KR101734541B1 - 발광 소자, 발광 소자 패키지 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 전극은 접촉층; 상기 접촉층 상에 반사층; 상기 반사층의 적어도 측면을 감싸는 캡핑층; 및 상기 반사층 상에 본딩층을 포함한다.
Description
실시예는 전극, 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 전극, 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공한다.
실시예는 형광체에 의한 손상이 감소된 전극 및 상기 전극을 포함하는 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공한다.
실시예는 광 효율이 향상된 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공한다.
실시예에 따른 전극은 접촉층; 상기 접촉층 상에 반사층; 상기 반사층의 적어도 측면을 감싸는 캡핑층; 및 상기 반사층 상에 본딩층을 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형의 반도체층; 제2 도전형의 반도체층; 상기 제1 도전형의 반도체층과 상기 제2 도전형의 반도체층 사이에 배치되는 활성층; 및 상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나에 배치되는 청구항 제 1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 항에 기재된 전극을 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형의 반도체층, 제2 도전형의 반도체층, 및 상기 제1 도전형의 반도체층과 상기 제2 도전형의 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조층; 및 상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나에 형성된 리세스 내에 적어도 일부분이 배치되는 전극을 포함하고, 상기 전극은 접촉층과, 상기 접촉층 상에 반사층과, 상기 반사층 상에 본딩층을 포함하고, 상기 반사층의 측면은 상기 반사층이 배치되는 상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나에 둘러싸여 배치되고, 상기 반사층의 상면은 상기 반사층이 배치되는 상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나의 상면보다 낮게 배치된다.
실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형의 반도체층, 제2 도전형의 반도체층, 및 상기 제1 도전형의 반도체층과 상기 제2 도전형의 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 발광 구조층; 상기 제1 도전형의 반도체층 및 제2 도전형의 반도체층 중 적어도 어느 하나에 배치되는 전극; 및 상기 발광 구조층의 측면 및 상면에 형성되어 상기 전극의 측면과 접하는 패시베이션층을 포함하고, 상기 전극은 접촉층과, 상기 접촉층 상에 반사층과, 상기 반사층 상에 본딩층을 포함하고, 상기 패시베이션층은 상기 반사층의 측면을 둘러싸고, 상기 패시베이션층의 상면은 상기 반사층의 상면보다 높다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체; 상기 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 청구항 제 6항에 기재된 발광 소자; 및 상기 발광 소자를 포위하는 형광체를 포함하는 몰딩부재를 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 몸체; 상기 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 청구항 제 7항 내지 제 11항 중 어느 하나에 기재된 발광 소자; 및 상기 발광 소자를 포위하는 형광체를 포함하는 몰딩부재를 포함한다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 전극, 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.
실시예는 형광체에 의한 손상이 감소된 전극 및 상기 전극을 포함하는 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.
실시예는 광 효율이 향상된 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면.
도 2는 제1 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 3은 제2 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 4는 제3 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 5는 제4 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 6은 제5 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 7은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도.
도 8은 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면.
도 9는 실시예들에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도.
도 2는 제1 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 3은 제2 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 4는 제3 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 5는 제4 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 6은 제5 실시예에 따른 전극을 도시한 도면.
도 7은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도.
도 8은 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면.
도 9는 실시예들에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 전극, 발광 소자, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템에 대해 설명한다.
삭제
도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 전도성 지지기판(175)과, 상기 전도성 지지기판(175) 상에 접합층(170)과, 상기 접합층(170) 상에 반사부재(160)와, 상기 반사부재(160) 상에 오믹 접촉층(150)과, 상기 접합층(170)의 상면의 둘레 영역에 보호층(140)과, 상기 오믹 접촉층(150) 및 상기 보호층(140) 상에 형성되어 빛을 생성하는 발광 구조층(135)과, 상기 발광 구조층(135)을 보호하는 패시베이션층(180)과, 상기 반사부재(160)와 발광 구조층(135) 사이에 전류 차단층(145)과, 상기 발광 구조층(135) 상에 전극(115)을 포함한다.
