JP2008140871A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008140871A5 JP2008140871A5 JP2006323949A JP2006323949A JP2008140871A5 JP 2008140871 A5 JP2008140871 A5 JP 2008140871A5 JP 2006323949 A JP2006323949 A JP 2006323949A JP 2006323949 A JP2006323949 A JP 2006323949A JP 2008140871 A5 JP2008140871 A5 JP 2008140871A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor element
- semiconductor
- substrate
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 56
- 230000001681 protective Effects 0.000 claims description 46
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 27
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 19
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 230000003405 preventing Effects 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N Niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910020830 Sn-Bi Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910018728 Sn—Bi Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N al2o3 Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 20
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 Polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Description
本発明は、成長基板上にIII −V族半導体からなるn層とp層とを成長させて、p層上の電極層をハンダを用いて支持基板と接合した後、レーザーリフトオフにより成長基板を除去して半導体素子を製造する方法およびその半導体素子に関する。特に、p層とn層との側面における電気的短絡や、レーザーリフトオフ時に半導体素子端面に生じる恐れのある割れから保護する方法およびその半導体素子構造に関するものである。
III 族窒化物半導体を成長させる基板として、一般的に化学的、熱的に安定しているサファイア基板が用いられているが、サファイアには伝導性がなく、縦方向に電流を流すことができない。また、サファイアには明確な劈開面がなく、ダイシングが困難である。また、サファイアは熱伝導性も低く、半導体素子の放熱を阻害する。さらに、半導体層とサファイア基板の接合面での全反射や、半導体層での光閉じ込めがあり、外部量子効率が低い。光の取り出し効率を向上させるために光取り出し面を凹凸加工することも考えられるが、サファイアはこの加工が容易ではない。
この問題を解決する技術として、レーザーリフトオフ法が知られている。レーザーを照射し、サファイア基板を分離除去する方法である。
特許文献1には、サファイア基板上にIII 族窒化物半導体素子を形成した後、エッチングにより溝を形成して各素子ごとに分離させ、サファイア基板上に成長させたIII 族窒化物半導体素子と支持基板とを接合した後、レーザーリフトオフを実施する方法が示されている。溝の内部に残った気体がレーザーにより熱膨張してIII 族窒化物半導体素子にクラックが生じていたが、特許文献1は、溝の内部に誘電体を充填することで気体を排除して、これによるクラックの発生を防止できる旨の記述がある。
また、特許文献2には、溝の内部にフォトレジストを満たし、III 族窒化物半導体素子と支持基板とを接合するのではなく、III 族窒化物半導体素子の上部に金属層を形成した後、レーザーリフトオフを実施する方法が示されている。溝に形成されたフォトレジストは、その金属層を形成するときに溝の中に金属が入ることを防止するためのものであることが説明されている。
また、特許文献3には、傾斜した半導体素子端面にSiO2 やAl2 O3 などの保護膜およびシード金属膜を形成し、溝と半導体素子上部に金属層を形成した後、レーザーリフトオフを実施する方法が示されている。
特開2005−333130
特表2005−522873
特開2006−135321
レーザーリフトオフ工程においては、サファイア基板を分離させる時に、III 族窒化物半導体素子端面に物理的衝撃が加わり、端面が割れ落ちてしまう場合がある。しかしながら、特許文献1〜3には、この物理的衝撃によって生じる半導体素子端面の割れを防止する方法については示されていない。
また、特許文献3では、成長基板と保護膜とが強固に接合しているため、サファイア基板の分離の際、保護膜が剥離し、半導体素子にクラックが発生する。さらに、ダイシング時には半導体素子上部に形成された金属層を切断しなければならない点も問題である。また、特許文献2、3は、支持基板との貼り合わせ接合によるものではない。
