JP2002009333A - 発光ダイオードアレイの製造方法 - Google Patents
発光ダイオードアレイの製造方法Info
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- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイシング時の欠けやクラックの少ない発光
ダイオードアレイの製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ８上に、発光部となる多数
の発光ドット２を一列又は千鳥状に等間隔で配置すると
共に、ダイシング位置を示すダイシングガイド９を形成
し、ダイシングガイド９をダイシングすることで半導体
ウエハ８から発光ダイオードアレイを切り出す発光ダイ
オードアレイの製造方法において、ダイシングガイド９
の表面に保護膜を形成し、保護膜の上からダイシングす
るものである。
ダイオードアレイの製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ８上に、発光部となる多数
の発光ドット２を一列又は千鳥状に等間隔で配置すると
共に、ダイシング位置を示すダイシングガイド９を形成
し、ダイシングガイド９をダイシングすることで半導体
ウエハ８から発光ダイオードアレイを切り出す発光ダイ
オードアレイの製造方法において、ダイシングガイド９
の表面に保護膜を形成し、保護膜の上からダイシングす
るものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオードア
レイの製造方法に関するものである。
レイの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４に示すように、ＬＥＤプリンタ等に
使用される標準的な発光ダイオードアレイ１は、上面に
発光ダイオードである発光部２を複数有する半導体チッ
プからなる。
使用される標準的な発光ダイオードアレイ１は、上面に
発光ダイオードである発光部２を複数有する半導体チッ
プからなる。
【０００３】発光ダイオードアレイ１は、半導体ウエハ
上に、発光部２を一列に等間隔で配置すると共に、ダイ
シング位置を示すダイシングガイド（図示せず）を形成
し、その半導体ウエハをダイシングガイドに沿って采の
目に分割して得られる。
上に、発光部２を一列に等間隔で配置すると共に、ダイ
シング位置を示すダイシングガイド（図示せず）を形成
し、その半導体ウエハをダイシングガイドに沿って采の
目に分割して得られる。
【０００４】発光ダイオードアレイ１には、発光ドット
２の密度で４００ＤＰＩ、６００ＤＰＩ及び１２００Ｄ
ＰＩなどのものがあり、図５に示すように、高密度にな
るほど発光ドット幅Ｘが小さくなり、発光ドットのピッ
チＰも小さくなる。
２の密度で４００ＤＰＩ、６００ＤＰＩ及び１２００Ｄ
ＰＩなどのものがあり、図５に示すように、高密度にな
るほど発光ドット幅Ｘが小さくなり、発光ドットのピッ
チＰも小さくなる。
【０００５】ＬＥＤプリンタのＬＥＤプリンタヘッド
（図示せず）に発光ダイオードアレイ１を搭載する場
合、互いの切断面３，３同士を突き合わせるように発光
ダイオードアレイ１を並べて継ぐ。このとき、継ぎ目４
を挟む発光ドット２ａ，２ｂのピッチＰ´を、発光ドッ
ト２のピッチＰと合わせるようにする必要がある。
（図示せず）に発光ダイオードアレイ１を搭載する場
合、互いの切断面３，３同士を突き合わせるように発光
ダイオードアレイ１を並べて継ぐ。このとき、継ぎ目４
を挟む発光ドット２ａ，２ｂのピッチＰ´を、発光ドッ
ト２のピッチＰと合わせるようにする必要がある。
【０００６】このため、発光ダイオードアレイ１，１同
士の継ぎ目４の幅Ｗは、発光ドット密度が高密度になる
に従って狭くなり、ダイシングの際の切り残し幅Ｙも小
さくしなくてはならない。
士の継ぎ目４の幅Ｗは、発光ドット密度が高密度になる
に従って狭くなり、ダイシングの際の切り残し幅Ｙも小
さくしなくてはならない。
【０００７】例えば６００ＤＰＩの１２８ドット／チッ
プの場合、各発光ドット２のピッチＰを４２．３μｍ、
発光ドット幅ＸをＰの約６０％の２５μｍ、チップ長を
ＬＥＤプリンタヘッドへのチップの自動搭載精度を考慮
し、理想長（５４１８．６７μｍ）に対しマイナス約１
４μｍとすると、ダイシングの際の切り残し幅Ｙは３．
５μｍと非常に小さくなる。
プの場合、各発光ドット２のピッチＰを４２．３μｍ、
発光ドット幅ＸをＰの約６０％の２５μｍ、チップ長を
ＬＥＤプリンタヘッドへのチップの自動搭載精度を考慮
し、理想長（５４１８．６７μｍ）に対しマイナス約１
４μｍとすると、ダイシングの際の切り残し幅Ｙは３．
５μｍと非常に小さくなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ダイシング
は回転する刃（ブレード）（図示せず）で行うものであ
るため、図６に示すように、切断面３周辺にチップの欠
け６やクラック７が発生することがある。
は回転する刃（ブレード）（図示せず）で行うものであ
るため、図６に示すように、切断面３周辺にチップの欠
け６やクラック７が発生することがある。
【０００９】切り残し幅Ｙを小さく設計した発光ダイオ