상기 전도성 지지기판(175)은 상기 발광 구조층(135)을 지지하며 상기 전극(115)과 함께 상기 발광 구조층(135)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전도성 지지기판(175)는 예를 들어, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 또는 캐리어 웨이퍼(예를 들어, Si, Ge, GaAs, ZnO, Sic 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전도성 지지기판(175)의 두께는 상기 발광 소자(100)의 설계에 따라 달라질 수 있으나, 예를 들어, 50μm 내지 300μm의 두께를 가질 수 있다.
상기 전도성 지지기판(175) 상에는 상기 접합층(170)이 형성될 수 있다. 상기 접합층(170)은 본딩층으로서, 상기 반사부재(160)와 상기 보호층(140)의 아래에 형성된다. 상기 접합층(170)은 상기 반사부재(160), 상기 오믹 접촉층(150) 및 상기 보호층(140)에 접촉되어, 상기 반사부재(160), 오믹 접촉층(150) 및 보호층(140)이 상기 전도성 지지기판(175)에 접합될 수 있도록 한다.
상기 접합층(170)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 접합층(170) 상에는 상기 반사부재(160)가 형성될 수 있다. 상기 반사부재(160)는 상기 발광 구조층(135)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 반사부재(160)는 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, 또는 Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사부재(160)는 상기 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다.
실시예에서는 상기 반사부재(160)의 상면이 상기 오믹 접촉층(150)과 접촉하는 것이 예시되어 있으나, 상기 반사부재(160)는 상기 보호층(140), 전류 차단층(145), 또는 발광 구조층(135)과 접촉할 수도 있다.
상기 반사부재(160) 상에는 상기 오믹 접촉층(150)이 형성될 수 있다. 상기 오믹 접촉층(150)은 상기 제2 도전형의 반도체층(130)에 오믹 접촉되어 상기 발광 구조층(135)에 전원이 원활히 공급되도록 하며, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, 또는 ATO 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
즉, 상기 오믹 접촉층(150)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있으며, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.
실시예에서는 상기 오믹 접촉층(150)이 상기 전류 차단층(145)의 하면 및 측면과 접촉하는 것이 예시되어 있으나, 상기 오믹 접촉층(150)은 상기 전류 차단층(145)과 이격되어 배치되거나 상기 전류 차단층(145)의 측면에만 접촉할 수도 있다.
상기 오믹 접촉층(150)과 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 사이에는 상기 전류 차단층(Current Blocking Layer, CBL)(145)이 형성될 수 있다. 상기 전류 차단층(145)의 상면은 상기 제2 도전형의 반도체층(130)과 접촉하고, 상기 전류 차단층(145)의 하면 및 측면은 상기 오믹 접촉층(150)과 접촉한다.
상기 전류 차단층(145)은 상기 전극(115)과 수직 방향으로 적어도 일부가 중첩되도록 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 전극(115)과 상기 전도성 지지기판(175) 사이의 최단 거리로 전류가 집중되는 현상을 완화하여 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 전류 차단층(145)은 상기 반사부재(160) 또는 상기 오믹 접촉층(150)보다 전기 전도성이 낮은 물질, 상기 제2 도전형의 반도체층(130)과 쇼트키 접촉을 형성하는 물질, 또는 전기 절연성 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 , TiOx, Ti, Al, 또는 Cr 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 보호층(140)은 상기 접합층(170)의 상면의 둘레 영역에 형성될 수 있다. 즉, 상기 보호층(140)은 상기 발광 구조층(135)과 상기 접합층(170) 사이의 둘레 영역에 형성될 수 있으며, ZnO 또는 SiO2와 같은 전기 절연성 물질로 형성될 수 있다. 상기 보호층(140)은 일부분이 상기 발광 구조층(135)과 수직 방향으로 중첩된다.
