제 2 금속층(320)와 연결될 수 있다. 이때, 상기 격벽부(130)가 상기 제 1 몸체부(110)의 상면으로부터 돌출됨으로써 상기 와이어(600)의 양 끝단 사이의 직선 거리는 더 짧아질 수 있다. 또한, 상기 와이어(600)의 양 끝단 사이의 높이 차이는 줄어들 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)와 상기 제 2 금속층(320) 사이를 연결하는 와이어(600)의 오픈 불량을 방지할 수 있다.
도 19 및 도 20을 참조하면, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 1 프레임(210) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)은 제 1 방향 및 제 2 방향 길이를 가질 수 있다. 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 제 2 방향 길이와 같거나 상이할 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 및 제 2 방향 길이는 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 및 제 2 방향 길이와 상이할 수 있다. 예를 들어, 도 19에 도시된 바와 같이 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이보다 짧을 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)의 제 2 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 2 방향 길이보다 짧을 수 있다. 또한 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이보다 짧을 수 있고, 상기 제 1 금속층(310)의 제 2 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 2 방향 길이와 대응될 수 있다. 이와 다르게, 상기 제 1 금속층(310)의 제 1 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 1 방향 길이와 대응될 수 있고, 상기 제 1 금속층(310)의 제 2 방향 길이는 상기 제 1 프레임(210)의 제 2 방향 길이보다 짧을 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(310)의 면적은 상기 캐비티(170) 내의 상기 제 1 프레임(210)의 상면 면적보다 작을 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(310)은 상기 제 2 몸체부(120)와 이격되어 배치될 수 있다. 따라서, 제 1 프레임(210)의 상면 일부는 상기 캐비티(170) 내에서 노출될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)과 수직 방향으로 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 몸체(100) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 캐비티(170)에 의해 노출되는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 몸체부(120)의 내측면 및 상면 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131) 및 제 2 면(132) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 면(131) 전체 영역 및 상기 제 2 면(132)의 일부 영역 상에 배치될 수 있다.
상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 2 프레임(220)의 상면, 상기 제 1 몸체부(110)의 상면 일부, 상기 격벽부(130)의 제 1 면(131), 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132), 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4) 및 상기 제 2 몸체부(120)의 상면 상에서 서로 연결되어 배치될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320)은 서로 이격될 수 있다. 또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 프레임(210)과 이격될 수 있다. 상기 제 2 금속층(320)은 노출된 상기 제 1 프레임(210)과 제 1 방향 간격으로 정의되는 제 3 간격(d3)을 가질 수 있다. 상기 제 3 간격(d3)은 약 10㎛ 내지 약 140㎛일 수 있다. 자세하게, 상기 제 3 간격(d3)은 약 40㎛ 내지 약 130㎛일 수 있다. 바람직하게, 상기 제 3 간격(d3)은 약 80㎛ 내지 약 120㎛일 수 있다.
또한, 상기 제 2 금속층(320)은 상기 제 1 금속층(310)과 제 1 방향 간격으로 정의되는 제 4 간격(d4)을 가질 수 있다. 상기 제 4 간격(d4)은 상기 제 3 간격(d3) 보다 클 수 있다. 상기 제 4 간격(d4)은 상기 제 3 간격(d3)의 약 1.1배 내지 2배일 수 있다. 자세하게, 상기 제 4 간격(d4)은 상기 제 3 간격(d4)의 약 1.1배 내지 1.6배일 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 프레임(210)의 상면 일부는 노출될 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 금속층(310, 320) 사이에는 상술한 관통부(150)가 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110) 및 상기 제 1 프레임(210) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 분리부 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 금속층(310)에 의해 노출되는 상기 제 1 프레임(210) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 관통부(150)는 상기 격벽부(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 2 면(132) 상에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 제 2 몸체부(120)와 이격될 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 내지 제 4 내측면들(IS1, IS2, IS3, IS4)과 이격될 수 있다.
