JP2007035735A - 半導体発光素子およびこれを用いた照明装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光素子1は、基板2にn型半導体層3が設けられ、n型半導体層3にn電極4および発光層5が設けられ、発光層5に、p型半導体層6と、コンタクト電極7と、反射電極8と、p電極9とが順次積層されている。p電極9は、コンタクト電極7を溶解させる溶液に対して耐溶解性を有しており、コンタクト電極7と反射電極8とを覆うように形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明の実施の形態1に係る半導体発光素子の構成を図1に基づいて説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体発光素子の構成を説明する断面図である。
本発明の実施の形態2に係る半導体発光素子の構成を図2に基づいて説明する。図2は、本発明の実施の形態2に係る半導体発光素子の構成を説明する断面図である。なお図2において図1と同じ機能を有するものは同符号を付して説明は省略する。
本発明の実施の形態3に係る半導体発光素子の構成を図3に基づいて説明する。図3は、本発明の実施の形態3に係る半導体発光素子の構成を説明する断面図である。なお図3において図1と同じ機能を有するものは同符号を付して説明は省略する。
本発明の実施の形態4に係る半導体発光素子を用いた照明装置を図4および図5に示す。図4は、本発明の実施の形態4に係る照明装置の構成を説明する概略斜視図である。図5は、本発明の実施の形態4に係る照明装置の構成を説明する部分拡大断面図である。
2 基板
3 n型半導体層
4 n電極
5 発光層
6 p型半導体層
7 コンタクト電極
8,11,16 反射電極
9,12,17 p電極
50 照明装置
51 ベース基板
51a 金属基板
51b 絶縁層
51c 配線パターン
51d 電極
52 半導体発光装置
53 反射枠
54 レンズ部
55 樹脂層
Claims (6)
- 基板に、n型半導体層と、発光層と、p型半導体層と、コンタクト電極が設けられ、前記コンタクト電極に、反射電極およびp電極とが設けられた半導体発光素子において、
前記反射電極または前記p電極のいずれか一方または両方が、カバー電極として前記コンタクト電極を覆うように形成され、
前記カバー電極は、前記コンタクト電極を溶解させる溶液に対して耐溶解性を有していることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記カバー電極は、前記p電極であり、前記コンタクト電極を覆うとともに、前記反射電極を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記コンタクト電極をITOとしたときに、
前記p電極は、Zn,Pt,Pd,Ti,W,Mo、またはこれらの金属を1種類以上含む合金または導電性膜より形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。 - 前記カバー電極は、前記反射電極であり、前記コンタクト電極を覆うように形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記コンタクト電極をITOとしたときに、
前記反射電極は、Ag,Al,Pd,Rh,Pt,W,Mo,Ti、またはこれらの金属を1種類以上含む合金より形成されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子。 - 前記請求項1から5のいずれかの項に記載の半導体発光素子を搭載したことを特徴とする照明装置。
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