상기 보호층(140)은 상기 접합층(170)과 상기 활성층(120) 사이의 측면에서의 거리를 증가시킨다. 따라서, 상기 접합층(170)과 상기 활성층(120) 사이의 전기적 단락이 발생될 가능성을 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 보호층(140)은 칩 분리 공정에서 상기 발광 구조층(135)을 단위 칩으로 분리하기 위해 아이솔레이션 에칭을 실시하는 경우. 상기 접합층(170)에서 파편이 발생되어 상기 파편이 상기 제2 도전형의 반도체층(130)과 활성층(120) 사이 또는 상기 활성층(120)과 제1 도전형의 반도체층(110) 사이에 부착되어 전기적 단락이 발생되는 것을 방지한다.
또한, 상기 보호층(140)은 아이솔레이션 에칭시 깨지거나 파편이 발생되지 않는 물질 또는 극히 일부분이 깨지거나 소량의 파편이 발생되더라도 전기적 단락을 일으키지 않는 전기 절연성 또는 전기 전도성을 가진 물질로 형성될 수도 있다.
상기 오믹 접촉층(150) 및 상기 보호층(140) 상에는 상기 발광 구조층(135)이 형성될 수 있다.
상기 발광 구조층(135)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 형성될 수 있으며, 상기 경사면의 일부는 상기 보호층(140)과 수직 방향에서 중첩된다.
상기 보호층(140)의 상면 일부는 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 노출될 수 있다. 따라서, 상기 보호층(140)은 상기 발광 구조층(135)과 일부 영역이 수직 방향으로 중첩되고 상기 발광 구조층(135)과 나머지 영역이 수직 방향으로 중첩되지 않는다.
상기 발광 구조층(135)은 복수의 Ⅲ족 내지 Ⅴ족 원소의 화합물 반도체층을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 제1 도전형의 반도체층(110), 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 아래에 활성층(120), 상기 활성층(120) 아래에 상기 제2 도전형의 반도체층(130)을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형의 반도체층(110)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제1 도전형의 반도체층(110)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 N형 도펀트를 포함한다. 상기 제1 도전형의 반도체층(110)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 활성층(120)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 아래에 형성되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조, 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(120)은 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층 또는 InGaN 우물층/AlGaN 장벽층으로 형성될 수 있다.
상기 활성층(120)과 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 사이 또는 상기 활성층(120)과 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 사이에는 클래드층이 형성될 수도 있으며, 상기 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다.
상기 제2 도전형의 반도체층(130)은 상기 활성층(120) 아래에 형성되며, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ족-Ⅴ족 원소의 화합물 반도체, 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2 도전형의 반도체층(130)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn 등과 같은 P형 도펀트를 포함한다. 상기 제2 도전형의 반도체층(130)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 발광 구조층(135)은 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 아래에 N형 반도체층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조층(135)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합 또는 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형의 반도체층(110)의 상면은 광 추출 효율을 위해 러프니스(미도시)가 형성될 수 있다. 상기 러프니스는 홀 또는 기둥을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조층(135)의 적어도 측면에는 패시베이션층(180)이 형성될 수 있고, 상기 발광 구조층(135)의 측면 및 상면에도 형성될 수 있다. 또한, 상기 패시베이션층(180)은 상기 보호층(140)의 상면에 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 패시베이션층(180)은 상기 발광 구조층(135)을 전기적으로 보호하기 위하여 형성될 수 있으며, 상기 패시베이션층(180)은 예를 들어, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 등으로 형성될 수 있다.
상기 패시베이션층(180)은 상기 전극(115)의 측면과 접촉할 수 있으며, 상기 발광 구조층(135)을 완전히 감쌀 수도 있다.
상기 발광 구조층(135) 상에는 상기 전극(115)이 형성된다. 상기 전극(115)은 와이어 본딩이 이루어지는 패드부와, 상기 패드부로부터 연장된 핑거부를 포함할 수도 있다. 상기 핑거부는 소정의 패턴 형상으로 분기될 수 있으며, 다양한 형태로 형성될 수 있다.