支持基板との貼り合わせ接合の場合は、次のような問題がある。p型活性化の必要から成長基板上には、先にn層が形成され、のちにp層が形成される。n層は厚くできるが、p層は厚くすることが難しく薄い。そのため、ハンダによりp層と支持基板を接合する構造では、支持基板とn層の距離が近い。したがって、ダイシングやウェハ接合時にハンダや金属が半導体素子の側面に付着し、p層とn層とが短絡してしまう。
そこで本発明の目的は、基板上に先にn層が形成され、のちにp層が形成された半導体層を、各半導体素子ごとに分離させ、半田を介して支持基板と接合させてからレーザーリフトオフを用いて基板を除去する場合において、半導体素子の端面でn層とp層とが短絡することを防止すること、および、基板の分離での物理的衝撃によって生じる恐れのある半導体素子端面の割れを防止することにある。
第1の発明は、III −V族半導体で構成された半導体素子の製造方法において、基板上に、p電極および低融点金属拡散防止層を上面に有し、互いに分離された複数の半導体素子を形成する工程と、基板上面の、少なくとも半導体素子端面近傍に、基板および誘電体からなる端面保護膜に対する接合強度が、基板と端面保護膜の接合強度より弱いバッファ層を形成する工程と、半導体素子の端面を覆うように、端面保護膜を形成する工程と、半導体素子と伝導性の支持基板を低融点金属層を介して接合する工程と、レーザーリフトオフにより基板を除去する工程と、バッファ層を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法である。
この製造方法により、基板と端面保護膜とは直接接合していないこととなる。
バッファ層の除去後には、半導体素子の表面と端面保護膜の上端面との間に、バッファ層の膜厚に応じた段差が生じる。
この製造方法により、基板と端面保護膜とは直接接合していないこととなる。
バッファ層の除去後には、半導体素子の表面と端面保護膜の上端面との間に、バッファ層の膜厚に応じた段差が生じる。
端面保護膜は、100nm〜500nmであることが望ましい。この端面保護膜は、たとえば、プラズマCVD法により形成できる。半導体素子上面に、p電極および低融点金属拡散防止層の形成されていない領域がある場合は、その領域に端面保護膜が形成されてもよい。
p電極にはAg、Rh、Pt、Ruやこれらの金属を主成分とする合金などの高光反射率で低コンタクト抵抗な金属が望ましい。他には、Ni、Ni合金、Au合金などを用いることができる。また、ITOなどの透明電極膜と高反射金属膜からなる複合層であってもよい。低融点金属拡散防止層には、Ti/Ni/AuなどのTi/Niを含む多層膜、W/Pt/AuなどのW/Ptを含む多層膜などを用いることができる。低融点金属拡散防止層は、低融点金属層の金属が低融点金属拡散防止層を超えて拡散するのを防止する層である。低融点金属層には、Au−Sn層、Au−Si層、Ag−Sn−Cu層、Sn−Bi層などの金属共晶層や、低融点金属ではないが、Au層、Sn層、Cu層などを用いることができる。
半導体素子のn層、p層は、組成の異なる複数の層からなる多重層であってもよく、真性半導体層を含んでいてもよい。また、n層とp層の間にMQW、SQWなどの活性層があってもよい。
支持基板には、Si基板、GaAs基板、Cu基板、Cu−W基板などの伝導性の基板を用いる。
半導体素子の端面にバッファ層が付着すると、その部分に誘電体が形成されないため望ましくない。そのため、半導体素子の端面はなるべく傾斜のないことが望ましく、基板に対して垂直になっていることが最も望ましい。また、バッファ層の膜厚は、なるべく薄いことが望ましい。端面保護膜の形成される領域を広くできるからである。バッファ層としては、レジストなどの有機膜やAu膜を用いることができる。
バッファ層は、基板と端面保護膜の端面との間に形成されていればよく、基板上面の半導体素子端面近傍に形成されていれば、それを満たす。もちろん、基板上面の全面に形成されていてもかまわない。たとえば、基板と半導体素子を覆うようにバッファ層を形成した後、基板上面以外に形成されたバッファ層を除去することで形成してもよい。
第2の発明は、第1の発明において、バッファ層は、レジスト膜またはAu膜であることを特徴とする半導体素子の製造方法である。
レジスト膜を用いる場合は、1μm以下であることが望ましい。Au膜を用いる場合は、半導体素子の端面に付着した場合に洗浄、除去する必要があるため、膜厚は25〜50nmであることが望ましい。
第3の発明は、第1の発明又は第2の発明において、端面保護膜は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化アルミニウムのいずれかにより形成されていることを特徴とする半導体素子の製造方法である。
第4の発明は、第1の発明から第3の発明において、低融点金属層は、Au−Sn、Au−Si、Ag−Sn−Cu、Sn−Biのいずれかにより形成されていることを特徴と
する半導体素子の製造方法である。
する半導体素子の製造方法である。
第5の発明は、第1の発明から第4の発明において、半導体素子は、III 族窒化物半導体で構成されていることを特徴とする半導体素子の製造方法である。
第6の発明は、第1の発明から第5の発明において、半導体素子は、発光素子であることを特徴とする半導体素子の製造方法である。
