JP4867223B2 - 半導体発光素子およびこれを用いた照明装置 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態1に係る半導体発光素子の構成を図1に基づいて説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体発光素子の構成を説明する断面図である。
本発明の実施の形態2に係る半導体発光素子の構成を図2に基づいて説明する。図2は、本発明の実施の形態2に係る半導体発光素子の構成を説明する断面図である。なお図2において図1と同じ機能を有するものは同符号を付して説明は省略する。
本発明の実施の形態3に係る半導体発光素子の構成を図3に基づいて説明する。図3は、本発明の実施の形態3に係る半導体発光素子の構成を説明する断面図である。なお図3において図1と同じ機能を有するものは同符号を付して説明は省略する。
本発明の実施の形態4に係る半導体発光素子を用いた照明装置を図4および図5に示す。図4は、本発明の実施の形態4に係る照明装置の構成を説明する概略斜視図である。図5は、本発明の実施の形態4に係る照明装置の構成を説明する部分拡大断面図である。
2 基板
3 n型半導体層
4 n電極
5 発光層
6 p型半導体層
7 コンタクト電極
8,11,16 反射電極
9,12,17 p電極
50 照明装置
51 ベース基板
51a 金属基板
51b 絶縁層
51c 配線パターン
51d 電極
52 半導体発光装置
53 反射枠
54 レンズ部
55 樹脂層
Claims (6)
- n型半導体層と、発光層と、p型半導体層と、コンタクト電極が設けられ、前記コンタクト電極に、反射電極およびp電極とが設けられた半導体発光素子において、
前記反射電極は、前記コンタクト電極より平面視して面積の小さい形状であり、
前記p電極が、カバー電極として前記反射電極を覆うとともに、前記反射電極の周囲の前記コンタクト電極の表面、前記コンタクト電極の側面、および前記コンタクト電極の周囲の前記p型半導体層の表面を覆うように形成され、
前記カバー電極は、前記コンタクト電極を溶解させる溶液に対して耐溶解性を有していることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記コンタクト電極は、In、Zn,Pt,Pd,Ni、または、これらの金属を1種類以上含む合金、または導電性酸化膜より形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記コンタクト電極をITOとしたときに、
前記p電極は、Zn,Pt,Pd,Ti,W,Mo、またはこれらの金属を1種類以上含む合金または導電性膜より形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。 - 前記コンタクト電極をITOとしたときに、
前記反射電極は、Ag,Al,Pd,Rh,Pt,W,Mo,Ti、またはこれらの金属を1種類以上含む合金より形成されていることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体発光素子。 - 前記反射電極は、前記コンタクト電極と接するように形成されることを特徴とする請求項1から4のいずれかの項に記載の半導体発光素子。
- 前記請求項1から5のいずれかの項に記載の半導体発光素子を搭載したことを特徴とする照明装置。
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