본 발명에서 상기 전극(115)은 다층 구조를 가지며, 다양한 형태로 형성될 수 있다.
도 2는 제1 실시예에 따른 전극을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 상기 전극(190)은 접촉층(191)과, 반사층(192)과, 캡핑층(193)과, 본딩층(194)을 포함한다. 도 2에서는 4층 구조의 전극(190)이 예시되어 있으나, 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.
상기 접촉층(191)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 상에 형성되며, 상기 제1 도전형의 반도체층(110)과 오믹 접촉을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 접촉층(191)은 Ti 및 Cr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 반사층(192)은 반사도가 높은 물질로 형성되어 상기 활성층(120)에서 방출된 빛이 효과적으로 반사될 수 있도록 한다. 예를 들어, 상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 캡핑층(193)은 상기 접촉층(191) 및 반사층(192) 상에 형성되며, 상기 반사층(192)을 보호한다. 상기 캡핑층(193)은 상기 반사층(192)의 상면 및 측면과 접촉하며, 상기 반사층(12)의 상면 및 측면을 완전히 감싸도록 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(193)은 Ti, Ni, Pt, Cr, V, 또는 Nb 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 반사층(192)은 상기 접촉층(191) 및 캡핑층(193)에 의해 포위되어 외부로 노출되지 않는다.
상기 본딩층(194)은 상기 캡핑층(193) 상에 형성되며, 접착력이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 본딩층(194)은 Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, 또는 Pt 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수도 있다.
상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있는데, 상기 Ag 또는 Al은 형광체 또는 다른 물질에 의해 변성되어 성능이 저하될 수도 있다. 따라서, 실시예에서는 상기 반사층(192)이 외부로 노출되어 형광체와 접촉하지 않도록 상기 반사층(192)을 감싸도록 상기 캡핑층(193)을 형성한다. 따라서, 상기 반사층(192)이 형광체 또는 다른 물질에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 상기 반사층(192)을 고려하지 않고 다양한 형광체를 선택할 수 있는 장점이 있다. 아울러, 상기 반사층(192)이 손상되지 않으므로 상기 발광 소자(100)의 광 효율이 향상될 수 있다.
상기 접촉층(191)은 20~30㎛의 폭을 가지며, 상기 반사층(192)은 10~16㎛의 폭을 가진다. 따라서, 상기 반사층(192)의 양측면에 배치되는 상기 캡핑층(193)은 각각 2~5㎛의 폭으로 형성된다.
도 3은 제2 실시예에 따른 전극을 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 상기 전극(190)은 접촉층(191)과, 반사층(192)과, 캡핑층(193)과, 본딩층(194)을 포함한다. 도 3에서는 4층 구조의 전극(190)이 예시되어 있으나, 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.
상기 접촉층(191)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 상에 형성되며, 상기 제1 도전형의 반도체층(110)과 오믹 접촉을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 접촉층(191)은 Ti 및 Cr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 반사층(192)은 반사도가 높은 물질로 형성되어 상기 활성층(120)에서 방출된 빛이 효과적으로 반사될 수 있도록 한다. 예를 들어, 상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 캡핑층(193)은 상기 접촉층(191) 및 반사층(192) 상에 형성되며, 상기 반사층(192)을 보호한다. 상기 캡핑층(193)은 상기 반사층(192)의 상면 일부 및 측면과 접촉하며, 상기 반사층(12)의 측면을 완전히 감싸도록 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 캡핑층(193)은 Ti, Ni, Pt, Cr, V, Nb, 또는 절연층 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 본딩층(194)은 상기 반사층(192) 및 상기 캡핑층(193) 상에 형성되며, 접착력이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 본딩층(194)은 Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, 또는 Pt 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수도 있다.
상기 반사층(192)은 상기 접촉층(191), 캡핑층(193), 및 본딩층(194)에 의해 포위되어 외부로 노출되지 않는다.