ードアレイパターンにあっては、ダイシング位置を挟む
２個の発光ドット２ａ，２ｂが近接して同列上に向き合
っているため、このような位置で欠け６やクラック７が
発生すると、発光ドット２ａ，２ｂに影響を及ぼし、光
出力特性、電気特性不良を発生させてしまうという課題
があった。
ードアレイパターンにあっては、ダイシング位置を挟む
２個の発光ドット２ａ，２ｂが近接して同列上に向き合
っているため、このような位置で欠け６やクラック７が
発生すると、発光ドット２ａ，２ｂに影響を及ぼし、光
出力特性、電気特性不良を発生させてしまうという課題
があった。
【００１０】このようなチップの欠け６やクラック７を
防ぐため、従来よりダイシング装置の刃（図示せず）の
材質や、刃の回転数、切削速度、切削水量等の検討を行
ってきたが効果は不充分であった。
防ぐため、従来よりダイシング装置の刃（図示せず）の
材質や、刃の回転数、切削速度、切削水量等の検討を行
ってきたが効果は不充分であった。
【００１１】また、ダイシングガイドの溝を深くするこ
とも検討し、前述のダイシング装置のダイシング条件の
適正化と併せることである程度の効果は得られたが、こ
の場合も切り残し幅６μｍが限界であった。
とも検討し、前述のダイシング装置のダイシング条件の
適正化と併せることである程度の効果は得られたが、こ
の場合も切り残し幅６μｍが限界であった。
【００１２】そこで本願発明の目的は、上記課題を解決
し、ダイシング時の欠けやクラックの少ない発光ダイオ
ードアレイの製造方法を提供することにある。
し、ダイシング時の欠けやクラックの少ない発光ダイオ
ードアレイの製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、半導体ウエハ上に、発光部となる多数の発
光ドットを一列又は千鳥状に等間隔で配置すると共に、
ダイシング位置を示すダイシングガイドを形成し、該ダ
イシングガイドをダイシングすることで半導体ウエハか
ら発光ダイオードアレイを切り出す発光ダイオードアレ
イの製造方法において、上記ダイシングガイドの表面に
保護膜を形成し、この保護膜の上からダイシングするも
のである。
に本発明は、半導体ウエハ上に、発光部となる多数の発
光ドットを一列又は千鳥状に等間隔で配置すると共に、
ダイシング位置を示すダイシングガイドを形成し、該ダ
イシングガイドをダイシングすることで半導体ウエハか
ら発光ダイオードアレイを切り出す発光ダイオードアレ
イの製造方法において、上記ダイシングガイドの表面に
保護膜を形成し、この保護膜の上からダイシングするも
のである。
【００１４】また、上記保護膜は、ポリイミド膜又はネ
ガ型レジスト膜にするとよい。
ガ型レジスト膜にするとよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の好適実施の形態を添付図
面に基づいて詳述する。
面に基づいて詳述する。
【００１６】図３は、６００ＤＰＩの発光ダイオードア
レイチップパターンが形成された半導体ウエハ８の部分
平面図である。
レイチップパターンが形成された半導体ウエハ８の部分
平面図である。
【００１７】図３に示すように、半導体ウエハ８には、
発光部となる多数の発光ドット２と、ダイシング位置を
示すダイシングガイド（溝）９とが形成されている。
発光部となる多数の発光ドット２と、ダイシング位置を
示すダイシングガイド（溝）９とが形成されている。
【００１８】ダイシングガイド９は采の目状に形成され
ており、発光ダイオードアレイチップ１０，１０は、ダ
イシングガイド９を境に隣り合うように形成されてい
る。
ており、発光ダイオードアレイチップ１０，１０は、ダ
イシングガイド９を境に隣り合うように形成されてい
る。
【００１９】発光ドット２は、発光ダイオードアレイチ
ップ１０上に等間隔に一列に並べて形成されている。ま
た、発光ドット２は、複数の発光ダイオードアレイチッ
プ１０上に跨って一列に形成されており、ダイシングガ
イド９を挟む２個の発光ドット２ａ，２ｂは近接して向
き合っている。
ップ１０上に等間隔に一列に並べて形成されている。ま
た、発光ドット２は、複数の発光ダイオードアレイチッ
プ１０上に跨って一列に形成されており、ダイシングガ
イド９を挟む２個の発光ドット２ａ，２ｂは近接して向
き合っている。
【００２０】そして、それぞれの発光ダイオードアレイ
チップ１０には、切断位置を実体的に示すターゲット用
パターン１１が複数形成されている。
チップ１０には、切断位置を実体的に示すターゲット用
パターン１１が複数形成されている。
【００２１】ターゲット用パターン１１は、ダイシング
ガイド９に臨む発光ドット２ａ，２ｂの位置から切り残
し幅Ｙ分だけダイシングガイド９側に突起されており、
ターゲット用パターン１１の先端を結ぶ切断仮想線１２
上を切断することで所定の切り残し幅Ｙを残してダイシ
ングできるようになっている。
ガイド９に臨む発光ドット２ａ，２ｂの位置から切り残
し幅Ｙ分だけダイシングガイド９側に突起されており、
ターゲット用パターン１１の先端を結ぶ切断仮想線１２
上を切断することで所定の切り残し幅Ｙを残してダイシ
ングできるようになっている。
【００２２】具体的には、図３の要部拡大図である図１
に示すように、発光ドット２の幅Ｘは２５μｍ、発光ド
ット２のピッチＰは４２．３μｍ、ダイシング時の切り
