JP4910664B2 - Iii−v族半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
この製造方法により、基板と端面保護膜とは直接接合していないこととなる。
バッファ層の除去後には、半導体素子の表面と端面保護膜の上端面との間に、バッファ層の膜厚に応じた段差が生じる。
11:III 族窒化物半導体層
12:発光素子
13:p電極
14、17:低融点金属拡散防止層
15:バッファ層
16:端面保護膜
18、20:低融点金属層
19:支持基板
100:n型層
101:MQW層
102:p型層
Claims (6)
- III −V族半導体で構成された半導体素子の製造方法において、
基板上に、p電極および低融点金属拡散防止層を上面に有し、互いに分離された複数の前記半導体素子を形成する工程と、
前記基板上面の、少なくとも前記半導体素子端面近傍に、前記基板および誘電体からなる端面保護膜に対する接合強度が、前記基板と前記端面保護膜の接合強度より弱いバッファ層を形成する工程と、
前記半導体素子の端面を覆うように、前記端面保護膜を形成する工程と、
前記半導体素子と伝導性の支持基板を低融点金属層を介して接合する工程と、
レーザーリフトオフにより前記基板を除去する工程と、
前記バッファ層を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記バッファ層は、レジスト膜またはAu膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記端面保護膜は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化アルミニウムのいずれかにより形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記低融点金属層は、Au−Sn、Au−Si、Ag−Sn−Cu、Sn−Biのいずれかにより形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記半導体素子は、III 族窒化物半導体で構成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記半導体素子は、発光素子であることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
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