상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있는데, 상기 Ag 또는 Al은 형광체 또는 다른 물질에 의해 변성되어 성능이 저하될 수도 있다. 따라서, 실시예에서는 상기 반사층(192)이 외부로 노출되어 형광체와 접촉하지 않도록 상기 반사층(192)을 감싸도록 상기 캡핑층(193) 및 본딩층(194)을 형성한다. 따라서, 상기 반사층(192)이 형광체 또는 다른 물질에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 상기 반사층(192)을 고려하지 않고 다양한 형광체를 선택할 수 있는 장점이 있다. 아울러, 상기 반사층(192)이 손상되지 않으므로 상기 발광 소자(100)의 광 효율이 향상될 수 있다.
상기 접촉층(191)은 20~30㎛의 폭을 가지며, 상기 반사층(192)은 10~16㎛의 폭을 가진다. 따라서, 상기 반사층(192)의 양측면에 배치되는 상기 캡핑층(193)은 각각 2~5㎛의 폭으로 형성된다.
도 4는 제3 실시예에 따른 전극을 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 상기 전극(190)은 접촉층(191)과, 반사층(192)과, 캡핑층(193)과, 본딩층(194)을 포함한다. 도 4에서는 4층 구조의 전극(190)이 예시되어 있으나, 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.
상기 접촉층(191)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 상에 형성되며, 상기 제1 도전형의 반도체층(110)과 오믹 접촉을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 접촉층(191)은 Ti 및 Cr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 반사층(192)은 상기 접촉층(191) 상에 형성되며, 반사도가 높은 물질로 형성되어 상기 활성층(120)에서 방출된 빛이 효과적으로 반사될 수 있도록 한다. 예를 들어, 상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 캡핑층(193)은 상기 반사층(192) 상에 형성되며, 상기 반사층(192)을 보호한다. 예를 들어, 상기 캡핑층(193)은 Ti, Ni, Pt, Cr, V, 또는 Nb 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 본딩층(194)은 상기 캡핑층(193) 상에 형성되며, 접착력이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 본딩층(194)은 Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, 또는 Pt 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수도 있다.
상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있는데, 상기 Ag 또는 Al은 형광체 또는 다른 물질에 의해 변성되어 성능이 저하될 수도 있다. 따라서, 실시예에서는 상기 반사층(192)이 외부로 노출되어 형광체와 접촉하지 않도록 상기 반사층(192)을 감싸도록 상기 패시베이션층(180)을 형성한다.
즉, 상기 반사층(192)은 하면은 상기 접촉층(191)과 접하고, 상면이 상기 캡핑층(193)과 접하며, 측면이 상기 패시베이션층(180)과 접한다.
상기 패시베이션층(180)은 상기 전극(190)의 측면과 접촉하는데, 상기 전극(190)의 접촉층(191), 반사층(192), 및 캡핑층(193)의 측면을 둘러싸는 것에 의해 상기 반사층(192)이 외부로 노출되지 않도록 할 수 있다.
즉, 상기 패시베이션층(180)은 상기 캡핑층(193)의 적어도 일부를 둘러싸도록 함으로써 상기 반사층(192)이 외부로 노출되지 않도록 한다.
도 5는 제4 실시예에 따른 전극을 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 상기 전극(190)은 접촉층(191)과, 반사층(192)과, 캡핑층(193)과, 본딩층(194)을 포함한다. 도 5에서는 4층 구조의 전극(190)이 예시되어 있으나, 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.
상기 접촉층(191)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 상에 형성되며, 상기 제1 도전형의 반도체층(110)과 오믹 접촉을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 접촉층(191)은 Ti 및 Cr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 반사층(192)은 상기 접촉층(191) 상에 형성되며, 반사도가 높은 물질로 형성되어 상기 활성층(120)에서 방출된 빛이 효과적으로 반사될 수 있도록 한다. 예를 들어, 상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 캡핑층(193)은 상기 반사층(192) 상에 형성되며, 상기 반사층(192)을 보호한다. 예를 들어, 상기 캡핑층(193)은 Ti, Ni, Pt, Cr, V, 또는 Nb 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 본딩층(194)은 상기 캡핑층(193) 상에 형성되며, 접착력이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 본딩층(194)은 Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, 또는 Pt 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수도 있다.