第7の発明は、III −V族半導体で構成され、伝導性の支持基板と低融点金属層を介して接合し、支持基板に近い側にp伝導型のp層、支持基板から遠い側にn伝導型のn層を有し、n層と接合する基板が除去された半導体素子において、半導体素子の端面には誘電体からなる端面保護膜が形成されており、n層の表面は、端面保護膜の上面より高く、段差があることを特徴とする半導体素子である。
第8の発明は、第7の発明において、半導体素子の端面は、支持基板に対して垂直であることを特徴とする半導体素子である。
第9の発明は、第7の発明又は第8の発明において、端面保護膜は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化アルミニウムのいずれかにより形成されていることを特徴とする半導体素子である。
第10の発明は、第7の発明から第9の発明において、低融点金属層は、Au−Sn、Au−Si、Ag−Sn−Cu、Sn−Biのいずれかにより形成されていることを特
徴とする半導体素子である。
徴とする半導体素子である。
第11の発明は、第7の発明から第10の発明において、半導体素子は、III 族窒化物半導体で構成されていることを特徴とする半導体素子である。
第12の発明は、第7の発明から第11の発明において、半導体素子は、発光素子であることを特徴とする半導体素子である。
第1、7の発明によると、半導体素子の端面が誘電体からなる端面保護膜で覆われるため、p層が薄いことにより半導体素子の端面でn層とp層とが低融点金属により短絡することを防止できる。また、支持基板との接合後のレーザーリフトオフ時の基板除去による物理的衝撃で生じる恐れのある半導体素子端面の割れを防止することができる。
また、第1の発明では、基板と端面保護膜との間にバッファ層を設けている。これは、次の理由による。レーザーリフトオフでの基板の除去は、物理的衝撃を伴うため、基板と端面保護膜の剥がれ方が安定していない。そのため、端面保護膜のみを形成した場合、基板の除去時に端面保護膜が半導体素子端面から剥がれてしまい、保護膜としての機能を発揮できないこともある。そこでバッファ層を設けることで、基板を除去する際の端面保護膜への物理的衝撃を緩和することができ、端面保護膜が半導体素子端面から剥がれるのを防止できる。したがって、端面保護膜が、端面保護の機能を損なうことがなく、端面保護膜のみを形成する場合より半導体素子端面の割れを防止する効果が大きい。
以上のように、本発明の効果により、半導体素子の製造不良が減少し、歩留りが向上する。
また、第7の発明から第12の発明の半導体素子は、半導体素子の端面に端面保護膜が形成されているため、半導体素子端面で短絡がなく、半導体素子の端面に割れのない半導体素子である。
以下、本発明の具体的な実施例について図を参照しながら説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
図1は、実施例1のレーザーリフトオフによる発光素子の製造工程を示す図である。
まず、サファイア基板10上に、エピタキシャル成長によりIII 族窒化物半導体層11を作製し、各発光素子12を形成する領域の上面に、p電極13と低融点金属拡散防止層14を形成する(図1A)。p電極には、Ag、Rh、Pt、Ruやこれらの金属を主成分とする合金などの高光反射率で低コンタクト抵抗な金属や、Ni、Ni合金、Au合金などを用いることができる。また、ITOなどの透明電極膜と高反射金属膜からなる複合層であってもよい。低融点金属拡散防止層14には、Ti/Ni/AuなどのTi/Niを含む多層膜、W/Pt/AuなどのW/Ptを含む多層膜などを用いる。III 族窒化物半導体層11は、図2に示すように、n型層100、MQW層101、p型層102で構成されている。
次に、III 族窒化物半導体層11の所定の場所をサファイア基板10が露出するまでエッチングすることで複数の発光素子12に分離させる(図1B)。発光素子12の端面は垂直になるようエッチングした。
次に、上面全体にバッファ層としてレジスト膜15を形成する。このとき、発光素子12の端面は垂直になっているため、その端面にはレジスト膜15は形成されない。このレジスト膜15は、発光素子12のサファイア基板10と接続するn型層100よりも薄ければよいが、なるべく薄いことが望ましい。n型層100よりも厚ければ、次工程において、その端面部分に端面保護膜が形成されず、短絡防止効果がなくなる。通常、そのn型層は2μm〜4μm程度の膜厚であるから、レジスト膜は1μm以下の膜厚であることが望ましい。その後、発光素子12の表面に形成されたレジスト膜15は除去する(図1C)。
バッファ層として、レジスト以外にAuを用いてもよい。Auが発光素子12の端面に付着した場合には除去する必要があるため、Au膜は25〜50nm程度の膜厚とすることが望ましい。50nm以上では、端面に付着したAuを除去するのが容易でなく望ましくない。25nm以下では、粒状の粒界成長となる可能性があり望ましくない。レジストには、ポリイミドなども用いることができる。
次に、発光素子12の端面と、p電極13および低融点金属拡散防止層14の形成されていない発光素子12の上面121に、プラズマCVD法によりSiO2 からなる端面保護膜16を形成する(図1D)。この端面保護膜16は、発光素子12の端面において、n型層100とp型層102が短絡するのを防止するためのものである。膜厚は100nm〜500nm程度が望ましい。100nm以下では、発光素子12の端面と端面保護膜16との密着性が低くなるので好ましくなく、500nm以上では、その後のパターニング時に、多大なエッチング時間が必要なため望ましくない。SiO2 以外には、Si3 N4 (窒化ケイ素)、ZrO2 (酸化ジルコニウム)、NbO(酸化ニオブ)、Al2 O3 (酸化アルミニウム)などを用いることができる。
