JP2011216524A - Iii族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子100は、セラミック基板101上にp電極103、p型層104、活性層105、n型層106を有している。p型層104のp電極103側の表面に、第1の溝108が形成され、n型層106に達する深さである。第1の溝108の底面に接し、第1の溝108の側面には接しないよう補助電極109が形成されている。また、n型層106表面であって、補助電極109の一部と対向する領域に、その補助電極109に達する深さの第2の溝111が形成され、第2の溝111の底面に露出した補助電極109上にnパッド電極107が形成されている。また、n型層106表面であって、補助電極109と対向しない領域に、p電極103に達する深さの第3の溝115が形成され、第3の溝115底面に露出したp電極103上にpパッド電極114が形成されている。
【選択図】図2
Description
102:低融点金属層
103:p電極
104:p型層
105:活性層
106:n型層
107:nパッド電極
108:第1の溝
109:補助電極
110:絶縁膜
111:第2の溝
114:pパッド電極
115:第3の溝
116:保護膜
Claims (6)
- 支持体と、前記支持体上に位置するp電極と、前記p電極上に順に位置する、III 族窒化物半導体からなるp型層、活性層、n型層と、を有するIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記支持体は、セラミック基板であり、
前記p型層の前記p電極側表面から前記n型層に達する深さである第1の溝と、
前記第1の溝により露出した前記n型層に接し、前記第1の溝の側面には接しない補助電極と、
前記補助電極、および前記第1の溝の底面、側面を覆う透光性を有した絶縁膜と、
前記補助電極の一部に素子面に垂直な方向において対向する領域に位置し、前記n型層の前記p電極側とは反対側の表面から前記補助電極に達する深さである第2の溝と、
前記第2の溝により露出した前記補助電極上に接して位置するnパッド電極と、
前記補助電極に素子面に垂直な方向において対向しない領域に位置し、前記n型層の前記p電極側とは反対側の表面から前記p電極に達する深さである第3の溝と、
前記第3の溝により露出した前記p電極上に接して位置するpパッド電極と、
を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 前記第1の溝および前記補助電極は、配線状のパターンである、ことを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記第1の溝の側面は、前記第1の溝の素子面方向における断面積が前記n型層側に向かって減少する傾斜を有する、ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記補助電極は、平面視においてnパッド電極の形状を含む形状である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記セラミック基板は、AlNまたはSiCからなることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
- 前記補助電極は、V/Al、Ti/Al、V/Au、Ti/Au、またはNi/Auから成ることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
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