상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있는데, 상기 Ag 또는 Al은 형광체 또는 다른 물질에 의해 변성되어 성능이 저하될 수도 있다. 따라서, 실시예에서는 상기 반사층(192)이 외부로 노출되어 형광체와 접촉하지 않도록 상기 전극(190)의 적어도 일부가 상기 제1 도전형의 반도체층(110)에 매립되도록 한다.
즉, 상기 접촉층(191), 반사층(192), 및 캡핑층(193)의 적어도 일부는 상기 제1 도전형의 반도체층(110)에 형성된 리세스에 삽입되어 형성된다. 따라서, 상기 반사층(192)은 하면은 상기 접촉층(191)과 접하고, 상면이 상기 캡핑층(193)과 접하며, 측면이 상기 제1 도전형의 반도체층(191)과 접한다.
따라서, 상기 반사층(192)은 외부로 노출되지 않고 형광체와 접촉하지 않는다.
도 6은 제5 실시예에 따른 전극을 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 상기 전극(190)은 접촉층(191)과, 반사층(192)과, 캡핑층(193)과, 본딩층(194)을 포함한다. 도 6에서는 4층 구조의 전극(190)이 예시되어 있으나, 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.
상기 접촉층(191)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 상에 형성되며, 상기 제1 도전형의 반도체층(110)과 오믹 접촉을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 접촉층(191)은 Ti 및 Cr 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 반사층(192)은 상기 접촉층(191) 상에 형성되며, 반사도가 높은 물질로 형성되어 상기 활성층(120)에서 방출된 빛이 효과적으로 반사될 수 있도록 한다. 예를 들어, 상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 캡핑층(193)은 상기 반사층(192) 상에 형성되며, 상기 반사층(192)을 보호한다. 예를 들어, 상기 캡핑층(193)은 Ti, Ni, Pt, Cr, V, 또는 Nb 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수도 있다.
상기 본딩층(194)은 상기 캡핑층(193) 상에 형성되며, 접착력이 우수한 물질로 형성될 수 있다. 상기 본딩층(194)은 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 상기 본딩층(194)은 Au, Sn, Ti, Cu, W, Ni, 또는 Pt 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수도 있다.
상기 반사층(192)은 Ag 및 Al 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있는데, 상기 Ag 또는 Al은 형광체 또는 다른 물질에 의해 변성되어 성능이 저하될 수도 있다. 따라서, 실시예에서는 상기 반사층(192)이 외부로 노출되어 형광체와 접촉하지 않도록 상기 전극(190)의 적어도 일부가 상기 제1 도전형의 반도체층(110)에 매립되도록 한다.
즉, 상기 접촉층(191), 반사층(192), 및 캡핑층(193)의 적어도 일부는 상기 제1 도전형의 반도체층(110)에 형성된 리세스에 삽입되어 형성된다. 따라서, 상기 반사층(192)은 하면은 상기 접촉층(191)과 접하고, 상면이 상기 캡핑층(193)과 접하며, 측면이 상기 제1 도전형의 반도체층(191)과 접한다.
또한, 상기 제1 도전형의 반도체층(191) 상에 상기 패시베이션층(180)은 상기 전극(190)의 측면과 접촉하는데, 상기 패시베이션층(180)이 적어도 상기 캡핑층(193)의 측면과 접촉함으로써 상기 반사층(192)이 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다.
즉, 상기 패시베이션층(180)은 상기 캡핑층(193)의 적어도 일부와 접촉함으로써 상기 반사층(192)이 외부로 노출되지 않도록 한다. 따라서, 상기 반사층(192)은 외부로 노출되지 않고 형광체와 접촉하지 않는다.