次に、低融点金属拡散防止層14と端面保護膜16の上面に再度低融点金属拡散防止層17を形成し、その低融点金属拡散防止層17上面に低融点金属層18を形成する(図1E)。低融点金属層18には、Au−Sn層、Au−Si層、Ag−Sn−Cu層、Sn
−Bi層などの金属共晶層や、低融点金属ではないが、Au層、Sn層、Cu層などを用いることができる。
−Bi層などの金属共晶層や、低融点金属ではないが、Au層、Sn層、Cu層などを用いることができる。
端面保護膜16、低融点金属拡散防止層17は、フォトリソグラフィにより、所定パターンに形成される。
次に、Siからなる支持基板19の上面に形成された低融点金属層20を介して、支持基板19と低融点金属層18を接合する(図1F)。支持基板19として、Siの他にGaAs、Cu、Cu−Wを用いることができる。低融点金属拡散防止層14、17は、低融点金属層18、20の金属が、低融点金属拡散防止層14、17を超えて拡散するのを防止するための層である。
そして、レーザーリフトオフにより、サファイア基板10を分離除去する(図1G)。レーザーの照射は、波長248nmのKrFレーザーを、0.7J/cm2 以上の条件で、ウェハに光照射する。レジスト膜15とサファイア基板10との接合強度、および、レジスト膜15と端面保護膜16との接合強度は弱いため、容易に剥離する。したがって、レジスト膜15の存在により、サファイア基板10を除去する際の物理的衝撃が、直接端面保護膜16に伝わることがない。そのため、端面保護膜16が破損し、剥がれ落ちることを防止することができ、その結果、発光素子12の端面にも割れが生じない。なお、サファイア基板10を除去する際に、レジスト膜15も剥離し、除去される場合があるが、次工程において除去されるものであるから問題はない。
次に、レジスト膜15を洗浄除去する(図1H)。レジスト膜15の替わりにバッファ層としてAu膜を用いた場合は、ヨウ素系エッチング液を塗布することで洗浄除去できる。このレジスト膜15の除去により、発光素子12の表面と端面保護膜16の上端面との間に、レジスト膜15の厚さ分の段差Dが生じる。この段差Dは、のちの工程で端面保護膜16と同一または他の材料によって埋めてもよい。
その後、n電極を形成し、ダイシングすることで、支持基板19上に形成された、個々の発光素子12が製造される。低融点金属層20が切断される際、金属粉が発生するが、端面保護膜16が形成されているため、発光素子12の端面は保護され、n型層100とp型層102間の短絡が防止されている。
実施例1は、発光素子の製造方法であったが、本発明は発光素子に限るものではなく、レーザーリフトオフにより製造されるあらゆる半導体素子に適用できるものである。また、III 族窒化物半導体で構成された半導体素子に限らず、GaAsやGaPなど、III −V族半導体で構成された半導体素子に対しても、本発明は適用できる。
また、実施例1では、p電極13と低融点金属拡散防止層14を形成した後にエッチングで各発光素子12に分離しているが、エッチングで各発光素子12に分離した後にp電極13と低融点金属拡散防止層14を形成してもよい。また、バッファ層は、サファイア基板10上の発光素子12端面付近にのみ形成されるよう、あらかじめパターニングしておいてもよい。後のバッファ層の除去がより容易になる。
本発明によって、レーザーリフトオフによる半導体素子製造の歩留りを向上できる。
10:サファイア基板
11:III 族窒化物半導体層
12:発光素子
13:p電極
14、17:低融点金属拡散防止層
15:バッファ層
16:端面保護膜
18、20:低融点金属層
19:支持基板
100:n型層
101:MQW層
102:p型層
11:III 族窒化物半導体層
12:発光素子
13:p電極
14、17:低融点金属拡散防止層
15:バッファ層
16:端面保護膜
18、20:低融点金属層
19:支持基板
100:n型層
101:MQW層
102:p型層
Claims (12)
- III −V族半導体で構成された半導体素子の製造方法において、
基板上に、p電極および低融点金属拡散防止層を上面に有し、互いに分離された複数の前記半導体素子を形成する工程と、
前記基板上面の、少なくとも前記半導体素子端面近傍に、前記基板および誘電体からなる端面保護膜に対する接合強度が、前記基板と前記端面保護膜の接合強度より弱いバッファ層を形成する工程と、
前記半導体素子の端面を覆うように、前記端面保護膜を形成する工程と、
前記半導体素子と伝導性の支持基板を低融点金属層を介して接合する工程と、
レーザーリフトオフにより前記基板を除去する工程と、
前記バッファ層を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記バッファ層は、レジスト膜またはAu膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記端面保護膜は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化アルミニウムのいずれかにより形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記低融点金属層は、Au−Sn、Au−Si、Ag−Sn−Cu、Sn−Biのいず
