JP5246199B2 - Iii族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Description
102:低融点金属層
103:p電極
104:p型層
105:活性層
106:n型層
107:nパッド電極
108:第1の溝
109:補助電極
110:絶縁膜
111:第2の溝
114:pパッド電極
115:第3の溝
116:保護膜
Claims (5)
- 支持体と、前記支持体上に位置するp電極と、前記p電極上に順に位置する、III 族窒化物半導体からなるp型層、活性層、n型層と、を有するIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記支持体は、セラミック基板であり、
前記p型層の前記p電極側表面から前記n型層に達する深さである第1の溝と、
前記第1の溝により露出した前記n型層に接し、前記第1の溝の側面には接しない補助電極と、
前記補助電極、および前記第1の溝の底面、側面を覆う透光性を有した絶縁膜と、
前記補助電極の一部に素子面に垂直な方向において対向する領域に位置し、前記n型層の前記p電極側とは反対側の表面から前記補助電極に達する深さである第2の溝と、
前記第2の溝により露出した前記補助電極上に接して位置するnパッド電極と、
前記補助電極に素子面に垂直な方向において対向しない領域に位置し、前記n型層の前記p電極側とは反対側の表面から前記p電極に達する深さである第3の溝と、
前記第3の溝により露出した前記p電極上に接して位置するpパッド電極と
を有し、
前記第1の溝および前記補助電極は同一の平面パターンを有し、前記補助電極は、発光領域の周辺を囲む配線状部分と、その配線状部分の内部に配線状の格子状部分とを有し、
前記配線状部分の第1の溝の側面により前記発光層からの発光を内側の前記n型層側へ反射させるようにしたことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 前記第1の溝の側面は、前記第1の溝の素子面方向における断面積が前記n型層側に向かって減少する傾斜を有する、ことを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記補助電極は、前記配線状部分の一つの角部において、平面視においてnパッド電極の形状を含み且つnパッド電極が接合される領域を有し、前記角部の対角位置に前記pパッド電極が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記セラミック基板は、AlNまたはSiCからなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記補助電極は、V/Al、Ti/Al、V/Au、Ti/Au、またはNi/Auから成ることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
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