상술한 바와 같이, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 상기 전극(190)의 반사층(192)이 외부로 노출되지 않도록 포위함으로써, 상기 반사층(192)이 형광체나 다른 물질들에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 그에 따라 상기 반사층(192)의 성능이 저하되지 않는 장점이 있다. 아울러, 상기 반사층(192)이 손상되지 않으므로 상기 발광 소자(100)의 광 효율이 향상될 수 있다.
한편, 실시예에서는 상기 전극(115) 및 상기 전도성 지지기판(175)이 상기 발광 구조층(135)의 상하에 배치되는 수직형 발광 소자가 예시되어 있으나, 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 및 제2 도전형의 반도체층(130)의 상측에 각각 전극이 배치되는 수평형 발광 소자의 경우에도 동일하게 적용될 수 있다.
또한, 실시예들에 따른 전극(115)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 및 제2 도전형의 반도체층(130) 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있다.
도 7은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 몸체(30)와, 상기 몸체(30)에 설치된 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과, 상기 몸체(30)에 설치되어 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)를 포함한다.
상기 몸체(30)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 발광 소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.
상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 몸체(30) 상에 설치되거나 상기 제1 전극층(31) 또는 제2 전극층(32) 상에 설치될 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.
상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
한편, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 상기 반사층(192)가 외부로 노출되지 않기 때문에, 상기 몰딩부재(40)에 포함된 형광체와 직접 접촉하지 않는다. 따라서, 상기 형광체에 의해 상기 반사층(192)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
도 8은 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다. 다만, 도 8의 백라이트 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 8을 참조하면, 상기 백라이트 유닛(1100)은 바텀 프레임(1140)과, 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치된 광가이드 부재(1120)와, 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사시트(1130)가 배치될 수 있다.
상기 바텀 프레임(1140)은 상기 광가이드 부재(1120), 상기 발광 모듈(1110) 및 상기 반사시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며, 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 모듈(1110)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재된 복수개의 실시예들에 따른 발광 소자(100) 또는 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 복수개의 발광 소자 패키지(200)는 상기 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공할 수 있다. 실시예에서는 상기 기판(300) 상에 상기 발광 소자 패키지(200)가 설치된 것이 예시되어 있다.
도시된 것처럼, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 내측면들 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 하나의 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.
다만, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 아래에 배치되어, 상기 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 광가이드 부재(1120)는 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치될 수 있다. 상기 광가이드 부재(1120)는 상기 발광 모듈(1110)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다.
상기 광가이드 부재(1120)는 예를 들어, 도광판(LGP, Light Guide Panel) 일 수 있다. 상기 도광판은 예를 들어 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다.
상기 광가이드 부재(1120)의 상측에는 광학 시트(1150)가 배치될 수도 있다.
상기 광학 시트(1150)는 예를 들어 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트, 및 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 시트(1150)는 상기 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 확산 시트(1150)는 상기 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 상기 확산된 광은 상기 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때 상기 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광인데, 상기 휘도상승 시트는 상기 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 상기 집광 시트는 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 또한, 상기 휘도상승 시트는 예를 들어, 조도 강화 필름(Dual Brightness Enhancement film) 일 수 있다. 또한, 상기 형광 시트는 형광체가 포함된 투광성 플레이트 또는 필름이 될 수도 있다.
상기 광가이드 부재(1120)의 아래에는 상기 반사시트(1130)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(1130)는 상기 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다.
상기 반사시트(1130)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 9는 실시예들에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도이다. 다만, 도 9의 조명 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 9를 참조하면, 상기 조명 유닛(1200)은 케이스 몸체(1210)와, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광 모듈(1230)과, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.
상기 케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.
상기 발광 모듈(1230)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재되는 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자(100) 또는 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 실시예에서는 상기 기판(300) 상에 상기 발광 소자 패키지(200)가 설치된 것이 예시되어 있다.
상기 기판(300)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판(300)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.
상기 기판(300) 상에는 상기 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 각각 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 발광 모듈(1230)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 다이오드의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 상기 형광 시트는 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 상기 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.