れかにより形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記半導体素子は、III 族窒化物半導体で構成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記半導体素子は、発光素子であることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の半導体素子の製造方法。
- III −V族半導体で構成され、伝導性の支持基板と低融点金属層を介して接合し、支持基板に近い側にp伝導型のp層、支持基板から遠い側にn伝導型のn層を有し、前記n層と接合する基板が除去された半導体素子において、
前記半導体素子の端面には誘電体からなる端面保護膜が形成されており、
前記n層の表面は、前記端面保護膜の上面より高く、段差があることを特徴とする半導体素子。 - 前記半導体素子の端面は、支持基板に対して垂直であることを特徴とする請求項7に記載の半導体素子。
- 前記端面保護膜は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化アルミニウムのいずれかにより形成されていることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の半導体素子。
- 前記低融点金属層は、Au−Sn、Au−Si、Ag−Sn−Cu、Sn−Biのいず
れかにより形成されていることを特徴とする請求項7ないし請求項9のいずれか1項に記載の半導体素子。 - 前記半導体素子は、III 族窒化物半導体で構成されていることを特徴とする請求項7ないし請求項10のいずれか1項に記載の半導体素子。
- 前記半導体素子は、発光素子であることを特徴とする請求項7ないし請求項11のいずれか1項に記載の半導体素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006323949A JP4910664B2 (ja) | 2006-11-30 | 2006-11-30 | Iii−v族半導体素子の製造方法 |
US11/987,420 US7781241B2 (en) | 2006-11-30 | 2007-11-29 | Group III-V semiconductor device and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006323949A JP4910664B2 (ja) | 2006-11-30 | 2006-11-30 | Iii−v族半導体素子の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008140871A JP2008140871A (ja) | 2008-06-19 |
JP2008140871A5 true JP2008140871A5 (ja) | 2009-03-19 |
JP4910664B2 JP4910664B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=39602067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006323949A Active JP4910664B2 (ja) | 2006-11-30 | 2006-11-30 | Iii−v族半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4910664B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011040425A (ja) * | 2009-08-06 | 2011-02-24 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
JP5596375B2 (ja) * | 2010-03-08 | 2014-09-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子 |
JP2012195435A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JP5739698B2 (ja) * | 2011-03-22 | 2015-06-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP5992702B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2016-09-14 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光素子、および、車両用灯具、ならびに、半導体発光素子の製造方法 |
US9887180B2 (en) * | 2015-01-30 | 2018-02-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing a semiconductor component and a semiconductor component |
US11329033B2 (en) * | 2017-11-10 | 2022-05-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor module, display device, and semiconductor module production method |