상기 관통부(150)는 상기 캐비티(170) 하면의 제 1 프레임(210) 및 제 1 금속층(310)의 둘레에 위치할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 도 19에 도시된 바와 같이 일정 너비를 가지며 상기 제 1 금속층(310) 및 상기 제 1 프레임(210)의 둘레를 둘러싸며 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 일정 너비로 상기 제 1 금속층(310) 및 상기 제 1 프레임(210)의 둘레 전체 영역에 배치될 수 있다. 상기 관통부(150)는 상기 몸체(100)의 상면 및 상기 제 1 프레임(210)을 노출할 수 있다. 예를 들어, 상기 관통부(150)는 상기 제 1 몸체부(110)의 상면, 상기 격벽부(130)의 제 2 면(132) 및 상기 제 1 프레임(210)의 상면을 노출할 수 있다.
도 21 및 도 22는 실시예에 따른 발광소자 패키지가 회로기판에 배치된 예를 도시한 도면으로 광원 모듈의 예를 도시한 도면이다.
도 21은 도 2의 발광소자 패키지(1000)가 회로기판에 배치된 예를 도시한 도면이고 도 22는 도 12의 발광소자 패키지(1100)가 회로기판에 배치된 예를 도시한 도면이다.
도 21 및 도 22를 참조하면, 상기 광원 모듈은 하나 또는 복수 개의 발광소자 패키지(1000)가 회로기판(810) 상에 배치될 수 있다. 상기 회로기판(810)에는 상기 발광소자 패키지의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다.
상기 발광소자 패키지는 상기 회로기판(810) 상에 배치될 수 있다. 상기 회로기판(810)은 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 상기 회로기판(810)은 수지 재질의 PCB, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB), 리지드 PCB(rigid PCB) 중 적어도 하나를 포함할 수도 있다. 상기 회로기판(810)은 수지 또는 금속 재질의 베이스층 상에 절연층 또는 보호층(830)이 배치되며, 상기 절연층 또는 보호층(830)으로부터 노출된 패드(851, 852)가 배치된다. 상기 패드(851, 852)는 하나 또는 복수의 발광소자 패키지를 전기적으로 연결시켜 줄 수 있다. 상기 절연층 또는 보호층(830)은 솔더레지스트 재질이거나, 수지 재질일 수 있다.
상기 발광소자 패키지는 상기 회로기판(810)의 상면과 대면하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광소자 패키지의 바닥면은 상기 회로기판(810)의 상면과 대면하도록 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 및 제 2 프레임(210, 220)의 바닥면이 상기 회로기판(810)의 상면과 대면하도록 배치될 수 있다.
상기 패드(851, 852)는 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다.
상기 패드(851, 852)는 제 1 패드(851) 및 제 2 패드(852)를 포함할 수 있다. 상기 패드(851, 852)는 서로 이격되는 제 1 패드(851) 및 제 2 패드(852)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 패드(851)는 상기 제 1 프레임(210)과 수직 방향(제 3 방향)으로 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 상기 제 2 패드(852)는 상기 제 2 프레임(220)과 수직 방향(제 3 방향)으로 대응되는 위치에 배치될 수 있다.
상기 제 1 패드(851)는 상기 제 1 프레임(210)과 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제 2 패드(852)는 상기 제 2 프레임(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 1 패드(851) 및 상기 제 1 프레임(210) 사이에는 제 1 도전부(871)가 배치될 수 있고, 상기 제 2 패드(852) 및 상기 제 2 프레임(220) 사이에는 제 2 도전부(871, 872)가 배치될 수 있다. 상기 제 1 도전부(871) 및 상기 제 2 도전부(871, 872)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 도전부(871) 및 상기 제 2 도전부(871, 872)는 물리적으로 분리될 수 있고 이에 따라, 상기 제 1 및 제 2 도전부들(871, 872) 사이의 전기적 단락을 방지할 수 있다.
상기 도전부(871, 872)는 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 도전부(871, 872)는 솔더계 페이스트, Ag계 페이스트, SAC(Sn-Ag-Cu)계 페이스트 등을 포함할 수 있다. 상기 도전부(871, 872)는 상기 프레임(210, 220) 및/또는 상기 패드(851, 852)를 구성하는 물질과 화합되어 금속간 화합물층에 의해 결합될 수 있다. 상기 금속간 화합물은 CuxSny, AgxSny 및 AuxSny 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 x는 0<x<1, y=1-x, x>y의 조건을 만족할 수 있다.