残し幅Ｙは３．５μｍに設計されている。
に示すように、発光ドット２の幅Ｘは２５μｍ、発光ド
ット２のピッチＰは４２．３μｍ、ダイシング時の切り
残し幅Ｙは３．５μｍに設計されている。
【００２３】次に、上述の半導体ウエハ８から発光ダイ
オードアレイ１を切り出す方法について述べる。
オードアレイ１を切り出す方法について述べる。
【００２４】図１のII−II線矢視断面図である図２に示
すように、ダイシングガイド９上に感光性ポリイミドか
らなる保護膜１３を形成する。保護膜１３は、厚さを２
〜３μｍとする。
すように、ダイシングガイド９上に感光性ポリイミドか
らなる保護膜１３を形成する。保護膜１３は、厚さを２
〜３μｍとする。
【００２５】感光性ポリイミドは、紫外線を照射した部
分だけが現像液で溶ける性質を有し、通常のポジ型レジ
ストを用いたフォトリソグラフィ技術と同様の手順で形
成する。
分だけが現像液で溶ける性質を有し、通常のポジ型レジ
ストを用いたフォトリソグラフィ技術と同様の手順で形
成する。
【００２６】このときのポリイミド膜のベーク温度は１
１０℃〜１５０℃と比較的低温で良い。
１０℃〜１５０℃と比較的低温で良い。
【００２７】そして、ダイシングガイド９上に保護膜１
３が形成されたら、保護膜１３の上から刃を当て、図１
及び図３に示す切断仮想線１２，１２に沿ってダイシン
グを行う。
３が形成されたら、保護膜１３の上から刃を当て、図１
及び図３に示す切断仮想線１２，１２に沿ってダイシン
グを行う。
【００２８】保護膜１３がダイシングによって発生する
振動や衝撃を吸収し、発光ダイオードアレイ端部に欠け
６やクラック７が発生するのを防ぐことができる。
振動や衝撃を吸収し、発光ダイオードアレイ端部に欠け
６やクラック７が発生するのを防ぐことができる。
【００２９】このように、ダイシングガイド９の表面に
保護膜１３を形成し、保護膜１３の上からダイシングを
行うため、ダイシング時に切断面３周辺を保護すること
ができ、ダイシング時に発生する欠け６やクラック７を
大幅に低減できる。そして、ダイシングの際の切り残し
幅が３．５μｍと非常に小さなものであっても、欠け６
やクラック７によってチップ１０端の発光ドット２ａ，
２ｂが影響を受けるのを防ぐことができ、所定の光出力
と電気特性を安定して得ることができ、チップ１０の歩
留を大幅に向上させることができる。
保護膜１３を形成し、保護膜１３の上からダイシングを
行うため、ダイシング時に切断面３周辺を保護すること
ができ、ダイシング時に発生する欠け６やクラック７を
大幅に低減できる。そして、ダイシングの際の切り残し
幅が３．５μｍと非常に小さなものであっても、欠け６
やクラック７によってチップ１０端の発光ドット２ａ，
２ｂが影響を受けるのを防ぐことができ、所定の光出力
と電気特性を安定して得ることができ、チップ１０の歩
留を大幅に向上させることができる。
【００３０】また、ダイシングガイド９上にのみ保護膜
１３を形成するため、保護膜１３をダイシング時にダイ
シングガイド９と共に除去することができ、発光ダイオ
ードアレイチップ１０を洗浄するなど、保護膜１３除去
のための処理が不要であり、保護膜１３を除去する手間
を省くことができる。
１３を形成するため、保護膜１３をダイシング時にダイ
シングガイド９と共に除去することができ、発光ダイオ
ードアレイチップ１０を洗浄するなど、保護膜１３除去
のための処理が不要であり、保護膜１３を除去する手間
を省くことができる。
【００３１】なお、上述の実施の形態では保護膜１３と
して感光性ポリイミド膜を用いたが、これに限るもので
はなく、弾性を有する他の材料であってもよい。
して感光性ポリイミド膜を用いたが、これに限るもので
はなく、弾性を有する他の材料であってもよい。
【００３２】例えば、感光性を持たない通常のポリイミ
ド膜や、ネガ型レジスト膜であってもよい。
ド膜や、ネガ型レジスト膜であってもよい。
【００３３】感光性を持たない通常のポリイミド膜の場
合、ポリイミド膜の上にポジ型レジスト膜を形成してか
らポジ型レジストのパターン加工を行い、そのポジ型レ
ジストパターンをマスクとしてポリイミド膜をポジ型レ
ジストの現像液でパターン加工すれば同様に保護膜１３
を形成できる。
合、ポリイミド膜の上にポジ型レジスト膜を形成してか
らポジ型レジストのパターン加工を行い、そのポジ型レ
ジストパターンをマスクとしてポリイミド膜をポジ型レ
ジストの現像液でパターン加工すれば同様に保護膜１３
を形成できる。
【００３４】ネガ型レジスト膜の場合、通常のフォトリ
ソグラフィ技術を用いて保護膜１３を形成すればよい。
ソグラフィ技術を用いて保護膜１３を形成すればよい。
【００３５】また、ダイシング前に半導体ウエハ８全体
に保護膜（図示せず）を形成し、その保護膜の上からダ
イシングを行ってもよい。この場合、ダイシング後に保
護膜を除去しなくてはならないため、除去が容易な保護
膜を選定するとよい。
に保護膜（図示せず）を形成し、その保護膜の上からダ
イシングを行ってもよい。この場合、ダイシング後に保
護膜を除去しなくてはならないため、除去が容易な保護
膜を選定するとよい。
【００３６】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を奏する。
な優れた効果を奏する。