WO2023010292A1 (zh) * | 2021-08-03 | 2023-02-09 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 发光器件及发光器件的制作方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002009333A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードアレイの製造方法 |
US20030189215A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Jong-Lam Lee | Method of fabricating vertical structure leds |
KR101247727B1 (ko) * | 2003-01-31 | 2013-03-26 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 반도체 소자 제조 방법 |
KR100595884B1 (ko) * | 2004-05-18 | 2006-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 질화물 반도체 소자 제조 방법 |
KR100667508B1 (ko) * | 2004-11-08 | 2007-01-10 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 및 그의 제조방법 |
JP2006319248A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子 |
-
2006
- 2006-11-30 JP JP2006323949A patent/JP4910664B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9559252B2 (en) | Substrate removal process for high light extraction LEDs | |
JP4835409B2 (ja) | Iii−v族半導体素子、およびその製造方法 | |
JP2008186959A (ja) | Iii−v族半導体素子、およびその製造方法 | |
JP4910664B2 (ja) | Iii−v族半導体素子の製造方法 | |
JP6221926B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP5376467B2 (ja) | 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオ−ド素子及びその製造方法 | |
JP5334158B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
EP1956663A1 (en) | Nitride semiconductor light emitting element and method for producing nitride semiconductor light emitting element | |
JP4920249B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 | |
JP2008140871A5 (ja) | ||
JP2007158133A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 | |
JP2008235362A (ja) | Iii−v族半導体素子、およびその製造方法 | |
US20110133216A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor light emitting device and stacked structure body | |
JP2008053685A (ja) | 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法 | |
US7781241B2 (en) | Group III-V semiconductor device and method for producing the same | |
JP2008042143A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP4738999B2 (ja) | 半導体光素子の製造方法 | |
JP2007005361A (ja) | 発光素子 | |
US9159871B2 (en) | Light-emitting device having a reflective structure and a metal mesa and the manufacturing method thereof | |
JP4867223B2 (ja) | 半導体発光素子およびこれを用いた照明装置 | |
JP2007158131A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体光素子 | |
JP2008016629A (ja) | 3族窒化物系発光ダイオード素子の製造方法 | |
TWI583023B (zh) | 用於一半導體發光裝置的接觸件 | |
JP2007158132A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 | |
JP5361569B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 |