상기 도전부(871, 872)는 액상의 재질로 상기 회로기판(810)의 제 1 패드(851) 및 제 2 패드(852) 상에 위치시킨 후, 상기 회로기판(810) 상에 정렬된 발광소자 패키지(1000, 1100)를 결합하게 된다. 이때, 상기 제 1 패드(851) 상에 배치된 제 1 도전부(871) 및 상기 제 2 패드(852) 상에 배치된 제 2 도전부(871, 872)는 상기 제 1 프레임(210) 및 상기 제 2 프레임(220)과 결합할 수 있다. 상기 제 1 도전부(871)는 상기 제 1 패드(851) 및 상기 제 1 프레임(210)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 제 2 도전부(871, 872)는 상기 제 2 패드(852) 및 상기 제 2 프레임(220)과 직접 접촉할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 프레임(210)은 상기 제 1 패드(851)와 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제 2 프레임(220)는 상기 제 2 패드(852)와 전기적으로 연결될 수 있다.
도 23은 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자의 예를 도시한 도면이다.
도 23을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(500)는 발광 구조물(510), 제 1 전극(710) 및 제 2 전극(720)을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물(510)은 제 1 도전형 반도체층(511), 활성층(513), 제 2 도전형 반도체층(515)을 포함할 수 있다.
상기 제 1 도전형 반도체층(511)은 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 도전형 반도체층(511)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 및 AlInN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제 1 도전형 반도체층(511)은 제 1 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제 1 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트일 수 있다.
상기 제 1 도전형 반도체층(511) 하부에는 활성층(513)이 배치될 수 있다. 상기 활성층(513)은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 또한, 상기 활성층(513)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(513)이 다중 우물 구조로 구현될 경우, 상기 활성층은 복수의 우물층과 복수의 장벽층이 적층될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층은 장벽층/우물층으로 GaN/InGaN, GaN/AlGaN, AlGaN/InGaN, AlGaN/GaN, InGaN/InGaN 및 InAlGaN/InAlGaN을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 활성층(513) 하부에는 제 2 도전형 반도체층(515)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층(515)은 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 도전형 반도체층(515)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN 및 AlInN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층(515)은 제 2 도펀트가 도핑될 수 있다. 상기 제 2 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트일 수 있다.
상기 제 1 전극(710)은 상기 발광 구조물(510) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 전극(710)은 상기 제 1 도전형 반도체층(511) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 전극(710)은 상기 제 1 도전형 반도체층(511)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제 1 전극(710)은 서로 다른 영역에 배치될 수 있으며, 암(arm) 패턴 또는 브리지 패턴을 갖고 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제 1 전극(710)의 일부 영역은 상술한 와이어(600)가 본딩되는 패드로 사용될 수 있다.
상기 제 1 전극(710)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.
상기 제 2 전극(720)은 상기 발광 구조물(510) 하부에 배치될 수 있다. 상기 제 2 전극(720)은 상기 제 2 도전형 반도체층(515)의 하부에 배치될 수 있다. 상기 제 2 전극(720)은 상기 제 2 도전형 반도체층(515)과 전기적으로 연결될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 도전형 반도체층(570) 하부에는 복수 개의 전도층(731, 733, 735, 737)을 포함하는 제 2 전극(730)이 배치될 수 있다. 상기 제 2 전극(730)은 접촉층(731), 반사층(733), 본딩층(735) 및 지지 부재(737)를 포함할 수 있다.
상기 접촉층(731)은 상기 제 2 도전형 반도체층(570)과 접촉할 수 있다. 상기 접촉층(731)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 저 전도성 물질을 포함하거나, Ni, Ag 등의 금속을 포함할 수 있다.