상기 연결 단자(1220)는 상기 발광 모듈(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 9에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.
상술한 바와 같은 조명 시스템은 상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 실시예들에 따른 조명 시스템은 실시예들에 따른 발광 소자(100) 또는 발광 소자 패키지(200)를 포함함으로써 광 효율이 우수한 장점을 가진다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (13)
- 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 아래의 활성층, 상기 활성층 아래의 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조층;
상기 제1도전형 반도체층의 일부에 배치된 제1전극; 및
상기 발광 구조층의 측면 및 상면에 배치되는 패시베이션층을 포함하고,
상기 발광 구조층 및 상기 활성층에서 발광된 광은 상기 제1도전형 반도체층의 상면을 통해 외부로 방출되며,
상기 제1전극은,
접촉층과, 상기 접촉층 상에 반사층과, 상기 반사층 상에 캡핑층과, 상기 캡핑층 상에 본딩층을 포함하고,
상기 캡핑층은 상기 반사층의 측면 상에 배치되고,
상기 캡핑층의 하면은 상기 제1도전형 반도체층의 상면과 접하지 않는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 캡핑층은 상기 접촉층의 상면 둘레와 상기 반사층의 측면과 접하는 발광 소자. - 제 2항에 있어서,
상기 접촉층, 상기 반사층 및 상기 캡핑층의 적어도 일부는 상기 제1도전형 반도체층에 배치된 리세스에 삽입되는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 본딩층의 일부는 상기 캡핑층의 일부를 관통하여 상기 반사층과 접하는 발광 소자. - 제 1항에 있어서
상기 캡핑층은 Ti, Ni, Pt, Cr, V, 또는 Nb 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자. - 지지기판;
상기 지지기판 상에 접합층;
상기 접합층 상에 제2전극층;
상기 제2전극층 상에 제2도전형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층 상에 활성층, 상기 활성층 상에 제1도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조층;
상기 제1도전형 반도체층 상의 일부에 배치된 제1전극; 및
상기 발광 구조층의 측면 및 상면에 배치되는 패시베이션층을 포함하고,
상기 제1전극은,
접촉층과, 상기 접촉층 상에 반사층과, 상기 반사층 상에 캡핑층과, 상기 캡핑층 상에 본딩층을 포함하는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 캡핑층은 상기 반사층의 상면 및 측면의 적어도 일부를 감싸는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 반사층은 Ag 또는 Al 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자. - 지지기판;
상기 지지기판 상에 접합층;
상기 접합층 상에 제2전극층;
상기 제2전극층 상에 제2도전형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층 상에 활성층, 상기 활성층 상에 제1도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조층;
상기 제1도전형 반도체층 상의 일부에 배치된 제1전극; 및
상기 발광 구조층과 수직방향으로 오버랩되지 않는 상기 접합층의 상부와 상기 발광 구조층의 측면 및 상면에 배치되며 상기 제1전극의 일부와 접촉하는 패시베이션층을 포함하고,
상기 발광 구조층의 넓이는 상기 접합층의 넓이보다 작고,
상기 제1전극은,
접촉층과, 상기 접촉층 상에 반사층과, 상기 반사층 상에 캡핑층과, 상기 캡핑층 상에 본딩층을 포함하는 발광 소자. - 제 6항 또는 제9항에 있어서,
상기 반사층은 상기 패시베이션층에 의해 외부로 노출되지 않는 발광 소자. - 제 6항 또는 제9항에 있어서,
상기 제1 도전형 반도체층은 리세스를 포함하고, 상기 제1전극은 상기 리세스에 배치되는 발광 소자. - 삭제
- 몸체;
상기 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층;
상기 몸체에 설치되어 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 청구항 제 1항 내지 제 9항 중 어느 하나에 기재된 발광 소자; 및
상기 발광 소자를 포위하는 형광체를 포함하는 몰딩부재를 포함하는 발광 소자 패키지.
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