【００３７】（１）ダイシング時の欠けやクラックを大
幅に低減することができる。
幅に低減することができる。
【００３８】（２）保護膜を除去する手間を省くことが
できる。
できる。
【図１】本発明の好適実施の形態を示す半導体ウエハの
要部拡大平面図である。
要部拡大平面図である。
【図２】図１のII−II線矢視断面図である。
【図３】半導体ウエハの要部平面図である。
【図４】標準的な発光ダイオードアレイの平面図であ
る。
る。
【図５】発光ダイオードアレイをＬＥＤプリンタヘッド
に搭載した状態の部分平面図である。
に搭載した状態の部分平面図である。
【図６】従来の発光ダイオードアレイ製造方法で製造し
た発光ダイオードアレイの部分平面図である。
た発光ダイオードアレイの部分平面図である。
１ 発光ダイオードアレイ ２ 発光ドット ８ 半導体ウエハ ９ ダイシングガイド １３ 保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハ上に、発光部となる多数の
発光ドットを一列又は千鳥状に等間隔で配置すると共
に、ダイシング位置を示すダイシングガイドを形成し、
該ダイシングガイドをダイシングすることで半導体ウエ
ハから発光ダイオードアレイを切り出す発光ダイオード
アレイの製造方法において、上記ダイシングガイドの表
面に保護膜を形成し、該保護膜の上からダイシングする
ことを特徴とする発光ダイオードアレイの製造方法。 - 【請求項２】 上記保護膜がポリイミド膜又はネガ型レ
ジスト膜である請求項１記載の発光ダイオードアレイの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000194933A JP2002009333A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | 発光ダイオードアレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000194933A JP2002009333A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | 発光ダイオードアレイの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002009333A true JP2002009333A (ja) | 2002-01-11 |
Family
ID=18693685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000194933A Pending JP2002009333A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | 発光ダイオードアレイの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002009333A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008140871A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族半導体素子、およびその製造方法 |
| JP2009290242A (ja) * | 2002-11-11 | 2009-12-10 | Oki Data Corp | 半導体装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置 |
-
2000
- 2000-06-23 JP JP2000194933A patent/JP2002009333A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009290242A (ja) * | 2002-11-11 | 2009-12-10 | Oki Data Corp | 半導体装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置 |
| US8395159B2 (en) | 2002-11-11 | 2013-03-12 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus with thin semiconductor film |
| US8445935B2 (en) | 2002-11-11 | 2013-05-21 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus with thin semiconductor film |
| US8816384B2 (en) | 2002-11-11 | 2014-08-26 | Oki Data Corporation | Semiconductor apparatus with thin semiconductor film |
| JP2008140871A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ−ｖ族半導体素子、およびその製造方法 |
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