상기 접촉층(731) 하부에는 반사층(733)이 배치될 수 있다. 상기 반사층(733)은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 반사층(733)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 반사층(733)은 상기 제 2 도전형 반도체층(570) 하부와 접촉할 수 있고 이격되어 배치될 수 있으며 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 반사층(733) 하부에는 본딩층(735)이 배치될 수 있다. 상기 본딩층(735)은 베리어 금속 또는 본딩 금속으로 사용될 수 있다. 상기 본딩층(735)은 Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta와 선택적인 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제 2 도전형 반도체층(570)과 상기 제 2 전극(730) 사이에는 채널층(610) 및 전류 블로킹층(630)이 배치될 수 있다.
상기 채널층(610)은 상기 제 2 도전형 반도체층(570)의 하면 에지를 따라 형성되며, 링 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 상기 채널층(610)은 투명한 전도성 물질 또는 절연성 물질을 포함하며, 예컨대 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 채널층(610)의 내측부는 상기 제 2 도전형 반도체층(570) 아래에 배치되고, 외측부는 상기 발광 구조물(500)의 측면보다 더 외측에 배치될 수 있다.
상기 전류 블로킹층(630)은 제 2 도전형 반도체층(570)과 접촉층(731) 또는 반사층(733) 사이에 배치될 수 있다. 상기 전류 블로킹층(630)은 절연물질을 포함하며, 예컨대 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 전류 블로킹층(630)은 쇼트키 접촉을 위한 금속으로 형성할 수 있다.
상기 전류 블로킹층(630)은 상기 제 1 전극(710)과 수직 방향으로 대응되도록 배치될 수 있다. 상기 전류 블로킹층(630)은 상기 제 2 전극(730)으로부터 공급되는 전류를 차단하여 다른 경로로 확산시켜 줄 수 있다. 상기 전류 블로킹층(630)은 하나 또는 복수 개로 배치될 수 있으며, 제 1 전극(710)과 수직 방향으로 적어도 일부 또는 전 영역이 오버랩될 수 있다.
상기 본딩층(735) 아래에는 지지 부재(737)가 배치될 수 있다. 상기 지지 부재(737)는 전도성 부재로 형성될 수 있으며, 그 물질은 구리(Cu-copper), 금(Au-gold), 니켈(Ni-nickel), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등)와 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다. 상기 지지 부재(737)는 다른 예로서, 전도성 시트로 구현될 수 있다.
즉, 실시예에 따른 발광소자 패키지(1000)는 몸체(100) 상에 배치되는 금속층(310, 320)을 배치하여 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광이 상기 몸체(100)에 입사되는 것을 최소화할 수 있다. 이에 따라 상기 몸체(100)는 다양한 재질을 포함할 수 있고 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, 실시예은 상기 몸체(100) 상에 금속층(310, 320)을 배치하여 상기 발광소자(500)로부터 방출되는 광을 효과적으로 반사할 수 있다. 나아가 상기 몸체(100) 상에 격벽부(130)를 더 배치하고 상기 격벽부(130) 상에도 상기 금속층(310, 320)을 배치하여 발광소자 패키지의 광 효율 및 광속을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예는 프레임과 발광소자(500) 사이에 금속층을 배치하여 방열 경로를 제공할 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자 패키지(1000)의 방열 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예는 서로 다른 극성을 가지는 금속층들(310, 320) 사이에 관통부(150)를 형성하여 극성이 다른 금속층 및 프레임 사이에서 전기적 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 격벽부(130) 상에 관통부(150)를 형성하여 발광소자(500)와 금속층를 연결하는 와이어의 양 끝단 사이의 직선 거리, 양 끝단 사이의 높이 차이를 줄일 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(500)와 상기 금속층(320)을 연결하는 와이어(600)의 오픈 불량을 방지할 수 있고 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (13)
- 캐비티를 포함하는 몸체;
상기 캐비티 바닥면에 배치되는 제 1 프레임 및 제 2 프레임;
상기 제 1 프레임 상에 배치되는 제 1 금속층;
상기 제 1 금속층 상에 배치되는 자외선 발광소자; 및
상기 제 2 프레임 상에 배치되며, 상기 제 2 프레임과 전기적으로 연결되는 제 2 금속층; 을 포함하고,
상기 몸체는 상기 제1 프레임과 상기 제 2 프레임 사이의 분리부를 포함하고,
상기 제 2 금속층은 상기 캐비티의 경사면 및 상기 몸체의 분리부 상으로 연장되고,
상기 제 2 금속층은 상기 캐비티 내에서 상기 제 1 금속층과 이격하며 상기 제 1 금속층을 둘러싸는 발광 소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 금속층를 이격시키는 관통부는 상기 몸체 상에 배치되어 상기 제1 금속층을 둘러싸는 발광소자 패키지. - 제 2 항에 있어서,
상기 관통부는 상기 분리부를 노출하는 발광소자 패키지. - 제 2 항에 있어서,
상기 캐비티의 경사면은 제 1 내지 제 4 내측면을 포함하고,
상기 제 1 및 제 2 내측면은, 제 1 방향으로 마주하며 상기 몸체의 상면에 대해 서로 다른 경사각을 가지는 발광소자 패키지. - 제 4 항에 있어서,
상기 관통부는 상기 캐비티의 경사면 상에 배치되어 상기 몸체를 노출하는 발광소자 패키지. - 제 2 항에 있어서,
상기 몸체의 분리부 상에는 격벽부가 더 배치되고,
상기 격벽부는 상기 캐비티 내에서 상기 몸체의 상부 방향으로 돌출되는 발광소자 패키지. - 제 6 항에 있어서,
상기 관통부는 상기 격벽부 상에 배치되는 발광소자 패키지. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 금속층은 상기 격벽부 상에서 서로 이격되어 배치되는 발광소자 패키지. - 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 금속층은 상기 격벽부 상에 배치되고,
상기 제 2 금속층은 상기 격벽부와 이격되어 배치되는 발광소자 패키지. - 제 6 항에 있어서,
상기 격벽부는,
상기 제 1 프레임과 인접하며 상기 발광소자와 대면하는 제 1 면; 및
상기 제 2 프레임과 인접한 제 2 면을 포함하고,
상기 몸체의 상면에 대한 상기 제 1 및 제 2 면 각각의 경사각은, 서로 상이한 발광소자 패키지. - 제 2 항에 있어서,
상기 관통부의 폭은 일정한 발광소자 패키지. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 금속층 사이의 간격은 80㎛ 내지 120㎛인 발광소자 패키지. - 삭제
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| US11417808B2 (en) * | 2019-09-12 | 2022-08-16 | Nichia Corporation | Light emitting device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6164087B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2017-07-19 | 株式会社カネカ | 表面実装型発光装置用樹脂成形体およびその製造方法ならびに表面実装型発光装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100567559B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2006-04-05 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 광전소자부품 |
| JP2005317646A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザモジュールおよびその製造方法 |
| KR20110116632A (ko) * | 2010-04-20 | 2011-10-26 | 정동희 | 마스크를 적용하여 측면 일부를 금속 반사면으로 코팅한 발광 다이오드 패키지 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101053937B1 (ko) * | 2011-05-09 | 2011-08-04 | 루미리치 주식회사 | 발광다이오드 소자 |
| JP2012238830A (ja) | 2011-05-09 | 2012-12-06 | Lumirich Co Ltd | 発光ダイオード素子 |
| KR101347454B1 (ko) | 2012-05-02 | 2014-01-03 | 김미숙 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR101316009B1 (ko) | 2012-05-29 | 2013-10-08 | 오름반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| KR101403247B1 (ko) | 2013-01-31 | 2014-06-02 | 선순요 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR102528014B1 (ko) * | 2015-11-27 | 2023-05-10 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 조명 장치 |
| JP6985286B2 (ja) | 2016-03-22 | 2021-12-22 | スージョウ レキン セミコンダクター カンパニー リミテッド | 発光素子およびこれを備えた発光モジュール |
| JP6294419B2 (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-14 | 日機装株式会社 | 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 |
-
2018
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-
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Patent Citations (1)
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| JP6164087B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2017-07-19 | 株式会社カネカ | 表面実装型発光装置用樹脂成形体およびその製造方法ならびに表面実装型発光装置 |
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